JPH0738398B2 - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPH0738398B2
JPH0738398B2 JP61150435A JP15043586A JPH0738398B2 JP H0738398 B2 JPH0738398 B2 JP H0738398B2 JP 61150435 A JP61150435 A JP 61150435A JP 15043586 A JP15043586 A JP 15043586A JP H0738398 B2 JPH0738398 B2 JP H0738398B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
bent
bent portion
bonded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61150435A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS636849A (ja
Inventor
恵太郎 岡野
幸一郎 渥美
規安 加島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61150435A priority Critical patent/JPH0738398B2/ja
Publication of JPS636849A publication Critical patent/JPS636849A/ja
Publication of JPH0738398B2 publication Critical patent/JPH0738398B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は第１のボンディング部と第２のボンディング
部との間にボンディングされるワイヤのループの立上が
り高さを低くするためのワイヤボンディング方法に関す
る。
（従来の技術） たとえば、半導体素子に設けられた電極と、リードフレ
ームに設けられた端子とを電気的に導通させる場合、こ
れら両者をワイヤで接続する、いわゆるワイヤボンディ
ングが知られている。ワイヤボンディングは、周知のよ
うに超音波振動が与えられるボンディングツールを上下
方向に駆動するとともに、上記ボンディングツールが取
付けられたボンディングヘッドを載置したテーブルを
Ｘ、Ｙ方向に駆動することによって上記電極と端子間を
ワイヤでボンディングするようにしている。
つまり、上記ボンディングツールを下降させて第１のボ
ンディング部である半導体素子の電極にワイヤをボンデ
ィングしたならば、上記ボンディングツールを上昇させ
るとともにテーブルを駆動して上記ボンディングツール
を第２のボンディング部であるリードフレームの端子の
上方に位置させる。しかるのち、上記ボンディングツー
ルを下降させて上記リードフレームの端子に上記ワイヤ
をボンディングするようにしている。
ところで、このようなネイルヘッドボンディングにおい
て、従来は第２のボンディング部であるリードフレーム
の端子にワイヤをボンディングする際、ボンディングツ
ールを単に下降させるだけであった。そのため、第１の
ボンディング部と第２のボンディング部とにボンディン
グされたワイヤは滑らかな曲線のループ状をなし、その
立ち上がり高さは、通常200〜300μｍと非常に高い状態
にあるので、その半導体装置をたとえば薄いICカードな
どに用いる場合、上記ループの立上がり高さを150μｍ
程度に押し潰さなければならなかった。そして、上記ワ
イヤのループを押し潰す作業は、ワイヤボンディング工
程の後に別工程として行なわなければならなかったの
で、生産性の低下を招いたり、ワイヤループを良好に押
し潰すことができずに不良品の発生を招くなどのことが
あった。
（発明が解決しようとする問題点） この発明は、ワイヤを第１のボンディング部にボンディ
ングしたのち、第２のボンディング部にボンディングす
るときに、そのループの高さを十分に低くすることがで
きるようにしたワイヤボンディング方法を提供すること
を目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段及び作用） この発明は、第１のボンディング部と第２のボンディン
グ部とをネイルヘッドボンディングするときに、ワイヤ
を第１のボンディング部にボンディングしたのち、第２
のボンディング部にボンディングする前に、ボンディン
グツールを第２のボンディング部から離れる方向へ移動
させながら所定寸法上昇させたのち、さらに上記第２の
ボンディング部の方向に移動させながら上昇させて上記
ワイヤに第１の屈曲部およびこの第１の屈曲部よりも上
方に位置する第２の屈曲部とを形成してから、上記ワイ
ヤを上記第１の屈曲部の箇所から上記第２のボンディン
グ部の方向へ屈曲させて上記第２のボンディング部にボ
ンディングする。そして、ワイヤの上記第１の屈曲部と
第２の屈曲部との間をほぼ水平にすることにより、その
ワイヤのループの高さを十分に低くするようにした。
（実施例） 以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｉ）はこの発明に係わるネイルヘッド
ボンディングを順次示した説明図で、第１図（ａ）にお
いてワイヤガイド１にガイドされたワイヤ２は上クラン
プ３と下クランプ４とを介してボンディングツール５に
通されその下クランプ４から突出した端部にはボール６
が形成されている。そして、上記ボンディングツール５
は第１のボンディング部であるリードフレーム７に取着
されたペレット８の上方に位置している。この状態から
第１図（ｂ）に示すように下クランプ４が開いてボンデ
ィングツール５が下降し、ワイヤ２を繰り出す。このと
き、ワイヤ２は上クランプ３に対してスリップしながら
繰り出されるので、上クランプ３とボンディングツール
５との間においてワイヤ２にたるみが生じることがな
い。
つぎに、第１図（ｃ）に示すように上クランプ３が開い
てボンディングツール５がさらに下降し、ワイヤ２の下
端に形成されたボール６が上記ペレット８のボンディン
グされる。
このようにしてペレット８へのボンディングが終了する
と、第１図（ｄ）に示すようにボンディングツール５が
第２のボンディング部である上記リードフレーム７の端
子９から離れる−Ｘ方向へ移動しながら所定寸法上昇
し、ついで第１図（ｅ）に示すように上記ペレット８の
上方へ戻る＋Ｘ方向へ移動しながら上昇して所定位置で
停止する。したがって、上記ワイヤ２にはペレット８と
の固着部分に第１の屈曲部11が形成され、ボンディング
ツール５が−Ｘ方向から＋Ｘ方向へ方向変換した箇所と
対応する部分には第２の屈曲部12が形成される。
このようにしてワイヤ２に第１、第２の屈曲部11、12が
形成されると、ボンディングツール５が第１図（ｆ）に
示すように下降しながら＋Ｘ方向へ移動する。そして、
ボンディングツール５が上記リードフレーム７の端子９
の上方に位置したならば、第１図（ｇ）に示すように下
降して、上記ワイヤ２を端子９にボンディングする。こ
のとき、上記ワイヤ２がなすループは、第２図に示すよ
うに第１の屈曲部11と第２の屈曲部12とで屈曲し、これ
ら屈曲部11、12の間の部分はリードフレーム７の板面に
対してほぼ平行になっている。したがって、ワイヤ２が
円弧状に曲成されている場合に比べてそのループの高さ
ｈを十分に低くできるばかりか、そのワイヤ２がペレッ
ト８の角部8aに当たるようなこともない。
上記端子９へワイヤ２をボンディングし終わると、第１
図（ｈ）に示すように下クランプ４が閉じ、この下クラ
ンプ４とともにボンディングツール５が上昇し、ワイヤ
２が上記端子９の箇所で切断される。ついで、第１図
（ｉ）に示すようにボンディングツール５から突出した
ワイヤ２の端部にトーチ13によってボール６が形成され
ることによって第１図（ａ）の状態となり、再び上述し
た工程が繰返される ［発明の効果］ 以上述べたようにこの発明は、ワイヤを第１のボンディ
ング部にボンディングしてから、このワイヤに第１の屈
曲部と第２の屈曲部とを形成したのち、上記ワイヤを上
記第１の屈曲部の箇所から屈曲させて第２のボンディン
グ部にボンディングするようにした。したがって、ワイ
ヤの第１の屈曲部と第２の屈曲部との間の部分をほぼ水
平にすることができるので、ワイヤのループの高さを十
分に低くすることができるばかりか、ループを押し潰す
従来のように接触不良の発生を招くようなことがないな
どの利点を有する。
【図面の簡単な説明】 図面はこの発明の一実施例を示し、第１図（ａ）〜
（ｉ）はボンディング工程を順次示す説明図、第２図は
ワイヤが第１のボンディング部と第２のボンディング部
とにボンディングされた状態を拡大した側面図である。 ２……ワイヤ、５……ボンディングツール、８……ペレ
ット（第１のボンディング部）、９……端子（第２のボ
ンディング部）、11……第１の屈曲部、12……第２の屈
曲部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１のボンディング部と第２のボンディン
    グ部とをネイルヘッドボンディングするワイヤボンディ
    ング方法において、ワイヤを第１のボンディング部にボ
    ンディングしたのち、第２のボンディング部にボンディ
    ングする前に、ボンディングツールを第２のボンディン
    グ部から離れる方向へ移動させながら所定寸法上昇させ
    たのち、さらに上記第２のボンディング部の方向に移動
    させながら上昇させて上記ワイヤに第１の屈曲部および
    この第１の屈曲部よりも上方に位置する第２の屈曲部と
    を形成してから、上記ワイヤを上記第１の屈曲部の箇所
    から上記第２のボンディング部の方向へ屈曲させて上記
    第２のボンディング部にボンディングすることを特徴と
    するワイヤボンディング方法。
JP61150435A 1986-06-26 1986-06-26 ワイヤボンデイング方法 Expired - Lifetime JPH0738398B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61150435A JPH0738398B2 (ja) 1986-06-26 1986-06-26 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61150435A JPH0738398B2 (ja) 1986-06-26 1986-06-26 ワイヤボンデイング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS636849A JPS636849A (ja) 1988-01-12
JPH0738398B2 true JPH0738398B2 (ja) 1995-04-26

Family

ID=15496866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61150435A Expired - Lifetime JPH0738398B2 (ja) 1986-06-26 1986-06-26 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0738398B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0695539B2 (ja) * 1989-05-26 1994-11-24 株式会社カイジョー ワイヤボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS636849A (ja) 1988-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3189115B2 (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
US7661576B2 (en) Wire bonding method
US20070029367A1 (en) Semiconductor device
JP2735022B2 (ja) バンプ製造方法
JP2631013B2 (ja) バンプ形成方法
JPH05251492A (ja) 高生産性のクランプなしワイヤーボンデイング法
JP3049515B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH10512399A (ja) 半導体チップを少なくとも１つの接触面と電気的に接続する方法
JPH04294552A (ja) ワイヤーボンディング方法
JPH0738398B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3120267B2 (ja) シングルポイントボンディング方法
JPH1116934A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2977990B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2928590B2 (ja) ワイヤボンディング方法
KR970007598B1 (ko) 와이어 본딩방법
JPH0697350A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS6358849A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS62140427A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2976645B2 (ja) バンプ形成方法
JP2532304B2 (ja) 半導体チップと、これが搭載される基板との間のワイヤボンディング構造
JPS63164330A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH0590320A (ja) ボール式ワイヤーボンデイング方法
JP3067560B2 (ja) 電子部品製造方法
JP3282367B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH05211193A (ja) ワイヤボンディング方法