JP2018117273A - Pga回路 - Google Patents

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Tsutomu Wakui
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Abstract

【課題】ゲイン切替用のスイッチのON抵抗の影響による大きなゲインエラーが生じないようにする。
【解決手段】オペアンプ1と、オペアンプ1の反転入力端子と出力端子との間に接続した帰還抵抗Rfと、オペアンプの反転入力端子と所定ノードN1との間に接続したゲイン抵抗Rgとを備える。出力端子と所定ノードN1との間に複数の抵抗R11〜R1n、R31を直列接続し、抵抗R11〜R1n、R31のうちの隣り合う抵抗の共通接続点と反転入力端子との間に、それぞれスイッチSW11〜SW1nを接続する。ONされた1個のスイッチが接続された1つの共通接続点と出力端子との間に接続される抵抗を帰還抵抗Rfとして機能させ、ONされた1つの共通接続点と所定ノードN1との間に接続された抵抗をゲイン抵抗Rgとして機能させる。
【選択図】図2

Description

本発明は抵抗値を切り替えることで複数のゲインから特定のゲインを選択可能にしたPGA(プログラマブル・ゲイン・アンプ)回路に関する。
図10に従来の差動信号用のPGA回路を示す(特許文献1、2)。図10において、1、2はオペアンプである。3はオペアンプ1の正転入力端子に接続される本体正転入力端子、4はオペアンプ2の正転入力端子に接続される本体反転入力端子である。5はオペアンプ1の出力端子に接続される本体正転出力端子、6はオペアンプ2の出力端子に接続される本体反転出力端子である。R4はオペアンプ1の出力端子と反転入力端子の間に接続される帰還抵抗、R5はオペアンプ2の出力端子と反転入力端子との間に接続される帰還抵抗、R6はオペアンプ1の反転入力端子とオペアンプ2の反転入力端子の間に接続されるゲイン抵抗である。このPGA回路では、制御端子7の制御信号OPTIONによってゲイン抵抗R6の値を切り替えることで、所定のゲインを設定することができる。
図10のPGA回路のゲインAv3は、本体正転入力端子3の電圧をVinp、本体反転入力端子4の電圧をVinn、本体正転出力端子5の電圧をVoutp、本体反転出力端子6の電圧をVoutnとし、R4=R5=Rf、R6=Rgとすると、
Figure 2018117273
で与えられる。
図11に、抵抗値の異なるn個の抵抗R61〜R6nの一端をオペアンプ2の反転入力端子に共通接続し、それぞれの抵抗R61〜R6nの他端にスイッチSW31〜SW3nの一端を個々に直列接続して、そのスイッチSW31〜SW3nの他端をオペアンプ1の反転入力端子に共通接続して、そのスイッチSW31〜SW3nのいずれか1つをONさせることにより、抵抗R61〜R6nのうちの1つを、抵抗R6として設定できるようにしたPGA回路を示す。
ここでは、制御端子7の制御信号OPTIONをデコーダ8によってデコードして、n個の制御信号φ1〜φnの1つを有効にして、スイッチSW31〜SW3nのうちの1つをONさせることで、抵抗R61〜R6nのうちの1つが選択される。
しかし、スイッチSW31〜SW3nにはON抵抗Rswが含まれるので、上記の式(1)は、次のようになる。
Figure 2018117273
このON抵抗Rswが加わることによって、ゲインAv3とAv4に差分が発生して、そのエラーErr2は、
Figure 2018117273
となる。例えば、Rg=Rf,Rsw=Rg/100であるとすると、ゲインエラーErは約−1%となる。
特開2002−185268号公報
図11のPGA回路では、抵抗Rg,Rfのマッチングがとれている(Rg=Rf)と仮定した場合でも、ゲイン切替用のスイッチのON抵抗Rswの影響でゲインエラーが生じる問題がある。特に、低電圧電源で動作する場合には、そのスイッチのON抵抗が大きく影響するので、ゲインエラーが顕著となる。
本発明の目的は、ゲイン切替用のスイッチのON抵抗の影響により大きなゲインエラーが生じないようにしたPGA回路を提供することである。
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、入力信号が正転入力端子に入力し帰還信号が反転入力端子に入力するオペアンプと、該オペアンプの前記反転入力端子と出力端子との間に接続した帰還抵抗と、前記オペアンプの前記反転入力端子と所定ノードとの間に接続したゲイン抵抗とを備え、前記帰還抵抗と前記ゲイン抵抗の抵抗値を切り替えることにより設定ゲインを変更可能にしたPGA回路であって、前記出力端子と前記所定ノードとの間に複数の抵抗を直列接続し、該複数の抵抗のうちの隣り合う抵抗の共通接続点と前記反転入力端子との間に、それぞれスイッチを接続し、複数の前記スイッチの内のONされた1個のスイッチが接続された1つの共通接続点と前記出力端子との間に接続される抵抗を前記帰還抵抗として機能させ、前記1つの共通接続点と前記所定ノードとの間に接続された抵抗を前記ゲイン抵抗として機能させるようにしたことを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のPGA回路において、前記スイッチは、ON時に閾値電圧が小さくなりOFF時に閾値電圧が大きくなるようバックゲートが制御されるMOSトランジスタで構成されていることを特徴とする。
本発明のPGA回路によれば、スイッチは、オペアンプの反転入力端子と出力端子との間に接続され、帰還抵抗やゲイン抵抗の経路には接続されないので、スイッチのON抵抗によるゲインエラーを低減できる。また、そのスイッチとして、ON時に閾値電圧が小さくなりOFF時に閾値電圧が大きくなるようバックゲートが制御されるMOSトランジスタを使用することで、ゲインエラーをさらに低減できる。
本発明の実施例のPGA回路の回路図である。 本発明の実施例のPGA回路の具体的回路図である。 本発明の実施例のPGA回路のn=4の場合の回路図である。 図3の実施例のPGA回路の抵抗切替の説明図である。 オペアンプの入力インピーダンスを考慮したPGA回路の回路図である。 (a),(b)は図5のPGA回路の説明図である。 アナログスイッチの回路図である。 別の例のアナログスイッチの回路図である。 (a)は図7のアナログスイッチのON抵抗の特性図、(b)は図8のアナログスイッチのON抵抗の特性図である。 従来のPGA回路の回路図である。 図10のPGA回路の具体的回路図である。
図1に、本発明の差動信号用の実施例のPGA回路を示す。1、2は正転入力端子と反転入力端子と出力端子とを備えたオペアンプである。3はオペアンプ1の正転入力端子に接続される本体正転入力端子、4はオペアンプ2の正転入力端子に接続される本体反転入力端子である。5はオペアンプ1の出力端子に接続される本体正転出力端子、6はオペアンプ2の出力端子に接続される本体反転出力端子である。R1はオペアンプ1の出力端子と反転入力端子の間に接続される帰還抵抗、R2はオペアンプ2の出力端子と反転入力端子との間に接続される帰還抵抗である。R3はオペアンプ1の反転入力端子とオペアンプ2の反転入力端子の間に接続されるゲイン抵抗である。
このPGA回路では、制御端子7の制御信号OPTIONによって抵抗R3のみならず、抵抗R1,R2の抵抗値をも切り替えることで、所定のゲインを設定することができる。
そのPGA回路のゲインAv1は、本体正転入力端子3の電圧をVinp、本体反転入力端子4の電圧をVinn、本体正転出力端子5の電圧をVoutp、本体反転出力端子6の電圧をVoutnとし、R1=R2=Rf、R3=Rgとすると、
Figure 2018117273
によって与えられる。
図2に、スイッチによってゲインを設定できるようにしたPGA回路を示す。本体正転出力端子5に抵抗R1としてのn個の抵抗R11〜R1nが直列接続され、本体反転出力端子6に抵抗R2としてのn個の抵抗R21〜R2nが直列接続されている。そして、抵抗R1nとR2nの間に抵抗R3としての抵抗R31,R32の直列回路が接続されている。
さらに、抵抗R11〜R1n,R31の各共通接続点にn個のスイッチSW11〜SW1nの一端がそれぞれ接続され、それらのスイッチSW11〜SW1nの他端はオペアンプ1の反転入力端子に共通接続されている。また、抵抗R21〜R2n,R32の各共通接続点にn個のスイッチSW21〜SW2nの一端がそれぞれ接続され、それらのスイッチSW21〜SW2nの他端はオペアンプ2の反転入力端子に共通接続されている。
8は所定ビットの制御信号OPTIONをデコードするデコーダであり、制御信号OPTIONの値に応じてn個の制御信号φ1〜φnのうちの何れか1個を有効にする。制御信号φ1が有効になると1番目のスイッチSW11,SW21がONし、制御信号φ2が有効になると2番目のスイッチSW12,SW22がONし、・・・・、制御信号φnが有効になるとn番目のスイッチSW1n、SW2nがONする。
図2のPGA回路において、n=4の場合の構成のPGA回路を図3に示す。抵抗R11=R21=8R、抵抗R12=R22=4R、抵抗R13=R23=2R、抵抗R14=R24=R31=R32=Rに、抵抗値を設定している。図3のPGA回路では、制御信号OPTIONは2ビットであり、デコーダ8によってφ1〜φ4の何れか1つが有効になる。
ここで、φ1が有効になったときは、スイッチSW11,SW21のみがONして、Rf=R11=R21、Rg=R12+R13+R14+R22+R23+R24+R31+R32となるので、Rf=8R、Rg=16Rとなる。よって、式(4)にこれらRf,Rgを当てはめると、ゲインAv1=2となる。
φ2が有効になったときは、スイッチSW12,SW22のみがONして、Rf=R11+R12=R21+R22、Rg=R13+R14+R23+R24+R31+R32となるので、Rf=12R、Rg=8Rとなる。よって、式(4)にこれらRf,Rgを当てはめると、ゲインAv1=4となる。
φ3が有効になったときは、スイッチSW13,SW23のみがONして、Rf=R11+R12+R13=R21+R22+R23、Rg=R14+R24+R31+R32となるので、Rf=14R、Rg=4Rとなる。よって、式(4)にこれらRf,Rgを当てはめると、ゲインAv1=8となる。
φ4が有効になったときは、スイッチSW14,SW24のみがONして、Rf=R11+R12+R13+R14=R21+R22+R23+R24、Rg=R31+R32となるので、Rf=15R、Rg=2Rとなる。よって、式(4)にこれらRf,Rgを当てはめると、ゲインAv1=16となる。
このように、ONさせるスイッチを選択することによって、帰還抵抗Rfとゲイン抵抗Rgの両方が決定されて、図4に示したように、ゲインが決定される。このPGA回路では、帰還抵抗Rfやゲイン抵抗Rgの電流経路にスイッチが介在しないことから、スイッチのON抵抗Rswの影響を受けずにゲインエラーを低減することができる。理論上では、ゲインエラーはゼロであり、前記した式(3)のエラーErr2の分だけエラーを改善できる。特に、低電源電圧時にはスイッチのON抵抗Rswの影響が大きくなるため、本発明の効果は大きくなる。
ところが、オペアンプ1、2には有限な入力インピーダンスが存在し、それらのオペアンプ1、2の帰還経路に挿入したスイッチSW11〜SW1n,SW21〜SW2nのON抵抗にも、わずかに電流が流れる。
図5に、オペアンプ1側のスイッチのON抵抗をRsw1、オペアンプ2側のスイッチのON抵抗をRsw2、オペアンプ1の反転入力端子側の入力インピーダンスをRin1、オペアンプ2の反転入力端子側の入力インピーダンスをRin2として、これらを考慮したPGA回路を示す。また、図6に出力電圧を導出する説明図を示す。
本体正転出力端子5の出力電圧Voutp、本体反転出力端子6の出力電圧Voutnは、Rsw1=Rsw2=Rsw、Rin1=Rin2=Rinとすると
Figure 2018117273
Figure 2018117273
で表されるので、図5のPGA回路のゲインAv2は、
Figure 2018117273
となる。
よって、ゲインエラーErr1は、式(4)と式(7)によって、
Figure 2018117273
のように導出することができる。このように、ゲインエラーErr1は、スイッチのON抵抗Rswが小さいほど小さくなることが分かる。
そこで、スイッチのON抵抗Rswを小さくし、式(8)のゲインエラーを低減することについて検討する。図7に、スイッチSW11〜SW1n,SW21〜SW2nとして使用可能な一般的なアナログスイッチ10を示す。このアナログスイッチ10は、バックゲートを接地に接続したNMOSトランジスタMN1と、バックゲートに高電圧VDDを印加したPMOSトランジスタMP1を並列接続したものである。11は入力端子、12は出力端子、13は制御端子、14は制御端子13の信号CTRLをインバータINV1で反転した信号CTRLBを出力する制御端子である。トランジスタMN1は信号CTRLで制御され、トランジスタMP1は信号CTRLBで制御される。
トランジスタMN1のON抵抗RonnとトランジスタMP1のON抵抗Ronpは、次の式(9)、(10)で導出できる。
Figure 2018117273
Figure 2018117273
ただし、
μn:NMOSトランジスタの電子の移動度
μp:PMOSトランジスタの正孔の移動度
Cox:酸化膜容量
Wn:NMOSトランジスタのゲート幅
Wp:PMOSトランジスタのゲート幅
Ln:NMOSトランジスタのゲート長
Lp:PMOSトランジスタのゲート長
Vgsn:NMOトランジスタのゲート・ソース間電圧
Vgsp:PMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧
Vthn:NMOSトランジスタの閾値電圧
Vthp:PMOSトランジスタの閾値電圧
MOSトランジスタでは、バックゲートよりもソースの電位が高くなると式(10)、(11)のように閾値電圧Vthn,Vthpが大きくなる。
Figure 2018117273
ただし、
γ:基板バイアス効果係数
Vsbn:NMOSトランジスタのソース・バックゲート間電圧
Vsbp:PMOSトランジスタのソース・バックゲート間電圧
Vthno:Vsbn=0VのときのNMOSトランジスタの閾値電圧
Vthpo:Vsbp=0VのときのPMOSトランジスタの閾値電圧
2Φfは、P基板(P型半導体)の場合、次の式(13)で導出できる。
Figure 2018117273
ただし、
k:ボルツマン定数(1.38×10−23[CV/K]
T:温度(300[K])
q:電荷(1.6×10-19[C]
Nsub:P基板の不純物濃度[1/m3]
ni:キャリア密度[1/m3]
図7において、“H”のときの制御信号CTRLのレベルをVDDとし、“L”のときのレベルをGNDとする。Vin=Vgsn、VDD−Vin=|Vgsp|のとき、そのアナログスイッチのON抵抗Ronは、次の式(14)〜(16)で算出できる。
Figure 2018117273
Figure 2018117273
Figure 2018117273
図8にバックゲートを制御できるようにしたアナログスイッチ10Aを示す。NMOSトランジスタのバックゲートをP基板と共通にしている標準プロセスでは、そのNMOSトランジスタのバックゲートを制御することはできないが、PMOSトランジスタのバックゲートは自由に可変できる。そこでここでは、アナログスイッチ10AのPMOSトランジスタのみのバックゲートを制御する。すなわち、入力端子11とトランジスタMP1のバックゲートとの間にPMOSトランジスタMP2とNMOSトランジスタMN2の並列接続トランジスタを接続する。また、出力端子12とトランジスタMP1のバックゲートとの間にPMOSトランジスタMP3とNMOSトランジスタMN3の並列接続トランジスタを接続する。さらに、トランジスタMP1のバックゲートとVDDの電源との間にPMOSトランジスタMP4を接続する。
制御信号CTRLが“H”のときは制御信号CTRLBが“L”になり、トランジスタMP1〜MP3、MN1〜MN3がONし、トランジスタMP4がOFFする。このため、トランジスタMP1のバックゲートはドレイン、ソースの両方に接続され、閾値電圧が小さくなる。
また、制御信号CTRLが“L”のときは制御信号CTRLBが“H”になり、トランジスタMP1〜MP3、MN1〜MN3がOFFし、トランジスタMP4がONする。このため、トランジスタMP1のバックゲートに電圧VDDが印加し、閾値電圧が大きくなる。
図9にアナログスイッチ10,10Aについて、VDD=2.7[V]と、5[V]の場合の入力端子11に入力する電圧Vinに対するON抵抗の特性を示す。ただし、
Vthno=1.15[V]
Vthpo=−1.2[V]
γ=0.3[1/V]
μn×Cox×(Wn/Ln)=μp×Cox×(Wp/Lp)=1500[μA/V2]
の場合である。
図9をみると、VDD=2.7[V]のときは、アナログスイッチ10のON抵抗は最大で約22.5[kΩ]であるが、バックゲートを制御するアナログスイッチ10AのON抵抗は最大でも約4[kΩ]と小さくなっていることが分かる。また、VDD=5[V]のように電源電圧が高くなると、アナログスイッチ10、10Aともにほぼ同じで、約0.3[kΩ]にさらに小さくなっていることが分かる。
オペアンプ1、2の入力インピーダンスRin1,Rin2が10[MΩ]のときは、アナログスイッチ10(Rsw=22.5[kΩ])を用いた場合は、ゲインエラーErr1は式(8)により、約0.22[%]であるが、バックゲートを制御するアナログスイッチ10A(Rsw=4[kΩ])を用いた場合は、約0.04[%]に低下する。このように、バックゲートを制御するアナログスイッチ10Aを本発明のスイッチとして使用することによって、低電源電圧時のゲインエラーを1/5程度以下に低減することができる。
なお、以上説明した実施例は差動信号を扱う構成であったが、単相信号を扱う場合は、オペアンプ1,2の一方のみを使用する構成となる。例えば、オペアンプ1のみを使用する場合は、図2、図3において、抵抗R31、R32の共通接続点のノードN1を接地に接続すればよい。
1,2:オペアンプ、3:本体正転入力端子、4:本体反転入力端子、5:本体正転出力端子、6:本体反転出力端子、7:制御端子、8,8A:デコーダ、10,10A:アナログスイッチ

Claims (2)

  1. 入力信号が正転入力端子に入力し帰還信号が反転入力端子に入力するオペアンプと、該オペアンプの前記反転入力端子と出力端子との間に接続した帰還抵抗と、前記オペアンプの前記反転入力端子と所定ノードとの間に接続したゲイン抵抗とを備え、前記帰還抵抗と前記ゲイン抵抗の抵抗値を切り替えることにより設定ゲインを変更可能にしたPGA回路であって、
    前記出力端子と前記所定ノードとの間に複数の抵抗を直列接続し、該複数の抵抗のうちの隣り合う抵抗の共通接続点と前記反転入力端子との間に、それぞれスイッチを接続し、複数の前記スイッチの内のONされた1個のスイッチが接続された1つの共通接続点と前記出力端子との間に接続される抵抗を前記帰還抵抗として機能させ、前記1つの共通接続点と前記所定ノードとの間に接続された抵抗を前記ゲイン抵抗として機能させるようにしたことを特徴とするPGA回路。
  2. 請求項1に記載のPGA回路において、
    前記スイッチは、ON時に閾値電圧が小さくなりOFF時に閾値電圧が大きくなるようバックゲートが制御されるMOSトランジスタで構成されていることを特徴とするPGA回路。
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