JP2018106703A - メモリ配置 - Google Patents

メモリ配置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018106703A
JP2018106703A JP2017234632A JP2017234632A JP2018106703A JP 2018106703 A JP2018106703 A JP 2018106703A JP 2017234632 A JP2017234632 A JP 2017234632A JP 2017234632 A JP2017234632 A JP 2017234632A JP 2018106703 A JP2018106703 A JP 2018106703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory chip
memory
pcb
chip
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017234632A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018106703A5 (ja
JP6539332B2 (ja
Inventor
ホフメラー ヘンリク
Hovmoeller Henrik
ホフメラー ヘンリク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Axis AB
Original Assignee
Axis AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Axis AB filed Critical Axis AB
Publication of JP2018106703A publication Critical patent/JP2018106703A/ja
Publication of JP2018106703A5 publication Critical patent/JP2018106703A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6539332B2 publication Critical patent/JP6539332B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F15/00Digital computers in general; Data processing equipment in general
    • G06F15/76Architectures of general purpose stored program computers
    • G06F15/78Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit
    • G06F15/7803System on board, i.e. computer system on one or more PCB, e.g. motherboards, daughterboards or blades
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F15/00Digital computers in general; Data processing equipment in general
    • G06F15/76Architectures of general purpose stored program computers
    • G06F15/78Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit
    • G06F15/7839Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit with memory
    • G06F15/7864Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit with memory on more than one IC chip
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/063Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/06Address interface arrangements, e.g. address buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237High frequency adaptations
    • H05K1/0243Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/0929Conductive planes
    • H05K2201/09327Special sequence of power, ground and signal layers in multilayer PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10159Memory
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10545Related components mounted on both sides of the PCB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】信号品位の性能が優れており、PCB上の領域要件がより小さいメモリ配置を提供する。
【解決手段】メモリ配置は、プリント回路基板即ちPCB上に配置された少なくとも2つのメモリチップM1、M2を備える。第1のメモリチップM1は、PCBの第1の面上に配置され、第2のメモリチップM2は、PCBの第2の面上に配置される。第2のメモリチップは、第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の同じ機能を有するそれぞれのピンが、互いに対向して配置され、且つ、ビアによってPCBの第1の面及び第2の面間に配置されたそれぞれの信号トレースに対して接続されるように、第1のメモリチップに対して背中合わせに配置されて方向付けられる。
【選択図】図5

Description

本明細書における実施形態は、プリント回路基板(PCB)上に配置されるメモリ配置に関する。さらに、それら実施形態は、メモリ配置を備える電子デバイスに関する。
PCBを設計する場合、1つの課題は、すべての接続ラインをどのように配線するのかということであり、また、メモリチップに中央処理装置(CPU)を接続する場合に1つの特別の課題が生じる。メモリチップは、概して、対称的であり、複数のピンを有する。メモリチップの各ピンはCPUに接続されなければならない。タイミングの必要条件のために、接続ラインは、グループ的に又はペア的に同等の長さを有していなければならず、これは、多くの場合、T−ブランチトポロジを用いることによって行われる。図1は、対称的及び非対称のT−ブランチトポロジのためのPCBレイアウト例を示す。T−ブランチトポロジによる1つの短所は、付加的なスタブ及びスタブ長が、データ及びストローブバスの長さだけでなく、コマンド及びアドレスラインのラン長も増加させる、ということである。これは、効率的に転送される信号の速度を阻害することになる。より具体的には、アドレスライン及びデータバスが長くなるにつれて、伝送ラインの影響が増加して効率的な信号速度を制限する。さらに、各メモリチップ上に多くのピンを持つメモリチップがより一層多く用いられると、PCBの限られたエリア内にすべて接続ラインをフィットさせることは難題である。
特許文献1には、信号トレース長を著しく増加させずに、ランダムアクセスメモリ(RAM)チップの密度を2倍にする方法が説明されている。この開示の図2に示すように、RAMチップ65は、他方の側に取り付けられたミラーイメージのRAMチップ67とともに両面回路基板66に取り付けられる。RAMチップのリードがミラーイメージのRAMチップのリードのミラーイメージであるという点を除いて、RAMチップ65は、ミラーイメージのRAMチップ67と同等である。即ち、この例において、チップの上部から見ると、RAMチップ65の前左側のピン68は、ミラーイメージのRAMチップ67の前右側のピン69と同じ電気的機能を果たす。RAMチップ65及びそのミラーイメージのRAMチップ67は、RAMチップ65の前左側のピン68が、双方のピンを供給する信号トレース71に対しても電気的に接続されるビア70によって回路基板66を通じてミラーイメージのRAMチップ67の前右側のピン69に対して電気的に接続されるような方式で、互いに向き合って回路基板66上に取り付けられる。同様に、RAMチップ65の左側の前部72からの第2のピンは、ミラーイメージのRAMチップ67の右側の前部73からの第2のピンなどに対応する。
しかしながら、トレース71はPCBの一方の側上にあり、そのため、RAMチップ65及びRAMチップ67のためのトレースの合計の長さ、即ちビアホールの長さには差が生じることになる。例えば1.6mmの厚みを持つPCBにとって、これは相当大きな差である。このような厚みは、多くの仕様において要求される約3ピコ秒の精度と比較されるべき8〜9ピコ秒のタイミング差に相当し得る。さらに、2つのRAMチップは、依然として2つの分離したチップである。さらに、PCBの各側上の1つのメモリチップを一対にしてそれらを直接用いることができるようなミラーリングメモリチップは現在の市場にも依然として存在しない。
米国特許5260892号明細書
上記の観点から、本明細書における実施形態の目的は、PCB上にメモリチップを配置し接続するための改良された方法及び配置を提供することである。
本明細書における実施形態の1つの態様によれば、本目的は、プリント回路基板即ちPCB上に配置される少なくとも2つのメモリチップを備えるメモリ配置によって達成される。第1のメモリチップは、PCBの第1の面上に配置される。第2のメモリチップは、PCBの第2の面上に配置される。第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の同じ機能を有するそれぞれのピンが、互いに対向して配置され、且つ、PCBの第1の面及び第2の面間に配置されたそれぞれの信号トレースに対してビアによって接続されるように、第2のメモリチップは、第1のメモリチップに対して背中合わせに配置されて方向付けられる。
本明細書における実施形態の1つの態様によれば、本目的は、プリント回路基板即ちPCB上にメモリチップを配置する方法によって達成される。本方法は、PCBの第1の面上に第1のメモリチップを配置することと、PCBの第2の面上に第2のメモリチップを第1のメモリチップに対して背中合わせに配置することと、第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の同じ機能を有するそれぞれのピンが、互いに対向して配置され、且つ、PCBの第1の面及び第2の面間に配置されたそれぞれの信号トレースに対してビアによって接続されるように第2のメモリチップを方向付けることとを含む。
言いかえれば、2つのメモリチップは、PCBの対向する面上に背中合わせに配置される。第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の同じ機能を有する、コマンドピン、アドレスピン、データピン、クロックピン、電源ピン、グランドピン等などのそれぞれのピンが、互いに向き合って配置され、従って、第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の同じ機能を有する各々の対のピンが、1つの単一のビアによって相互に接続され、そして、PCBの2つの対向面の間に配置された、コマンドライン、アドレスライン、データバス、クロックバス、電源プレーン、接地プレーン等などのそれぞれの信号トレースに対して接続することができるように、第2のメモリチップは、方向付けられる。このような配置は、2つの物理メモリパッケージから派生した1つの仮想メモリパッケージを生成するアイディアに基づく。従って、メモリ配置は、もはや物理的なパッケージによって制限されない。2つの物理メモリチップの各々のうちの半部がともに1つのメモリユニットを形成してもよい。このように、第2のメモリチップは、第1のメモリチップに対する対称的なミラーとして認識されることができる。PCBの2つの面上での対称性及び背中合わせの配置の結果、CPUに対して2つのメモリチップを接続するためのTブランチがビアに低減される。従って、接続ラインのレイアウトは、効率的にTブランチを削減して、より少ないスペースを用い、より単純なトポロジーを有する。さらに、2つのメモリチップの信号トレースの全体長に差はない。
この解決手段によれば、信号品位の性能が優れており、PCB上の領域要件がより小さくなり、より単純なトポロジーのために、製造にはそれほど費用がかからない。
本明細書における実施形態の他の態様によれば、本目的は、本明細書における実施形態によるメモリ配置を備える電子デバイスによって達成される。
実施形態の例は、以下の添付の図を参照しながら、さらに詳細に説明する。
従来技術によるT−ブランチトポロジを示す概略レイアウト図である。 従来技術による、2つのメモリチップを持つPCBを図示するサイドカット概略図である。 ピン機能を持つメモリチップの例を図示する概略平面図である。 本明細書における実施形態によるメモリ配置を図示する概略斜視図である。 本明細書における実施形態による、CPUに対してメモリ配置を接続するためのPCB上の接続層の分布例を図示するサイドカット概略図である。 本明細書における実施形態による、メモリ配置を実装することができる電子デバイスを図示するブロック図である。 PCB上にメモリチップを配置する方法を図示するフローチャートである。
図3は、メモリチップ300の概略平面図であり、複数のピンを持つメモリチップが示される。種々のピンは、それらの機能を示すために種々の形状又は記号で示される。例えば、接地プレーンに対して接続される接地機能GNDを持つピンは、塗りつぶしの円形記号によって示され、電源プレーンに対して接続される電源機能VCCを持つピンは、円形記号によって示され、データバスに対して接続されるデータ機能DATAを持つピンは、正方形記号によって示され、クロックバスに対して接続されるクロック機能CLKを持つピンは、逆三角形記号によって示され、コマンド/アドレスラインに対して接続されることになるコマンド及びアドレス機能CMD/ADDRを持つピンは三角形記号によって示される。メモリチップ300は、例えば低消費電力ダブルデータレート(LPDDR)4メモリチップなどの任意の対称性を有するメモリチップであってもよい。メモリチップ300は、例えば、図3に示すようなX軸又はY軸などの中心軸に対して対称的である。これは、メモリチップ300が、垂直軸Y又は水平軸Xのいずれかに沿って第1の半部(first half)及び第2の半部(second half)に仮想的に分割されてもよいことを意味する。第1の半部及び第2の半部は、ピン機能に関して互いに対称性を有するミラーである。図3に示す例において、X軸に沿って分割された第1の半部及び第2の半部は、ピン機能に関して互いに対称性を有するミラーである。さらに、チップ300の上部から見て、左上ピンは、ピン1として表わされ、左下ピンは、ピン14として表わされる。
図4は、本明細書における実施形態によるメモリ配置400を示す。図4に示すように、メモリ配置400は、PCB上に配置された少なくとも2つのメモリチップM1、M2を備える。第1のメモリチップM1は、PCBの第1の面上に配置され、第2のメモリチップM2は、PCBの第2の面上に配置される。第2のメモリチップM2は、第1のメモリチップM1及び第2のメモリチップM2上の同じ機能を有するそれぞれのピンが互いに対向して配置されるように、第1のメモリチップM1に対して背中合わせに配置されて方向付けられる。例えば、図3に示すように、第1のメモリチップM1上のコマンドピンCMD、アドレスピンADDR、データピンDATA、クロックピンCLK、電源ピンVCC、接地ピンGNDなどは、第2のメモリチップM2上のコマンドピンCMD、アドレスピンADDR、データピンDATA、クロックピンCLK、電源ピンVCC、接地ピンGNDなどに対向する。第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の同じ機能を有する対のピンが、互いに対向して配置されるので、各ペアは、ビアによって相互に接続することができ、そして、PCBの第1の面と第2の面との間に配置される、コマンドライン、アドレスライン、データバス、クロックバス、電源プレーン、接地プレーンなどのそれぞれの信号トレースに対して接続される。
図3に関連して論じられた実施形態と同様に、図4は、第1のメモリチップM1の第1の半部が第2のメモリチップM2の第1の半部に対向して配置されることになり、第1のメモリチップM1の第2の半部が第2のメモリM2の第2の半部に対向することになるように、第2のメモリチップM2がその中央まわりに180°回転された実施形態を図示する。ここで、各メモリチップM1、M2の第1の半部及び第2の半部は、Y軸に沿って分割された2つの半部(two halves)として見なされる。当業者は、これが、メモリチップの構築に応じて、X軸に沿って分割された2つの半部に対して等しく当てはまる、ということを理解する。言いかえれば、例えば図3の表示を用いてチップM1、M2の上部から見ると、M1の左上ピンのピン1は、M2の左下ピンのピン14に対向して配置されることになり、M2の左上ピンのピン1は、M1の左下ピンのピン14に対向して配置されることになる。これらの2本のピンは、メモリチップ上の異なる場所にあるが、それらは、同じ電気的機能を果たし、例えば、双方は接地ピンである。
従って、本明細書における実施形態は、2つの物理メモリパッケージから派生した1つの仮想メモリパッケージを生成するアイディアに基づく。これは、2つの半部を持つ1つの対称性を有するメモリチップとしてメモリチップを認識し、各メモリチップの1つの半部が1つのメモリユニットを相互に形成するように、このような2つのメモリチップをPCBの各側上に1つずつ載せることによってなされる。このように、第2のメモリチップM2を、第1のメモリチップM1に対して対称性を有するミラーとして認識することができる。
PCBの2つの面上での対称性及び背中合わせの配置の結果、2つのメモリチップを接続するためのTブランチの従来技術の使用は、まさにビアの長さに低減される。図5は、PCBの異なる層上に信号トレースを分布させる例を示す。
いくつかの実施形態によれば、第1のメモリチップM1及び第2のメモリチップM2上にアドレスADDR、コマンドCMD、及びクロックCLKなどの機能を有するそれぞれのピンは、PCBの中央層510上に配置されたコマンドライン、アドレスライン、クロックバスなどのそれぞれの信号トレースに対して、めっきスルーホール即ちPTH(Plated Through)ビアによって接続されてもよい。これらの信号トレースは、外乱に対して敏感で且つタイミングがクリティカルであるので、中央層上にそれら信号トレースを載せることによって、それら信号トレースは、M1及びM2に対して同じ距離を持つことになる。このように、同一の信号伝送長と対称性とがM1及びM2に対して保証される。図5に示すように、PTHビアは、PCBの全層を通じて一直線に貫通する。
いくつかの実施形態によれば、第1のメモリチップM1及び第2のメモリチップM2上の電源ピンVCCは、PCBの中央層510の上方の第1の層520上に配置された電源プレーンに対して、PTHのビアによって接続されてもよい。ここで、電源プレーンもPCBの中央層の下方の層上に配置されてもよいことに注意されたい。従って、PCBの物理的な方向付けによっては、ここで及び以降で用いられる用語「の上方/の下方(above/under)」は、限定的ではない点に考慮されるべきである。
いくつかの実施形態によれば第1のメモリチップM1及び第2のメモリチップM2上の接地ピンGNDは、PCBの中央層の下方の第2の層530上に配置された接地プレーンに対して、PTHビアによって接続されてもよい。
典型的には、図5に示すように、PCBの各側上に配置される構成部品のための接地プレーンとして機能するPCBの上面及び底面上に、プリント金属層若しくはめっき金属層又は金属トレースもある。
いくつかの実施形態によれば、第1のメモリチップM1上のDATA機能を有するピンは、PCBの中央層の上方の第3の層540上に配置された少なくとも1つのデータバスに接続されてもよい。マイクロビアは、1つの場所にて通常1つ以上の層を貫通する貫通していないビア又は埋め込まれたビアであり、必要に応じて、他の接続と交差するのを回避するために、接続トレースに対する別の場所にて別の1つ以上の層を貫通する。
いくつかの実施形態によれば、第2のメモリチップM2上のDATA機能を有するピンは、PCBの中央層の下方の第4の層550上に配置された少なくとも1つのデータバスに対して、マイクロビアによって接続されてもよい。
いくつかの実施形態によれば、1つのメモリチップが1つのCPUのために必要とされ、別のメモリチップが別のCPU又は別の装置のために必要とされる場合、第1のメモリチップM1の第1の半部と第2のメモリチップM2の第1の半部とは、第1の中央処理装置即ちCPUに対して接続するための第1の仮想物理メモリ装置として組み合わされてもよい。第1のメモリチップM1の第2の半部及び第2のメモリチップM2の第2の半部は、第2のCPU又は別の装置に対して接続するための第2の仮想物理メモリ装置として組み合わされてもよい。
いくつかの実施形態によれば、CPUが2つのメモリインタフェースを有する場合、第1のメモリチップの第1の半部と第2のメモリチップの第1の半部とは、CPUの第1のメモリインタフェースに対して接続するための第1の仮想物理メモリ装置として組み合わされてもよく、第1のメモリチップの第2の半部と第2のメモリチップの第2の半部とは、CPUの第2のメモリインタフェースに対して接続するための第2の仮想物理メモリ装置として組み合わされてもよい。
いくつかの実施形態によれば、第1のメモリチップM1と第2のメモリチップM2とは、CPUに対して接続するための1つの仮想物理メモリ装置として組み合わされてもよい。このように、例えば、32ビットのメモリは、64ビットのメモリに拡張されることができ、CPUに対して接続されることができる。
本明細書における実施形態によるメモリ配置400及び500は、メモリを必要とする任意の電子デバイスに適する。図6は、本明細書における実施形態による、メモリ配置400及び500を実装することができる電子デバイス600を示す。電子デバイス600は、コンピュータ、ラップトップ、タブレット、ワイヤレス通信装置、無線データ取得装置、監視カメラなどのカメラ、ネットワークビデオレコーダ、ホームオートメーション装置、データロガー、ビデオエンコーダ、物理的アクセスコントローラ、ドアステーションなどのうちのいずれか1つであってもよい。電子デバイス600は、本明細書における実施形態によるメモリ配置620を有するPCB610を備える。電子デバイス600は、メモリ配置620との通信や信号処理などのための例えば処理装置630などの他の装置を備えてもよい。
PCB上にメモリチップを配置するための対応する方法を、図7を参照しながら説明する。本方法は、以下の動作を含む。
動作701:PCBの第1の面上に第1のメモリチップM1を配置すること。
動作702:PCBの第2の面上に第2のメモリチップM2を第1のメモリチップに対して背中合わせに配置すること。
動作703:第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の同じ機能を有するそれぞれのピンが、互いに対向して配置され、且つ、PCBの第1の面及び第2の面間に配置されたそれぞれの信号トレースに対してビアによって接続されるように、第2のメモリチップM2を方向付けること。
要約すると、本明細書における実施形態によるメモリ配置400及び500のいくつかの効果は、以下の効果を含む。
第1に、PCBの2つの面上に2つのメモリチップが背中合わせに配置され、第1のメモリチップ及び第2のメモリチップ上の対応するピンが互いに向き合って配置されるので、CPUに対して2つのメモリチップを接続するためのTブランチの従来技術の使用は、その代りに、ビアとして形成されることができる。従って、信号トレースは、対称的であり、従来技術の解決手段よりも非常に短い。その結果、伝送ライン影響は低減され、信号速度を増すことができる。
第2に、Tブランチが削減されるので、レイアウトトポロジーは、より単純になり、PCB上の領域要件は、より小さくなる。設置面積は、30〜40%低減され得る。これは、製造コストを低減することになる。
さらに、PCBの各側上にメモリチップを1つずつ配置すると、それによって熱が2つの方向に放散することができるので、熱的特性が向上する。
さらに、配電を改善することもできる。
「備える、含む(comprise)」又は「備える、含む(comprising)」という用語を用いる場合、限定的ではなく、即ち「少なくとも〜から構成される(consist at least of)」の意味として解釈されるものとする。
本明細書における実施形態は、上記好ましい実施形態に限定されない。様々な代替案、改良、及び等価物が用いられてもよい。従って、上記の実施形態は、本発明の範囲の限定として見なすべきではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。

Claims (12)

  1. プリント回路基板と、PCBと、PCB上に配置された少なくとも2つのメモリチップ(M1、M2)とを備えるメモリ配置(400、500)であって、
    第1のメモリチップ(M1)は、前記PCBの第1の面上に配置され、
    第2のメモリチップ(M2)は、前記PCBの第2の面上に配置され、
    各メモリチップ(M1、M2)は、中心軸によって分割された各メモリチップの第1の半部及び第2の半部が、ピン機能に関して互いに対称性を有するミラーであるように、前記中心軸に対して対称的であり、
    前記第2のメモリチップ(M2)は、前記第1のメモリチップ(M1)及び前記第2のメモリチップ(M2)上の同じ機能を有するそれぞれのピンが互いに対向して配置されるように、前記第1のメモリチップ(M1)に対して背中合わせに配置されて方向付けられ、
    前記第1のメモリチップ及び前記第2のメモリチップ上の機能アドレス(ADR)、コマンド(CMD)、及びクロック(CLK)のいずれかを有するそれぞれのピンは、前記PCBの中央層上に配置されたそれぞれの信号トレースに対して、めっきスルーホール即ちPTHビアによって接続される
    メモリ配置(400、500)。
  2. 前記第1のメモリチップの第1の半部と前記第2のメモリチップの第1の半部とは、第1の中央処理装置即ちCPUに対して接続するための第1の仮想物理メモリ装置として組み合わされる請求項1に記載のメモリ配置(400、500)。
  3. 前記第1のメモリチップの第2の半部と前記第2のメモリチップの第2の半部とは、第2のCPUに対して接続するための第2の仮想物理メモリ装置として組み合わされる請求項1又は2に記載のメモリ配置(400、500)。
  4. 前記第1のメモリチップの第1の半部と前記第2のメモリチップの第1の半部とは、CPUの第1のメモリインタフェースに対して接続するための第1の仮想物理メモリ装置として組み合わされ、前記第1のメモリチップの第2の半部と前記第2のメモリチップの第2の半部とは、前記CPUの第2のメモリインタフェースに対して接続するための前記第2の仮想物理メモリ装置として組み合わされる請求項1に記載のメモリ配置(400、500)。
  5. 前記第1のメモリチップと前記第2のメモリチップとは、CPUに対して接続するための1つの仮想物理メモリ装置として組み合わされる請求項1に記載のメモリ配置(400、500)。
  6. 前記第1のメモリチップ及び前記第2のメモリチップ上の電源ピンは、前記PCBの前記中央層の上方の第1の層上に配置された電源プレーンに対して、PTHビアによって接続される請求項1〜5のいずれか1項に記載のメモリ配置(400、500)。
  7. 前記第1のメモリチップ及び前記第2のメモリチップ上の接地ピンは、前記PCBの前記中央層の下方の第2の層上に配置された接地プレーンに対して、PTHビアによって接続される請求項1〜6のいずれか1項に記載のメモリ配置(400、500)。
  8. 前記第1のメモリチップ上のDATA機能を有するピンは、前記PCBの前記中央層の上方の第3の層上に配置された少なくとも1つのデータバスに対して、マイクロビアによって接続される請求項1〜7のいずれか1項に記載のメモリ配置(400、500)。
  9. 前記第2のメモリチップ上のDATA機能を有するピンは、前記PCBの前記中央層の下方の第4の層上に配置された少なくとも1つのデータバスに対して、マイクロビアによって接続される請求項1〜8のいずれか1項に記載のメモリ配置(400、500)。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載のメモリ配置(400、500)を備える電子デバイス(600)。
  11. コンピュータ、ラップトップ、タブレット、ワイヤレス通信装置、無線データ取得装置、監視カメラなどのカメラ、ネットワークビデオレコーダ、ホームオートメーション装置、データロガー、ビデオエンコーダ、物理的アクセスコントローラ、又はドアステーションのうちのいずれか1つを備える請求項10に記載の電子デバイス(600)。
  12. プリント回路基板即ちPCB上にメモリチップを配置する方法であって、各メモリチップは、中心軸によって分割された各メモリチップの第1の半部及び第2の半部がピン機能に関して互いに対称性を有するミラーであるように、前記中心軸に対して対称的であり、前記方法は、
    前記PCBの前記第1の面上に第1のメモリチップを配置することと、
    前記第1のメモリチップ及び前記第2のメモリチップ上の同一の機能を有するそれぞれのピンが互いに対向して配置されるように、前記PCBの第2の面上に第2のメモリチップを前記第1のメモリチップに対して背中合わせに配置することと、
    前記第1のメモリチップ及び前記第2のメモリチップ上の機能アドレス(ADR)、コマンド(CMD)、及びクロック(CLK)のいずれかを有するそれぞれのピンを、前記PCBの中央層上に配置されたそれぞれの信号トレースに対して、めっきスルーホール即ちPTHビアによって接続することと
    を含む方法。
JP2017234632A 2016-12-06 2017-12-06 メモリ配置 Active JP6539332B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16202348.5 2016-12-06
EP16202348.5A EP3333852B1 (en) 2016-12-06 2016-12-06 Memory arrangement

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018106703A true JP2018106703A (ja) 2018-07-05
JP2018106703A5 JP2018106703A5 (ja) 2019-02-14
JP6539332B2 JP6539332B2 (ja) 2019-07-03

Family

ID=57569873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017234632A Active JP6539332B2 (ja) 2016-12-06 2017-12-06 メモリ配置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10199077B2 (ja)
EP (1) EP3333852B1 (ja)
JP (1) JP6539332B2 (ja)
KR (1) KR102010223B1 (ja)
CN (1) CN108153704B (ja)
TW (1) TWI682696B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110879633B (zh) * 2018-09-05 2021-06-25 宇瞻科技股份有限公司 双倍数据率存储器
TWI795644B (zh) * 2020-06-02 2023-03-11 大陸商上海兆芯集成電路有限公司 電子總成
TWI769063B (zh) * 2021-03-25 2022-06-21 嘉雨思科技股份有限公司 訊號傳輸電路封裝結構

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5939057A (ja) * 1982-08-27 1984-03-03 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH05314774A (ja) * 1991-11-21 1993-11-26 Sun Microsyst Inc コンピュータ記憶モジュール回路板
JP2003264240A (ja) * 2001-12-06 2003-09-19 Samsung Electronics Co Ltd 集積回路、半導体装置及びデータプロセシングシステム
US20040176938A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-09 Sanmina-Sci Corporation Method for optimizing high frequency performance of via structures
US20150016047A1 (en) * 2013-07-10 2015-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module
JP2015537368A (ja) * 2012-08-27 2015-12-24 インヴェンサス・コーポレイション 共通サポート回路パネル及び超小型電子パッケージ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891789A (en) 1988-03-03 1990-01-02 Bull Hn Information Systems, Inc. Surface mounted multilayer memory printed circuit board
US7113418B2 (en) * 2003-11-04 2006-09-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory systems and methods
US9171585B2 (en) * 2005-06-24 2015-10-27 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US8248816B2 (en) * 2006-10-31 2012-08-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Methods of designing multilayer circuitry, multilayer circuit design apparatuses, and computer-usable media
JP5289569B2 (ja) * 2008-08-08 2013-09-11 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 標準メモリモジュールとピン互換性のあるメモリモジュール内における独立制御可能且つ再構成可能な仮想メモリデバイス
US9432298B1 (en) * 2011-12-09 2016-08-30 P4tents1, LLC System, method, and computer program product for improving memory systems
JP5887414B2 (ja) * 2011-10-03 2016-03-16 インヴェンサス・コーポレイション 平行な窓を有するマルチダイのワイヤボンドアセンブリのスタブ最小化
KR20140121181A (ko) * 2013-04-05 2014-10-15 삼성전자주식회사 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 메모리 모듈
US9123555B2 (en) * 2013-10-25 2015-09-01 Invensas Corporation Co-support for XFD packaging
CN107180000B (zh) * 2016-03-10 2020-04-14 华为技术有限公司 存储装置及数据访问方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5939057A (ja) * 1982-08-27 1984-03-03 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH05314774A (ja) * 1991-11-21 1993-11-26 Sun Microsyst Inc コンピュータ記憶モジュール回路板
JP2003264240A (ja) * 2001-12-06 2003-09-19 Samsung Electronics Co Ltd 集積回路、半導体装置及びデータプロセシングシステム
US20040176938A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-09 Sanmina-Sci Corporation Method for optimizing high frequency performance of via structures
JP2015537368A (ja) * 2012-08-27 2015-12-24 インヴェンサス・コーポレイション 共通サポート回路パネル及び超小型電子パッケージ
US20150016047A1 (en) * 2013-07-10 2015-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module

Also Published As

Publication number Publication date
CN108153704A (zh) 2018-06-12
KR102010223B1 (ko) 2019-08-13
TWI682696B (zh) 2020-01-11
EP3333852A1 (en) 2018-06-13
US10199077B2 (en) 2019-02-05
EP3333852B1 (en) 2019-04-24
KR20180064994A (ko) 2018-06-15
TW201822600A (zh) 2018-06-16
CN108153704B (zh) 2019-10-18
US20180158490A1 (en) 2018-06-07
JP6539332B2 (ja) 2019-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8438515B2 (en) Interchangeable connection arrays for double-sided DIMM placement
CN101232009B (zh) 用于集成电路模块的安装结构
JP6539332B2 (ja) メモリ配置
US20150085458A1 (en) Reducing Far End Crosstalk in Single Ended Interconnects and Buses
JP2009038112A (ja) プリント配線板構造および電子機器
KR20140121181A (ko) 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 메모리 모듈
JP2006074031A (ja) 回路モジュールシステムおよび方法
US10342132B2 (en) Memory device with insertable portion
JP2018106703A5 (ja)
US9691744B2 (en) Semiconductor memory device including output buffer
KR102374430B1 (ko) 기판 지지 프레임 및 이를 갖는 저장 장치
US10716210B2 (en) Printed circuit board including through-hole vias
US20140312488A1 (en) Method of manufacturing wiring board unit, method of manufacturing insertion base, wiring board unit, and insertion base
US10653033B1 (en) Kits for enhanced cooling of components of computing devices and related computing devices, systems and methods
TW201901911A (zh) 電子裝置及其電路基板
CN107845393B (zh) Ddr信号布线板、印刷电路板以及电子装置
US10617009B1 (en) Printed circuit board connection for integrated circuits using two routing layers
US11178751B2 (en) Printed circuit board having vias arranged for high speed serial differential pair data links
US20190303333A1 (en) System with an interposer for high-speed memory modules
KR20040018925A (ko) 메모리 소켓
US10701800B2 (en) Printed circuit boards
US20080112142A1 (en) Memory module comprising memory devices
KR100505641B1 (ko) 메모리 모듈 및 이를 구비하는 메모리 시스템
CN209993351U (zh) 一种存储装置及主板
TWI676406B (zh) 擴充卡

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181228

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181228

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20181228

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20190109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190116

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190522

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190531

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190607

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6539332

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250