JP2018095542A - n型SiC単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
種結晶基板が、4H−SiCであり、且つ(000−1)面を有し、
(000−1)面から結晶成長を行うこと、及び
Si−C溶液を形成するための原料またはSi−C溶液に、アルミニウム及び窒化クロムを添加することを含み、
アルミニウムの添加量x及び窒化クロムの添加量yが、式(1)〜(4):
y≦1x/3+1/15 (1)
y≧17x/60−1/12 (2)
0.03≦y≦0.2 (3)
0.1≦x≦1 (4)
の全てを満たす範囲内にある、
n型SiC単結晶の製造方法を対象とする。
y≦1x/3+1/15 (1)
y≧17x/60−1/12 (2)
0.03≦y≦0.2 (3)
0.1≦x≦1 (4)
の全てを満たす範囲内にすることによって、6H等の4H以外のポリタイプの発生を抑え、且つn型とp型との中間の導電型である半絶縁性型になることを抑制して、n型の4H−SiC単結晶を安定して成長させることができる。図6に、式(1)〜(4)を満たす範囲を破線で示したグラフを示す。アルミニウムの添加量x(at%)及び窒化クロムの添加量y(at%)は、Si−C溶液を形成するための原料、アルミニウム、及び窒化クロムの合計量100at%を基準とする。ここで、Si−C溶液を形成するための原料とは、Si−C溶液を形成するためのSi融液またはSi合金融液の原料をいう。
直径が50.8mm、厚みが700μmの円盤状4H−SiC単結晶であって、下面が(000−1)面を有する昇華法により作製したSiC単結晶を、種結晶基板として用意した。
融液原料の仕込み組成を、表1に示す原子組成比率にしたこと以外は、実施例1と同様の条件でSiC単結晶を成長させ、成長結晶が4Hであるか否か及び導電型の判定を行った。
融液原料の仕込み組成を、表1に示す原子組成比率にしたこと以外は、実施例1と同様の条件でSiC単結晶を成長させ、成長結晶が4H−SiCであるか否か及び導電型の判定を行った。
y≦1x/3+1/15 (1)
(式中、xはAl添加量を表し、yはCrN添加量を表す。以下、式(2)〜(4)において同様)
を算出した。
y≧17x/60−1/12 (2)
を算出した。
0.03≦y≦0.2 (3)
を算出した。
0.1≦x≦1 (4)
を算出した。
10 坩堝
12 種結晶保持軸
14 種結晶基板
18 断熱材
22 高周波コイル
22A 上段高周波コイル
22B 下段高周波コイル
24 Si−C溶液
26 石英管
Claims (1)
- 内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液にSiC種結晶基板を接触させてn型SiC単結晶を結晶成長させる、n型SiC単結晶の製造方法であって、
前記種結晶基板が、4H−SiCであり、且つ(000−1)面を有し、
前記(000−1)面から結晶成長を行うこと、及び
前記Si−C溶液を形成するための原料または前記Si−C溶液に、アルミニウム及び窒化クロムを添加することを含み、
アルミニウムの添加量x及び窒化クロムの添加量yが、式(1)〜(4):
y≦1x/3+1/15 (1)
y≧17x/60−1/12 (2)
0.03≦y≦0.2 (3)
0.1≦x≦1 (4)
の全てを満たす範囲内にある、
n型SiC単結晶の製造方法。
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JP2016244786A JP2018095542A (ja) | 2016-12-16 | 2016-12-16 | n型SiC単結晶の製造方法 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011102206A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Toyota Motor Corp | n型SiC単結晶の製造方法、それによって得られるn型SiC単結晶およびその用途 |
WO2014103394A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | トヨタ自動車株式会社 | n型SiC単結晶の製造方法 |
JP2015048265A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | トヨタ自動車株式会社 | n型SiC単結晶及びその製造方法 |
JP2016088794A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
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2016
- 2016-12-16 JP JP2016244786A patent/JP2018095542A/ja active Pending
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WO2014103394A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | トヨタ自動車株式会社 | n型SiC単結晶の製造方法 |
JP2015048265A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | トヨタ自動車株式会社 | n型SiC単結晶及びその製造方法 |
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