JP2018073992A - 半導体素子実装用基板および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装用基板の構成を示す上面からの斜視図である。図2は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装用基板の構成を示す下面からの斜視図である。図3は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装用基板の構成を示す下面からの平面図である。図4は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装用基板の構成を示す、上面からの分解斜視図である。図5は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装用基板の構成を示す下面からの分解斜視図である。図6は、図5に示す本発明の一実施形態に係る半導体素子実装用基板の構成のうち、Xの部分の拡大図である。図7は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装用基板の構成を示す上面からの平面図である。図8は、本発明の一実施形態である半導体素子実装用基板の構成を示す側面図および図7の断面図であり、図8(a)は側面図であり、図8(b)は図7のA−A線での断面図、図8(c)は図7のB−B線での断面図である。これらの図において半導体素子実装用基板1は、基板2および金属板3を備えている。
。第1貫通孔11は、基板2に形成されており、基板2の下面において、周囲にメタライズ層31(以下、説明の都合上、第1メタライズ層31ともいう)が形成されている。第1貫通孔11は、平面視において、例えば矩形状であって、大きさは1mm×1mm〜38mm×38mmである。第1貫通孔11は、半導体素子が収容されるので、半導体素子が収容される十分な大きさが確保されている。
とになる。これにより、金属板3と第1メタライズ領域31aとの間の接合強度が向上しやすくなる。第1メタライズ領域31aは、平面視において、例えば矩形状であり、大きさは2mm×2mm〜40mm×40mmである。厚みは、0.01mm〜0.1mmである。また、第1メタライズ領域31aは、外縁から金属板3の側面までの幅が一定になるように設けられることがよい。その結果、半導体素子実装用基板1は、金属板3と第1メタライズ領域31aとの間に連続して、一定量の接合材8を設けやすくできる。このことから、金属板3と第1メタライズ領域31aとの接合性を安定して維持することができる。
孔12を塞いでいる。つまり、第1貫通導体21の下部21aは、基板2の下面に露出していることになる。
mm×2mm〜20mm×20mmである。厚みは、0.01mm〜0.1mmである。第4メタライズ層34は、第4メタライズ層34と同じく、例えば、タングステン、モリブデンおよびマンガン等の金属材料から成り、基板2の下面であって第4貫通孔14の外縁を取り囲むようにメタライズ層の形態で設けられ、その表面に電界めっきまたは無電解めっきによって金またはニッケル等の金属材料から成るめっき層が形成される。
けられる接合材8の量を多くすることができる。その結果、第2貫通導体22と第3メタライズ層33との接合強度および第3貫通導体23と第4メタライズ層34との接合強度は、他のメタライズ層と近接した各メタライズ層の第1メタライズ領域に設けられる接合材8によって維持できる。また、各メタライズ層の第1メタライズ領域同士が近接する箇所に局所的に生じる、応力を低減することができる。この応力は、基板2、第2貫通導体22、第3貫通導体23、第3メタライズ層33、第4メタライズ層34および接合材8との熱膨張差に起因するものである。
基板2は、たとえば複数の絶縁層から成り、酸化アルミニウム焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、酸化アルミニウム等のセラミック粉末とからなる原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。
ライズ層34は、たとえば、タングステンまたはモリブデン、マンガン等の高融点の金属からなる場合であれば、次のようにして形成することができる。すなわち、まず高融点の金属の粉末を有機溶剤およびバインダとともによく混ざるように練って作製した金属ペーストを、基板2の下面となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷する。その後、これらを同時焼成する。以上の工程によって、基板2の下面にメタライズ層が被着される。
図12は、本発明の一実施形態に係る半導体装置10の上面からの斜視図を、図13は本発明の一実施形態に係る半導体装置10の上面からの分解斜視図を示している。これらの図において、半導体装置10は、上述した半導体素子実装用基板1、半導体素子4、枠体5および蓋体6を備えている。また、電子部品7をさらに備えていてもよい。
2 基板
3 金属板
3a 実装領域
3b 周辺領域
4 半導体素子
5 枠体
6 蓋体
7 電子部品
8 接合材
10 半導体装置
11 貫通孔
12 第2貫通孔
21 貫通導体
21a 下部
31 メタライズ層
31a 第1メタライズ領域
31b 第2メタライズ領域
32 第2メタライズ層
Claims (6)
- 貫通孔と、下面に前記貫通孔を取り囲んだメタライズ層と、を有するセラミックから成る基板と、
上面に半導体素子を実装する実装領域と前記実装領域を取り囲んだ周辺領域とを有しているとともに、前記周辺領域が前記メタライズ層と接合材を介して接合された、金属板とを備えており、
前記メタライズ層は、前記金属板を取り囲んだ、第1メタライズ領域と、前記第1メタライズ領域と連続しているとともに、前記第1メタライズ領域から前記基板の外縁まで位置した、第2メタライズ領域とを有していることを特徴とする半導体素子実装用基板。 - 前記メタライズ層と、前記第2メタライズ層とは矩形状であり、
前記第2メタライズ層の長手方向の長さは、前記第1メタライズ領域の長手方向の長さよりも短いことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子実装用基板。 - 前記第1メタライズ領域の角部の形状は、曲線形状であることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子実装用基板。
- 前記第2メタライズ領域は、前記第1メタライズ領域のうち、1辺のみに設けられていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体素子実装用基板。
- 前記基板は矩形状であり、
平面視において、前記第2メタライズ領域は、前記基板の角部と間が空いていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体素子実装用基板。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体素子実装用基板と、
前記半導体素子実装用基板の前記金属板の上面に実装された、半導体素子と、
前記半導体素子実装用基板の上面を取り囲んで形成された枠体と、
前記枠体の上端に接合された蓋体とを備えたことを特徴とする半導体装置。
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