JP2018070805A - 重合体、絶縁膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス - Google Patents
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- AZCTVCJXSHHXGU-UHFFFAOYSA-N C[NH+](c(c(N)c(c(C(N)=C1N)c2OC1=O)N)c2N)[O-] Chemical compound C[NH+](c(c(N)c(c(C(N)=C1N)c2OC1=O)N)c2N)[O-] AZCTVCJXSHHXGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
式(1)中、kは0〜5の整数を表す。
芳香族基含有重合体に対する前述の酸クロリドの仕込み量は、得られる重合体の有機溶剤に対する溶解性、及び保存安定性を高めるため、該重合体が含有するフェニル基1モルに対し0.005〜1モルであることが好ましく、さらに好ましくは0.05〜0.7モルである。反応でフェニル基に導入される光反応性基の量は、光架橋(光二量化)のし易さ、光架橋(光二量化)後の層の耐溶剤性、有機溶剤に対する溶解性、及び保存安定性の観点から、0.01〜0.6モルであることが好ましく、更に好ましくは0.2〜0.5モルである。
上記フリーデルクラフツ・アシル化反応は、反応触媒を用いて実施することができる。
本発明に係る重合体を絶縁膜として用いる場合、該膜を形成した状態、または必要に応じて光架橋(光二量化)して用いることができる。なお、本発明において該膜を形成した後、光架橋せずに絶縁膜として用いる場合には、該膜を形成するのに用いる汎用溶剤には良好な溶解性を示し、更に、該膜の上部に該汎用溶剤とは異なる溶剤を用いて有機半導体層を形成可能なことが必要となる。この際、該膜が有機半導体溶液に対して耐溶剤性を持つとき、該膜を形成した状態のままで絶縁膜として用いることが出来る。なお、耐溶剤性に優れるものではない場合、印刷法による製膜ができず、印刷法に比べ経済性に劣る蒸着法等の方法により製膜する必要がある。
<NMR>
JNM−ECZ400S FT−NMR(日本電子(株)製)を用いて測定した。なお、芳香族基中の光二量化基のモル分率Xは下記式により求めた。
(ここで、IDは光二量化基の水素1原子の積分強度、IAは芳香族水素の積分強度の総和、N0は光架橋基導入前の芳香族水素数、N1は光二量化基が導入された繰り返し単位中の芳香族水素数を表す。)
<スピンコート>
ミカサ株式会社製MS―A100を用いた。
<膜厚測定>
ブルカー社製DektakXTスタイラスプロファイラーを用いて測定した。
<UV照射>
入江(株)製 理化学用水銀灯起動装置H−400−A/B、及び高圧水銀灯H−400P(東芝ライテック社製)を用いた。
<真空蒸着>
アルバック機工社製 小型真空蒸着装置VTR−350M/ERHを用いた。
<高分子誘電体層の溶剤に対する濡れ性>
式(1)で表される反復単位と式(3)〜(6)で表される反復単位から選ばれる少なくとも1種の反復単位とを含む重合体層上に表面張力が異なる5種の溶剤(トルエン、テトラリン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン)をそれぞれ1μl滴下した。S電極及びD電極を覆う適量の有機半導体溶液を塗布したとき、液滴を塗布した瞬間の形状を維持するか、又は濡れ広がれば、電極上をくまなく覆うことが出来るため、この場合を良好(1点)として評価した。一方、該液滴が収縮する場合、及び/又は移動する場合には電極上を覆うことが出来なくなるため、液が収縮及び/又は移動した場合を不良(0点)として評価した。全ての溶剤で良好な結果が得られた場合5点となる。
<絶縁破壊強度>
洗浄、乾燥した30×30mm2のガラス(コーニング社製Eagle XG)に銀を真空蒸着し、厚み30nmの電極を形成した。その後、電極を形成した基材上に誘電体(絶縁体)を製膜し、誘電体層上に金電極を真空蒸着してMIMコンデンサを作製して上記の銀−金電極間に電圧をかけて、絶縁破壊により電流が誘電体層内部を流れ始める電圧を測定し、誘電体層の厚みで割った値を絶縁破壊強度とした。
<FET素子の評価>
有機電界効果トランジスタの一形態であるボトムゲート・ボトムコンタクト(BGBC)型素子を作製し、ケースレイ社製半導体パラメータアナライザーSCS4200を用い、ソース・ドレイン間電圧をマイナス60ボルトとして、ゲート電圧を変化させることにより、移動度、低漏洩電流密度、オン電流/オフ電流比、ソース・ドレイン間電流のヒステリシス、閾値電圧を評価した。
<耐クラック性>
サイズ5cm×5cm、厚み100ミクロンのPETフィルム(帝人デュポンフィルム製 )上に、スピンコータ―を用いて厚み600nmの絶縁膜を形成後、光二量化(光架橋)を行った。このフィルムを半径5mmのステンレス製の丸棒に巻き付けた上で、トルエンに1時間浸漬後、取り出して常温でトルエンを揮発させ、フィルム表面を形状測定レーザーマイクロスコープ((株)キーエンス製VK−X100)によりフィルム表面上のミクロクラックの有無を確認した。
(実施例1)
100mLのシュレンク管に重量平均分子量15万、ポリスチレン含有量が65wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・プロピレン)−b−ポリスチレン(SEPS)(以下、「原料ポリマー」という)2.8g、脱水した塩化メチレン100mLを加え室温で撹拌して溶液とした。この溶液に無水塩化アルミニウム0.28gを加え室温で30分間撹拌した後、反応器を氷冷し30分間撹拌を継続した。その後、桂皮酸クロリド0.35gを塩化メチレン10gに溶解させた溶液をゆっくりと反応器内に添加し、反応器を遮光した状態で、80時間反応を行った。得られた橙色の溶液を撹拌下で氷水500gに注いで反応をクエンチした。室温で1時間撹拌を継続した後、エバポレータで塩化メチレンを留去しポリマーを析出させた。このスラリーを濾過、水洗、メタノール洗浄した後、トルエン50mlに溶解させ、700mlのメタノールに注いで再沈、濾過し、橙色の固体を得た。この再沈殿操作を更に3回繰り返し、35℃で減圧乾燥して黄色固体3.0gを得た。1H−nmrによる分析の結果、得られた重合体1はスチレンの総モル数に対し10モル%の濃度でカルコン基を有していることを確認した。なお、重合体1に係る1H−nmrチャートを図2に示した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.78(brs,−CH=CH−),7.64〜6.57(m,芳香族,−CH=CH−),3.74(brm, −CH=CH−),1.85〜0.84(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
洗浄、乾燥した30×30mm2のガラス(基材)(コーニング社製Eagle XG)に銀を真空蒸着し、厚み30nmの電極を形成した。電極が形成された基材の上に、実施例1で得た重合体1のトルエン溶液(3wt%)を500rpm×5秒、1000rpm×20秒の条件でスピンコートし、40℃で1分ベークした後(絶縁膜の形成)、800mJ/cm2の紫外線を照射して架橋した膜厚520nmの高分子誘電体層を形成した。ゲート電極及び高分子誘電体層が形成された基材上に金を真空蒸着して厚み30nm、チャンネル長50μm、電極幅500μmのソース電極、及びドレイン電極を形成した。その後、直ちにペンタフルオロベンゼンチオール30mmolのイソプロパノール溶液に浸漬し、5分間経過した時点で取り出し、イソプロパノールで洗浄後、ブロー乾燥した。その後、有機半導体(ジ−n−ヘキシルジチエノベンゾジチオフェン)の0.5wt%トルエン溶液をドロップキャストした。溶剤を揮発させ乾燥した後、ボトムゲート・ボトムコンタクト(BGBC)型の有機電界効果トランジスタデバイスを作製した。作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に示す。
(実施例2)
原料ポリマーを重量平均分子量15万、ポリスチレン含有量が35wt%ポリスチレン−b−ポリ(エチレン・プロピレン)-b−ポリスチレン(SEPS)2.8gに、溶剤を1,1,2−トリクロロエタンに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.14g、桂皮酸クロリドの添加量を0.17gに変えた以外は実施例1と同様の手法で重合体2を2.6g得た。1H−nmrによる分析の結果、得られた重合体2はスチレンの総モル数に対し9モル%の濃度でカルコン基を有していることを確認した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.78(brs,−CH=CH−),7.64〜6.57(m,芳香族,−CH=CH−), 3.74(brm, −CH=CH−),1.85〜0.84(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例3)
原料ポリマーを重量平均分子量18万、ポリスチレン含有量が60wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・ブチレン)−b−ポリスチレン(SEBS)3gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.39g、桂皮酸クロリドの添加量を0.48gに、また、再沈精製時にポリマーをトルエンに溶解させる温度を室温から40℃に変えた以外は実施例1と同様の手法で3.0gの重合体3を2.5g得た。1H−nmrによる分析の結果、得られた重合体3はスチレンの総モル数に対し14モル%の濃度でカルコン基を有していることを確認した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.84(brs,−CH=CH−),7.72〜6.48(m,芳香族,−CH=CH−), 3.78(brm, −CH=CH−),1.89〜0.87(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例4)
原料ポリマーをポリスチレン含有量が10wt%のポリ(スチレン・エチレン・ブチレン)共重合体(JSR製 ダイナロン 1320P)5.0gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.56g、桂皮酸クロリドの添加量を0.71gに変えた以外は実施例1と同様の手法で重合体4を4.5g得た。1H−nmrによる分析の結果、得られた重合体4はスチレンの総モル数に対し50モル%の濃度でカルコン基を有していることを確認した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.81(brd,J=7.8Hz,−CH=CH−),7.96〜6.60(m,芳香族,−CH=CH−), 3.75(s, −CH=CH−), 3.49(s, −CH=CH−),2.57〜0.83(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例5)
原料ポリマーを重量平均分子量25万、ポリスチレン含有量が20wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・プロピレン・ブチレン)−b−ポリスチレン(SEPBS)2.5gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.04g、桂皮酸クロリドの添加量を0.05g、再沈精製時にポリマーをトルエンに溶解させる温度を室温から40℃に変えた以外は実施例2と同様の手法で重合体5を2.3g得た。1H−nmrによる分析の結果、得られた重合体5はスチレンの総モル数に対し5モル%の濃度でカルコン基を有していることを確認した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.81(brs,−CH=CH−),7.78〜6.48(m,芳香族,−CH=CH−), 3.78〜3.74(br, −CH=CH−), 3.49(s, −CH=CH−),2.35〜0.84(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例6)
原料ポリマーをポリスチレン含有量が10wt%のポリ(スチレン・エチレン・ブチレン)共重合体(JSR製 ダイナロン 1320P)5.0gに、桂皮酸クロリド0.35gを2−オキソ−2H−1−ベンゾピラン−6−カルボニルクロリド0.44gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.14gに変えた以外は実施例1と同様の手法により重合体6を4.2g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体6中のクマリン基はスチレンの総モル数に対し18モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.8(brd,J=8Hz,−CH=CH−),8.04〜7.05(m,芳香族),6.35(brd,J=8Hz,−CH=CH−), 3.75(brm, −CH=CH−), 3.49(s, −CH=CH−),2.57〜0.83(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例7)
原料ポリマーを重量平均分子量15万、ポリスチレン含有量が20wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・プロピレン)−b−ポリスチレン(SEPS)2.8gに、桂皮酸クロリド0.17gを2−オキソ−2H−1−ベンゾピラン−6−カルボニルクロリド0.12gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.05gに変えた以外は実施例2と同様の手法により重合体7を2.6g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体7中のクマリン基はスチレンの総モル数に対し5モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.85(brs,−CH=CH−),8.04〜6.34(m,芳香族,−CH=CH−), 3.74(brm, −CH=CH−),1.85〜0.84(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例8)
原料ポリマーを重量平均分子量15万、ポリスチレン含有量が35wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・プロピレン)−b−ポリスチレン(SEPS)2.8gに、桂皮酸クロリド0.17gを2−オキソ−2H−1−ベンゾピラン−6−カルボニルクロリド0.35gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.21gに変えた以外は実施例2と同様の手法により重合体8を2.8g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体8中のクマリン基はスチレンの総モル数に対し15モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.67(brd,J=8Hz,−CH=CH−),8.04〜7.85,7.64〜7.05(m,芳香族),6.35(brd,J=8Hz,−CH=CH−), 3.74(brm, −CH=CH−),1.85〜0.84(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例9)
原料ポリマーを重量平均分子量8万、ポリスチレン含有量が35wt%のポリスチレン−b−ポリイソブチレン−ポリスチレン(SIBS)3.0gに、桂皮酸クロリド0.35gを4−[2−(4−ピリジニル)エテニル]ベンゾイルクロリド0.30gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.26gに変えた以外は実施例1と同様の手法により重合体9を3.0g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体9中のスチルバゾール基はスチレンの総モル数に対し10モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ8.45〜6.95(m,芳香族), 7.22(brd,J=8Hz,−CH=CH−),6.87(brm,芳香族),6.84(brd,J=8Hz,−CH=CH−), 6.8〜6.28(m,芳香族),2.35〜0.90(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例10)
原料ポリマーを重量平均分子量15万、ポリスチレン含有量が65wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・プロピレン)−b−ポリスチレン(SEPS)3.0gに、桂皮酸クロリド0.35gを4−[2−(4−ピリジニル)エテニル]ベンゾイルクロリド0.49gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.26gに変えた以外は実施例1と同様の手法により重合体10を3.0g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体10中のスチルバゾール基はスチレンの総モル数に対し9モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.78〜7.05(m,芳香族),7.22(brd,−CH=CH−),6.87(m,芳香族),6.84(brd, −CH=CH−),3.74(brm,−CH=CH−),1.85〜0.84(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例11)
原料ポリマーを重量平均分子量18万、ポリスチレン含有量が60wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・ブチレン)−b−ポリスチレン(SEBS)3.0gに、桂皮酸クロリド0.35gを4−[2−(4−ピリジニル)エテニル]ベンゾイルクロリド0.56gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.26gに変えた以外は実施例1と同様の手法により重合体11を3.0g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体11中のスチルバゾール基はスチレンの総モル数に対し11モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ8.45〜6.87(brm,芳香族),6.84(brd, −CH=CH−),6.62〜6.42(brm,芳香族),1.89〜0.87(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例12)
原料ポリマーを重量平均分子量8万、ポリスチレン含有量が35wt%のポリスチレン−b−ポリ(イソブチレン)−b−ポリスチレン(SIBS)3.0gに、桂皮酸クロリド0.35gをトランス―4―スチルベンカルボニルクロリド0.35gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.26gに変えた以外は実施例1と同様の手法により重合体12を3.0g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体12中のスチルベン基はスチレンの総モル数に対し12モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.84〜7.24(m,芳香族), 7.15(brd,−CH=CH−),7.10〜6.28(brm,芳香族),2.35〜0.90(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例13)
原料ポリマーを重量平均分子量15万、ポリスチレン含有量が65wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・プロピレン)-b−ポリスチレン(SEPS)3.0gに、桂皮酸クロリド0.35gをトランス―4―スチルベンカルボニルクロリド0.44gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.26gに変えた以外は実施例1と同様の手法により重合体13を3.1g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体13中のスチルベン基はスチレンの総モル数に対し8モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.84〜7.24(brm,芳香族),7.15(brd,−CH=CH−), 3.74(brm, −CH=CH−),1.85〜0.84(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
(実施例14)
原料ポリマーを重量平均分子量18万、ポリスチレン含有量が60wt%のポリスチレン−b−ポリ(エチレン・ブチレン)−b−ポリスチレン(SEBS)3.0gに、桂皮酸クロリド0.35gをトランス―4―スチルベンカルボニルクロリド0.45gに、無水塩化アルミニウムの添加量を0.26gに変えた以外は実施例1と同様の手法により重合体14を2.9g得た。1H−nmrによる分析の結果、重合体14中のスチルベン基はスチレンの総モル数に対し9モル%であった。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ7.84〜7.24(brm,芳香族),7.25〜6.42(brm,芳香族,−CH=CH−),3.78(brm,−CH=CH−)1.89〜0.87(m,−CH2−,−CH=,−CH3)
実施例1と同様の手法を用いて作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。実施例1と同様に有機電界効果トランジスタデバイスとして優れた性能を有することが確認された。
高分子誘電体層としてSEPS(比較例1)、SEBS(比較例2)、SIBS(比較例3)、SEPBS(比較例4)、パリレン−C(日本パリレン合同会社製)(比較例5)、サイクロテン(ダウ・エレクトリック・マテリアルズ製)(比較例6)、サイトップ(AGC旭硝子(株)製)(比較例7)を用いて有機電界効果トランジスタデバイスを作製した。ここで、パリレン−C(比較例5)以外は実施例1と同様の手法を用いて絶縁膜の形成後、有機電界効果トランジスタデバイスを作製した。パリレン−C(比較例5)についてはSCSラボコータ2(日本パリレン合同会社製(型式PDS2010))を用いて真空蒸着法により製膜した以外は、実施例1と同様の手法を用いて有機電界効果トランジスタデバイスを作製した。作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。
洗浄、乾燥した30×30mm2のガラス(基材)(コーニング社製Eagle−XG)に銀を真空蒸着し、厚み30nmの電極を形成した。電極が形成された基材の上に、重量平均分子量2.5万のポリビニルフェノール(丸善石油(株)製マルリンカーM)の濃度20重量%の2−アセトキシー1−メトキシプロパン(PGMEA)(アルドリッチ製)溶液0.1ml、架橋剤としてポリ(メラミン-co−ホルムムアルデヒド)メチル化物(試薬:アルドリッチ)の84重量%ブタノール溶液(アルドリッチ製)を濃度10重量%となるようPGMEAで希釈した溶液0.2mlを混合し、300回転で5秒、700回転で30秒の条件でスピンコートした後、90℃、10分、150℃で1時間架橋させて厚み550nmの架橋膜を得た。ゲート電極及び架橋膜が形成された基材に金を真空蒸着して厚み30nm、チャンネル長50μm、電極幅500μmのソース電極、及びドレイン電極を形成した。その後、直ちにペンタフルオロベンゼンチオール30mmolのイソプロパノール溶液に浸漬し、5分間経過した時点で取り出し、イソプロパノールで洗浄後、ブロー乾燥した。その後、有機半導体(ジ−n−ヘキシルジチエノベンゾジチオフェン)の0.5wt%トルエン溶液をドロップキャストした。溶剤を揮発させ乾燥した後、ボトムゲート・ボトムコンタクト(BGBC)型の有機電界効果トランジスタデバイスを作製した。作製した有機電界効果トランジスタデバイスの構成、評価結果等を表1に合わせて示す。
Claims (4)
- 式(1)及び式(2)で表される反復単位と、式(3)〜(6)で表される反復単位から選ばれる少なくとも1種の反復単位とを含む重合体。
- 請求項1に記載の式(1)及び式(2)で表される反復単位と、式(3)〜(6)で表される反復単位から選ばれる少なくとも1種の反復単位とを含む重合体を用いてなる絶縁膜。
- 請求項1に記載の式(1)及び式(2)で表される反復単位と、式(3)〜(6)で表される反復単位から選ばれる少なくとも1種の反復単位とを含む重合体用いてなり、かつ、該重合体が架橋構造を含有することを特徴とする絶縁膜。
- 請求項2または請求項3に記載の絶縁膜を含むことを特徴とする有機電界効果トランジスタデバイス。
Priority Applications (1)
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JP2016213802A JP6801374B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 重合体、絶縁膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016213802A JP6801374B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 重合体、絶縁膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018070805A true JP2018070805A (ja) | 2018-05-10 |
JP6801374B2 JP6801374B2 (ja) | 2020-12-16 |
Family
ID=62113935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016213802A Active JP6801374B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 重合体、絶縁膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6801374B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018168676A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁膜、平坦化膜、親撥パターニング膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
JP2018154814A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁膜、平坦化膜、親撥パターニング膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
JP2019073597A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
JP2019127563A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁膜、親撥パターニング膜およびこれを含む有機トランジスタ |
CN114014982A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-02-08 | 扬州金珠树脂有限公司 | 一种高压强大孔型强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂的制备方法 |
-
2016
- 2016-10-31 JP JP2016213802A patent/JP6801374B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6992546B2 (ja) | 2017-03-16 | 2022-02-03 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁膜、平坦化膜、親撥パターニング膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
JP2019073597A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス |
JP2019127563A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 東ソー株式会社 | 光架橋性重合体、絶縁膜、親撥パターニング膜およびこれを含む有機トランジスタ |
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CN114014982A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-02-08 | 扬州金珠树脂有限公司 | 一种高压强大孔型强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂的制备方法 |
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