JP2018060983A - 半導体ウエハと半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体ウエハは、外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する。半導体ウエハの一方の主面は、中央領域と厚肉領域との間に位置する傾斜面を有する。傾斜面は、中央領域側に位置する内周縁と厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、内周縁から外周縁に向かうにつれて、半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜している。傾斜面は、内周縁を含む内周部分と、外周縁を含む外周部分と内周部分と、外周部分との間に位置する中間部分とを有する。そして、外周部分と内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、中間部分の傾斜角度よりも小さい。
【選択図】図9
Description
10a:半導体ウエハの第1の主面
10b:半導体ウエハの第2の主面
10c:半導体ウエハの中央領域
10e:半導体ウエハの外周面
10t:半導体ウエハの厚肉領域
12:第1電極層
14:第2電極層
20:傾斜面
20a:傾斜面の外周部分
20b:傾斜面の内周部分
20c:傾斜面の中間部分
20e:傾斜面の外周縁
20f:傾斜面の内周縁
W:傾斜面の幅寸法
θ:傾斜面の傾斜角度
θ1:傾斜面の外周部分の傾斜角度
θ2:傾斜面の内周部分の傾斜角度
θ3:傾斜面の中間部分の傾斜角度
Claims (7)
- 外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する半導体ウエハであって、
前記半導体ウエハの一方の主面は、前記中央領域と前記厚肉領域との間に位置する傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記中央領域側に位置する内周縁と前記厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、前記内周縁から前記外周縁に向かうにつれて、前記半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜しており、
前記傾斜面は、前記内周縁を含む内周部分と、前記外周縁を含む外周部分と、前記内周部分と前記外周部分との間に位置する中間部分とを有し、
前記外周部分と前記内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、前記中間部分の傾斜角度よりも小さい、
半導体ウエハ。 - 前記外周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度よりも小さい、請求項1に記載の半導体ウエハ。
- 前記内周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度に等しい、請求項2に記載の半導体ウエハ。
- 前記内周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度よりも小さい、請求項1に記載の半導体ウエハ。
- 前記外周部分の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度に等しい、請求項4に記載の半導体ウエハ。
- 前記内周部分及び前記外周部分の両者の前記傾斜角度は、前記中間部分の前記傾斜角度よりも小さい、請求項1に記載の半導体ウエハ。
- 半導体素子の製造方法であって、
半導体ウエハの中央領域に、前記半導体素子の一部の構造を形成する工程と、
前記半導体ウエハを一方の主面側から研削することにより、前記半導体ウエハの外周縁に沿って前記中央領域よりも厚みのある厚肉領域を形成する工程と、
前記半導体ウエハの前記一方の主面側から、前記半導体ウエハの前記中央領域に前記半導体素子の一部の構造を形成する工程と、を備え、
前記厚肉領域を形成する工程では、前記半導体ウエハの前記一方の主面において、前記中央領域と前記厚肉領域との間に傾斜面をさらに形成し、
前記傾斜面は、前記中央領域側に位置する内周縁と前記厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、前記内周縁から前記外周縁に向かうにつれて、前記半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜しており、
前記傾斜面は、前記内周縁を含む内周部分と、前記外周縁を含む外周部分と、前記内周部分と前記外周部分との間に位置する中間部分とを有し、
前記内周部分と前記外周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、前記中間部分の傾斜角度よりも小さい、
半導体素子の製造方法。
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