JP2018056556A - 冷却性能を高めるためのｄｍｄ基板における集積マイクロチャネルヒートシンク - Google Patents

Abstract

【課題】ＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）の過熱を防ぐ手法を提供する。
【解決手段】ＤＭＤ冷却装置は、シリコン基板２４上に構成されるＤＭＤ８および基板内に配置され一体化されるマイクロチャネル冷却アレイを含む。複数のマイクロチャネルは、基板の裏側に形成される。マイクロチャネルは、マイクロリソグラフィを介してＤＭＤチップの製造と関連して製造され、それにより、シリコン基板内に一体化されるヒートシンクは直熱を基板から除去できる。
【選択図】図２

Description

実施形態は、一般的に、ＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）システムおよび用途に関する。さらに、実施形態は、冷却を高めるためのＤＭＤ基板と一体化されたマイクロチャネルヒートシンクコンポーネントに関する。

オフセットリソグラフィは、現代の印刷工程において利用される一般的な方法である。（これに関して、「印刷（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）」および「マーキング（ｍａｒｋｉｎｇ）」という用語は交換可能であることに、留意されたい）典型的なリソグラフィプロセスにおいて、印刷プレート（すなわち、平板、円筒表面、ベルトなどであってよい）は、例えば、疎水性および親油性の材料で形成される「画像領域」、および、親水性の材料で形成される「非画像領域」で構成され得る。そのような画像領域は、インクなどの印刷またはマーキング材料に満たされる最終印刷（すなわち、目的の基板）上のエリアに対応し、一方で非画像領域は、マーキング材料に満たされない最終印刷上のエリアに対応する。

可変データリソグラフィ（デジタルリソグラフィまたはデジタルオフセットとも称される）印刷プロセスは、シリコーン画像化プレートを画像化ドラム上において湿らせるために使用される湿し水から開始される。湿し水は、約１ミクロンの厚さであるシリコーンプレート上の薄膜を形成する。ドラムは、画像画素が形成される場所で湿し水を除去するために高出力レーザイメージャが使用される「露光」ステーションまで回転する。これにより、湿し水ベースの「潜像」が形成される。その後、ドラムは、さらに、リソグラフィのようなインクが湿し水ベースの「潜像」と接触する「現像」ステーションまで回転し、レーザが湿し水を除去した場所の上にインクが「発現」する。インクは疎水性である。紫外線（ＵＶ）が当てられてよく、それにより、インク中の光開始剤が部分的にインクを硬化させて、紙などの印刷媒体へ効率的に転写される準備が行われる。その後、ドラムは、インクが紙などの印刷媒体へ転写される転写ステーションまで回転する。シリコーンプレートが適合するため、転写を助けるためにオブセットブランケットは使用されない。紫外線がインクの付着した紙へ当てられてよく、紙の上のインクを完全に硬化させる。インクは紙の上において約１ミクロンのパイル高さである。

印刷プレート上の画像の形成は、各々が線形出力の高出力赤外線（ＩＲ）レーザを使用して「ＤＭＤ」（「デジタルマイクロミラーデバイス」とも称される）デジタル光プロジェクタ（ＤＬＰ）マルチミラーアレイを照らす、画像化モジュールにより行われる。ミラーアレイは、一般的にコンピュータプロジェクタおよび一部のテレビにおいて使用されるものと類似している。レーザは、一定の照射をマイクロミラーアレイに提供する。ミラーアレイは個々のミラーを偏向させて、画素を画像面に形成しシリコーンプレート上で湿し水を画素単位で蒸発させる。画素が作動されない場合、当該の画素に対するミラーが偏向され、それにより、画素に対するレーザ照射はシリコーン表面に当たらず、強化光ドロップヒートシンク内へ進む。

単一のレーザおよびミラーアレイは、クロスプロセス方向において約１インチの画像化性能を提供する画像化モジュールを形成し得る。したがって、単一の画像化モジュールは、所与の走査線ごとに画像の１つの画素線当たり１インチを同時に画像化する。次の走査線で、画像化モジュールは、１つの画素線セグメント当たり次の１インチを画像化する。各々が数個のレーザおよび数個のミラーアレイから成り、相互に突き合わされる数個の画像化モジュールを利用することにより、非常に広いクロスプロセス幅に対する画像化機能性が達成され得る。

リソグラフィの適用の文脈において利用されるＤＭＤシステムの１つの非制限の例は、２０１３年８月１３日にＰｅｔｅｒ Ｐａｕｌらに発行された、米国特許第８，５０８，７９１号「マルチミラーベースの高出力イメージャに対する画像フィードフォワードレーザ出力制御（Ｉｍａｇｅ ｆｅｅｄｆｏｒｗａｒｄ ｌａｓｅｒ ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｔｒｏｌ ｆｏｒ ａ ｍｕｌｔｉ−ｍｉｒｒｏｒ ｂａｓｅｄ ｈｉｇｈ ｐｏｗｅｒ ｉｍａｇｅｒ）」に開示され、米国特許第８，５０８，７９１号コネチカット州ノーウォークのゼロックス社へ譲渡されている。

従来のＤＭＤシステムの主な問題点は、光源がＤＭＤへの入力であり、その後、信号プロセッサ制御のオン／オフデジタル出力を反映することである。入力光源は、特定の用途においてＤＭＤチップ内へ過剰な熱を生成し、結果としてチップの不具合を生じさせる。したがって、ＤＭＤの過熱を防ぐ新しい手法が必要とされている。

以下の概要は、開示される実施形態に特有の革新的な特性の幾つかを理解し易くするよう提供されるものであり、完全な説明を意図してはいない。本明細書において開示される実施形態の様々な態様の完全な理解は、明細書全体、請求項、図、および、概要を全体として取り込むことにより達成され得る。

したがって、開示される実施形態の１つの態様は、改良されたＤＭＤ冷却装置、システム、および、方法を提供することである。

開示される実施形態の別の態様は、冷却性能を高めるためのＤＭＤ基板における集積マイクロチャネルヒートシンクを提供することである。

前述された態様および他の目的および利点が、本明細書に記載されるように達成され得る。ＤＭＤ冷却装置および方法は、基板上に構成されるＤＭＤチップ、および、その上にＤＭＤが構成される基板内に配置され一体化されるヒートシンクを含む。複数のマイクロチャネルは、基板の裏側に形成され得る。マイクロチャネルは、例えば、マイクロリソグラフィを介してＤＭＤチップの製造と関連して製造されることができ、これにより、シリコン基板内に一体化されるヒートシンクは、直熱を基板から除去できる。

したがって、開示される例示的な実施形態は、高出力の用途のためのＤＭＤの冷却性能を、シリコンウェハの裏側に形成され標準的なマイクロリソグラフィ技術を使用してＤＭＤチップの製造と連動して製造される一連のマイクロチャネルから成る、ＤＭＤチップ内部に配置される集積ヒートシンクを使用して高める手法を記載する。概念はコンピュータシミュレーションを使用して部分的に立証されたことに、留意されたい。水およびエチレングリコールの混合物からなる冷却剤を１５℃でマイクロチャネル内において使用し、チップ表面の最大温度が最大出力における許容レベルに維持され得ることを示すために、計算が使用された。開示される実施形態の利点は、ＤＭＤが高出力の用途のための出力要件を満たせることを含む。

添付の図において、同様の参照番号は別個の図にわたって同等または機能的に類似の要素を指し、添付の図は本明細書の一部に統合されると共に一部を形成し、さらに、本発明の詳細な説明と共に本発明を図示し、本発明の原理を説明する役割を果たす。

図１は、１つの例示的な実施形態にしたがって、ＬＩＭ（レーザ画像化モジュール）およびＬＩＭ光路の概略図を図示する。 図２は、１つの例示的な実施形態にしたがって、ＤＭＤの絵図を図示する。 図３は、１つの例示的な実施形態にしたがって、図１〜図２に描写されるＤＭＤの裏側を図示する。 図４は、１つの例示的な実施形態にしたがって、ＤＭＤ基板の温度を描写する熱図を図示する。 図５は、１つの例示的な実施形態にしたがって、マイクロチャネル冷却配列で構成されるＤＭＤの切断図を図示する。 図６は、１つの例示的な実施形態にしたがって、マイクロチャネル冷却配列で構成される図５に示されるＤＭＤの近接切断図を図示する。 図７は、１つの例示的な実施形態にしたがって、複数のマイクロチャネルおよびパラメータを描写する絵図を図示する。 図８は、１つの例示的な実施形態にしたがって、シリコン基板の表面温度のシミュレーションを示すデータを描写するグラフを図示する。

これらの非限定の例において議論される特定の値および構成は、変更が可能であり、単に１つ以上の実施形態を図示するよう引用され、実施形態の範囲を限定する意図はない。

ここで、本明細書の一部を形成し図を用いて特定の例示的な実施形態を示す添付の図を参照して、以降に主題がより完全に記載される。しかしながら、主題は、様々な異なる形態で具現化されてよく、したがって、網羅または主張される主題は、本明細書に明記される如何なる例示的な実施形態にも限定されないと解釈されると意図される。例示的な実施形態は、単に例示として提供される。同様に、主張または網羅される主題に対する合理的に広い範囲が意図される。とりわけ、例えば、主題は、方法、デバイス、コンポーネント、または、システムとして具現化されてよい。したがって、実施形態は、例えば、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、または、それらの任意の組み合わせ（ソフトウェア自体を除く）の形式を取ってよい。したがって、以下の詳細な説明は、限定の趣旨において解釈されると意図されない。

明細書および請求項を通して、用語は明白に述べられる意味を超えて文脈において提案または暗示される特別な意味合いを有してよい。さらに、「１つの実施形態において（ｉｎ ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「例示的な実施形態において（ｉｎ ａｎ ｅｘａｍｐｌｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」などの語句、および、本明細書に利用される変形は、必ずしも同じ実施形態を指すとは限らず、「別の実施形態において（ｉｎ ａｎｏｔｈｅｒ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「別の例示的な実施形態において（ｉｎ ａｎｏｔｈｅｒ ｅｘａｍｐｌｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」という語句、および、本明細書において利用される変形は、異なる実施形態を指してよく、または、必ずしも異なる実施形態を指さなくてよい。例えば、主張される主題は、例示的な実施形態の組み合わせを全体的または部分的に含むことが意図される。

一般的に、専門用語は、少なくとも部分的に、文脈における用法から理解されてよい。例えば、本明細書において使用される「および（ａｎｄ）」「または（ｏｒ）」または「および／または（ａｎｄ／ｏｒ）」という用語は、少なくとも部分的に、それらの用語が使用される文脈に依存してよい様々な意味を含んでよい。典型的に、Ａ、Ｂ、またはＣなど、リストを結び付けるために使用される場合、「または（ｏｒ）」は、排他的な趣旨において使用されるＡ，Ｂ，またはＣと共に、包括的な趣旨において使用されるＡ，Ｂ，およびＣを意味すると意図される。加えて、本明細書において使用される「１つ以上（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」という用語は、少なくとも部分的に文脈に依存して、単数形における任意の特性、構造、または、特徴を記載するために使用されてよく、または、複数形における特性、構造、または、特徴の組み合わせを記載するために使用されてよい。同様に、「１つの（ａ）」「１つの（ａｎ）」または「その（ｔｈｅ）」という用語は、少なくとも部分的に文脈に依存して、単数形の用法を伝えると理解されてよく、または、複数形の用法を伝えると理解されてよい。加えて、「基づく（ｂａｓｅｄ ｏｎ）」という用語は、必ずしも排他的な因子のセットを伝えることを意図するとは限らないと理解されてよく、代わりに、少なくとも部分的に文脈に依存して、必ずしも明示的に描写されるとは限らない追加的な因子の存在を許容してよい。

図１は、１つの例示的な実施形態にしたがって、ＬＩＭ（レーザ画像化モジュール）システム１０およびＬＩＭ光路の概略図を図示する。ＬＩＭシステム１０は、一般的に、予熱ＬＤＡ（レーザダイオードアレイ）１８および画像化ＬＤＡ１９を含む。画像化経路レイ１６は、ＤＭＤ８から左側へ延びて示される。加えて、画像化平面１２が、予熱経路レイ１４に対して図１に示される。さらに、ＤＭＤ８の近接図１１が図１に示される。２つの画像経路が基板表面で統合されないことに、留意されたい。予熱ビームは、画像化ビームが実際に基板上に書く前に基板を特定の温度まで予熱するために利用され得る。システム１０は、３２０ワットの電力が、例えば、システムへ印加され得るよう設計され得る。しかしながら、そのような例示的なシナリオにおいて、ＤＭＤ８は、３８ワットを吸収してよく、その後、過熱する。システムは、計画された電力の８０％のみでさえ、過熱する可能性がある。

レーザ出力は、調光インクで被覆された基板に当てられ得る。基板上の各画素は、印加されるエネルギー量まで勾配して反応する。印刷は、限定数のインク／基板の組み合わせにおいて、その時点で使用されている限定された電力で可能であるが、特定の画素で全てのインク／基板の組み合わせにおいて所望の範囲の応答を得るために、フル電力までの印加を可能にすることが必要とされる。

図２は、１つの例示的な実施形態にしたがって、ＤＭＤ８の絵図を図示する。ＤＭＤ８は、一部の実施形態において「ＤＭＤチップ」とも称され得ることに、留意されたい。ＤＭＤは、一般的に、筐体３０（例えば、アルミナ筐体）および支持ベゼル２６およびシリコン基板２４の上部に配置されるエポキシシール２８を含む。ミラーアレイ２２は、ガラスカバー２０の下に配置される。

図３は、１つの例示的な実施形態にしたがって、図１〜図２に描写されるＤＭＤ８の裏側を図示する。電流ヒートシンクインタフェースエリア２５が、図３に示されるように、中心的にＤＭＤ８の裏側に示される。

図４は、１つの例示的な実施形態にしたがって、ＤＭＤ基板の温度分布２６を描写する熱図を図示する。図４は、ＤＭＤのシリコン基板上における温度分布を示す。基板におけるピーク温度は７６℃近くであり、一方で最大許容温度は５５℃である。冷却材の温度は、この時点で１５℃であり、ＬＩＭ内部で凝結を引き起こすため、これ以上は低下し得ない。

図５は、１つの例示的な実施形態にしたがって、マイクロチャネル冷却配列で構成されるＤＭＤ８の切断図を図示する。ＤＭＤ８は、エポキシシール２８および筐体３０を伴って構成され得る。加えて、ＤＭＤ８は、マイクロミラーアレイ３２およびマイクロチャネル冷却アレイ３４を含むよう構成され得る。

図６は、１つの例示的な実施形態にしたがって、マイクロチャネル冷却配列で構成される図５に示されるＤＭＤの近接切断図を図示する。ＤＭＤ８は基板上に構成されることができ、ヒートシンクは、その上にＤＭＤ８が構成される基板内部に配置され一体化され得る。マイクロチャネル冷却アレイ３４は、基板の裏側に形成される複数のマイクロチャネルから成る。そのようなマイクロチャネルの例は、図７に示される。マイクロチャネルは、マイクロリソグラフィを介してＤＭＤ８の製造と関連して製造されることができ、それにより、シリコン基板内に一体化されるヒートシンクは、直熱を基板から除去できる。１つの例示的なＤＭＤチップのレイアウトに基づいて、マイクロチャネルは、図５〜図６に示されるように、例えば、１２ｍｍの長さを伴ってチップに沿って置かれ得る。

図７は、１つの例示的な実施形態にしたがって、複数のマイクロチャネル４０およびパラメータを描写する絵図を図示する。例示的なマイクロチャネル４２、４４、４６が、図７に示される。マイクロチャネルの高さはＢにより表され、一方でマイクロチャネルの間隔の幅はＡにより表される。マイクロチャネル壁の幅はＴで表され、さらに、マイクロチャネルアレイ構造の基部の幅Ｗおよび長さＬが、図７に示される。

そのようなマイクロチャネル４０の使用は、ＤＭＤチップの内部に配置される集積ヒートシンクを利用する高出力用途のためのＤＭＤ８の冷却性能を高め得る。このヒートシンクは、シリコンウェハの裏側に形成されＤＭＤチップの製造と連動して標準的なマイクロリソグラフィ技術を使用して製造される、一連のマイクロチャネル（例えば、マイクロチャネル４０など）から成る。

したがって、図７は、例示的なマイクロチャネルパラメータを示す：チャネル幅は、例えば、５０ミクロンとすることができ、２００ミクロンの奥行および３０ミクロンのフィン幅とし得る。ＤＭＤチップ８のアルミナ筐体３０は、流体路用に追加される入口ポートおよび出口ポートを伴って構成され得る。図６に示されるように、エポキシシール２８は任意の冷却液をシリコン基板の下側に収容し続け得るため、ＤＭＤ８の上部表面において何もミラーを妨げない。

図８は、１つの例示的な実施形態にしたがって、シリコン基板の表面温度のシミュレーションを示すデータを描写するグラフ４８を図示する。分析を目的として、各チャネルの流体路は１２個のセグメントに分割され得るため、冷却液の温度は各チャネルに沿って移動する際に分析され得ることに、留意されたい。一部の例示的な実施形態において、そのような分析のために水が冷却液として利用され得る。例示的な実施形態において、適合し得るチャネルアレイの最大幅は１７．６９４ｍｍであり、２２０個のチャネルのアレイは１７．６３ｍｍの幅で生産され得る。流れが層流であるか乱流であるかを判定するため、レイノルズ数が算出され得る。これにより、冷却チャネルの温度分布および熱流束の予測に使用するために正しい相関が判定され得る。

マトラボ（Ｍａｔｌａｂ）におけるシミュレーションが、チャネルに沿った１２個のセグメントの各々における流体の温度を算出するために設定でき、それらの温度は、１２個のセグメントの各々におけるシリコン基板の温度を算出するために使用される。チャネル入口からの無次元距離のマトリックスが算出でき、関連するヌッセルト数がマイクロチャネルにおける層流の三壁Ｈ２境界状態チャートから参照される。マイクロチャネルに入る１５℃の流体の初期状態は、最初のチャネル分離および次のセグメントへの入力温度として使用される各セグメントからの流体温度の算出値に使用され得る。これらの値は、チャネルの長さに沿う表面温度マトリックスおよびチャネルの端部における基板の最終的な表面温度を生成するために利用され得る。マトラボのシミュレーションの結果は、マイクロチャネルの出口における表面温度が２１．１７℃となることを示す。これは５５℃の仕様において良好である（マイクロチャネルの長さに沿うシリコン表面温度のグラフに関して図８を参照のこと）。

したがって、開示される実施形態は、高出力の用途のためのＤＭＤの冷却性能を、シリコンウェハの裏側に形成され標準のマイクロリソグラフィ技術を使用してＤＭＤチップの製造と連動して製造される一連のマイクロチャネルから成る、ＤＭＤチップの内部に配置される集積ヒートシンクを使用して高める手法を記載する。概念は部分的にコンピュータシミュレーションを使用して立証されたことに、留意されたい。水およびエチレングリコールの混合物から成る冷却材を１５℃でマイクロチャネルにおいて使用し、チップ表面の最大温度が最大出力の許容レベルに維持され得ることを示すために、計算が使用された。開示される実施形態の利点は、ＤＭＤが高出力の用途のための出力要件を満たせることを含む。

前述の事項に基づいて、多数の異なる実施形態が本明細書において開示されることが、理解され得る。例えば、１つの実施形態において、ＤＭＤ冷却装置は以下を含んで構成され得る：基板上に構成されるＤＭＤ；その上にＤＭＤが構成される基板内に配置され一体化されるヒートシンク；および、基板の裏側に構成される複数のマイクロチャネルであって、複数のマイクロチャネルはＤＭＤの製造と関連して製造され、それにより、ヒートシンクはシリコン基板内へ一体化され直熱を基板から除去できる、マイクロチャネル。

一部の例示的な実施形態において、マイクロチャネルは、マイクロリソグラフィを介してＤＭＤの製造と関連して製造され得る。１つの例示的な実施形態において、上述の基板はシリコンを備え得る。さらなる別の例示的な実施形態において、ＤＭＤは、筐体および筐体から形成される入口ポートおよび出口ポートを含み得る。そのような筐体は、一部の例示的な実施形態において、アルミナ筐体として構成され得る。

一部の例示的な実施形態において、流体路は、入口ポートと出口ポートとの間に形成されることができ、流体路はマイクロチャネルを備える。さらなる他の例示的な実施形態において、ＤＭＤ冷却装置は、基板の下側に位置する冷却液を収容するエポキシシールを含むことができ、それにより、冷却液はＤＭＤの上部表面においてミラーを妨げない。

さらなる別の例示的な実施形態において、ＤＭＤ冷却装置は、基板上に構成されるＤＭＤを含んで実装されることができ、ＤＭＤは以下を備える：筐体および筐体から形成される入口ポートおよび出口ポート；その上にＤＭＤが構成される基板内に配置され一体化されるヒートシンク；および、基板の裏側に構成される複数のマイクロチャネルであって、複数のマイクロチャネルはマイクロリソグラフィを介してＤＭＤの製造と関連して製造され、それにより、ヒートシンクはシリコン基板内に統合され直熱を基板から除去できる、マイクロチャネル。

さらなる別の例示的な実施形態において、ＤＭＤ冷却装置を製造する方法は、以下のようなステップまたは工程を含み得る：ＤＭＤを基板上に構成すること；その上にＤＭＤが構成される基板内に一体化されるヒートシンクを配置すること；および、複数のマイクロチャネルを基板の裏側に構成することであって、複数のマイクロチャネルはＤＭＤの製造と関連して製造され、それにより、ヒートシンクはシリコン基板内に一体化され直熱を基板から除去できる、構成すること。

追加的なステップまたは工程は、以下を含み得る：複数のマイクロチャネルを、マイクロリソグラフィを介してＤＭＤの製造と関連して構成すること；ＤＭＤを、筐体を含むよう構成すること；入口ポートおよび出口ポートを筐体から形成すること；および／または、流体路を入口ポートと出口ポートとの間に形成することであって、流体路は複数のマイクロチャネルを備える、形成すること。さらなる別の例示的な実施形態において、ステップまたは工程は、基板の下側に位置する冷却液を収容するエポキシシールを提供するために実装されることができ、これにより、冷却液はＤＭＤの上部表面においてミラーを妨げない。

Claims (10)

1. 基板上に構成されるＤＭＤと、
   その上に前記ＤＭＤが構成される前記基板内に配置され一体化されるヒートシンクと、
   前記基板の裏側に構成される複数のマイクロチャネルであって、前記複数のマイクロチャネルは前記ＤＭＤの製造と関連して製造され、それにより、前記ヒートシンクは前記シリコン基板内に一体化され直熱を前記基板から除去できる、マイクロチャネルと、
   を備える、ＤＭＤ冷却装置。
2. 前記複数のマイクロチャネルは、マイクロリソグラフィを介して前記ＤＭＤの前記製造と関連して製造される、請求項１に記載の装置。
3. 前記基板はシリコンを備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記ＤＭＤは、筐体および前記筐体から形成される入口ポートおよび出口ポートを備える、請求項１に記載の装置。
5. 基板上に構成されるＤＭＤであって、前記ＤＭＤは筐体および前記筐体から形成される入口ポートおよび出口ポートを備える、ＤＭＤと、
   その上に前記ＤＭＤが構成される前記基板内に配置され一体化されるヒートシンクと、
   前記基板の裏側に構成される複数のマイクロチャネルであって、前記複数のマイクロチャネルはマイクロリソグラフィを介して前記ＤＭＤの製造と関連して製造され、それにより、前記ヒートシンクは、前記シリコン基板内に一体化され直熱を前記基板から除去できる、マイクロチャネルと、
   を備える、ＤＭＤ冷却装置。
6. 前記基板はシリコンを備える、請求項５に記載の装置。
7. 前記筐体はアルミナ筐体を備える、請求項５に記載の装置。
8. ＤＭＤを基板上に構成することと、
   その上に前記ＤＭＤが構成される前記基板内に一体化されるヒートシンクを配置することと、
   前記基板の裏側に複数のマイクロチャネルを構成することであって、前記複数のマイクロチャネルは前記ＤＭＤの製造と関連して製造され、それにより、前記ヒートシンクは前記シリコン基板内に一体化され直熱を前記基板から除去できる、構成することと、
   を備える、ＤＭＤ冷却装置を製造する方法。
9. 前記複数のマイクロチャネルを、マイクロリソグラフィを介して前記ＤＭＤの前記製造と関連して構成することを、さらに備える、請求項８に記載の方法。
10. 前記ＤＭＤを、筐体を含むよう構成することと、
    入口ポートおよび出口ポートを前記筐体から形成することと、
    をさらに備える、請求項８に記載の方法。
    
    

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