JP2004343064A - リソグラフ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されたデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフ投影装置に関連するローレンツ・アクチュエータを提供すること。
【解決手段】本発明は、高熱伝導度材料からなる分離層によって分離され、冷却素子と適切に熱接触した複数のコイルを使用することにより、従来技術に比べてローレンツ・アクチュエータの熱性能を改善するものである。この方法では、熱をコイル中心部に近いホットスポット領域から冷却素子内に、より迅速に流出させる。本発明の他の態様によれば、冷却素子を分離層と一線になるように配置して、これら２つの部材の熱接続が最適になるようにする。元のコイルを２つのコイルに分割すると、改善された熱性能と望ましくない体積および複雑さの増加との間の実際的なバランスが得られることが分かっている。
【選択図】図３

Description

本発明は、
放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、パターン形成手段が所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成するように働く支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
少なくとも１つの冷却素子と熱接触したコイル配列を有するローレンツ・アクチュエータとを有するリソグラフ投影装置に関する。

本明細書で使用する「パターン形成手段」という用語は、基板のターゲット部分に作成するパターンに対応するパターンが形成された断面を、入射する放射線ビームに付与するために用いることができる手段を指すものと広く解釈すべきであり、「光弁」という用語もこの意味で用いることができる。一般に、前記パターンは、集積回路や他のデバイスなど、ターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能層に対応している（以下参照）。こうしたパターン形成手段の例には以下のものが含まれる。
マスク
マスクの概念はリソグラフの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスクおよび減衰位相シフト・マスクなどのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。こうしたマスクを放射線ビーム中に配置すると、マスク・パターンに従って、マスク上に衝突する放射線の選択的透過（透過性マスクの場合）または反射（反射性マスクの場合）が行われる。マスクの場合、その支持構造は、一般に入射する放射線ビーム中の所望の位置にマスクを保持できること、および必要であればビームに対してマスクを移動できることを保証するマスク・テーブルである。
プログラマブル・ミラー・アレイ
このようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射面を有する、マトリクス状にアドレス指定可能な表面である。こうした装置の背景となる基本原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射することにある。適切なフィルタを用いると、前記非回折光を反射ビームから濾去し、後に回折光のみを残すことができる。このようにして、マトリクス状にアドレス指定可能な表面のアドレス指定されたパターンに従ってビームにパターンが形成される。プログラマブル・ミラー・アレイの別の実施例は小さいミラーのマトリクス状の配列を使用するものであり、適切な局部電界を印加するか、あるいは電圧作動手段を用いることによりそれぞれのミラーを別々に軸線を中心に傾斜させることができる。ここでも、ミラーはマトリクス状にアドレス指定可能にされ、アドレス指定されたミラーが、入射する放射線ビームを、アドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにして、マトリクス状にアドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに従って、反射ビームにパターンが形成される。必要なマトリクス・アドレス指定は、適切な電子手段を用いて実施することができる。上述のどちらの場合も、パターン形成手段は１つまたは複数のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。本明細書で言及するミラー・アレイに関する他の情報は、例えば米国特許第５，２９６，８９１号および第５，５２３，１９３号、ならびにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号から得られ、これらは参照によって本明細書に援用される。プログラマブル・ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えばフレームまたはテーブルとして実施されることができ、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。
プログラマブルＬＣＤアレイ
このような構成の例は米国特許第５，２２９，８７２号に示されており、これは参照によって本明細書に援用される。この場合の支持構造は、上述のように、例えば必要に応じて固定することも移動させることもできるフレームまたはテーブルとして実施されることができる。
簡略化のために、本明細書の他の部分では特定の箇所で、特にマスクおよびマスク・テーブルに関する例に言及することがあるが、こうした例の中で論じる一般原理は、先に述べたように、パターン形成手段のより広い意味において理解すべきである。

リソグラフ投影装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。このような場合、パターン形成手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することが可能であり、このパターンを、放射線感応材料（レジスト）の層で被覆した基板（シリコン・ウェハ）上の（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分に結像させることができる。一般に単一のウェハは、投影システムにより１つずつ連続的に照射される隣接するターゲット部分の全ネットワークを含む。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成を採用する現在の装置は、異なる２つのタイプの装置に区別することができる。一方のタイプのリソグラフ投影装置では、マスク・パターン全体をターゲット部分の上に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射するようになっており、こうした装置は一般にウェハ・ステッパと呼ばれる。もう一方の装置は、一般にステップ・アンド・スキャン式装置と呼ばれ、マスク・パターンを投影ビームの下で所与の基準方向（「走査」方向）に漸次走査し、それと同時にこの方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般にＭ＜１）を有するため、基板テーブルを走査する速度Ｖはマスク・テーブルを走査する速度のＭ倍になる。本明細書に記載するリソグラフ装置に関するさらに詳しい情報は、例えば米国特許第６，０４６，７９２号から得ることができ、これを参照によって本明細書に援用する。

リソグラフ投影装置を用いた製造工程では、少なくとも一部を放射線感応材料（レジスト）の層で被覆した基板の上に（例えばマスクの）パターンが結像される。この結像ステップの前に、プライミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベークなど様々な処理を基板に施すことができる。また露光後に、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベークおよび結像したフィーチャの測定／検査など他の処理を基板に施すこともできる。この一連の処理が、例えばＩＣなどのデバイスの個々の層にパターンを形成するための基礎として用いられる。次いで、こうしたパターンが形成された層を、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学的機械研磨など様々な処理にかけることが可能であり、これらは全て、個々の層を仕上げるものである。いくつかの層が必要な場合には、全ての処理またはその変形形態を新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に一連のデバイスが基板（ウェハ）上に形成されることになる。次いで、これらのデバイスをダイシングやソーイングなどの技術によって互いに分離し、それによって個々のデバイスをキャリアに取り付けたり、ピンに接続したりすることができるようになる。こうした工程に関する他の情報は、例えばピーター・ファン・ツァントの著書「マイクロチップの製造；半導体処理のための実用ガイド」第３版、マグローヒル出版社、１９９７、ＩＳＢＮ ０−０７−０６７２５０−４から得ることができ、これを参照によって本明細書に援用する。

簡略化のために、以下では投影システムを「レンズ」と呼ぶことがあるが、この用語は、例えば屈折光学系、反射光学系および反射屈折光学系を含めて様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの方向付け、成形または制御を行うために、これらの設計タイプのいずれかに従って動作する構成要素を含むことができ、こうした構成要素も以下では一括して、または単独で「レンズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフ装置は２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものであってもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、あるいは１つまたは複数のテーブル上で予備ステップを実施し、それと同時に１つまたは複数の他のテーブルを露光に用いることもできる。例えば米国特許第５，９６９，４４１号およびＷＯ９８／４０７９１号には２ステージ・リソグラフ装置が記載されており、これらを参照によって本明細書に援用する。

当分野で一般に用いられるアクチュエータは、ローレンツ・アクチュエータである。こうしたデバイスでは、駆動力は、適切に配置されたコイルを通る電流に伴う磁界から得られる。一般に、このタイプのアクチュエータは、できるだけコンパクトかつ強力であることが望ましい。ローレンツ・アクチュエータの出力を増強する、および／またはサイズを大きくするためには、コイル内の電流密度を高める必要がある。しかし、電流密度が高まると放熱が増加することになり、これは高い動作温度が構成要素の寿命を縮め、隣接する熱感受性の構成要素を妨害する恐れがあるため望ましくない。

周知の設計のローレンツ・アクチュエータは、コイルに取り付けられ、水がそれを通って循環する冷却板によって冷却される。単に冷却液の流量を増加させるだけでは、依然としてコイル本体に望ましくない温度のばらつきが残る。

本発明の一目的は、改善された熱挙動を有するローレンツ・アクチュエータを提供することである。

この目的および他の目的は、本発明に従って、前記コイル配列が前記冷却素子と適切に熱接触するように構成された、高熱伝導度材料からなる１つまたは複数の分離層によって互いに分離された複数のコイルを有することを特徴とする、冒頭のパラグラフで述べたリソグラフ装置で達成される。

単一のコイルではなく複数のコイルを使用することにより、平均のコイル断面積が減少する。ホットスポットの温度は、熱がコイルから排出されて分離層および冷却素子内に伝導する速度に依存する。元のコイルをさらに小さい複数のコイルに分割すると、コイルと分離層／冷却素子の間で接触面積を増大させ、空間距離を小さくする効果がある。その結果、熱を伝導によってより迅速にコイルから排出する、より効率的な熱接続が得られるようになり、したがってホットスポットの温度を低下させる助けとなる。

本発明の好ましい実施例では、分離層がコイル配列の平面に平行で、冷却素子がそれから半径方向外側に配置されたリソグラフ投影装置が提供される。

他の好ましい実施例では、高熱伝導度材料からなる前記分離層が前記コイル配列の平面に垂直で、前記冷却素子が軸方向に前記コイル配列の上、または軸方向に前記コイル配列の下に配置されたリソグラフ投影装置が提供される。

他の好ましい実施例では、前記分離層が前記コイル配列の平面に平行な第１の層、および前記コイル配列の平面に垂直な第２の層を有し、前記冷却素子が前記コイル配列から半径方向外側に配置された第１の素子、および軸方向に前記コイル配列の上または下に配置された第２の素子を有するリソグラフ投影装置が提供される。

本発明の他の好ましい実施例では、冷却素子はその中に冷却チャネルが形成された板であり、冷却流体が前記冷却チャネルを通って循環する。前記冷却チャネルは、ほぼ円形またはほぼ矩形の断面を有することができる。

本発明の他の好ましい実施例では、前記分離層が冷却チャネルを備え、冷却流体が前記冷却チャネルを通って循環する。前記冷却チャネルは、ほぼ円形またはほぼ矩形の断面を有することができる。

上述の実施例は、分離層と冷却素子の間に、最短の、したがって熱抵抗が最も低い経路を確保する。この特徴は、分離層を確実にできるだけ低い温度に保つことにより、確実に熱を伝導によってコイルから効率的に排出する助けとなる。

ローレンツ・アクチュエータの熱挙動は複数のコイルを用いることによって改善されるが、選択すべき最適数を決める実際的な制限がある。第１に、望ましくないことに、個々のコイルの間に挿入される分離層によってコイル配列の体積が増加する。第２に、コイルの数と共に必要な電気的接続の複雑さが増し、製造コストも増加する。多くの目的について２つのコイルでは最適なバランスが得られることが分かっている。

本発明の他の観点によれば、
少なくとも一部分を放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、
パターン形成手段を用いて投影ビームの断面にパターンを付与するステップと、
パターンが形成された放射線ビームを放射線感応材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと、
少なくとも１つの冷却素子と熱接触したコイル配列を有するローレンツ・アクチュエータを動作させるステップと
を含むデバイス製造方法であって、前記コイル配列が、前記冷却素子と適切に熱接触するように構成された、高熱伝導度材料からなる１つまたは複数の分離層によって互いに分離された複数のコイルを有することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。

本明細書では、本発明の装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及することがあるが、こうした装置は他にも多くの用途に使用可能であることを明確に理解すべきである。例えば、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することができる。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「マスク」、「基板」および「ターゲット部分」というより一般的な用語に置き換えて考えられるべきであることが当業者には理解されよう。

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、（例えば３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外線、および（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）ＥＵＶ（極紫外線）を含むあらゆるタイプの電磁放射線、ならびにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを包含している。

次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明する。

尚、図中において同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。

図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフ投影装置を概略的に示している。この装置は、
この特定の場合には放射線源ＬＡをも備えた、放射線の投影ビーム（例えばＤＵＶ放射）ＰＢを供給するための放射線システムＥｘ、ＩＬと、
マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備えた第１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）ＭＴであって、部材ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えばレジスト塗布シリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダを備えた第２のオブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴであって、部材ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２のオブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに結像させるための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折レンズ系）と
を備えている。本明細書で図示する装置は、（例えば透過性マスクを有する）透過タイプのものである。しかし一般に、例えば（反射性マスクを有する）反射タイプのものであってもよい。あるいは装置には先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、他の種類のパターン形成手段を用いてもよい。

放射線源ＬＡ（例えばエキシマ・レーザー）は放射線ビームを生成する。このビームは、直接、または例えばビーム・エキスパンダーＥｘなどの調節手段を通過した後に、照明系（照明器）ＩＬ内に送られる。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側の半径方向範囲（それぞれ一般にσ−アウタ、σ−インナと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを含むことができる。さらに、調整手段ＡＭは、一般には積算器ＩＮやコンデンサＣＯなど他の様々な構成要素を含む。このようにして、マスクＭＡ上に衝突するビームＰＢは、その断面内に、所望される均一性および強度分布を有する。

図１に関して、（例えば放射線源ＬＡが水銀ランプである場合によく見られるように）放射線源ＬＡはリソグラフ投影装置のハウジング内にあってもよいが、リソグラフ投影装置から離し、それが生成する放射線ビームを（例えば適切な方向付けミラーを利用して）装置内に導くことも可能であることに留意すべきであり、この後者のケースは、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザーである場合によく見られる。本発明および特許請求の範囲は、これらのケースの両方を包含する。

ビームＰＢはその後、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに遮られる。マスクＭＡを通過したビームＰＢはレンズＰＬを通過し、このレンズＰＬはビームＰＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃの上に集束させる。第２の位置決め手段（および干渉測定手段ＩＦ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後、または走査中に、第１の位置決め手段を用いてマスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長ストロークのモジュール（粗い位置決め）および短ストロークのモジュール（細かい位置決め）を用いて実現されるが、これらは図１に明示されていない。しかし、（ステップ・アンド・スキャン式装置ではなく）ウェハ・ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを、短ストロークのアクチュエータに接続するだけでもよいし、または固定してもよい。

図示した装置は、異なる２つのモードで使用することができる。
（１）ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、マスクの像全体を１回（すなわち、ただ１回の「フラッシュ」）でターゲット部分Ｃの上に結像させる。次いで、異なるターゲット部分ＣをビームＰＢで照射することができるように、基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動させる。
（２）走査モードでは、所与のターゲット部分Ｃを１回の「フラッシュ」で露光しないことを除けば、本質的に同じ方法が適用される。その代わり、マスク・テーブルＭＴは速度ｖで所与の方向（例えばｙ方向など、いわゆる「走査方向」）に移動可能であり、したがって投影ビームＰＢはマスクの像全体を走査する。それと同時に、基板テーブルＷＴを、速度Ｖ＝Ｍｖ（ただし、ＭはレンズＰＬの倍率であり、一般にＭ＝１／４または１／５）で同じ方向または反対方向に同時に移動させる。この方法では、解像度を損なうことなく、比較的大きいターゲット部分Ｃを露光することができる。

ローレンツ・アクチュエータは駆動力を加えるのに磁界に依存しており、一般に、駆動力はコイル配列に電流を通すことによって生成される。図２、図３および図４はそれぞれ、（１つまたは複数の）コイルの直径を通る垂直面で切断した、ローレンツ・アクチュエータ用のコイル配列１の横断面図である。コイル３、５の限定された電気抵抗によって必然的に熱が発生し、コイル３、５が過熱されない場合でも、熱を伝導によって効率的に排出する必要がある。

図２は、従来技術のコイル配列１を表している。この場合、単一のコイル３が高熱伝導度の冷却素子に接触している。垂直方向の磁界の場合、コイル３内の電流は図の右側でページに入り、図の左側でページから出る。コイル３の温度が上昇するにつれて、熱はコイル３から冷却素子に流れるようになる。この実施例では冷却素子板２からなる冷却素子は、次に冷却チャネル４のネットワークによって冷却される。冷却チャネル４は冷却素子板２を貫通しており、水などの冷却液がその中を循環する。この配列に伴う問題は、コイル３の中心部と冷却素子の間の熱接触が比較的不十分であり、そのためコイル配列１に徐々に損傷を与えるか、または隣接する熱感応性構成要素を熱的に妨害する恐れがあるホットスポットを生じることである。

図３および図４に示す本発明の一態様によれば、元のコイルを、それぞれが高伝導度材料からなる分離層６によって分離され、少なくとも１つの冷却素子と適切に熱接触するように配置されたいくつかのより小さいコイル５に分割することにより、この状況を大幅に改善することができる。分離層６を各ホットスポットの中心部に近接させると、熱抵抗が低い冷却素子への経路と高い温度勾配の両方が実現され、それらは共にコイル５からの迅速な熱の流出を促進する。

本発明の他の態様によれば、分離層６と冷却素子を互いに一線に配置することにより、これらの間の熱接触を改善することができる。同一の２つのコイル５が互いに隣接して配置され、分離層６が半径方向に向けられた図３に示すような構成を採用する場合、図示するように、冷却素子をコイル５から半径方向外側に、分離層６と一線になるように配置するのが最適である。

あるいは、同一平面上の半径の異なるコイル５でその一方が他方の内部に配置され、分離層６がコイル５の平面に垂直に向けられた図４に示すような構成を採用する場合、図示するように、冷却チャネルをコイル５の上または下に、分離層６と一線になるように配置するとより効果的である。

上述の２つの構成はいずれも、冷却板２内の冷却チャネル４の数を変更することができる。通常、冷却チャネル４の数が多いほど強い冷却が得られる。いずれの場合にも、冷却チャネル４は通常、冷却素子の最も冷たい部分となり、したがって、できるだけ分離層６と一線になるように最適に配置される。冷却チャネル４は、断面をほぼ円形、またはほぼ矩形とすることが可能であり、それぞれが製造および配列が容易であることに関連するいくつかの利点を有する。上述の２つの構成の組み合わせを採用する場合には、冷却チャネル４と冷却素子のそれぞれができるだけ分離層６と一線になるように配置するために、冷却チャネル４と冷却素子を共により複雑な配列にすることが望ましいこともある。

冷却チャネル４を備えた２つの冷却板２に囲まれた、２つのコイル５からなるコイル配列を有する別の配列を図５に示す。２つのコイルの間には分離層６が設けられている。冷却板と分離層の間の熱接触は、高熱伝導度を有する材料でできた素子７によってもたらされる。これらの素子も、冷却チャネルを備えていることに留意すべきである。

他の実施例では、図６に示すように、分離層６も冷却チャネル４を有している。示したコイル配列は、図５と同様に２つの冷却板に囲まれた２つのコイル５を有している。こうした配列では、コイル・アセンブリの外部の冷却板を、冷却チャネルを備えた内部の分離層に接続する必要がないこともある。図６に示した配列はさらに、コイル数が２より多いコイル配列に拡張することができる。図７は、３つのコイル５を囲む４つの冷却板２を有するコイル配列を示している。分離層（または冷却板）の数は、用途の熱的要件、すなわちコイル内での放散量およびコイルの最大許容温度によって決定することができる。

ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施することが可能であることが理解されよう。上記説明は本説明を限定するものではない。

本発明の一実施例によるリソグラフ投影装置を示す図である。 従来技術によるローレンツ・アクチュエータのコイル配列を示す図である。 本発明の好ましい実施例によるローレンツ・アクチュエータのコイル配列を示す図である。 本発明の他の好ましい実施例によるローレンツ・アクチュエータのコイル配列を示す図である。 ２つの冷却板を有する本発明の好ましい実施例によるローレンツ・アクチュエータのコイル配列を示す図である。 分離層も冷却チャネルを有する本発明によるローレンツ・アクチュエータのコイル配列を示す図である。 ４つの冷却板によって分離された３つのコイルを有する本発明によるローレンツ・アクチュエータのコイル配列を示す図である。

Claims (10)

1. 放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
   パターン形成手段を支持するための支持構造であって、パターン形成手段が所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成するように働く支持構造と、
   基板を保持するための基板テーブルと、
   パターンが形成されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
   少なくとも１つの冷却素子と熱接触したコイル配列を有するローレンツ・アクチュエータと
   を有するリソグラフ投影装置において、
   前記コイル配列が、前記冷却素子と適切に熱接触するように構成された、高熱伝導度材料からなる１つまたは複数の分離層によって互いに分離された複数のコイルを有することを特徴とするリソグラフ投影装置。
2. 前記分離層が前記コイル配列の平面に平行であり、前記冷却素子が前記コイル配列から半径方向外側に配置される請求項１に記載のリソグラフ投影装置。
3. 前記分離層が前記コイル配列の平面に垂直であり、前記冷却素子が軸方向に前記コイル配列の上および／または軸方向に前記コイル配列の下に配置される請求項１に記載のリソグラフ投影装置。
4. 前記分離層が前記コイル配列の平面に平行な第１の層、および前記コイル配列の平面に垂直な第２の層を有し、前記冷却素子が前記コイル配列から半径方向外側に配置された第１の素子、および軸方向に前記コイル配列の上または下に配置された第２の素子を有する請求項１に記載のリソグラフ投影装置。
5. 前記冷却素子および／または前記分離層が鋼で形成される請求項１から４のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
6. 前記冷却素子および／または前記分離層がセラミックで形成される請求項１から４のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
7. 前記冷却素子が冷却チャネルを含む板であり、それによって冷却流体を前記冷却チャネルを通して循環させることができる請求項１から６のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
8. 前記冷却チャネルがほぼ円形またはほぼ矩形の断面を有する請求項７に記載のリソグラフ投影装置。
9. 前記分離層が冷却チャネルを含み、それによって冷却流体を前記冷却チャネルを通して循環させることができる請求項１から８のいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
10. 少なくとも一部分を放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
    放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、
    パターン形成手段を用いて投影ビームの断面にパターンを付与するステップと、
    パターンが形成された放射線ビームを放射線感応材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと、
    少なくとも１つの冷却素子と熱接触したコイル配列を有するローレンツ・アクチュエータを動作させるステップと
    を含むデバイス製造方法であって、前記コイル配列が、前記冷却素子と適切に熱接触するように構成された、高熱伝導度材料からなる１つまたは複数の分離層によって互いに分離された複数のコイルを有することを特徴とするデバイス製造方法。

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