JP2018050046A - 治療に使用可能な発光モジュール - Google Patents

治療に使用可能な発光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2018050046A
JP2018050046A JP2017181715A JP2017181715A JP2018050046A JP 2018050046 A JP2018050046 A JP 2018050046A JP 2017181715 A JP2017181715 A JP 2017181715A JP 2017181715 A JP2017181715 A JP 2017181715A JP 2018050046 A JP2018050046 A JP 2018050046A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
layer
emitting unit
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017181715A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6847798B2 (ja
JP2018050046A5 (ja
Inventor
シエ ミン−シュン
Mn-Shun Shie
シエ ミン−シュン
クオ ジャイ−タイ
Jai-Tai Kuo
クオ ジャイ−タイ
ウ チャン−シェイ
Chang-Hseih Wu
ウ チャン−シェイ
ワン ズ−シャン
Tzu-Hsiang Wang
ワン ズ−シャン
プ チ−チィ
Chi-Chih Pu
プ チ−チィ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of JP2018050046A publication Critical patent/JP2018050046A/ja
Publication of JP2018050046A5 publication Critical patent/JP2018050046A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6847798B2 publication Critical patent/JP6847798B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N5/00—Radiation therapy
    • A61N5/06—Radiation therapy using light
    • A61N5/0613—Apparatus adapted for a specific treatment
    • A61N5/062—Photodynamic therapy, i.e. excitation of an agent
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/0059—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons using light, e.g. diagnosis by transillumination, diascopy, fluorescence
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N5/00—Radiation therapy
    • A61N5/06—Radiation therapy using light
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N5/00—Radiation therapy
    • A61N5/06—Radiation therapy using light
    • A61N5/0613—Apparatus adapted for a specific treatment
    • A61N5/0616—Skin treatment other than tanning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B17/00—Surgical instruments, devices or methods, e.g. tourniquets
    • A61B2017/00017—Electrical control of surgical instruments
    • A61B2017/00022—Sensing or detecting at the treatment site
    • A61B2017/00057—Light
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N5/00—Radiation therapy
    • A61N5/06—Radiation therapy using light
    • A61N2005/0632—Constructional aspects of the apparatus
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N5/00—Radiation therapy
    • A61N5/06—Radiation therapy using light
    • A61N2005/065—Light sources therefor
    • A61N2005/0651—Diodes
    • A61N2005/0652—Arrays of diodes
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N5/00—Radiation therapy
    • A61N5/06—Radiation therapy using light
    • A61N2005/0658—Radiation therapy using light characterised by the wavelength of light used

Abstract

【課題】キャリア、複数個の発光ユニット及び保護層を含む発光モジュールを提供する。【解決手段】キャリアは発光部分及び延伸部分を有する。複数個の発光ユニットは発光部分に設置される。保護層は複数個の発光ユニット及び発光部分を被覆し、かつ延伸部分を露出させる。【選択図】図１Ａ

Description

本発明は発光モジュールに関し、特に光線力学治療に用いられる発光モジュールに関する。
従来の光線力学治療設備は、光源が制御モジュールに接続され、制御モジュールが一部の制御の回路システム、例えば、治療周期をカウントするためのカウンター、発光強度を制御するための電流モニター、全部または一部の発光ユニットを駆動するための切り替えスイッチ、電池を設置するための電池ボックス及び／または光源に適切な電圧／電流を提供するためのＡＣ変圧器を含むことができる。光源は患者の治療エリアと略平行に設置される。均一な発光強度が得られるよう、光源が皮膚から一定距離、例えば２〜５ｃｍ離れる必要がある。
本発明は携帯式の湾曲可能な光線力学治療設備を提供する。本発明が開示した内容によれば、本発明の光線力学治療設備は湾曲可能であり、かつ治療または診断しようとする皮膚に貼り付けることができるため、治療期間において治療對象が自由に動くことができる。
本発明は発光モジュール、特に光線力学治療に用いられる発光モジュールを提供する。
発光モジュールはキャリア、複数個の発光ユニット及び保護層を含む。キャリアは発光部分及び延伸部分を有する。複数個の発光ユニットは発光部分に設置される。保護層は複数個の発光ユニット及び発光部分を被覆し、かつ延伸部分を露出させる。
発光モジュールはキャリア、第一発光ユニット、第二発光ユニット及び一保護層を含む。保護層は第一発光ユニットを被覆する第一内層、第一内層と分離しかつ第二発光ユニットを被覆する第二内層、及び、第一内層と第二内層を連続的に被覆する外層含む。第一内層と第二内層の屈折率が外層の屈折率より大きい。
発光モジュールは導光膜と光源モジュールを含む。光源モジュールは導光膜に向って光線を射出し、光線が導光膜の上表面から出る。導光膜の上表面の光強度変化が±２０％より小さい。
本発明の上記及びその他の目的、特徴と利点をより解りやすく、明確に示すために、以下は好ましい実施例を挙げて、図面を参照しながら詳しく説明する。
本発明の一実施例に基づく発光システムを示す概略図である。 本発明の図１Ａの発光モジュールを示す部分断面概略図である。 本発明の別の実施例に基づく発光モジュールを示す部分断面概略図である。 本発明の一実施例に基づく複数個の発光ユニットの等価回路を示す概略図である。 本発明の別の実施例に基づく発光モジュールを示す部分断面概略図である。 発光モジュールを指に巻き付けた場合を示す概略図である。 本発明の実施例に基づく異なる種類の発光ユニットをキャリアに固定した時の概略図である。 本発明の実施例に基づく異なる種類の発光ユニットをキャリアに固定した時の概略図である。 本発明の実施例に基づく異なる種類の発光ユニットをキャリアに固定した時の概略図である。 本発明の実施例に基づく異なる種類の発光ユニットをキャリアに固定した時の概略図である。 本発明の一実施例に基づく発光ユニットを示す上面図である。 図４Ａにおける発光ユニットを示す断面概略図である。 本発明の別の実施例に基づく発光ユニットを示す上面図である。 図５Ａにおける発光ユニットを示す断面概略図である。 本発明の別の実施例に基づく発光ユニットを示す上面図である。 図６Ａにおける発光ユニットを示す断面概略図である。 本発明の一実施例に基づく発光ユニットをペースト剤でキャリアに固定した時の概略図である。 本発明の一実施例に基づく発光ユニットをペースト剤でキャリアに固定した時の概略図である。 本発明の一実施例に基づく発光モジュールを示す部分断面概略図である。 異なる種類の発光ユニットの発光角度を説明する表である。 発光ユニットが異なる種類の保護層に被覆された場合を示す図である。 発光ユニットが異なる種類の保護層に被覆された場合を示す図である。 発光ユニットが異なる種類の保護層に被覆された場合を示す図である。 本発明の一実施例に基づく発光モジュールを示す概略図である。 図１０において発光モジュール内に位置する光源モジュールを示す図である。 図１０において発光モジュール内に位置する導光膜を示す図である。 本発明の一実施例に基づく発光モジュールの点灯を示す概略図である。 図１０の発光モジュールの組立てを示す概略図である。 図１０の発光モジュールの組立てを示す概略図である。 本発明の一実施例に基づく導光膜を示す断面概略図である。 本発明の別の実施例に基づく導光膜を示す断面概略図である。 本発明の一実施例に基づく導光膜を示す上面図である。 本発明の別の実施例に基づく導光膜を示す上面図である。 発光モジュールを腕に巻き付けた場合を示す概略図である。
以下は図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。図面または明細書において、類似または同じ素子に同じ符号を付与する。
図１Ａは本発明の一実施例の発光システムを示す概略図である。発光システム１０００は発光モジュール１００と制御モジュール２００を含む。発光モジュール１００はキャリア１、複数個の発光ユニット３、保護層４及び接続構造５を含む。キャリア１は発光部分１１と延伸部分１２を含む。発光部分１１はキャリア１の一端に設置される。接続構造５はキャリア１の他端に設置され、制御モジュール２００に接続される。発光部分１１は人体または動物の一部、例えば手首、腕、脚または踵を被覆する（包む）ことが可能であり、安定した光強度と均一な光分布を有する治療を提供する。複数個の発光ユニット３は非コヒーレント性の光を発し、かつ、治療対象部位または発光部分１１の表面上に設置された感光薬物とともに、人または動物の疾患部位（例えば、傷口、腫瘍またはガン）を治療するために用いられる。複数個の発光ユニット３はアレイ、交錯または同心円配列されて照明部分１１上に設置される。複数個の発光ユニット３は互いに直列、並列または直並列に接続される。複数個の発光ユニット３は、キャリア１の発光部分１１上の複数本の導線によって電気的に接続される。複数本の導線はさらに接続構造５と電気的に接続する。
発光ユニット３は第一導電型半導体層、第二導電型半導体層、及び第一導電型半導体層と第二導電型半導体層との間に位置する活性積層を有する。第一導電型半導体層と第二導電型半導体層は例えば被覆層（ｃｌａｄｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）または制限層（ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）であり、それぞれ電子、正孔を提供することが可能であり、電子、正孔を活性積層において結合させて発光する。第一導電型半導体層、活性層、及び第二導電型半導体層はＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料、例えば、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）ＮまたはＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｐを含むことが可能であり、かつ、０≦ｘ、ｙ≦１、（ｘ＋ｙ）≦１である。活性積層の材料によって、発光ユニット３は、ピーク値が５８０ｎｍから７００ｎｍの間にある赤色光、ピーク値が５３０ｎｍから５７０ｎｍの間にある緑色光、ピーク値が４５０ｎｍから４９０ｎｍの間にある青色光を発することができる。
キャリア１は湾曲可能であり、かつ、発光ユニット３が発射する光に対し透明である。キャリア１の材料はＰＥＴ、ＰＩ（ポリイミド）、ＨＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）またはＥＴＦＥ（４フッ化エチレン・エチレン）を含んでもよい。例えば、キャリア１は、発光ユニット３からの光に対し９０％より大きい透明度を有する。好ましくは、キャリア１は発光ユニット３からの光に対し９２％〜１００％の透明度を有し、かつ、キャリア１は１６０℃〜２００℃の温度において完全硬化する。好ましくは、キャリア１の透明度が９０％より大きく、かつガラス転移温度が１６０℃より大きい。別の実施例において、キャリア１の延伸部分１２は（発光ユニット３からの）光に対し不透明であるが、キャリア１の発光部分１１は発光ユニット３が発した光に対し透明である。
図１Ａが示すように、上面図における発光ユニット３のサイズが０．１５ｍｍ２以下であり、例えば、０．１３ｍｍ２、０．１ｍｍ２、０．０７ｍｍ２、または０．０３ｍｍ２である。治療が必要な部分の面積が非常に小さい場合、発光部分１１を大きいサイズにする必要ない。また、発光ユニット３のサイズが比較的に小さい場合、発光部分１１上に設置する発光ユニット３の数を増やしてもよい。これにより、発光部分１１の発光強度を大きくして、治療周期を減らすことができる。一実施例において、複数個の発光ユニット３が占める面積が約２０ｍｍ×１０ｍｍである。ここで、複数個の発光ユニット３が占める面積は例示に過ぎず、実際の面積はこれに限定されない。
延伸部分１２は接続構造５と発光部分１１に接続され、かつ接続構造５と発光部分１１との間に設置される。延伸部分１２は発光部分１１と制御モジュール２００を電気的に接続させる。発光部分１１と延伸部分１２は、治療対象部位の輪郭に合わせて湾曲することが可能である。また、延伸部分１２は治療対象、例えば人体または動物に巻き付くことが可能であり、これにより発光部分１１が治療必要部位に固定される。複数本の導線６は延伸部分１２に設置され、かつ、制御モジュール２００からの駆動電流を複数個の発光ユニット３に提供する。導線６は銀ペーストまたは銅によって形成されてもよい。選択的に、延伸部分１２が発光ユニットを含まずかつ自主的に発光できないものであってもよい。延伸部分１２は上面図において細長い形状、例えば矩形である。図面において延伸部分１２の長さは比例通りに示されておらず、かつ、発光部分１１と接続構造５との間の必要距離に応じて延長または短縮することが可能である。Ｙ方向において、延伸部分１２の幅が発光部分１１の幅より小さい。別の実施例では、Ｙ方向において、延伸部分１２の幅が発光部分１１の幅と略同じでもよい。キャリア１の延伸部分１２と発光部分１１は同じまたは異なる材料で作製され、かつ可撓性または湾曲特性を有してもよい。一実施例において、延伸部分１２は照明部分１１と異なる材料で作製され、かつ比較的に高い可撓性を有する。その他、発光部分１１と延伸部分１２は互いに分離しても、または一体成形されてもよい。互いに分離してもよい場合、発光部分１１と延伸部分１２は接着剤または機械装置（例えば、接続器または留め具）によって互いに接続されてもよい。
図１Ａが示すように、保護層４は複数個の発光ユニット３を被覆、保護し、外部環境によるダメージを防ぐ。保護層４は発光部分１１の全体または一部を被覆してもよい。言い換えれば、保護層４が被覆する領域の面積は、発光部分１１の面積と略同じまたは小さい。
図１Ｂは図１Ａにおける発光モジュール１００の線Ａ−Ａ’に沿った部分断面概略図である。接続構造５と発光ユニット３は延伸部分１２の同じ側に設置されている。別の実施例において、接続構造５と発光ユニット３は延伸部分１２の対向する側に設置される。支持基板８は延伸部分１２において接続構造５と同じ端に位置し、かつ延伸部分１２の接続構造５に対向する対向側に位置する。支持基板８の厚さは２〜８ｍｍであり、例えば４ｍｍであり、絶縁材料または導電材料で作製される。支持基板８は、延伸部分１２と制御モジュール２００との間に接続された接続構造５を補強するために用いられる。発光ユニット３の上表面と側表面は保護層４に被覆される。照明部分１１と保護層４の高さは０．２ｍｍ〜１ｍｍの範囲にあり、例えば０．２ｍｍ〜０．３ｍｍである。
感光薬物を含むクリーム剤または溶液を皮膚疾病に罹ったエリアに塗布することができる。皮膚疾病として、例えば、光線／日光角化症（ａｃｔｉｎｉｃ／ｓｏｌａｒ ｋｅｒａｔｏｓｅｓ）、ボーエン病（Ｂｏｗｅｎ’ｓ ｄｉｓｅａｓｅ）、表在性基底細胞癌（ｓｕｐｅｒｆｉｃｉａｌ ｂａｓａｌ ｃｅｌｌ ｃａｒｃｉｎｏｍａ）、扁平上皮癌（ｓｑｕａｍｏｕｓ ｃｅｌｌ ｃａｒｃｉｎｏｍａ）、上皮内癌（ｉｎｔｒａｅｐｉｔｈｅｌｉａｌ ｃａｒｃｉｎｏｍａ）、菌状息肉症（ｍｙｃｏｓｉｓ ｆｕｎｇｏｉｄｅｓ）、Ｔ細胞リンパ腫（Ｔ−ｃｅｌｌ ｌｙｍｐｈｏｍａ）、ざ瘡（ａｃｎｅ）と脂漏（ｓｅｂｏｒｒｈｏｅａ）、湿疹（ｅｃｚｅｍａ）、乾癬（ｐｓｏｒｉａｓｉｓ）、脂腺母斑（ｎｅｖｕｓ ｓｅｂａｃｅｏｕｓ）、口腔癌（例えば、前悪性または悪性腫瘍（ｐｒｅ−ｍａｌｉｇｎａｎｔ ｏｒ ｄｙｐｌａｓｔｉｃ ｌｅｓｉｏｎｓ）と扁平上皮癌（ｓｑｕａｍｏｕｓ ｃｅｌｌ ｃａｒｃｉｎｏｍａｓ））、単純ヘルペス（ｈｅｒｐｅｓ ｓｉｍｐｌｅｘ）などのウイルス感染、伝染性軟属腫、疣（難治性、尋常性疣贅、または足底疣贅（ｒｅｃａｌｃｉｔｒａｎｔ、ｖｅｒｒｕｃａ ｖｕｌｇａｒｉｓ、ｏｒ ｖｅｒｒｕｃａ ｐｌａｎｔａｒｉｓ）、円形脱毛症（ａｌｏｐｅｃｉａ ａｒｅａｔａ）、または多毛症（ｈｉｒｓｕｔｉｓｍ）などがある。発光モジュール１００は薄い層の感光薬物を介して治療が必要なエリアと接する。発光モジュールは感光薬物に非常に接近し、好ましくは直接接触してもよい。感光薬物が発光部分１１の発射する光に照射された後、治療が必要なエリアに急速に放出されて、治療及び／または診断が行われる。発光部分１１と治療が必要なエリアとの間の距離は０ｍｍ〜５ｍｍの間にある。保護層４は、発光ユニット３で発生した熱によって人体または動物体の治療エリアが火傷になること防止することができて、かつ、発光ユニットが治療エリア上に位置する感光薬物に直接接触して破壊することを防止できる。保護層４の外表面４１は治療エリア（または感光薬物）に接触または接近することが可能であり、かつ、正常な操作期間内の表面温度が５０℃以下であり、好ましくは４０℃以下または人体若しくは動物の治療エリアの周辺温度（例えば、人体３７℃）に近い温度である。発光部分１１は、主な波長またはピーク値が６２５ｎｍ〜６３５ｎｍの光線を発射することが好ましく、強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が約１００ｍＷ／ｃｍ２、及び／または波長若しくはピーク値が４０５ｎｍ〜４１０ｎｍにある光線であり、強度が約６０ｍＷ／ｃｍ２である。
保護層４は、発光ユニット３からの光に対し６０％より大きい透明度を有し、かつ、屈折率が１．４〜１．６の間にある。保護層は上記性質の材料で作製され、例えば、重合体または酸化物である。重合体はシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）、エポキシ樹脂、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、Ｓｕ８、アクリル樹脂、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、またはフッ化炭素化合物（ｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ）を含むが、これらに限定されない。酸化物はＡｌ２Ｏ３、ＳＩＮＲ、Ｓｕ８、またはＳＯＧを含むが、これらに限定されない。
保護層４は人または動物の皮膚に接触して治療を行うことができる。一実施例において、保護層４の材料は、ＧＨＳ（世界調和システム）分類及びＧＨＳ標識元素において示された有害物質または混合物を含まない。保護層４は人または動物の皮膚に副作用、例えば皮膚アレルギー、皮膚腐食／刺激を引き起こすのが少ない、または副作用を引き起こさない生物医学レベルの弾性体または生物医学レベルのシリコンゴムといった生物医学材料で作製されることが好ましく、例えば、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）基材である。既知製品として、ダウコーニング（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ）社が生産したシリコンゴムＭＤＸ４−４２１０ある。別の実施例において、図１Ｃが示すように、保護層４は多層構造である。保護層４は少なくとも二層であり、内層４２と外層４３を含む。外層４３は、生物医学レベルの弾性体または生物医学レベルのシリコンゴムを含む生物医学材料で作製され、動物または人の皮膚に直接接触する。内層４２は複数個の発光ユニット３を連続的に被覆し、かつ上記一種または多種の透明なパッケージ材料によって製作される。内層４２の厚さが外層４３より厚くてもよい。一実施例において、内層４２の屈折率と外層４３の屈折率が異なる。例えば、光取り出し効率を高めるために、内層４２の屈折率を外層４３より大きくする。
発光モジュール１００は、一回使用した後に廃棄しても、または繰り返し使用してもよい装置である。発光モジュール１００が繰り返し使用してもよい場合、発光部分１１の保護層４の外表面４１を使用後／使用前にアルコールまたは水で消毒及び／または清潔にすることができる。
発光部分１１が発射した光は均一な照明を生成することが可能であり、つまり、発光部分１１の同一側の光強度の変化が±２０％より小さく、例えば±１０％である。発光部分１１を複数のサブ部分（図示せず）に分けることができる。同一側の光強度の変化は、発光部分１１の複数個のサブ部分の外表面４１において測定された発光強度の差異である。発光強度は、発光強度測定機器、例えば光度計で測定することができる。好ましくは、サブ部分の面積が発光強度測量機器の光検測部分の面積と略同じまたは小さい。
図１Ｄは本発明の一実施例に基づく複数個の発光ユニット３の等価回路を示す概略図である。複数個の発光ユニット３を互いに並列に電気接続された２つまたはさらに多い発光グループに分けてもよい。各発光グループには直列接続された複数個の発光ユニット３が含まれる。一個の電子素子７、例えば、抵抗器、コンデンサー、インダクタまたは整流器は駆動回路（図示せず）と複数個の発光ユニット３との間に位置し、複数個の発光ユニット３に流れる電流を調整する。一実施例において、電子素子７は、発光部分１１（またはキャリア１）上ではなく、制御モジュール２００内に位置する。従って、電子素子７からの熱は、制御モジュール２００によって放熱される。一実施例において、複数個の発光ユニット３は六個の発光ユニットを含み、これらの発光ユニットが互いに並列に接続された三つの発光グループに分けられる。各発光グループは２つの直列に接続された発光ユニットを含む。必要に応じて、発光ユニットの個数は上記例に限らず、例えば、個数が六個以上、または六個以下であってもよい。
別の実施例において、図１Ｅが示すように、発光部分１１は、発光ユニット３を備えた天井側に対向する底側に反射層９を有する。反射層９は、発光ユニット３から発射された光を反射し、かつ保護層４の外表面４１に向けて射出することができる。治療期間において、反射層９は発光モジュール上方の発光強度を増大させるのみならず、光が後へ／人または動物の目に向けて照射されることを防止できる。
図２は発光モジュール１００が人の指１０に巻き付けられて、例えば疣などの皮膚疾病を治療する例を示している。発光部分１１は指１０の輪郭に合わせて湾曲することが可能である。ここで示した画像では、発光部分１１の底側に反射層を備えておらず、かつ光線が指に向う方及び離れる方へ出光される。
図３Ａ〜３Ｄは発光モジュール１００が湾曲した場合を示す概略図である。図３Ａ〜３Ｄが示すように、キャリア１は可撓性を有し、かつ、キャリア１の表面が湾曲して各種曲率を有する曲線を満たすことができる。キャリア１が湾曲しても、発光ユニット３は保護層４によってキャリア１上に緊密に固定される。発光モジュール１００の光学特性はキャリア１の湾曲によって変わることない。発光ユニット３は、ＬＥＤベアチップ、ＬＥＤパッケージまたはＣＳＰ（チップスケールパッケージ）ＬＥＤであってもよい。図３Ａが示す発光ユニット３は垂直型ＬＥＤベアチップである。発光ユニット３は発光ユニット３の対向側に位置する二つの電極３１、３２を有する。第一電極３１は発光ユニット３の底側に位置し、かつ、はんだ付け材料、例えばＳｎ、Ａｇ、ＣｕまたはＢｉによって、キャリア１上に固定される。第二電極３２は発光ユニット３の天井側に位置し、ボンディングワイヤ１３によってキャリア１に接続される。発光モジュールの湾曲に起因する破損を防ぐために、ボンディングワイヤ１３は保護層４に被覆される。
図３Ｂが示す発光ユニット３は水平型ＬＥＤベアチップである。発光ユニット３の２つの電極３１、３２はいずれも発光ユニット３の活性積層３５の同一側に位置する。電極３１、３２はボンディングワイヤ１３によって、キャリア１に電気的に接続される。発光ユニット３の底側は熱伝導材料によってキャリア１上に固定される。発光モジュール１００の湾曲に起因する破損を防ぐために、ボンディングワイヤ１３は保護層４に被覆される。図３Ｃが示す発光ユニット３は水平型ＬＥＤベアチップである。発光ユニット３は、発光ユニット３の活性積層３５の同一側に位置する２つの電極３１、３２を含み、かつ、Ｓｎ、Ａｇ、ＣｕまたはＢｉを含むはんだ付け材料によって、キャリア１上にフリップチップ式に接合される。電極３１、３２の結合面は同一平面ではない。図３Ｄが示す発光ユニット３はフリップチップ式ＬＥＤベアチップである。図３Ｄが示すように、発光ユニット３は２つの電極３１、３２を有し、いずれも発光ユニット３の底側に位置し、かつ、はんだ付け材料、例えばＳｎ、Ａｇ、ＣｕまたはＢｉによって、キャリア１上にフリップチップ式に接合される。電極３１、３２の接合面は略同一平面である。別の実施例において、図３Ｄが示す発光ユニット３はＬＥＤパッケージである。別の実施例において、図３Ｄが示す発光ユニット３はＣＳＰ ＬＥＤである。
図４Ａ〜４Ｂは図３Ａの一実施例に基づく発光ユニットを示す。図４Ａは一実施例の発光ユニットを示す上面図である。図４Ｂは図４Ａが示す発光ユニット３１０の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面概略図である。図４Ｂが示すように、発光ユニット３１０は基板３１３、基板３１３上に位置する導電接着層３１４、導電接着層３１４上に位置する反射構造３１５、反射構造３１５上に位置する透明導電構造３１６、透明導電構造３１６上に位置する窓層３１８、透明導電構造３１６と窓層３１８との間に位置する非酸化物絶縁層３１７、窓層３１８上に位置する発光積層３１９、発光積層３１９上に位置する電気接触層３２１４、発光積層３１９上に位置する第一電極３１２、及び基板３１３の下方に位置する第二電極３１１を含む。
発光積層３１９は第一導電型半導体層３１９１、第二導電型半導体層３１９３、及び第一導電型半導体層３１９１と第二導電型半導体層３１９３との間に位置する活性積層３１９２を含む。第一導電型半導体層３１９１、第二導電型半導体層３１９３及び活性積層３１９２の関連説明について、上記図１Ａの関連記載を参照することができる。内部全反射を低減して、発光ユニット３１０の発光効率を高めるよう、第二導電型半導体層３１９３の上出光表面３１９４は粗面であってもよい。窓層３１８は光取り出しに有利であり、かつ発光効率を高めることができる。窓層３１８の極性は、第一導電型半導体層３１９１と同じでもよい。
第一電極３１２及び／または第二電極３１１は、図３Ａが示すように、ボンディングワイヤまたははんだ付け材料によって固定接続されることで、発光ユニットと外部素子、例えば、パッケージ用の搭載板または印刷回路板とが電気的に接続され、電極の材料は透明導電材料または金属材料であってもよい。透明導電材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化カドミウムスズ（ＣＴＯ）、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化スズ亜鉛（ＺＴＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムタングステン（ＩＷＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、砒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ） 、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）及びダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を含むが、これらに限定されない。金属材料はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、アンチモン（Ｓｂ）、コバルト（Ｃｏ）及び上記の合金を含むがこれらに限定されない。第一電極３１２は第二導電型半導体層３１９３に電気的に接続され、かつ電流入力部３１２１及び延伸部３１２２を含む。図４Ａが示すように、電流入力部３１２１は第二導電型半導体層３１９３の略中心に位置し、延伸部３１２２は電流入力部２１２１から発光ユニット３１０の境界まで延伸し、これにより電流拡散効果を高める。図４Ｂが示すように、電気接触層３２１４とのオーム接触面積を増やすよう、延伸部３１２２は電気接触層３２１４上の突出部３１２３に含まれ、かつ、突出部３１２３の高さが電流入力部３１２１より高い。第二電極３１１は基板３１３の下方に位置し、かつ第一導電型半導体層３１９１に電気的に接続される。
電気接触層３２１４は延伸部分３１２２と発光積層３１９との間に位置し、かつこれらとオーム接触する。電気接触層３２１４は半導体材料で作製され、少なくとも一つの元素、例えば、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）またはセレン（Ｓｅ）を含む。電気接触層３２１４と第二導電型半導体層３１９３は同じ極性を有してもよい。
窓層３１８は活性積層３１９２から発した光に対し透明である。また、窓層３１８は透明導電材料で作製され、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化カドミウムスズ（ＣＴＯ）、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムタングステン（ＩＷＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、砒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）及び酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を含むが、これらに限定されない。
図４Ｂが示すように、発光積層３１９の最大幅が窓層３１８の最大幅より小さい。窓層３１８は上部と下部を有し、窓層３１８の上部が発光積層３１９と接触し、かつ発光積層３１９と同じ幅を有し、窓層３１８の下部が非酸化物絶縁層３１７と接触し、かつ発光積層３１９より大きい幅を有する。言い換えれば、一部の窓層３１８の上表面が発光積層３１９に被覆されない。発光積層３１９の最外側表面３１９６は窓層３１８の最外側表面３１８１と同一平面ではない。図４Ａが示すように、上面図において、発光積層３１９の面積が基板３１３の面積より小さい。発光積層３１９は発光ユニット３１０の略中心に位置する。
不活性化層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）３１９５は、窓層３１８と発光積層３１９の側表面、上出光表面３１９４の上表面、及び第一電極３１２の延伸部分３１２２の外輪郭に沿って形成される。不活性化層３１９５は第一電極３１２の電流入力部３１２１を露出させて、それを外部素子に電気的に接続させる。発光積層３１９の上方に位置する不活性化層３１９５の上表面は平らではなく、かつ上出光表面３１９４と第一電極３１２の突出部３１２３の形状に類似した輪郭を有する。不活性化層３１９５は透明絶縁材料、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）またはＡｌＯＸなどによって作製されてもよい。
透明導電構造３１６は発光積層３１９から射出された光に対し透光であり、かつ窓層３１８と反射構造３１５との間のオーム接触を改善することができる。また、透明導電構造３１６と反射構造３１５は、透明材料で作製された全方向反射鏡（ＯＤＲ）によって形成することが可能であり、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化カドミウムスズ（ＣＴＯ）、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムタングステン（ＩＷＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、酸化インジウムセリウム（ＩＣＯ）、酸化インジウムチタン（ＩＴｉＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、ガリウムアルミニウム酸化亜鉛（ＧＡＺＯ）及びその組み合わせを含むが、これらに限定されない。
非酸化物絶縁層３１７は、発光積層２５から射出された光に対する透過係数が９０％より大きい。非酸化物絶縁層３１７の材料は非酸化物絶縁材料、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、フルオロカーボンポリマー、窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）であってもよい。別の実施例において、非酸化物絶縁層３１７の材料はハロゲン化物、ＩＩＡ族化合物またはＶＩＩＡ族化合物、例えば、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、四フッ化炭素（ＣＦ４）またはフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を含んでもよい。非酸化物絶縁層３１７は、透明導電構造３１６中に嵌入された複数個の分離部を有する。非酸化物絶縁層３１７は複数個の分離した上表面を有し、これらの上表面が窓層３１８と接触し、かつ透明導電構造３１６の上表面と平らになっている。非酸化物絶縁層３１７に電流拡散のためのパターンを形成することが可能であり、例えば、電気接触層３２１４及び／または電流入力部３１２１下方に形成されたパターンなど。別の実施例において、非酸化物絶縁層３１７は任意のパターンを有するか、または電気接触層３２１４及び／または電流入力部３１２１の真下に位置しなくてもよい。非酸化物絶縁層３１７の厚さが透明導電構造３１６の厚さより小さい。非酸化物絶縁層３１７はその少なくとも一つの下表面が透明導電構造３１６に被覆されて、反射構造３１５と堅固に接合される。別の実施例において、非酸化物絶縁層３１７は透明導電構造３１６を貫通し、かつ反射構造３１５と直接接合する。
反射構造３１５は発光積層３１９から射出された光を反射し、かつ金属材料で作製することが可能であり、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）及びこれらによって構成された合金を含むが、これらに限定されない。
基板３１３は発光積層３１９及びその他の層または構造を支持し、透明材料または導電材料で作製してもよい。例えば、透明材料はサファイア、ダイヤモンド、ガラス、エポキシ樹脂、石英、アクリル、Ａｌ２Ｏ３、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含んでもよいが、これらに限定されない。導電材料は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、グラファイト、炭素繊維、金属基複合材料（ＭＭＣ）、セラミックス基複合材料（ＣＭＣ）、ケイ素（Ｓｉ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ＬｉＧａＯ２及びＬｉＡｌＯ２を含んでもよいが、これらに限定されない。導電接着層３１４は基板３１３と反射構造３１５を接続する。導電接着層３１４は透明導電材料または金属材料で作製してもよい。透明導電材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化カドミウムスズ（ＣＴＯ）、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化スズ亜鉛（ＺＴＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、酸化インジウムセリウム（ＩＣＯ）、酸化インジウムタングステン（ＩＷＯ）、酸化インジウムチタン（ＩＴｉＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、ガリウムアルミニウム酸化亜鉛（ＧＡＺＯ）及びこれらの組み合わせを含む。金属材料は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）及びこれらによって構成される合金を含む。
図５Ａ〜５Ｂは図３Ｂの一実施例に基づく発光ユニットを示す図である。図５Ａは一実施例の発光ユニット３２０を示す上面図である。図５Ｂは発光ユニット３２０の線Ｃ−Ｃ’に沿った断面概略図である。図５Ｂが示すように、発光ユニット３２０は基板３２３、基板３２３上に位置する導電接着層３２４、導電接着層３２４上に位置する発光積層３２５、及び発光積層３２５の基板３２３に対向する側に位置する第一電極３２１と第二電極３２２を含む。発光積層３２５は第一導電型半導体層３２５１、第二導電型半導体層３２５３、及び第一導電型半導体層３２５１と第二導電型半導体層３２５３との間に位置する活性積層３２５２を含む。発光積層３２５の関連説明について、上記図４Ａ〜４Ｂの関連記載を参照することができる。基板３２３は透明材料で作製可能であり、かつ図４Ａ〜４Ｂの関連記載を参照することができる。
導電接着層３２４は基板３２３上に形成され、かつポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ペルフルオロシクロブタン（ＰＦＣＢ）または酸化インジウムスズによって作製されてもよい。導電接着層３２４は粗面を有する拡散表面３２４１を含む。言い換えれば、第一導電型半導体層３２５１は導電接着層３２４と接触する拡散表面３２４１を有する。上記粗面は、発光ユニットのエピタキシャル工程における成長によって形成され、またはＬＥＤベアチップ工程においてウェットエッチングまたはドライエッチング技術、例えば、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｐｌａｓｍａ、ＩＣＰ）によって第一導電型半導体層３２５１の一部をエッチングして形成してもよい。従って、発光積層３２５は導電接着層３２４によって基板３２３に付着する粗面を有する。別の実施例において、第一導電型半導体層３２５１の拡散表面３２４１が複数個の微突部を含むことも可能であり、さらに導電接着層３２４によって第一導電型半導体層３２５１を基板３２３に接合させる。微突部の形状が半球形、ピラミッド形または角錐形多角形であってもよい。微突部により拡散表面３２４１が粗化構造を有し、光取り出し効率を高めることができる。
図３Ｂが示すように、第一電極３２１及び／または第二電極３２２はボンディングワイヤまたははんだ付け材料によって固定接続されることで、発光ユニットと外部素子、例えば、パッケージ用の搭載板または印刷回路板とが電気的に接続される。電極の材料について、上記図４Ａ〜４Ｂの関連記載を参照することができる。第一電極３２１は第一導電型半導体層３２５１に電気的に接続され、かつ、第二導電型半導体層３２５３より低い最上表面を有する。図５Ａが示すように、第一電極３２１は電流入力部３２１１及び少なくとも一つの延伸部３２１２、３２１３を含む。電流入力部３２１１は発光ユニット３２０の第一角部３２７１に位置し、延伸部３２１２、３２１３は電流入力部３２１１から延伸して、かつ発光ユニット３２０に沿って延伸し、電流拡散効果を高めるためにある。延伸部３２１２は、第一角部３２７１に隣接する第二角部３２７２のところに位置する直角を有する。延伸部３２１３は、第一角部３２７１に隣接し、かつ第二角部３２７２の対角にある第三角部３２７３のところに位置する直角を有する。第二電極３２２は第二導電型半導体層３２５３に電気的に接続され、かつ第二導電型半導体層３２５３より高い最上表面を有する。第二電極３２２は電流入力部３２２１及び少なくとも一つの延伸部３２２２、３２２３を含む。図５Ａが示すように、電流入力部３２２１は第一角部３２７１の対角にある第四角部３２７４のところに位置し、かつ、第一電極３２１の電流入力部３２１１と異なる形状を有する。延伸部３２２２、３２２３も電流拡散効果を高めるために用いられ、かつ電流入力部３２２１から延伸して、かつ第一角部３２７１と第二角部３２７２の間に位置する側部に向って延伸する。延伸部３２２２、３２２３は第一角部３２７１と第三角部３２７３との間の側部と略平行である。ここで示す延伸部の数は例示に過ぎず、２つに限定されない。
図５Ｂが示すように、断面図において、発光積層３２５の最大幅が導電接着層３２４と基板３２３の最大幅より小さい。言い換えれば、一部の導電接着層３２４の上表面が発光積層３２５に被覆されない。発光積層３２５の最外側表面３２５４は、導電接着層３２４の最外側表面３２７及び／または基板３２３の最外側表面と同一平面ではない。図５Ａが示すように、上面図において、発光積層３２５の面積が基板３２３の面積より小さい。発光積層３２５は発光ユニット３２０の略中心に位置する。
不活性化層３２６は、発光積層３２５の最外側表面３２５４、発光積層３２５の上表面、第一電極３２１の延伸部３２１２、３２１３及び第二電極３２２の延伸部３２２２、３２２３の輪郭に沿って形成される。不活性化層３２６は第一電極３２１の電流入力部３２１１と第二電極３２２の電流入力部３２２１を露出させて、外部素子と電気的に接続させる。発光積層３２５の上方に位置する不活性化層３２６の上表面は、延伸部によって平らではない。別の実施例において、不活性化層３２６は延伸部３２１２、３２１３、３２２２、３２２３を露出させる。不活性化層３２６の材料について、上記第４Ａ〜４Ｂの関連記載を参照することができる。
図６Ａ〜６Ｂは図３Ｄの一実施例に基づく発光ユニットを示す図である。図６Ａは発光ユニット３３０の上面図である。図６Ｂは図６Ａにおける発光ユニット３３０の線Ｄ−Ｄ’に沿った断面概略図である。図６Ｂが示すように、発光ユニット３３０は基板３３３、基板３３３上に位置する導電接着層３３４、導電接着層３３４上に位置する発光積層３３５、及び発光積層３３５の基板３３３に対向する側に位置する第一電極３３１と第二電極３３２を含む。発光積層３３５は第一導電型半導体層３３５１、第二導電型半導体層３３５３、及び第一導電型半導体層３３５１と第二導電型半導体層３３５３との間に位置する活性積層３３５２を含む。発光積層３３５の関連説明について、上記図４Ａ〜４Ｂの関連記載を参照することができる。基板３３３は透明材料で作製可能であり、これについて図４Ａ〜４Ｂの関連記載を参照することができる。導電接着層３３４は基板３３３より大きい幅を有し、及び、粗面化され、かつ発光積層３３５と接触する拡散表面３３４１を有する。導電接着層３３４の関連説明について、上記図５Ａ〜５Ｂの関連記載を参照することができる。
図６Ｂが示すように、発光積層３３５は幅の異なる上部と下部を有する。上部は第二導電型半導体層３３５３、活性積層３３５２及び第一導電型半導体層３３５１の上部を含む。発光積層３３５の下部は第一導電型半導体層３３５１の下部を含む。断面概略図において、発光積層３３５の上部の幅は発光積層３３５の下部より小さい。従って、第一導電型半導体層３３５１は、第二導電型半導体層３３５３と活性積層３３５２に被覆されずに露出された上表面３３５１１を有する。第一導電型半導体層３３５１の下部の幅は導電接着層３３４と略同じである。
第一電気接触層３３１１は第一導電型半導体層３３５１の露出された上表面３３５１１上に位置し、かつ、第一導電型半導体層３３５１と電気的に接続する。第二電気接触層３３２１は第二導電型半導体層３３５３の上表面に位置し、かつ第二導電型半導体層３３５３に電気的に接続される。第一電気接触層３３１１の最上表面が第二電気接触層３３２１の最上表面より低い。不活性化層３３６は導電接着層３３４と発光積層３３５の側表面、第一電気接触層３３１１の上表面及び第二電気接触層３３２１の上表面の外輪郭に沿って形成される。不活性化層３３６は第一電気接触層３３１１と第二電気接触層３３２１の上表面の一部を露出させ、材料の説明について上記図４Ａ〜４Ｂの関連記載を参照することができる。
第一導電接続層３３１２は露出された第一電気接触層３３１１から延伸し、かつ不活性化層３３６の側表面と上表面の外輪郭に沿って形成される。第二導電接続層３３２２は露出された第二電気接触層３３２１から延伸し、かつ不活性化層３３６の上表面を被覆する。第一導電接続層３３１２と第二導電接続層３３２２は０より大きい距離で分離しており、即ち、不活性化層３３６の上表面の一部が第一導電接続層３３１２と第二導電接続層３３２２に被覆されない。第一導電接続層３３１２と第二導電接続層３３２２の最上表面は略同一平面である。第一電極３３１は第一導電接続層３３１２上に形成され、第二電極３３２は第一導電接続層３３１２上に形成される。第一電極３３１と第二電極３３２は０より大きい距離で分離している。第一電極３３１と第二電極３３２の最上表面は略同一平面である。図６Ｂが示すように、第二導電型半導体層３３５３の上方において、第一電極３３１と第二電極３３２との間の最短距離は第一導電接続層３３１２と第二導電接続層３３２２との間の最短距離より大きい。電気接触層３３１１、３３２１、導電接続層３３１２、３３２２及び／または電極３３１、３３２は金属材料で作製することが可能であり、関連説明について、上記図４Ａ〜４Ｂの電極の関連記載を参照することができる。電極３３１、導電接続層３３１２及び不活性化層３３６の最外側表面は互いに非同一表面である。電極３３２、導電接続層３３２２及び不活性化層３３６の最外側表面は互いに非同一表面である。
図６Ａが示すように、第一電極３３１は発光ユニット３３０の第一端３３７１の近傍に位置し、第二電極３３２は発光ユニット３３０の第一端３３７１に対向する第二端３３７２の近傍に位置する。物理的に分離している２つの電気接触層３３１１は第一端３３７１に近い第一角部３３８１と第二角部３３８２の近傍に位置する。延伸部３３１３は電気接触層３３１１から延伸し、かつ発光ユニットの長い辺に沿って延伸する。延伸部３３１３は不活性化層３３６に被覆され、かつ電流拡散效果を高めるために用いられる。
図７Ａ〜７ＢはＬＥＤベアチップの接合工程を示し、図５Ａ〜５Ｂのような発光ユニット３２０がペースト剤２によって、キャリア１上にフリップチップ式に接合される。ペースト剤２は絶縁材料２２及び絶縁材料２２中に分散された複数個の導電粒子２１を含む。発光ユニット３はキャリア１上に設置され、ペースト剤２は発光ユニット３とキャリア１との間に塗布される。キャリア１は発光ユニット３の電極３１、３２と電気的に接続するための複数個の導電パッド１４を含む。発光ユニット３を接合する方法は加熱ステップ。図７Ａは接合工程において加熱する前の状態を示す。図７Ｂは接合工程において加熱した後の状態を示す。加熱ステップの前と後で、キャリア１に対する法線方向における発光ユニット３とキャリア１の距離は加熱前及び加熱後に略同じである。ペースト剤２に被覆された領域は導通領域２３及び非導通領域２４を含む。導通領域２３は電極３１と導電パッド１４との間、及び電極３２と導電パッド１４との間に位置する。図７Ａが示すように、接合工程における加熱ステップの前、導通領域２３内の導電粒子２１の平均重量パーセンテージ濃度（または平均密度）は非導通領域２４に類似する。図７Ｂが示すように、接合工程における加熱ステップの後、大部分の導電粒子２１が導通領域２３に集中する。導通領域２３内の導電粒子２１の平均重量パーセンテージ濃度（または平均密度）が非導通領域２４より大きい。一実施例において、導通領域２３内の導電粒子２１の平均重量パーセンテージ濃度（または平均密度）が７５％より大きく、または導通領域２３が絶縁材料２２を有しないことが好ましい。非導通領域２４内の導電粒子２１の平均重量パーセンテージ濃度（または平均密度）が４０％より小さいが、ゼロではない。つまり、非導通領域２４は少量の導電粒子２１を含む。例えば、非導通領域２４内の導電粒子２１の含有量が０．１％〜４０％であり、好ましくは２％〜１０％である。絶縁材料２２の非導通領域２４における平均重量パーセンテージ濃度（または平均密度）が６０％より高く、好ましくは６０％〜９９．９％の間にあり、さらに好ましくは９０％〜９８％の間にある。一実施例において、非導通領域２４は１０％〜４０％の導電粒子２１及び６０％〜９０％の絶縁材料２２を含み、かつ、好ましくは非導通領域２４が２０％〜３０％の導電粒子２１及び７０％〜８０％の絶縁材料２２を含む。
ペースト剤２を複数個のサブ部分（例えば、３〜１０個のサブ部分）に分けてもよい。平均重量パーセンテージ濃度（または平均密度）の定義は、全てのサブ部分の重量パーセンテージ濃度（または密度）の平均値である。サブ部分のサイズは、測定サンプルの大きさまたは測定方法に基づいて調整可能である。例えば、サブ部分は三次元の形状を有し、または断面図において二次元の形状を有する。二次元の形状は八角形、六角形、矩形、三角形、円形、楕円形またはこれらの組み合わせであってもよい。三次元の形状は円柱形、立方体、直方体または球体であってもよい。導電粒子２１の密度は、ペースト剤２のサブ部分の所定領域（例えば、２０×２０μｍ２）内における全ての導電粒子２１の数量またはその占める面積を計算することによって得ることができる。
導電粒子２１は融点が３００℃より低い金属材料で作製されてもよい。金属材料は元素、化合物または合金であってもよく、例えば、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）またはこれらの合金（例えば、スズビスマス銀合金）である。導電粒子２１が合金である場合、導電粒子２１の融点とは合金の共晶点を指す。絶縁材料２２は熱硬化性重合体であってもよく、例えば、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、シリコーン樹脂（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリメタクリル酸メチル（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）及びエピスルフィド（ｅｐｉｓｕｌｆｉｄｅ）である。絶縁材料２２は硬化温度において硬化することができる。本実施例において、導電粒子２１の融点が絶縁材料２２の硬化温度より低い。図７Ａが示すように、加熱ステップの前、導電粒子２１の粒子径は導電粒子２１の直径と定義され、５μｍ〜５０μｍの間にある。２つの電極３１、３２の間の最短距離が導電粒子２１の粒子径の二倍以上であることが好ましい。発光ユニット３のサイズが１５０μｍ×１５０μｍより小さい場合、例えば、１２０μｍ×１２０μｍ、１００μｍ×１００μｍ、または８０μｍ×８０μｍである場合、発光ユニット３の２つの電極３１と３２の間の最短距離が１００μｍ以下であることが好ましく、例えば、８０ｕｍ、５０μｍまたは４０μｍ以下である。
図７Ｂが示すように、導通領域２内に位置する導電粒子２１はブロック状であり、かつ電極３１、３２及び導電パッド１４の少なくとも一つの側表面を被覆する。外部の電源は導電パッド１４、導電粒子２１及び電極３１、３２を介して、発光ユニット３を導通させることができる。非導通領域２４内の導電粒子２１は粒子状であり、かつ絶縁材料２２に包まれている。従って、電流は非導通領域２４を通過できない。非導通領域２４内に充填された絶縁材料２２は発光ユニット３とキャリア１との間の接合強度を増強させることができる。ペースト剤２の最外表面２５は湾曲した形状を有し、かつキャリア１から発光ユニット３の側表面３４まで延伸する。ペースト剤２の形状は加熱ステップの後に変化し（図７Ａに比較し）、つまり、ペースト剤２は加熱ステップの前と後で異なる形状を有する。ペースト剤２は一部の発光ユニット３の側表面３４を被覆する。より具体的には、ペースト剤２の最外表面２５とキャリア１との間に角度θを有する。角度θは最外表面２５に沿って発光ユニット３の側表面３４の方向へ次第に大きくなる。
図８は本発明の一実施例に基づく発光モジュールを示す部分断面概略図である。発光モジュール３００は発光モジュール１００に類似しており、医療用の光線を射出することができる。発光モジュール３００はキャリア１、複数個の発光ユニット３、保護層４及び接続構造（図示せず）を含む。キャリア１は発光部分と延伸部分（図示せず）を含む。キャリア１の延伸部分と接続構造について、発光モジュール１００の関連記載を参照することができる。複数個の発光ユニット３はキャリア１の同一側に位置する。キャリア１は湾曲することが可能であり、かつ、発光ユニット３が発射した光に対し透明である。キャリア１の材料について、発光モジュール１００の関連記載を参照することができる。発光ユニット３の構造と材料について、前段落の関連記載を参照することができる。接合方法について、図３Ａ〜３Ｄの関連記載を参照することができる。
保護層４は複数個の発光ユニットを被覆、保護することにより、外部環境によりダメージを防ぐ。図８が示すように、保護層４は２つの部分を含み、複数個の内層４２及び外層４３を有する。複数個の内層４２は互いに分離している。それぞれの内層４２が一つまたは複数個の発光ユニット３（図８は一つの発光ユニットのみを示している）を被覆してもよい。内層４２は発光ユニット３の上表面と側表面を被覆し、かつドーム状の形状を有する。外層４３は複数個の内層４２の最外表面を連続して被覆する。内層４２の屈折率は外層４３の屈折率と異なり、かつ外層４３の屈折率より大きい。内層４２と外層４３との間の屈折率の差異により、光線は内層４２と外層４３の界面において反射される。従って、発光ユニット３から射出された一部の光は、キャリアに略平行な方向に沿って移動することができる。従って、発光ユニット３または発光モジュール３００の発光角度は、保護層４中に嵌入しかつ互いに分離した内層４２を有しない発光モジュールより大きい。発光モジュール３００は比較的に少ない数の発光ユニットを用いることが可能であり、かつ一定の大きさの領域において同じ輝度を有する。一実施例において、内層４２の屈折率は１.５より大きく、例えば１．５３であり、外層４３
の屈折率は１．５より小さく、例えば１．４である。
内層４２も発光ユニット３とキャリア１の間により良い接合強度を提供する。内層４２の硬度は外層４３の硬度より大きい。硬度は、ＡＳＴＭ Ｄ２２０４−００で定義されたショアー硬度計（Ｓｈｏｒｅ Ｄｕｒｏｍｅｔｅｒ Ｈａｒｄｎｅｓｓ ｄｅｆｉｎｅｄ ｉｎ ＡＳＴＭ Ｄ２２０４−００）を用いて測定することができる。例えば、内層４２はＤ型ショアー硬度によって測定されたＤ６５硬度を有し、外層４３はＡ型ショアー硬度計によって測定されたＡ３０硬度を有する。保護層４の外層４３は好ましくは生物医学材料で作製され、材料について前段落の関連記載を参照することができる。内層４２は透明パッケージ材料を用いて作成してもよく、発光モジュール１００の関連記載を参照することができる。
図８が示すように、保護層４に被覆された発光ユニット３のｘ−ｚ平面またはｙ−ｚ平面における発光角度は内層４２と外層４３の厚さによって変化してもよい。ｄ１は内層４２の最上部と発光ユニット３の上表面との間の距離である。発光角度は、発光曲線図から測定することが可能であり、その定義は最大光強度から最大光強度の５０％までに含まれる角度範囲である。発光角度の詳細について、台湾特許出願第１０４１０３１０５号を参照しかつ本文の一部として引用する。
図９Ａは比較表を示しており、異なる種類の保護層４を有する発光ユニット（図９Ｂ〜９Ｄが示すように）の発光角度を説明するものである。形態Ａの発光ユニットは保護層に被覆されず、発光ユニット３のｘ−ｚ平面またはｙ−ｚ平面（図９Ｂ〜９Ｄを参照）における発光角度が約１２０度である。形態Ｂの発光ユニット３は単層の保護層に被覆され（図９Ｂが示すように）、発光ユニット３のｘ−ｚ平面またはｙ−ｚ平面における発光角度が約１３０度であり、形態Ａの発光角度より大きい。図９Ｃと図９Ｄが示す発光ユニット３の発光角度はそれぞれ図９Ａの形態Ｃと形態Ｄを示す。形態Ｃと形態Ｄの発光ユニット３はドーム状の内層４２及び外層４３によって順に被覆されている。図９Ｃが示す距離ｄ１は約０．５ｍｍである。図９Ｃにおいて、発光ユニット３の発光角度は形態Ｂの発光角度より大きく、約１４０度である。図９Ｄが示す距離ｄ１は約０．３ｍｍであり、かつ発光ユニット３の発光角度が形態Ｃの発光角度より大きく、約１５０度である。図９Ｄが示す距離ｄ１は、図９Ｃが示す距離ｄ１より小さい。内層４２の最外側表面と発光ユニット３の側表面との間の最大距離は、内層４２の最上表面と発光ユニット３の上表面との間の最大距離より大きい。内層４２の最上表面と外層４３との間の距離ｄ２は距離ｄ１より大きい。
図１０は本発明の一実施例に基づく発光モジュールを示す概略図である。発光モジュール４００は光源モジュール４０２、および光を射出することができる導光膜４０１を含む。光は光源モジュール４０２から導光膜４０１の側面へ発射される。光線は導光膜に入った後、一部の光は界面において反射され、かつ引き続き導光膜内に伝達されるが、一部の光は導光膜の外表面から離れる。導光膜４０１は湾曲可能である、かつ光源モジュール４０２から発射された光に対し透明である。導光膜４０１から射出された光は均一な発光強度を有する。導光膜４０１側の光強度変化は±２０％より小さく、例えば、±１０％である。導光膜４０１の対向側の光強度変化は±１０％より小さく、例えば、±５％である。光強度変化の定義について、上記発光モジュール１００の関連記載を参照することができる。導光膜４０１は重合体または酸化物によって作製されてもよい。重合体はシリコーン樹脂（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ）、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ、Ｓｕ８、アクリル樹脂、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）またはフッ化炭素化合物を含む。酸化物はＡｌ２Ｏ３、ＳＩＮＲ、Ｓｕ８またはＳＯＧを含む。治療期間において、キャリア１の外表面は直接または間接的に被治療エリア（または感光薬物）に接触する。一実施例において、キャリア１の材料はＧＨＳ（世界調和システム）分類及びＧＨＳ標識元素において示された有害物質または混合物を含まない。導光膜４０１は例えば皮膚アレルギー、皮膚腐食／刺激などの副作用を引き起こすのが少ない、または副作用を引き起こさない生物医学レベルの弾性体または生物医学レベルのシリコンゴムといった生物医学材料で作製されることが好ましい。別の実施例において、導光膜４０１は少なくとも一つの内層と少なくとも一つの外層を含む多層構造である。内層は外層より厚くてもよい。内層は重合体または酸化物から選ばれた材料であってもよい。外層は生物医学材料で作製される。
図１１Ａは図１０中に位置する光源モジュールを示す概略図である。光源モジュール４０２は筐体４０３、複数個のスイッチ４０４、及び筐体４０３中に位置する光源４０６を含む。筐体４０３は第一部分４０３１と第二部分４０３２を含む。光源４０６は第一部分４０３１中に位置し、かつキャリア（図示せず）上に設置された複数個の発光ユニット３を含む、光源構造について図１Ｃ〜１Ｄ、図３Ａ〜３Ｄまたは図８を参照することができる。第二部分は導光膜４０１と結合するための開口４０５を有する。図１１Ｂは図１０内に位置する導光膜を示し、導光膜４０１は可撓性及び／または延伸性を有する。発光ユニット３は導光膜４０１上に直接設置されない。光源モジュール４０２と導光膜４０１を組み立てた後、光源４０６から射出された光は開口４０５に向って射出され、かつ導光膜４０１中に進入し、伝達される。光源４０６は導光膜に直接接続されないため、発光ユニット３で生成された熱による衝撃が少なく、および／又は導光膜４０１まで伝達されるのが少ない。導光膜は比較的に低温度の最外表面を有し、長い治療期間内に、動物また人の被治療エリアが火傷することない。発光モジュール４００をもっと長い時間操作しても、導光膜は比較的に低温を保持できる。また、導光膜４０１はもっと柔らかく、かつ治療が必要なエリアに対し快適な触感を有してもよい。導光膜４０１の発光領域は発光ユニットの分布に制限されることなくかつ、治療が必要なエリアのサイズに基づいて導光膜４０１の長さを調整してもよい。導光膜４０１は使い捨てでも、または繰り返し使用してもよい。導光膜４０１が繰り返し使用可能である場合、一回使用した後／使用する前、導光膜４０１の外表面をアルコールまたは水で消毒及び／または清潔にすることができる。導光膜４０１は、一端に突出部を備えた接続部４０８を有する。拡大図が示すように、突出部は薄膜４１０の上表面と下表面から外へ延伸する。接続部４０８は導光膜４０１のその他の部分より厚い。別の実施例において、突出部は導光膜４０１の上表面または下表面のみから外へ延伸する。
筐体４０３は光源４０６から発生した熱を発散するために用いられ、かつ、放熱を促進するよう、導電材料及び／または絶縁材料の熱伝導材料によって作製されてもよい。別の実施例において、筐体４０３は放熱素子を含み、例えば、光源４０６に接続された放熱器であって、熱を外部環境に発散させる。スイッチ４０４は光源４０６を制御することができる。より詳しくは、スイッチ４０４は異なる治療に応じて、光源４０６の発光強度、発光主波長、及び／または発光ユニット３に提供する電流量を制御することができる。筐体４０３は光源電源を提供する別の制御モジュール（図示せず）に接続されてもよい。別の実施例において、制御モジュール（図示せず）は筐体４０３内に位置してもよい。
別の実施例において、スイッチ４０４を用いて導光膜４０１の発光面積を制御してもよい。図１２は本発明の一実施例に基づく発光モジュールの点灯概略図である。スイッチ４０４は複数個のサブスイッチ４０４１、４０４２を含み、かつ、導光膜４０１は複数個のサブ導光膜４０１１、４０１２を含む。サブスイッチを用いてサブ膜における光分布を制御することができる。例えば、サブスイッチ４０４２を用いてサブ導光膜４０１１を制御し、サブスイッチ４０４１を用いてサブ導光膜４０１２を制御してもよい。サブスイッチ４０４２がオンであり、かつサブスイッチ４０４１がオフである場合、サブ導光膜４０１１は点灯され、サブ導光膜４０１２は暗いまま光らない。サブ導光膜４０１１は光源４０６内の一部の発光ユニットに照らされる。サブ導光膜４０１２はサブ導光膜４０１１から漏れた一部の光を得ることもある。
図１３Ａ〜１３Ｂは発光モジュール４００の組立て概略図である。図１３Ａは導光膜４０１を筐体４０３から外した場合を示す概略図である。サイドカバー４０７は、筐体４０３の第二部分４０３２の一端から取り付けることが可能であり、また、導光膜４０１を取り外すために、筐体４０３から分離することもできる。突出部を有する導光膜の接続部は、導光膜４０１が開口４０５にスライドインした後、導光膜４０１を筐体４０３に固定することができる。図１３Ｂは、導光膜４０１が筐体４０３中に挿入された後、サイドカバー４０７を閉める場合の概略図である。別の実施例において、サイドカバーを用いず、締め具を用いて導光膜４０１を筐体中に固定してもよい。別の実施例において（図示せず）、導光膜４０１が筐体４０３と分離できないものであり、かつ筐体と一体成形された装置であってもよい。
図１４Ａ〜１４Ｂは本発明の一実施例に基づく導光膜４０１を示す断面概略図である。導光膜４０１は、複数個の突起微構造を有し、かつ導光膜４０１の下表面４０１５上に形成された光学構造４０１３を含む。別の実施例において、光学構造４０１３の微構造が凹形である。別の実施例において、光学構造４０１３の微構造の一部が凸形であり、別の一部が凹形である。光学構造４０１３は、熱圧法、注入成形法、または光散乱材料を含むインクを用いたスクリーン印刷によって形成することができる。光源４０６１が射出した光は光学構造４０１３によって屈折和散乱が発生し、かつ光が導光膜４０１中に伝達されて、外へ射出される。図１４Ａは導光膜４０１の両面から光線が射出されることを示した。光Ｌ１は導光膜４０１内に入った後、導光膜４０１の表面において光Ｌ２と光Ｌ３が発生する。導光膜の屈折率が空気と異なるため、光Ｌ２は屈折によって上表面４０１４から射出されるが、光Ｌ３は反射によって導光膜４０１内に向って進む。光Ｌ３が光学構造４０１３まで入射された時、光Ｌ３は散乱されて光Ｌ４が発生し、及び、反射によって光Ｌ５が発生する。光Ｌ４は導光膜４０１の下表面４０１５から射出されるが、光Ｌ５は導光膜４０１内に向って進む。従って、導光膜４０１は上表面４０１４と下表面４０１５から発光することができる。
一部の治療において、発光モジュールから射出された光を治療が必要なエリアのみに照射する必要があり、人体または動物の反対方向へ射出させる必要がなく、これにより、治療対象の目、例えば動物または人の目に光が照射されることを回避できる。図１４Ｂは導光膜４０１が上表面４０１４のみへ発光することを示す。反射層９は導光膜４０１の下表面４０１５上に形成されている。反射層９は反射材料で作製することができる。例えば、ペースト剤内に白色顔料などが含まれる。反射材料は銀（Ａｇ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、鉛白及び酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）であってもよい。反射層９は堆積、塗布、スクリーン印刷などの方法によって導光膜４０１の背面に形成される。
図１５Ａ〜１５Ｂは本発明の導光膜４０１を示す上面図である。光は光学構造４０１３を有する位置において散乱されるため、導光膜から射出された光を光学構造４０１３が備えられた位置に集中させてもよい。光学構造４０１３の分布密度は光源４０１６から離れる方向に従って増加する。そのため、導光膜４０１の発光表面は均一な発光強度を有することができる。詳しく言うと、導光膜４０１の発光表面は離間エリア及び接近エリアを有する。離間エリアとは光源４０６１から比較的に遠いエリアを意味し、接近エリアとは光源４０６１から比較的に近いエリアを意味する。光源４０６１が提供する光強度は、光源４０６１から離れる方向に従って逓減する。そのため、光学構造４０１３の分布密度は、光源４０６１から離れる方向に従って逓増してもよい。光学構造４０１３の比較的に高い分布密度によって、離間エリアの発光強度を高めることができる。これにより、離間エリアの発光強度を接近エリアの発光強度に近づけることができる。従って、導光膜４０１の発光面が均一な発光強度を有することができる。図１５Ａ〜１５Ｂが示すように、光学構造４０１３は複数個の微構造を含む。光学構造４０１３の微構造の間隔を調整することによって、光学構造４０１３の分布密度を制御することができる。隣接する微構造の間隔を調整することによって、光学構造４０１３の分布密度を制御することができる。図１５Ａは、光学構造が光源４０６１から離れる方向に従って、隣接する微構造の間隔が逓減することを示した。また、微構造のサイズを調整することによって、光学構造の分布密度を制御してもよい。図１５Ｂが示すように、光学構造４０１３の微構造のサイズは、光学構造４０１３が光源４０６１から離れる方向に従って逓増する。別の実施例において、光学構造４０１３の間隔とサイズを合わせることによって、分布密度を調整してもよい。パターンの形状は特定の形状に限定されず、例えば円形、三角形、矩形、プリズム形、湾曲輪郭、多角形、またはこれらの組み合わせであってもよい。
図１６は発光モジュール４００を治療に用いる例を示している。導光膜４０１を治療が必要なエリア、例えば人の腕に巻き付けて、治療を行う。導光膜４０１はリングフックできつく巻き付けられ、または粘着性を有する感光薬物によって治療が必要なエリアに貼り付けられる。発光モジュールは軽量でサイズが小さいため、人または動物などの治療対象は治療過程において自由に活動することができる。
なお、本発明の上記各実施例は、適切な状況において互いに組み合わせ、または代替えすることが可能であり、ここで記載された特定の実施例に限定されない。本発明が例示した各実施例は本発明を説明することが目的であり、本発明の範囲を制限するものではない。何人も本発明に対し行ったわかり易い修正または変更は本発明の趣旨範囲に属する。
１０００ 発光システム
１ キャリア
１１ 発光部分
１２ 延伸部分
３、３１０、３２０、３３０ 発光ユニット
４ 保護層
５ 接続構造
６ 導線
１００、３００、４００ 発光モジュール
２００ 制御モジュール
４１ 外表面
４２ 内層
４３ 外層
８ 支持基板
７ 電子素子
９ 反射層
１０ 指
３１、３２ 電極
３５、３１９２、３２５２、３３５２ 活性積層
１３ ボンディングワイヤ
１４ 導電パッド
３３、３１３、３２３、３３３ 基板
３１９、３２５、３３５ 発光積層
３１９１、３２５１、３３５１ 第一導電型半導体層
３１９３、３２５３、３３５３ 第二導電型半導体層
３１８ 窓層
３１７ 非酸化物絶縁層
３１６ 透明導電構造
３１５ 反射構造
３１４、３２４、３３４ 導電接着層
３１９５、３２６、３３６ 不活性化層
３１９４ 上出光表面
３１９６、３２５４、３２７ 最外側表面
３１２、３２１、３３１ 第一電極
３１１、３２２、３３２ 第二電極
３１２２、３２２２、３２２３、３２１２、３２１３、３３１３ 延伸部
３２１４ 電気接触層
３３１１ 第一電気接触層
３３２１ 第二電気接触層
３１２１、３２１１、３２２１ 電流入力部
３１２３ 突出部
３２７１、３３８１ 第一角部
３２７２、３３８２ 第二角部
３２７３ 第三角部
３２７４ 第四角部
３２４１、３３４１ 拡散表面
３３７１ 第一端
３３７２ 第二端
３３１２ 第一導電接続層
３３２２ 第二導電接続層
３３５１１、４０１４ 上表面
２ ペースト剤
２１ 導電粒子
２２ 絶縁材料
２３ 導通領域
２４ 非導通領域
２５ 最外表面
３４ 側表面
４０１ 導光膜
４０１１、４０１２ サブ導光膜
４０２ 光源モジュール
４０３ 筐体
４０３１ 第一部分
４０３２ 第二部分
４０４ スイッチ
４０４１、４０４２ サブスイッチ
４０５ 開口
４０６、４０６１ 光源
４０７ サイドカバー
４０８ 接続部
４０１３ 光学構造
４０１５ 下表面

Claims (10)

  1. 発光モジュールであって、
    発光部分及び延伸部分を有するキャリアと、
    前記発光部分に設置された複数個の発光ユニットと、
    前記複数個の発光ユニット及び前記発光部分を被覆する保護層とを含み、
    前記保護層が前記延伸部分を露出させる発光モジュール。
  2. 前記延伸部分は前記発光部分より大きい長さを有する、請求項１に記載の発光モジュール。
  3. 前記保護層は生物医学レベルの弾性体または生物医学レベルのシリコンゴムを含む、請求項１に記載の発光モジュール。
  4. 発光モジュールであって、
    上表面を有するキャリアと、
    前記上表面に設置された第一発光ユニット及び第二発光ユニットと、
    第一内層、第二内層及び外層を有する保護層とを含み、
    前記第一内層は前記第一発光ユニットを被覆し、前記第二内層は前記第一内層と分離しており、かつ前記第二発光ユニットを被覆し、前記外層は前記第一内層と前記第二内層を連続的に被覆し、
    前記第一内層と前記第二内層は、前記外層の反射係数より大きい反射係数を有する発光モジュール。
  5. 前記第一内層がドーム状の外形を有する、請求項４に記載の発光モジュール。
  6. 前記第一内層が前記外層より硬い、請求項４に記載の発光モジュール。
  7. 前記外層が生物医学レベルの弾性体または生物医学レベルのシリコンゴムを含む、請求項４に記載の発光モジュール。
  8. 発光モジュールであって、
    可撓性を有し、かつ上表面と側表面を含む導光膜と、
    前記側表面に向って光線を射出する光源モジュールとを含み、
    前記光線は前記上表面から離れることが可能であり、
    前記上表面は±２０％より小さい光強度変化量を有する、発光モジュール。
  9. 前記導光膜は生物医学レベルの弾性体または生物医学レベルのシリコンゴムを含み、請求項８に記載の発光モジュール。
  10. 光源モジュール内に複数個の発光ユニットが設置されている、請求項８に記載の発光モジュール。
JP2017181715A 2016-09-21 2017-09-21 治療に使用可能な発光モジュール Active JP6847798B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662397526P 2016-09-21 2016-09-21
US62/397,526 2016-09-21
US15/709,118 2017-09-19
US15/709,118 US10596388B2 (en) 2016-09-21 2017-09-19 Therapeutic light-emitting module

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018050046A true JP2018050046A (ja) 2018-03-29
JP2018050046A5 JP2018050046A5 (ja) 2020-11-12
JP6847798B2 JP6847798B2 (ja) 2021-03-24

Family

ID=60262665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017181715A Active JP6847798B2 (ja) 2016-09-21 2017-09-21 治療に使用可能な発光モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10596388B2 (ja)
EP (2) EP3299063B1 (ja)
JP (1) JP6847798B2 (ja)
CN (1) CN107863435B (ja)
TW (1) TWI730177B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019220502A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10596388B2 (en) * 2016-09-21 2020-03-24 Epistar Corporation Therapeutic light-emitting module
US11648079B2 (en) * 2017-03-01 2023-05-16 Dignity Health Apparatus and methods for surgical lighting
EP3505047A1 (en) * 2017-12-27 2019-07-03 Koninklijke Philips N.V. Device for imaging skin
KR102201820B1 (ko) * 2019-01-30 2021-01-12 주식회사 창성시트 디스플레이 기판
TWI695168B (zh) * 2019-05-22 2020-06-01 長庚大學 氣體感測裝置及其製作方法
US10971650B2 (en) * 2019-07-29 2021-04-06 Lextar Electronics Corporation Light emitting device
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
CN113975654B (zh) * 2021-12-09 2024-02-06 固安翌光科技有限公司 一种长度可调的环状光疗装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002065875A (ja) * 2000-03-23 2002-03-05 Photo Therapeutics Ltd 治療光源および方法
JP2005339879A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Olympus Corp 照明素子、照明ユニット及び撮像装置
US20070208395A1 (en) * 2005-10-05 2007-09-06 Leclerc Norbert H Phototherapy Device and Method of Providing Phototherapy to a Body Surface
US20070233208A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Eastman Kodak Company Light therapy bandage with imbedded emitters
US20120116485A1 (en) * 2008-02-21 2012-05-10 Medx Health Corp. Phototherapy device for illuminating the periphery of a wound and phototherapy system incorporating the same
WO2015190335A1 (ja) * 2014-06-11 2015-12-17 コニカミノルタ株式会社 光治療装置
JP2016528745A (ja) * 2013-08-23 2016-09-15 モレックス エルエルシー Ｌｅｄモジュール
JP2017200514A (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 国立大学法人名古屋大学 治療器

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5358503A (en) * 1994-01-25 1994-10-25 Bertwell Dale E Photo-thermal therapeutic device and method
US5800478A (en) * 1996-03-07 1998-09-01 Light Sciences Limited Partnership Flexible microcircuits for internal light therapy
EP1009483B1 (en) * 1997-08-25 2005-12-21 Advanced Photodynamic Technologies, Inc. Treatment device for topical photodynamic therapy
RU2145247C1 (ru) * 1998-04-10 2000-02-10 Жаров Владимир Павлович Фотоматричное терапевтическое устройство для лечения протяженных патологий
US7947033B2 (en) * 1999-04-06 2011-05-24 Kci Licensing Inc. Systems and methods for detection of wound fluid blood and application of phototherapy in conjunction with reduced pressure wound treatment system
US6290713B1 (en) * 1999-08-24 2001-09-18 Thomas A. Russell Flexible illuminators for phototherapy
US6331111B1 (en) * 1999-09-24 2001-12-18 Cao Group, Inc. Curing light system useful for curing light activated composite materials
EP1263383B1 (en) * 2000-02-18 2004-05-12 Angelo Dotta Sealed package for adhesive wound dressing
US7144729B2 (en) * 2000-09-01 2006-12-05 Dfb Pharmaceuticals, Inc. Methods and compositions for tissue regeneration
US7081128B2 (en) * 2002-03-04 2006-07-25 Hart Barry M Phototherapy device and method of use
US7195605B1 (en) * 2002-06-03 2007-03-27 White Christopher H Simple dynamic orthosis
US20070219605A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Palomar Medical Technologies, Inc. Treatment of tissue volume with radiant energy
WO2004052238A2 (en) * 2002-12-10 2004-06-24 University Of Florida Phototherapy bandage
GB0408492D0 (en) * 2004-04-16 2004-05-19 Univ Strathclyde Performance measurement of wound dressings
US20050254226A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Casio Computer Co., Ltd. Ornament device, display device and electronic apparatus
US20060089685A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Healthshine Inc. Chemiluminescent phototherapy device
CN1799657A (zh) * 2004-12-31 2006-07-12 财团法人工业技术研究院 光治疗装置
US20060173514A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Advanced Photodynamic Technologies, Inc. Wound treatment device for photodynamic therapy and method of using same
JP4354418B2 (ja) * 2005-02-18 2009-10-28 パナソニック株式会社 光線治療器
US20060217787A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Eastman Kodak Company Light therapy device
JP2007279020A (ja) * 2006-03-13 2007-10-25 Citizen Holdings Co Ltd 装着型電子機器および装着型電子機器を用いた生体測定装置
US20070239232A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Eastman Kodak Company Light guide based light therapy device
HRP20060149B1 (en) * 2006-04-19 2008-11-30 Institut "Ruđer Bošković" Intelligent sequential illuminator photodynamic therapy
TWI287462B (en) * 2006-04-25 2007-10-01 Ind Tech Res Inst Phototherapy treatment system
US20080058907A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Reuben David I Self Sanitizing Bandage with Built-In Ultraviolet LED
US7791481B2 (en) * 2007-01-22 2010-09-07 Tc License Ltd. Light activated RFID tag
US20080215020A1 (en) * 2007-01-22 2008-09-04 Reeves William H Apparatuses and methods for healing wounds
WO2008131343A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-30 Mergenet Medical, Inc. Temporal control in phototherapy
US20090031588A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Reuben David I Antifungal Shoe with Built-In Ultraviolet LEDs and Solar Cell
US20090105791A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-23 Mcginnis William J Light emitting medical garment device, kit and method of using
US20090209896A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-20 Selevan James R Method and apparatus for time-dependent and temperature-dependent clinical alert
US8760295B2 (en) * 2008-12-19 2014-06-24 Avery Dennison Corporation Apparatus and methods for treating a wound
US20100179469A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-15 Plextronics, Inc. Organic Light Emitting Diode Phototherapy Lighting System
WO2010123592A2 (en) * 2009-01-14 2010-10-28 Research Foundation Of The City University Of New York Flexible microcavities through spin coating
US20110288389A9 (en) * 2009-03-02 2011-11-24 Seventh Sense Biosystems, Inc. Oxygen sensor
BRMU8901002Y8 (pt) * 2009-06-15 2021-06-22 Medecell Do Brasil Comercio E Imp Ltda disposição construtiva para uma bandagem portadora de um dispositivo estimulador de nervos transcutâneo elétrico
US20110112490A1 (en) * 2009-07-14 2011-05-12 Vogel David C Releasably Sealable Wound Dressing for NPWT
US20110084612A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 General Led, Inc., A Delaware Corporation Hybrid chip-on-heatsink device and methods
CN201719704U (zh) * 2009-12-03 2011-01-26 财团法人工业技术研究院 光治疗装置
WO2011082420A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 John Stephan Illuminatable apparatus and method of manufacturing same
JP2011151268A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
EP2422844A1 (en) * 2010-08-24 2012-02-29 Polyphotonix Limited Wearable phototherapy device
US8198109B2 (en) * 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
CN202839730U (zh) * 2010-12-28 2013-03-27 松下电器产业株式会社 发光装置、发光模块及灯
US9831220B2 (en) * 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
CN102716551B (zh) * 2011-03-29 2016-04-13 顾瑛 Led平面透明软基适形光疗体
WO2012137475A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 パナソニック株式会社 光治療装置
WO2012162503A1 (en) * 2011-05-26 2012-11-29 Rogers Scientific, Inc. Continuous low irradiance photodynamic therapy illumination system
KR20130022595A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 서울옵토디바이스주식회사 고전류 구동용 발광 소자
US10022554B2 (en) * 2013-03-15 2018-07-17 Johnson & Johnson Consumer Inc. Light therapy bandage system
US20130103123A1 (en) * 2011-10-14 2013-04-25 Sazzadur Rahman Khan Light-Emitting Devices for Wound Healing
TWI472814B (zh) * 2011-10-21 2015-02-11 Ind Tech Res Inst 導光模組
US9170002B2 (en) * 2012-01-05 2015-10-27 Molex, Llc Holder and LED module using same
FR2986156B1 (fr) * 2012-01-30 2014-07-04 Rhenovia Pharma Dispositif transdermique pour l'administration controlee a un patient d'au moins un principe actif
AU2013234034B2 (en) * 2012-03-12 2017-03-30 Smith & Nephew Plc Reduced pressure apparatus and methods
US9084530B2 (en) * 2012-04-12 2015-07-21 Elwha Llc Computational methods and systems for reporting information regarding appurtenances to wound dressings
JP6082532B2 (ja) * 2012-06-01 2017-02-15 アトムメディカル株式会社 光線治療器
US10321873B2 (en) * 2013-09-17 2019-06-18 Medibotics Llc Smart clothing for ambulatory human motion capture
EP2863992A2 (en) 2012-06-21 2015-04-29 Koninklijke Philips N.V. Phototherapy gel pack
DE102012214182A1 (de) * 2012-08-09 2014-03-06 Paul Hartmann Ag Anschlussvorrichtung zur Verwendung bei der Unterdrucktherapie von Wunden
JP2014146661A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Panasonic Corp 発光モジュール、照明装置および照明器具
CN105228696B (zh) * 2013-03-15 2018-04-10 纳米技术有限公司 用于波长特定的光疗法的医用装置
US20150018742A1 (en) * 2013-07-10 2015-01-15 John Adam Baumgartner Self-securing medical device and method
DK3019131T3 (en) * 2013-07-12 2018-04-09 Straxfix Tech Aps Curing initiation lamp and its use
US9901366B2 (en) * 2013-07-27 2018-02-27 Lawrence A. Colby Systems and methods for enhancing the visibility of medical items
WO2015015301A2 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Palama Ilaria El Cancer therapy with silver nanoparticles
CN105979975B (zh) * 2013-11-07 2020-01-21 Bsn医疗有限公司 医疗敷料
US9370449B2 (en) * 2014-02-26 2016-06-21 Luma Therapeutics, Inc. Phototherapy dressing for treating psoriasis
US20160016001A1 (en) * 2014-02-28 2016-01-21 Klox Technologies Inc. Phototherapeutic device, method and use
CN103861214B (zh) * 2014-03-01 2016-04-13 上海边光实业有限公司 Led面膜制造方法及led面膜
KR101532557B1 (ko) * 2014-05-09 2015-06-30 부경대학교 산학협력단 하이브리드 센서를 가지는 ＬＥＤ ｃｈｉｐ과 그 제작방법
US20160015962A1 (en) * 2014-07-16 2016-01-21 Mehdi Shokoueinejad Maragheh Smart Patch For Wound Management
CN107073281B (zh) * 2014-10-28 2020-01-21 首尔伟傲世有限公司 用于uv杀菌的柔性制品
JP2016096955A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 セイコーエプソン株式会社 生体情報測定機器
US20160166448A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Pablo Laje Adhesive absorptive skin pad
DE102015100744B4 (de) * 2015-01-20 2019-09-05 Atmos Medizintechnik Gmbh & Co. Kg Wundverband und Verwendung eines Wundverbands
JP6462108B2 (ja) * 2015-02-26 2019-01-30 シャープ株式会社 光照射用基板および光照射装置
WO2016136345A1 (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 シャープ株式会社 光照射用基板
WO2016136349A1 (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 シャープ株式会社 光照射装置
US9437628B1 (en) * 2015-05-12 2016-09-06 Wisconsin Alumni Research Foundation Biodegradable microwave electronic devices
EP3305335A4 (en) * 2015-05-29 2019-01-23 Chen, Shirley X. MULTIFUNCTIONALLY COMPOSED WOUND OR SKIN WOUND AS A REGENERATIVE SKIN SUBSTITUTE
US20160346565A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-01 Nathaniel L.R. Rhodes Methods and apparatus to deliver therapeutic non-ultraviolet electromagnetic radiation to a body surface
EP3117807A1 (en) * 2015-07-16 2017-01-18 Carag AG Multifunctional wound treatment dressing
US10646144B2 (en) * 2015-12-07 2020-05-12 Marcelo Malini Lamego Wireless, disposable, extended use pulse oximeter apparatus and methods
CA3013781A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-17 Circuit Therapeutics, Inc. System and method to modulate pain and itch through cutaneous transfer of genetic information
CN109310527A (zh) * 2016-02-09 2019-02-05 鲁玛治疗公司 用于通过光疗法来治疗牛皮癣的方法、组合物和设备
US10044085B2 (en) * 2016-04-14 2018-08-07 Wisconsin Alumni Research Foundation Stretchable transmission lines and circuits for microwave and millimeter wave frequency wearable electronics
US10252043B2 (en) * 2016-04-21 2019-04-09 Mayo Foundation For Medical Education And Research Vaccination delivery system and method
WO2018030695A1 (ko) * 2016-08-11 2018-02-15 주식회사 루멘스 엘이디 모듈 및 그 제조방법
US20180043043A1 (en) * 2016-08-12 2018-02-15 Donald Spector Bandage having a compact led insert
JP2018032748A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、照明装置及び発光装置の製造方法
US20180056087A1 (en) * 2016-08-26 2018-03-01 Adolfo Ribeiro Wearable Micro-LED Healing Bandage
US10596388B2 (en) * 2016-09-21 2020-03-24 Epistar Corporation Therapeutic light-emitting module
US20180161211A1 (en) * 2016-12-13 2018-06-14 Samuel Beckey Layered Therapy Bandage

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002065875A (ja) * 2000-03-23 2002-03-05 Photo Therapeutics Ltd 治療光源および方法
JP2005339879A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Olympus Corp 照明素子、照明ユニット及び撮像装置
US20070208395A1 (en) * 2005-10-05 2007-09-06 Leclerc Norbert H Phototherapy Device and Method of Providing Phototherapy to a Body Surface
US20070233208A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Eastman Kodak Company Light therapy bandage with imbedded emitters
US20120116485A1 (en) * 2008-02-21 2012-05-10 Medx Health Corp. Phototherapy device for illuminating the periphery of a wound and phototherapy system incorporating the same
JP2016528745A (ja) * 2013-08-23 2016-09-15 モレックス エルエルシー Ｌｅｄモジュール
WO2015190335A1 (ja) * 2014-06-11 2015-12-17 コニカミノルタ株式会社 光治療装置
JP2017200514A (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 国立大学法人名古屋大学 治療器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019220502A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
JP7273280B2 (ja) 2018-06-15 2023-05-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10864381B2 (en) 2020-12-15
US20180078782A1 (en) 2018-03-22
US10596388B2 (en) 2020-03-24
EP4309729A3 (en) 2024-04-03
JP6847798B2 (ja) 2021-03-24
CN107863435B (zh) 2021-06-08
TWI730177B (zh) 2021-06-11
TW201813578A (zh) 2018-04-16
EP4309729A2 (en) 2024-01-24
EP3299063A1 (en) 2018-03-28
CN107863435A (zh) 2018-03-30
EP3299063B1 (en) 2024-01-10
US20200197719A1 (en) 2020-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6847798B2 (ja) 治療に使用可能な発光モジュール
JP2018050046A5 (ja)
CN108899409B (zh) 发光装置
KR102285786B1 (ko) 반도체 발광 소자
TWI267211B (en) Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
JP6324690B2 (ja) 紫外線発光素子
JP6085555B2 (ja) 丸みを帯びた正方形レンズを具備するｌｅｄパッケージ
JP5047162B2 (ja) 発光装置
JP6529223B2 (ja) 光電部品
TW201126767A (en) Light emitting device package and light unit having the same
CN109065695A (zh) 发光元件
TW201618341A (zh) 發光二極體元件
US20170345983A1 (en) Light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the same
WO2014118835A1 (ja) 紫外線発光装置
WO2016047133A1 (ja) 発光モジュール
TWI414090B (zh) 發光二極體光源
TW201743472A (zh) 發光元件
JP2017034231A (ja) 発光素子及びそれを用いた発光装置
TWI688128B (zh) 發光二極體晶片級封裝結構及直下式背光模組
JP2006013198A (ja) 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
TW201230415A (en) Light-emitting device
RU151161U1 (ru) Источник белого света и светильник, содержащий такой источник
TW201427083A (zh) 發光裝置
CN108573991A (zh) 显示装置的制造方法
TWI644453B (zh) 發光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200923

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200923

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200923

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20201001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210303

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6847798

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250