TW201618341A - 發光二極體元件 - Google Patents
發光二極體元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201618341A TW201618341A TW104137436A TW104137436A TW201618341A TW 201618341 A TW201618341 A TW 201618341A TW 104137436 A TW104137436 A TW 104137436A TW 104137436 A TW104137436 A TW 104137436A TW 201618341 A TW201618341 A TW 201618341A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- light
- emitting element
- wire pad
- emitting
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Polyethylene Terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJMXTYZCTXTFJM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetraethoxydecane Chemical compound C(C)OC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC WJMXTYZCTXTFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種發光元件，包含：一基板；一第一發光疊層位於基板上，包含一三角形上表面，與基板平行且具有三個邊及三個頂點；一第一電極位於第一發光疊層上，且位於鄰近三角形上表面三個邊中之一第一邊；以及一第二電極位於第一發光疊層上，包含：一第二電極打線墊位於鄰近三個頂點中之一第一頂點；以及一第二電極延伸部，自第二電極打線墊往兩方向延伸，沿三角形上表面之另兩個邊設置以圍繞第一電極，並停在第一邊上以形成一開口部。
Description
本發明係關於一種發光元件，更詳言之，係關於一種具有改善亮度之發光元件。
固態發光元件中的發光二極體(LEDs)具有具低耗電量、低產熱、壽命長、耐摔、體積小、反應速度快以及良好光電特性，例如具有穩定的發光波長等特性，故已被廣泛的應用於家用裝置、指示燈及光電產品等。隨著光電技術的發展，固態發光元件在發光效率、操作壽命以及亮度方面有相當大的進步，發光二極體被預期成為未來照明裝置的主流。
習知的發光二極體包含一基板、n型半導體層、活性層及p型半導體層形成於基板上、以及分別形成於p型/n型半導體層上的p /n電極。當透過電極對發光二極體輸入一特定值的順向偏壓時，來自p型半導體層的電洞及來自n型半導體層的電子在活性層內結合以放出光。然而，這些電極會遮蔽活性層所發出的光，且電流易集聚壅塞在電極附近的半導體層內。因此，對於改善發光二極體之亮度、光場均勻性及降低操作電壓，一優化的電極結構乃是必要的。
此外，習知的發光二極體為方形，其基板的側壁形成四個九十度的內角。由於這種發光二極體的形狀，會容易在這種方形的發光二極體中產生內部全反射，以致於光不易從發光二極體中導出，導致光萃取及亮度皆惡化。
本發明提供一種發光元件，包含：一基板；一第一發光疊層位於基板上，包含：一三角形上表面，與基板平行且具有三個邊及三個頂點；一第一電極位於第一發光疊層上，且位於鄰近三角形上表面三個邊中之一第一邊；以及一第二電極位於第一發光疊層上，包含：一第二電極打線墊位於鄰近三個頂點中之一第一頂點；以及一第二電極延伸部，自第二電極打線墊往兩方向延伸，沿三角形上表面之另兩個邊設置以圍繞第一電極，並停在第一邊上以形成一開口部。
本發明提供另一種發光元件，包含：一基板；一發光疊層位於基板上，包含：一三角形上表面，與基板平行且具有三個邊及三個頂點；一第一電極位於發光疊層上，且位於三角形上表面之一內切圓內；以及一第二電極位於發光疊層上，包含：一第二電極打線墊位於鄰近三個頂點中之一第一頂點；以及一第二電極延伸部，自第二電極打線墊延伸且沿三角形上表面之三個邊設置，以形成一封閉迴圈圍繞第一電極。
本發明之實施例會被詳細地描述，並且繪製於圖式中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各圖式以及說明出現。
第1A圖為依據本發明之一實施例發光元件1之上視圖。第1B圖為第1A圖中發光元件1沿A-A’線之截面圖。如第1A圖及第1B圖所示，發光元件1包含一基板101以及一發光疊層10設置於基板101上。發光疊層10包含一第一導電型半導體層12(例如為n型半導體層)、一活性層14以及一第二導電型半導體層16(例如為p型半導體層)依序形成於基板101之一表面。一透明導電層18形成於p型半導體層16上，一第一電極20形成於n型半導體12上，以及一包含第二打線墊301及第二延伸電極302的第二電極302形成於p型半導體層16上。一電流阻障層50包含一第一區501以及一第二區502分別形成於第二打線墊301及第二延伸電極302之下，且電流阻障層50與第二電極30具有相似的形狀。一用以保護發光疊層10的保護層52覆蓋發光元件1之上表面與第二延伸電極302，且暴露第一電極20及第二打線墊301。一反射層11設置於基板101相對於發光疊層10之一面，用以反射發光疊層10所發出的光。反射層11可以是金屬，也可以是布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector, DBR)，包含至少兩種以上折射率不同之材料交互堆疊形成。布拉格反射鏡可為絕緣材料或導電材料。反射層11也可以是由介電層與金屬層所組成之全方向反射鏡(omnidirectional reflector, ODR)。介電層可為絕緣材料或導電材料，絕緣材料包含但不限於聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、SU8、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鎂(MgO)、氧化矽(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氮化矽(SiNx)、旋塗玻璃(SOG)或四乙氧基矽烷(TEOS)。導電材料包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)或氧化銦鋅(IZO)。金屬層包含但不限於鋁、銀、金或銠。
n型半導體層12、活性層14以及p型半導體層16的材料可包含一或多種選自於鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)或硒(Se)之元素。於本實施例中，半導體材料包含氮化鎵(GaN)系列材料。p型半導體層16的材料包含Alx1
Gay1
In(1-x1-y1)
N (0≦x1, y1≦1)，n型半導體層12的材料包含Alx2
Gay2
In(1-x2-y2)
N (0≦x2, y2≦1)，活性層14的材料包含Alx3
Gay3
In(1-x3-y3)
N (0≦x3, y3≦1)。活性層14包含可發出波長介於450nm至490nm的藍光之氮化銦鎵(InGaN)系列材料，亦可包含可發出波長介於250nm至400nm的UV光之氮化鋁鎵(AlGaN)系列材料。於另一實施例中，p型半導體層16可具有粗化的上表面，以抑制內部全反射並增進發光元件之發光效率。此外，活性層14可發出一或多種顏色的光，這些光可為可見光(例如藍光或綠光)或不可見光(例如UVA、UVB或UVC)。活性層14之結構可為單異質結構(single heterostructure; SH)、雙異質結構(double heterostructure; DH)、雙面雙異質結構(double-side double heterostructure; DDH)、多重量子井(multi-quantum well; MQW)或量子點(quantum dot)。透明導電層18可增進半導體層與第二電極30間的電性接觸以及電流散佈，且其對於發光疊層10所發出的光為透明。透明導電層18的材料為導電材料，包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化錫銻(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅鎵(GZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、氮化磷(GaP)或氧化銦鋅(IZO)。基板101可支撐設置於其上方的發光疊層10與其他層別或其他結構，基板101可為透明基板或導電基板。透明基板之材料包含但不限於藍寶石、鑽石、玻璃、環氧樹脂(epoxy)、石英、壓克力、氧化鋁(Al2
O3
)、氧化鎵(Ga2
O3
)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)或磷化鎵(GaP)等；導電基板之材料包含但不限於銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎳(Ni)、鈷(Co)、銅鎢合金(CuW)、類鑽碳(diamond like Carbon; DLC)、石墨烯(Graphite)、碳纖維(Carbon fiber)、金屬基複合材料(metal matrix composite; MMC)、陶瓷複合材料(ceramic matrix composite; CMC)、金屬基印刷電路板(MCPCB)、矽(Si)、鍺(Ge)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化銦(InP)、氧化鎵(Ga2
O3
)、氧化鎵酸鋰(LiGaO2
)或氧化鋁酸鋰(LiAlO2
)。在這些材料中，藍寶石、砷化鎵、碳化矽、氮化鋁、氮化鎵、氧化鎵、鑽石、鍺及矽可做為成長基板。基板101可選擇性地具有圖案化的上表面，以改善磊晶品質以及經由其散射發光疊層10所發出的光以增加光摘出。
如第1A及第1B圖所示，發光元件1具有三角形基板101及發光疊層10形成於其上方，因此發光元件1具有三角形上表面。相較於傳統方形基板，三角形基板和在側面的光萃取具有較高的效率。三角形包含了第一邊80a、第二邊80b及第三邊80c。在三角形的內部區域或中心區域，部份的p型半導體層16及活性層14被蝕刻掉，以暴露出部份的n型半導體層12。第一電極20形成於暴露出的n型半導體層12上，並與n型半導體層12電性連接。由上視觀之，第一電極20位於三角形的內部區域或中心區域，於一實施例中，中心區域係指位於三角形內切圓內的區域。於本實施例中，三角形係為一正三角形且第一電極20位於三角形的幾何中心。然而，本發明之實施方式並不限於正三角形，任何本申請案所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本申請案之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。第二電極30之第二打線墊301位於鄰近三角形之一頂點60a，第二延伸電極302延伸自第二打線墊301。第二延伸電極302沿著三角形的邊80a-80c設置並與邊80a-80c平行，以環繞第一電極20。由第二打線墊301及第二延伸電極302散佈之電流可從各方向流入第一電極20，因此，電流散佈更為均勻，發光元件1之電流傳導率及發光效率可被提升。於本實施例中，第二延伸電極302形成一封閉結構以包圍第一電極20於其中。於一實施例中，第二延伸電極302與第一電極20之間距介於80μm至150μm，第二打線墊301之形狀可為圓形或多邊形。
第1C圖為依據本發明另一實施例之發光元件1’上視圖，發光元件1’之截面結構與第1B圖所述之發光元件1類似，其差別在於，在第1C圖中，第二電極30包含複數個第二打線墊301a、301b及301c分別位於鄰近三角形之頂點60a、60b及60c，且第二打線墊301a、301b、301c及第二延伸電極302圍住第一電極20。第一電極20與第二打線墊301a、301b及301c用以接收外部電流以驅動發光件1’。當此三個第二打線墊301a、301b及301c位於鄰近三個頂點60a、60b及60c，電極的配置為對稱。此外，由於外部電流分別經由複數個第二打線墊301a、301b及301c流進發光件1’，可降低發光元件1’之順向電壓且電流散佈更為均勻。然而，第二打線墊之數量並不限於三個。第1D圖為依據本發明另一實施例之發光元件1”上視圖，如第1D圖所示，位於鄰近兩頂點60a及60c之兩個第二打線墊301a及301c亦可被採用。
第2A圖為依據本發明另一實施例之發光元件2之上視圖。第2A圖中發光元件2之結構與第1A至第1C圖中所述之結構類似。其差別在於，在第2A圖中，第一電極20包含第一打線墊201以及自第一打線墊201朝向三角形頂點60a、60b及60c直線延伸的複數個第一延伸電極202。意即，第一延伸電極202以一輻射狀設置，第二電極30圍繞第一電極20。第2B圖為依據本發明另一實施例之發光元件2’之上視圖。第2B圖中發光元件2’之結構與第2A圖中所述之發光元件2類似。如第2B圖所示，發光元件2’包含三個鄰近於三角形各頂點60a-60c且設置於p型半導體層16上之第二打線墊301a、301b及301c。意即，各第一延伸電極202分別往鄰近各頂點60a-60c之第二打線墊301a-301c延伸。第二延伸電極302邊緣與p型半導體層16邊緣之間距D1較佳地不超過100μm，如此一來，電流可藉由透明導電層18擴散至p型半導體層16的邊緣。第一延伸電極202之末端與相鄰之第二打線墊301b邊緣之間距D2介於80μm至150μm，第一延伸電極202與兩相鄰第二延伸電極之間距D3實質上為相同。更詳言之，第一延伸電極202之末端與相鄰第二延伸電極302邊緣之最短距離D3約為60µm至120µm。第2C圖為依據本發明另一實施例之發光元件2”之上視圖，發光元件2”之截面結構與第1A-1C圖中所述之發光元件類似。參照第2C圖，由上視圖觀之，第一延伸電極202自第一打線墊201朝三角形的三個邊80a-80c延伸。也就是第一延伸電極202分別朝著垂直於位在三角形各邊80a-80c上的第二延伸電極302之方向延伸，然而，在上述之實施例中，發光元件2”亦可採用具有兩個或三個分別鄰近於三角形頂點60之第二打線墊301的。
第3A至第3C圖分別為依據本發明另一些實施例之發光元件3、3’及3”之上視圖。第3A至第3C圖中發光元件3、3’及3”之結構與第2A及第2B圖中所述之結構類似，差別在於，在第3A至第3C圖中，第二延伸電極302另包含複數個朝向三角形中心區域延伸之第一分支303。參照第3A圖，各第一分支303大致上自各邊上之第二延伸電極302之中點往三角形中心區域的第一打線墊201延伸，各第一分支303位於任兩個第一延伸電極202之間。參照第3B圖，複數個第一分支303自各邊上之第二延伸電極302往三角形中心區域延伸。第一分支303位於每兩個第一延伸電極202之間。在第3C圖中，發光元件3”更包含複數個鄰近頂點60突出於第二電極30之第二分支304，第二分支304自第二延伸電極302之彎曲部及/或第二打線墊301延伸出，並朝向各頂點60a-60c。第一分支303自第二延伸電極302朝向三角形的中心區域及三個邊80a-80c延伸。於本實施例中，第一分支303的端點位於兩相鄰第一延伸電極202之兩端點的連線外不與連線相交，或是位於連線上，更詳言之，第一分支303與第一延伸電極302係為交錯設置。於另一實施例中，如前述第3A至3C圖中發光元件的第一分支303可具有較長的長度，使第一分支302與第一延伸電極202形成指叉，更詳言之，第一分支303延伸跨過兩相鄰第一延伸電極202之兩端點的連線，且與兩相鄰第一延伸電極重疊。由於第一電極20之第一延伸電極202與第二電極30之第一分支303交錯設置或者互為指叉，可減低電流壅塞且電流散佈更為均勻，使得發光元件3、3’及3”之發光效率可被提升。然而，在這些實施例中，第二打線墊的數量並不限於單一，亦可採用兩個或三個位於頂點之第二打線墊301。在量測第3A至3C圖中發光元件所增進之效能的實驗中，相較於如第6圖所示具有相同面積的方形發光元件，具有如第3A圖中電極配置的發光元件3，在順向電壓(Vf)可降低0.07V，未蓋膠時在亮度有2.26%的提升，蓋膠後則有1.17%的提升。具有如第3B圖中電極配置的發光元件3’，在順向電壓可降低0.09V，未蓋膠時在亮度有2.05%的提升，蓋膠後則有1.26%的提升。具有如第3C圖中電極配置的發光元件3”，在順向電壓可降低0.08V，未蓋膠時在亮度有2.79%的提升，蓋膠後則有1.45%的提升。於上述實驗中，發光元件中基板101的厚度為150µm。
第4A及第4B圖分別為依據本發明另一些實施例之發光元件4及4’之上視圖。相較於上述之實施例，第4A及第4B圖中的第一打線墊201’鄰近於三角形的第一邊80a，使得第一打線墊201’由上視觀之，第一打線墊201’沒有完全被第二延伸電極302’所包圍。更詳言之，第一打線墊201’具有一面對第一邊80a的側表面沒有被第二延伸電極302’所包圍。第二電極30’包含鄰近第一頂點60a之第二打線墊301’、延伸自第二打線墊301’的第二延伸電極302’及一第三延伸電極305’。第一邊80a與第一頂點60a相對。第二延伸電極302’沿三角形的邊80b, 80c 延伸且停在第一邊80a，以形成一開口部，使得第一打線墊201’沒有完全被第二延伸電極302’所包圍。三角形具有一第二電極30’以外且不被第二電極30’所環繞之週圍區，週圍區不具有任何第一電極20’形成於其上。更詳言之，此週圍區位於第二電極30’與三角形的邊之間。第一電極20’另包含了自第一打線墊201’延伸之Y字型分支203’，第一打線墊201’及Y字型分支203’皆位於三角形之內切圓內。第三延伸電極305’朝向第一打線墊201’延伸，介於兩個Y字型分支203’之間且與兩個Y字型分支203’形成指叉配置。任一第二延伸電極302’及第三延伸電極305’包圍一Y字型分支203’，因此，電流可更容易且更均勻地流入第一電極20’。在第4B圖的發光元件4’中，複數個第一分支303’自第二延伸電極302’延伸，複數個第二分支304’自第二打線墊301’及第二延伸電極302’的彎曲部延伸出。於一實施例中，第一分支303’可具有較長的長度，使得第一分支303’設置於Y字型分支203’兩端點間的區域內。Y字型分支203’、第三延伸電極305’及第一分支303’係為交錯設置或者形成指叉。如此一來，電流散佈更為均勻，進而提升發光元件4及4’之發光效率。在量測第4A及4B圖中發光元件所增進之效能的實驗中，相較於如第6圖所示具有相同面積的方形發光元件，具有如第4A圖中電極配置的發光元件4，在順向電壓(Vf)可降低0.09V，未蓋膠時在亮度有2.47%的提升，蓋膠後則有1.79%的提升。具有如第4B圖中電極配置的發光元件4’，在順向電壓可降低0.1V，未蓋膠時在亮度有2.23%的提升，蓋膠後則有1.77%的提升。
第5A至第5C圖分別為依據本發明另一些實施例之發光元件5、5’及5”之上視圖。相較於上述之實施例，第5A至第5C圖中的第一打線墊201”鄰近於三角形的第一頂點60a，兩第二打線墊301”設置在鄰近三角形的其他兩頂點60b及60c。第一延伸電極202” 自第一打線墊201”朝著垂直於第一邊80a的方向延伸，並分為兩個分支204”。第二延伸電極302”沿著三角形的邊80a、80b、80c設置以包圍第一延伸電極201”及分支204”。在第5B及第5C圖中，第二延伸電極302”另包含一或複數個分支303”，第一電極20”之分支204”與第二電極30”之分支303”形成指叉。在第5C圖中，第二延伸電極302”形成一封閉迴路以包圍第一打線墊201”、第一延伸電極202”及分支240”。
表1為習知發光元件與依據本發明實施例之發光元件的實驗比較。 【表1】
編號1為如第6圖所示的習知方形發光元件，其晶片形狀及電極配置與編號2-5不同，但其截面結構與編號2-5相同，亦即如在第1B圖中所詳述之結構。編號1的方形面積與編號2-5的三角形面積相同，其面積為6.629×105
µm2
。編號2及編號4之電極配置與第2A圖相同；編號3及編號5之電極配置與編號2及編號4相似，但於鄰近三角形頂點60b或60c多一個第二打線墊301。發光效率係指在發光元件沒有封膠的情況下，以輸出功率(mW)對輸入功率(W)的比值計算之。如表中所示，編號2-5的三角形發光元件的亮度及發光效率皆較習知的方形發光元件佳，這些三角形發光元件之順向電壓(Vf)也較低。此外，在具有相同基板厚度的編號1-3發光元件中，包含複數個第二打線墊301的三角形發光元件具有較低的順向電壓及較高的發光效率。如編號4及編號5具有厚基板的三角形發光元件，其發光效率更可提升6%以上。意即，在具有厚基板的三角形發光元件中，光可從基板的側表面被導出且出光更為有效率。因此，依據本發明實施例，可實現具有高亮度、高發光效率以及較佳電流散佈的發光元件。
第7A圖為依據本發明另一實施例發光元件7之上視圖，第7B圖為第7A圖中發光元件7沿A-A’線之截面圖。如第7A圖及第7B圖所示，發光元件7包含一菱形基板101以及發光疊層10設置於其上方。發光疊層10包含一第一導電型半導體層12(例如為n型半導體層12)、一活性層14以及一第二導電型半導體層16(例如為p型半導體層16)依序形成於基板101之一表面。一溝槽28位於發光疊層10中，係藉由移除部分活性層14及p型半導體層16，並暴露出n型半導體層12之表面所形成。因此，溝槽28將發光疊層10中的活性層14與p型半導體層16分為兩個發光單元10a及10b。於本實施例中， n型半導體層12係連續並未被溝槽28分隔，亦即兩發光單元10a及10b共用n型半導體層12。在另一實施例中，n型半導體層12可以被溝槽28分隔，兩發光單元10a、10b分別有各自的n型半導體層12。兩發光單元10a及10b各具有三角形上表面以及互相比鄰之第一邊80a。於本實施例中，此三角形上表面為正三角形，且兩發光單元10a及10b具有相同形狀、相同面積及相同的電極配置。在每一發光單元中，具有第一打線墊201及第一延伸電極202之第一電極20形成於n型半導體層12上。第一打線墊201設置於鄰近三角形的第一邊80a，第一延伸電極202自第一打線墊201往第一邊80a的相對頂點60a延伸。第二電極30設置於p型半導體層16上，包含了設置於鄰近第一頂點60a的第二打線墊301及延伸自第二打線墊301的第二延伸電極302。第二延伸電極302沿三角形的兩邊80b與80c延伸，且停在第一邊80a上以圍繞第一電極20。兩第一打線墊201及兩第二打線墊302皆位於菱形之一對角線上。分支303自第二延伸電極302突出並往三角形的中心區域延伸。兩發光單元10a及10b彼此互相對稱，其對稱軸即為溝槽28。
第7C圖為依據本發明另一實施例之發光元件7’上視圖，發光元件7’之截面結構與第7A及7B圖所述之發光元件7類似，其差別在於，在第7C圖中，第一打線墊201設置於溝槽28中的n型半導體層12上，兩第一延伸電極202自第一打線墊201往兩三角形發光單元10a’及10b’的頂點60a延伸。第一打線墊201實質上位於菱形的中心。與第7A圖中發光元件7相似，第7C圖中的第二延伸電極302分別沿三角形的邊80b及80c設置，以圍繞第一延伸電極201。依據本發明實施例中之菱形發光元件7及7’，利用溝槽28將發光疊層分為兩個三角形發光單元10a~10b 及 10a’~10b’，並搭配所述之電極配置，電流自菱形兩頂點的第二打線墊301注入後，可分別快速且均勻地經由第二延伸電極302傳導於兩個三角形的發光區域內，且由發光元件7或7’的上視觀之，第一電極20被第二電極30圍繞，電流可自各方向注入第一電極20，如此一來，可提升發光元件7及7’的發光效率。
惟上述實施例僅為例示性說明本申請案之原理及其功效，而非用於限制本申請案。任何本申請案所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本申請案之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本申請案之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。
1、1’、1”、2、2’、2”、3、3’、3”、4、4’、5、5’、5”、7、7’‧‧‧發光元件
10‧‧‧發光疊層
10a、10b、10a’、10b’‧‧‧發光單元
11‧‧‧反射層
12‧‧‧第一型半導體層
14‧‧‧活性層
16‧‧‧第二型半導體層
18‧‧‧透明導電層
20、20’、20”‧‧‧第一電極
201、201’、201”‧‧‧第一打線墊
202、202”‧‧‧第一延伸電極
203’‧‧‧Y字型分支
204”‧‧‧分支
28‧‧‧溝槽
30、30’、30”‧‧‧第二電極
301、301’、301”、301a、301b、301c‧‧‧第二打線墊
302、302’、302”‧‧‧第二延伸電極
303、303’、303”‧‧‧第一分支
304、304’‧‧‧第二分支
305’‧‧‧第三延伸電極
50‧‧‧電流阻障層
501‧‧‧第一區
502‧‧‧第二區
52‧‧‧保護層
60a、60b、60c‧‧‧頂點
80a‧‧‧第一邊
80b‧‧‧第二邊
80c‧‧‧第三邊
10‧‧‧發光疊層
10a、10b、10a’、10b’‧‧‧發光單元
11‧‧‧反射層
12‧‧‧第一型半導體層
14‧‧‧活性層
16‧‧‧第二型半導體層
18‧‧‧透明導電層
20、20’、20”‧‧‧第一電極
201、201’、201”‧‧‧第一打線墊
202、202”‧‧‧第一延伸電極
203’‧‧‧Y字型分支
204”‧‧‧分支
28‧‧‧溝槽
30、30’、30”‧‧‧第二電極
301、301’、301”、301a、301b、301c‧‧‧第二打線墊
302、302’、302”‧‧‧第二延伸電極
303、303’、303”‧‧‧第一分支
304、304’‧‧‧第二分支
305’‧‧‧第三延伸電極
50‧‧‧電流阻障層
501‧‧‧第一區
502‧‧‧第二區
52‧‧‧保護層
60a、60b、60c‧‧‧頂點
80a‧‧‧第一邊
80b‧‧‧第二邊
80c‧‧‧第三邊
［第1A圖］為本發明之一實施例之發光元件上視圖。 ［第1B圖］為第1A圖中發光元件之截面圖。 ［第1C圖］為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。 ［第1D圖］為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。 ［第2A-2C圖］分別為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。 ［第3A-3C圖］分別為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。 ［第4A-4B圖］分別為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。 ［第5A-5C圖］分別為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。 ［第6圖］為習知發光元件上視圖。 ［第7A圖］為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。 ［第7B圖］為第7A圖中發光元件之截面圖。 ［第7C圖］為本發明之另一實施例之發光元件上視圖。
20’‧‧‧第一電極
201’‧‧‧第一打線墊
203’‧‧‧Y字型分支
30’‧‧‧第二電極
301’‧‧‧第二打線墊
302’‧‧‧第二延伸電極
305’‧‧‧第三延伸電極
60a‧‧‧第一頂點
60b、60c‧‧‧頂點
80a‧‧‧第一邊
80b‧‧‧第二邊
80c‧‧‧第三邊
Claims (20)
- 一種發光元件，包含： 一基板； 一第一發光疊層位於該基板上，包含： 一三角形上表面，與該基板平行且具有三個邊及三個頂點； 一第一電極位於該第一發光疊層上，且位於鄰近該三角形上表面三個邊中之一第一邊；以及 一第二電極位於該第一發光疊層上，包含： 一第二電極打線墊位於鄰近三個頂點中之一第一頂點；以及 一第二電極延伸部，自該第二電極打線墊往兩方向延伸，沿該三角形上表面之另兩個邊設置以圍繞該第一電極，並停在該第一邊上以形成一開口部。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一電極設置於該三角形上表面之一內切圓內。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中該第一電極包含一第一電極打線墊及一自該第一電極打線墊延伸之一第一電極延伸部，該第一電極打線墊及該第一電極延伸部皆位於該內切圓內。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中： 該第一電極包含一第一電極打線墊及一自該第一電極打線墊延伸之一第一電極延伸部；以及 該第二電極延伸部具有一自該第二電極延伸部突出且朝向該第一電極之一分支部，該第一電極延伸部與及該分支部係為交錯設置或互相形成指叉。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中該分支部垂直於該分支部所突出之該第二電極延伸部。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第二電極延伸部具有一第一分支部自該第二電極延伸部之一彎曲部突出，且朝向該另兩個頂點之任一個。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光元件，其中該第二電極打線墊具有一第二分支部自該第二電極打線墊突出，且朝向該第一頂點。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一邊相對於該第一頂點，且該開口部鄰近該第一邊。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該三角形上表面具有一不被該第二電極所圍繞之週圍區，該週圍區不具有該第一電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一發光疊層包含： 一第一型半導體層； 一第二型半導體層；以及 一活性層介於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間； 其中該第一電極位於該第一型半導體層上，該第二電極位於該第二型半導體層上。
- 如申請專利範圍第10項所述之發光元件，更包含一具有與該第一發光疊層相同之三角形上表面的第二發光疊層形成於該基板上； 其中該基板具有一菱形上表面，該第一發光疊層與該第二發光疊層的該第一型半導體層彼此相連形成一平面。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光元件，其中該第一電極由上視觀之實質上位於該菱形上表面之中心。
- 如申請專利範圍第11項所述之發光元件，其中該第一發光疊層與該第二發光疊層具有相同的電極配置設置於其上方且互相對稱。
- 一種發光元件，包含： 一基板； 一發光疊層位於該基板上，包含： 一三角形上表面，與該基板平行且具有三個邊及三個頂點； 一第一電極位於該發光疊層上，且位於該三角形上表面之一內切圓內；以及 一第二電極位於該發光疊層上，包含： 一第二電極打線墊位於鄰近三個頂點中之一第一頂點；以及 一第二電極延伸部，自該第二電極打線墊延伸且沿該三角形上表面之該三個邊設置，以形成一封閉迴圈圍繞該第一電極。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該第二電極另具有一第三打線墊位於鄰近該另兩個頂點之任一個。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該第一電極具有一第一電極打線墊以及複數個自該第一電極打線墊延伸之第一電極延伸部。
- 如申請專利範圍第16項所述之發光元件，其中該複數第一電極延伸部分別往該三個頂點延伸。
- 如申請專利範圍第16項所述之發光元件，其中該第二電極延伸部具有自該第二電極延伸部朝向該第一電極突出之一分支部，且該分支部與該第一電極延伸部係為交錯設置或互相形成指叉。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光元件，其中該第二電極延伸部具有一第一分支部自該第二電極延伸部之一彎曲部突出，且朝向該另兩個頂點之任一個。
- 如申請專利範圍第19項所述之發光元件，其中該第二電極延伸部具有一第二分支部自該第二電極打線墊突出，且朝向該第一頂點。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462079453P | 2014-11-13 | 2014-11-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201618341A true TW201618341A (zh) | 2016-05-16 |
Family
ID=55962449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104137436A TW201618341A (zh) | 2014-11-13 | 2015-11-13 | 發光二極體元件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9502615B2 (zh) |
| CN (1) | CN105609608B (zh) |
| TW (1) | TW201618341A (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9502615B2 (en) * | 2014-11-13 | 2016-11-22 | Epistar Corporation | Light-emitting diode device |
| US20160329461A1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-11-10 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode |
| TWI762866B (zh) | 2015-02-17 | 2022-05-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體 |
| US9905729B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-02-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
| US9705035B1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-11 | Epistar Corporation | Light emitting device |
| CN106992235B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-05-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管芯片 |
| JP6912962B2 (ja) | 2017-07-26 | 2021-08-04 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子、紫外線発光モジュール |
| US20190189850A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-20 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| CN110459657A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-15 | 华南理工大学 | 一种具有环状类y型电极的微尺寸led器件及制备方法 |
| CN111081831B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-03-23 | 华南师范大学 | 基于多电极的照明通信器件及其制备方法 |
| CN111129250A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-05-08 | 南昌大学 | 一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法 |
| JP7216295B2 (ja) * | 2020-09-28 | 2023-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| CN112635632B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-09-20 | 深圳第三代半导体研究院 | 发光二极管及其制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3906653B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
| JP3690340B2 (ja) * | 2001-03-06 | 2005-08-31 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007027157A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法並びに照明装置 |
| US8729580B2 (en) * | 2005-12-06 | 2014-05-20 | Toshiba Techno Center, Inc. | Light emitter with metal-oxide coating |
| JP4978009B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2012-07-18 | ソニー株式会社 | ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8877101B2 (en) * | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
| US8674593B2 (en) * | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
| US20090273002A1 (en) * | 2008-05-05 | 2009-11-05 | Wen-Chih Chiou | LED Package Structure and Fabrication Method |
| CN101685841A (zh) * | 2008-09-26 | 2010-03-31 | 台达电子工业股份有限公司 | 发光二极管芯片 |
| CN101752332B (zh) * | 2008-12-05 | 2011-12-28 | 晶元光电股份有限公司 | 光电半导体装置 |
| CN101794851B (zh) * | 2010-02-24 | 2012-09-05 | 中国科学院半导体研究所 | 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 |
| KR101197295B1 (ko) * | 2010-05-11 | 2012-11-05 | 세종대학교산학협력단 | 발광 다이오드 소자 |
| CN103137803B (zh) * | 2011-12-03 | 2015-08-26 | 清华大学 | 发光二极管 |
| US9502615B2 (en) * | 2014-11-13 | 2016-11-22 | Epistar Corporation | Light-emitting diode device |
-
2015
- 2015-11-12 US US14/939,829 patent/US9502615B2/en active Active
- 2015-11-13 TW TW104137436A patent/TW201618341A/zh unknown
- 2015-11-13 CN CN201510779870.8A patent/CN105609608B/zh active Active
-
2016
- 2016-11-03 US US15/342,634 patent/US9887320B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9887320B2 (en) | 2018-02-06 |
| US20170077350A1 (en) | 2017-03-16 |
| CN105609608A (zh) | 2016-05-25 |
| US9502615B2 (en) | 2016-11-22 |
| US20160141454A1 (en) | 2016-05-19 |
| CN105609608B (zh) | 2019-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201618341A (zh) | 發光二極體元件 | |
| US10930701B2 (en) | Light-emitting element having a plurality of light-emitting structures | |
| US10651344B2 (en) | Light-emitting device | |
| US9660146B2 (en) | Light-emitting element | |
| TW201818562A (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| US10002991B2 (en) | Light-emitting element | |
| US9466775B2 (en) | Light-emitting element and the light-emitting array having the same | |
| TWI591855B (zh) | 具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件 | |
| US20150207035A1 (en) | Light-Emitting Element Having a Tunneling Structure | |
| TWI754617B (zh) | 發光元件 | |
| TWI692116B (zh) | 發光元件 | |
| CN105762252B (zh) | 一种led芯片结构及其制造方法 | |
| TWI511332B (zh) | 發光二極體結構 | |
| TWI610464B (zh) | 發光二極體結構 | |
| TWI690093B (zh) | 發光元件 | |
| TWI781867B (zh) | 發光元件 | |
| TWI662720B (zh) | 光電元件及其製造方法 | |
| CN110047865B (zh) | 具有多个发光结构的发光元件 | |
| TW201836170A (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| CN116072787A (zh) | 发光二极管和发光装置 | |
| TW202308182A (zh) | 發光元件 | |
| TW201803155A (zh) | 發光二極體結構 | |
| TW201939767A (zh) | 光電元件及其製造方法 | |
| TWM498966U (zh) | 發光二極體結構 |