TWI591855B - 具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件 - Google Patents

具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件 Download PDF

Info

Publication number
TWI591855B
TWI591855B TW102124331A TW102124331A TWI591855B TW I591855 B TWI591855 B TW I591855B TW 102124331 A TW102124331 A TW 102124331A TW 102124331 A TW102124331 A TW 102124331A TW I591855 B TWI591855 B TW I591855B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light
window
window layer
illuminating element
Prior art date
Application number
TW102124331A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201403869A (zh
Inventor
邱柏順
郭得山
塗均祥
柯峻騰
Original Assignee
晶元光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 晶元光電股份有限公司 filed Critical 晶元光電股份有限公司
Publication of TW201403869A publication Critical patent/TW201403869A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI591855B publication Critical patent/TWI591855B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00—Refractors for light sources
    • F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/237—Details of housings or cases, i.e. the parts between the light-generating element and the bases; Arrangement of components within housings or cases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/02—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by the shape
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件
本發明關於一種發光元件，特別是關於一種具有布拉格反射層(Distributed Bragg Reflector；DBR)位於窗戶層之間之發光元件。
發光二極體(Light-emitting Diode；LED)係一種固態半導體元件，其至少包含一p-n接面(p-n junction)形成於p型與n型半導體層之間。當於LED施加一定程度之偏壓時，出自p型半導體層中之電洞與出自n型半導體層中之電子會結合而釋放出光。此光產生之區域一般又稱為發光區(light-emitting region)或主動層。
LED的主要特徵在於尺寸小、可靠度高、發光效率高、壽命長、反應快速和色度良好，目前已經廣泛地使用在光學顯示裝置、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫療器材上。隨著全彩LED的問世，LED已逐漸取代傳統的照明設備，如螢光燈和白熱燈泡。
如第2圖所示，一習知發光裝置2包含一基板20；一發光結構22位於基板20之上；一第一電極24與一第二電極26位於發光結構 22之上；以及一布拉格反射層(Distributed Bragg Reflector；DBR)28位於基板20之下，其中布拉格反射層28具有次層282與284交互堆疊。產生自發光結構22之光會被布拉格反射層28反射。然而有些光會被侷限在布拉格反射層28之次層282與284之中，在數次內部全反射之後轉變為熱能。此外，基板20的側面太小而導致被布拉格反射層28反射之光無法被摘出，因此降低習知發光元件2之光摘出效率。
一發光元件，包含一基板；一發光疊層，位於基板之上；一第一窗戶層，位於基板之下；以及一布拉格反射層，位於第一窗戶層之下；其中以剖面觀之，第一窗戶層之寬度與基板之寬度大致相等。
1、2、30‧‧‧發光元件
10、20‧‧‧基板
12、22‧‧‧發光疊層
122‧‧‧第一半導體層
124‧‧‧主動層
126‧‧‧第二半導體層
14、24‧‧‧第一電極
16、26‧‧‧第二電極
18‧‧‧光摘出結構
182‧‧‧第一窗戶層
184、28‧‧‧布拉格反射層
186‧‧‧第二窗戶層
282、284‧‧‧次層
3‧‧‧燈泡
31‧‧‧燈罩
32‧‧‧透鏡
33‧‧‧載體
34‧‧‧照明模組
35‧‧‧燈座
36‧‧‧散熱槽
37‧‧‧連結部
38‧‧‧電連結器
第1圖繪示本申請案一實施例之發光元件之剖面圖。
第2圖繪示習知之發光元件之剖面圖。
第3圖繪示本申請案另一實施例之燈泡分解示意圖。
本發明之實施例會被詳細地描述，並且繪製於圖式中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各圖式以及說明出現。
第1圖繪示一發光元件1具有一基板10；一發光疊層12形成於基板10之上；以及一光摘出結構18形成於基板10之下。發光疊層12具有一第一半導體層122；一第二半導體層126； 以及一主動層124位於第一半導體層122與第二半導體層126之間。此外，一第一電極14形成於第一半導體層122之上，一第二電極16形成於第二半導體層126之上。
光摘出結構18具有一第一窗戶層182位於基板10 之下；一第二窗戶層186位於第一窗戶層182之下，以及一布拉格反射層184位於第一窗戶層182與第二窗戶層186之間，其中布拉格反射層184具有複數個次層。如第1圖所示，第一窗戶層182與第二窗戶層186中至少其一可提升光摘出效率，以及以剖面觀之，具有與基板10大致相等之寬度。然而另一實施例中，自剖面觀之，第一窗戶層182亦可具有大於或小於第二窗戶層186之寬度，用以調整發光元件1之光場以符合產品應用。布拉格反射層184可反射產生自發光疊層12之光。基本上布拉格反射層184具有數個具有不同折射率的材料對，其中折射率的差異至少為0.5，較佳至少為1。
第一窗戶層182、第二窗戶層186或兩者皆不會覆蓋或實質接觸發光疊層12之側面，所以發光疊層12產生之熱可較易散逸。每一第一窗戶層182與第二窗戶層186之厚度約介於300奈米與1000奈米，較佳約介450奈米與550奈米以提升發光元件1之光摘出效率。表1顯示例1與例2的實驗數據，例1表示發光元件之第二窗戶層186之厚度係70奈米，例2表示發光元件之第 二窗戶層186之厚度係500奈米。如表1所示，例2顯示具有較例1為大的功率，這表示例2的發光元件較例1的發光元件具有較高的光摘出效率。布拉格反射層184的每一次層之厚度約介於30奈米與80奈米，較佳約介於40奈米與60奈米。布拉格反射層184次層之對數係介於5與50，較佳介於5與15。布拉格反射層184之總厚度約介於300奈米與8000奈米，較佳約介於500奈米與1500奈米。第一窗戶層182或第二窗戶層186之厚度相對於布拉格反射層184之總厚度之比值約介於0.03與3.33，較佳約介於0.3與1.1，以提升發光元件1之光摘出效率。第一窗戶層182、第二窗戶層186或兩者之厚度皆足夠厚，所以被侷限於布拉格反射層184或發光疊層12之光可於第一窗戶層182、第二窗戶層186或兩者之側面被摘出。窗戶層之材料相對於發光疊層12所發之光為透明，可為導電材料或絕緣材料。導電材料可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)或氧化銦鋅(IZO)。絕緣材料可為Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚亞醯胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氮化矽(SiNx)、旋塗玻璃(SOG)或四乙氧基矽烷(TEOS)。每一次層之材料可與窗戶層之材料相同。
另一實施例中，第一窗戶層182、第二窗戶層186或 兩者可作為布拉格反射結構之一部分。布拉格反射結構中的每一次層之厚度都遵循關係式d=m(λ/4n)，其中d表示次層之厚度，λ表示被布拉格反射層結構反射之光之波長，n表示次層之折射率，m表示任一正整數。例如當被布拉格反射層結構反射之光之波長約為460奈米，第一次層182與第二次層186之折射率約為1.5時，m為不小於3，較佳為介於3與7，以提升光摘出效率。
基板10可用以成長及/或支持位於其上之發光疊層 12，其材料相對於發光疊層12產生之光為透明，可包含絕緣材料、導電材料或兩者。絕緣材料可為藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)或氮化鋁(AlN)。導電材料可為碳化矽(SiC)、磷化碘(IP)、砷化鎵(GaAs)、鍺(Ge)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、硒化鋅(ZnSe)、磷化銦(InP)、氧化鋅(ZnO)、鎵酸鋰(LiGaO2)或鋁酸鋰(LiAlO2)。
發光疊層12可直接成長於基板10之上，或藉由黏 結層(未顯示)貼附至基板10之上。發光疊層12之材料可為半導體材料，包含一種以上之元素，此元素可選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構成之群組。第一半導體層122與第二半導體層126的電性相異，用以產生電子或電洞。主動層124可產生一種或多種色光，可為可見光或不可見光，其結構可為單異質結構、雙異質結構、雙側雙異質結構或多層量子井。
第一電極14、第二電極16或兩者用以接受外部電 壓，可由透明導電材料、金屬材料或兩者所構成。透明導電材料包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、類鑽碳薄膜(DLC)、氧化鎵鋅(GZO) 或上述材料之組合。金屬材料包含但不限於銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎘(Cd)、錳(Mn)、銻(Sb)鉍(Bi)、鎵(Ga)、鎢(W)、鈹(Be)或上述材料之合金等。
第3圖係繪示出本申請案另一實施例之一燈泡分解 示意圖，一燈泡3具有一燈罩31；一透鏡32，置於燈罩31之中；一照明模組34，位於透鏡32之下；一燈座35，具有一散熱槽36，用以承載照明模組34；一連結部37；以及一電連結器38，其中連結部37連結燈座35與電連接器38。照明模組34具有一載體33；以及複數個前述任一實施例之發光元件30，位於載體33之上。
惟上述實施例僅為例示性說明本申請案之原理及其功效，而非用於限制本申請案。任何本申請案所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本申請案之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本申請案之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。
1‧‧‧發光元件
10‧‧‧基板
12‧‧‧發光疊層
122‧‧‧第一半導體層
124‧‧‧主動層
126‧‧‧第二半導體層
14‧‧‧第一電極
16‧‧‧第二電極
18‧‧‧光摘出結構
182‧‧‧第一窗戶層
184‧‧‧布拉格反射層
186‧‧‧第二窗戶層

Claims (10)

  1. 一發光元件，包含：一透明基板；一發光疊層，位於該透明基板之上；一第一窗戶層，位於該透明基板之下；以及一布拉格反射層，位於該第一窗戶層之下；其中該第一窗戶層之材料為絕緣材料；其中該布拉格反射層為絕緣材料。
  2. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該第一窗戶層係一單層，且/或該第一窗戶層之厚度係介於300奈米與1000奈米。
  3. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該第一窗戶層相對於該布拉格反射層之厚度比值係介於0.3與1.1。
  4. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該布拉格反射層包含一具有不同折射率之材料對，其中該材料對之折射率之差至少係0.5，且/或該材料對之對數係介於5與50。
  5. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該布拉格反射層包含一具有不同折射率之材料對，其中該材料對之折射率之差至少係1。
  6. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該布拉格反射層之總厚度介於300奈米與8000奈米。
  7. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該布拉格反射層包含複數個第一次層與複數個第二次層，該複數個第一次層或/且該複數個第二次層厚度係介於30奈米與80奈米。
  8. 如請求項第7項所述的發光元件，其中該複數個第一次層或該複數個第二次層之材料包含二氧化矽。
  9. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該第一窗戶層直接接觸該布拉格反射層。
  10. 如請求項第1項所述的發光元件，更包含一第二窗戶層位於該布拉格反射層之下。
TW102124331A 2012-07-13 2013-07-05 具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件 TWI591855B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261671502P 2012-07-13 2012-07-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201403869A TW201403869A (zh) 2014-01-16
TWI591855B true TWI591855B (zh) 2017-07-11

Family

ID=49913228

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102124331A TWI591855B (zh) 2012-07-13 2013-07-05 具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件
TW106118574A TWI631731B (zh) 2012-07-13 2013-07-05 具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106118574A TWI631731B (zh) 2012-07-13 2013-07-05 具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20140014991A1 (zh)
CN (1) CN103545414B (zh)
TW (2) TWI591855B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014108295A1 (de) 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
TWI790984B (zh) * 2017-01-26 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
KR102496316B1 (ko) * 2018-05-30 2023-02-07 서울바이오시스 주식회사 분포 브래그 반사기를 가지는 발광 다이오드 칩
CN111834390B (zh) * 2020-06-12 2023-09-22 福州大学 一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3685977B2 (ja) * 2000-04-21 2005-08-24 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
TWM244587U (en) * 2003-09-02 2004-09-21 Ite Compound Semiconductor Cor LED with compound reflection structure
US7223998B2 (en) * 2004-09-10 2007-05-29 The Regents Of The University Of California White, single or multi-color light emitting diodes by recycling guided modes
JP2008211164A (ja) * 2007-01-29 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光装置及びその製造方法
CN201332107Y (zh) * 2009-01-16 2009-10-21 吴铭兴 发光二极管的结构改良
US9362459B2 (en) * 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
US8963178B2 (en) * 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
CN101944566A (zh) * 2010-09-28 2011-01-12 厦门市三安光电科技有限公司 具有透明增光键合层的四元发光二极管及其制作工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN103545414A (zh) 2014-01-29
TW201731126A (zh) 2017-09-01
TW201403869A (zh) 2014-01-16
US20140014991A1 (en) 2014-01-16
US20170077358A1 (en) 2017-03-16
TWI631731B (zh) 2018-08-01
CN103545414B (zh) 2018-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI483425B (zh) 具有複數個接觸部的發光元件
US9660146B2 (en) Light-emitting element
TWI590488B (zh) 具有高效能反射結構之發光元件
US9153747B2 (en) Light-emitting element
TWI636582B (zh) 發光裝置
CN110265517B (zh) 发光元件
TW201515505A (zh) 發光元件
TWI555226B (zh) 具有多層發光疊層的發光元件
TWI591855B (zh) 具有布拉格反射層位於窗戶層之間之發光元件
US9209356B2 (en) Light-emitting element including a light-emitting stack with an uneven upper surface
TWI575776B (zh) 具有高效率反射結構之發光元件
TWI754617B (zh) 發光元件
TWI701847B (zh) 具有高效率反射結構之發光元件
CN104576870B (zh) 发光元件
TWI611602B (zh) 具有高效率反射結構之發光元件
TWI605615B (zh) 發光元件
TWI632700B (zh) 具有高效率反射結構之發光元件
TWI644451B (zh) 發光元件
CN105322066B (zh) 光电元件及其制造方法
TWI605614B (zh) 具有多層發光疊層的發光元件
TWI599070B (zh) 具有平整表面的電流擴散層的發光元件
TW201838206A (zh) 發光元件
TW201907582A (zh) 發光元件
TW201826565A (zh) 光電元件及其製造方法
KR20150012820A (ko) 발광소자