CN105609608A - 发光二极管元件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- -1 phosphorus nitride Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- ANVRDUDUNKHRMI-UHFFFAOYSA-N C1CCC1.[F] Chemical compound C1CCC1.[F] ANVRDUDUNKHRMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开一种发光二极管元件，包含：一基板；一第一发光叠层位于基板上，包含一三角形上表面，与基板平行且具有三个边及三个顶点；一第一电极位于第一发光叠层上，且位于邻近三角形上表面三个边中的一第一边；以及一第二电极位于第一发光叠层上，包含：一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及一第二电极延伸部，自第二电极打线垫往两方向延伸，沿三角形上表面的另两个边设置以围绕第一电极，并停在第一边上以形成一开口部。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有改善亮度的发光元件。
背景技术
固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、耐摔、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。随着光电技术的发展，固态发光元件在发光效率、操作寿命以及亮度方面有相当大的进步，发光二极管被预期成为未来照明装置的主流。
现有的发光二极管包含一基板、n型半导体层、活性层及p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p/n电极。当通过电极对发光二极管输入一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，这些电极会遮蔽活性层所发出的光，且电流易集聚壅塞在电极附近的半导体层内。因此，对于改善发光二极管的亮度、光场均匀性及降低操作电压，一优化的电极结构乃是必要的。
此外，现有的发光二极管为方形，其基板的侧壁形成四个九十度的内角。由于这种发光二极管的形状，会容易在这种方形的发光二极管中产生内部全反射，以致于光不易从发光二极管中导出，导致光萃取及亮度都恶化。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种发光元件，包含：一基板；一第一发光叠层位于基板上，包含：一三角形上表面，与基板平行且具有三个边及三个顶点；一第一电极位于第一发光叠层上，且位于邻近三角形上表面三个边中的一第一边；以及一第二电极位于第一发光叠层上，包含：一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及一第二电极延伸部，自第二电极打线垫往两方向延伸，沿三角形上表面的另两个边设置以围绕第一电极，并停在第一边上以形成一开口部。
本发明提供另一种发光元件，包含：一基板；一发光叠层位于基板上，包含：一三角形上表面，与基板平行且具有三个边及三个顶点；一第一电极位于发光叠层上，且位于三角形上表面的一内切圆内；以及一第二电极位于发光叠层上，包含：一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及一第二电极延伸部，自第二电极打线垫延伸且沿三角形上表面的三个边设置，以形成一封闭回圈围绕第一电极。
附图说明
图1A为本发明的一实施例的发光元件上视图；
图1B为图1A中发光元件的截面图；
图1C为本发明的另一实施例的发光元件上视图；
图1D为本发明的另一实施例的发光元件上视图；
图2A～图2C分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图；
图3A～图3C分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图；
图4A～图4B分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图；
图5A～图5C分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图；
图6为现有发光元件上视图；
图7A为本发明的另一实施例的发光元件上视图；
图7B为图7A中发光元件的截面图；
图7C为本发明的另一实施例的发光元件上视图。
符号说明
1、1’、1”、2、2’、2”、3、3’、3”、4、4’、5、5’、5”、7、7’：发光元件
10：发光叠层
10a、10b、10a’、10b’：发光单元
11：反射层
12：第一型半导体层
14：活性层
16：第二型半导体层
18：透明导电层
20、20’、20”：第一电极
201、201’、201”：第一打线垫
202、202”：第一延伸电极
203’：Y字型分支
204”：分支
28：沟槽
30、30’、30”：第二电极
301、301’、301”、301a、301b、301c：第二打线垫
302、302’、302”：第二延伸电极
303、303’、303”：第一分支
304、304’：第二分支
305’：第三延伸电极
50：电流阻障层
501：第一区
502：第二区
52：保护层
60a、60b、60c：顶点
80a：第一边
80b：第二边
80c：第三边
具体实施方式
本发明的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的符号在各附图以及说明出现。
图1A为依据本发明的一实施例发光元件1的上视图。图1B为图1A中发光元件1沿A-A’线的截面图。如图1A及图1B所示，发光元件1包含一基板101以及一发光叠层10设置于基板101上。发光叠层10包含一第一导电型半导体层12(例如为n型半导体层)、一活性层14以及一第二导电型半导体层16(例如为p型半导体层)依序形成于基板101的一表面。一透明导电层18形成于p型半导体层16上，一第一电极20形成于n型半导体12上，以及一包含第二打线垫301及第二延伸电极302的第二电极302形成于p型半导体层16上。一电流阻障层50包含一第一区501以及一第二区502分别形成于第二打线垫301及第二延伸电极302之下，且电流阻障层50与第二电极30具有相似的形状。一用以保护发光叠层10的保护层52覆盖发光元件1的上表面与第二延伸电极302，且暴露第一电极20及第二打线垫301。一反射层11设置于基板101相对于发光叠层10的一面，用以反射发光叠层10所发出的光。反射层11可以是金属，也可以是布拉格反射镜(distributedBraggreflector,DBR)，包含至少两种以上折射率不同的材料交互堆叠形成。布拉格反射镜可为绝缘材料或导电材料。反射层11也可以是由介电层与金属层所组成的全方向反射镜(omnidirectionalreflector,ODR)。介电层可为绝缘材料或导电材料，绝缘材料包含但不限于聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、SU8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(AcrylicResin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(FluorocarbonPolymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙氧基硅烷(TEOS)。导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)或氧化铟锌(IZO)。金属层包含但不限于铝、银、金或铑。
n型半导体层12、活性层14以及p型半导体层16的材料可包含一或多种选自于镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)或硒(Se)的元素。在本实施例中，半导体材料包含氮化镓(GaN)系列材料。p型半导体层16的材料包含Alx1Gay1In(1-x1-y1)N(0≦x1,y1≦1)，n型半导体层12的材料包含Alx2Gay2In(1-x2-y2)N(0≦x2,y2≦1)，活性层14的材料包含Alx3Gay3In(1-x3-y3)N(0≦x3,y3≦1)。活性层14包含可发出波长介于450nm至490nm的蓝光的氮化铟镓(InGaN)系列材料，也可包含可发出波长介于250nm至400nm的UV光的氮化铝镓(AlGaN)系列材料。在另一实施例中，p型半导体层16可具有粗化的上表面，以抑制内部全反射并增进发光元件的发光效率。此外，活性层14可发出一或多种颜色的光，这些光可为可见光(例如蓝光或绿光)或不可见光(例如UVA、UVB或UVC)。活性层14的结构可为单异质结构(singleheterostructure；SH)、双异质结构(doubleheterostructure；DH)、双面双异质结构(double-sidedoubleheterostructure；DDH)、多重量子阱(multi-quantumwell；MQW)或量子点(quantumdot)。透明导电层18可增进半导体层与第二电极30间的电性接触以及电流散布，且其对于发光叠层10所发出的光为透明。透明导电层18的材料为导电材料，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锡锑(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌镓(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、氮化磷(GaP)或氧化铟锌(IZO)。基板101可支撑设置于其上方的发光叠层10与其他层别或其他结构，基板101可为透明基板或导电基板。透明基板的材料包含但不限于蓝宝石、钻石、玻璃、环氧树脂(epoxy)、石英、压克力、氧化铝(Al2O3)、氧化镓(Ga2O3)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)或磷化镓(GaP)等；导电基板的材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镍(Ni)、钴(Co)、铜钨合金(CuW)、类钻碳(diamondlikeCarbon；DLC)、石墨烯(Graphite)、碳纤维(Carbonfiber)、金属基复合材料(metalmatrixcomposite；MMC)、陶瓷复合材料(ceramicmatrixcomposite；CMC)、金属基印刷电路板(MCPCB)、硅(Si)、锗(Ge)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟(InP)、氧化镓(Ga2O3)、氧化镓酸锂(LiGaO2)或氧化铝酸锂(LiAlO2)。在这些材料中，蓝宝石、砷化镓、碳化硅、氮化铝、氮化镓、氧化镓、钻石、锗及硅可做为成长基板。基板101可选择性地具有图案化的上表面，以改善外延品质以及经由其散射发光叠层10所发出的光以增加光摘出。
如图1A及图1B所示，发光元件1具有三角形基板101及发光叠层10形成于其上方，因此发光元件1具有三角形上表面。相较于传统方形基板，三角形基板和在侧面的光萃取具有较高的效率。三角形包含了第一边80a、第二边80b及第三边80c。在三角形的内部区域或中心区域，部分的p型半导体层16及活性层14被蚀刻掉，以暴露出部分的n型半导体层12。第一电极20形成于暴露出的n型半导体层12上，并与n型半导体层12电连接。由上视观之，第一电极20位于三角形的内部区域或中心区域，在一实施例中，中心区域是指位于三角形内切圆内的区域。在本实施例中，三角形为一正三角形且第一电极20位于三角形的几何中心。然而，本发明的实施方式并不限于正三角形，任何本申请案所属技术领域中具有通常知识者均可在不违背本申请案的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。第二电极30的第二打线垫301位于邻近三角形的一顶点60a，第二延伸电极302延伸自第二打线垫301。第二延伸电极302沿着三角形的边80a-80c设置并与边80a-80c平行，以环绕第一电极20。由第二打线垫301及第二延伸电极302散布的电流可从各方向流入第一电极20，因此，电流散布更为均匀，发光元件1的电流传导率及发光效率可被提升。在本实施例中，第二延伸电极302形成一封闭结构以包围第一电极20于其中。在一实施例中，第二延伸电极302与第一电极20的间距介于80μm至150μm，第二打线垫301的形状可为圆形或多边形。
图1C为依据本发明另一实施例的发光元件1’上视图，发光元件1’的截面结构与图1B所述的发光元件1类似，其差别在于，在图1C中，第二电极30包含多个第二打线垫301a、301b及301c分别位于邻近三角形的顶点60a、60b及60c，且第二打线垫301a、301b、301c及第二延伸电极302围住第一电极20。第一电极20与第二打线垫301a、301b及301c用以接收外部电流以驱动发光件1’。当此三个第二打线垫301a、301b及301c位于邻近三个顶点60a、60b及60c，电极的配置为对称。此外，由于外部电流分别经由多个第二打线垫301a、301b及301c流进发光件1’，可降低发光元件1’的顺向电压且电流散布更为均匀。然而，第二打线垫的数量并不限于三个。图1D为依据本发明另一实施例的发光元件1”上视图，如图1D所示，位于邻近两顶点60a及60c的两个第二打线垫301a及301c也可被采用。
图2A为依据本发明另一实施例的发光元件2的上视图。图2A中发光元件2的结构与图1A至图1C中所述的结构类似。其差别在于，在图2A中，第一电极20包含第一打线垫201以及自第一打线垫201朝向三角形顶点60a、60b及60c直线延伸的多个第一延伸电极202。意即，第一延伸电极202以一辐射状设置，第二电极30围绕第一电极20。图2B为依据本发明另一实施例的发光元件2’的上视图。图2B中发光元件2’的结构与图2A中所述的发光元件2类似。如图2B所示，发光元件2’包含三个邻近于三角形各顶点60a-60c且设置于p型半导体层16上的第二打线垫301a、301b及301c。意即，各第一延伸电极202分别往邻近各顶点60a-60c的第二打线垫301a-301c延伸。第二延伸电极302边缘与p型半导体层16边缘的间距D1优选地不超过100μm，如此一来，电流可通过透明导电层18扩散至p型半导体层16的边缘。第一延伸电极202的末端与相邻的第二打线垫301b边缘的间距D2介于80μm至150μm，第一延伸电极202与两相邻第二延伸电极的间距D3实质上为相同。更详言之，第一延伸电极202的末端与相邻第二延伸电极302边缘的最短距离D3约为60μm至120μm。图2C为依据本发明另一实施例的发光元件2”的上视图，发光元件2”的截面结构与图1A～图1C中所述的发光元件类似。参照图2C，由上视图观之，第一延伸电极202自第一打线垫201朝三角形的三个边80a-80c延伸。也就是第一延伸电极202分别朝着垂直于位于三角形各边80a-80c上的第二延伸电极302的方向延伸，然而，在上述的实施例中，发光元件2”也可采用具有两个或三个分别邻近于三角形顶点60的第二打线垫301的。
图3A至图3C分别为依据本发明另一些实施例的发光元件3、3’及3”的上视图。图3A至图3C中发光元件3、3’及3”的结构与图2A及图2B中所述的结构类似，差别在于，在图3A至图3C中，第二延伸电极302另包含多个朝向三角形中心区域延伸的第一分支303。参照图3A，各第一分支303大致上自各边上的第二延伸电极302的中点往三角形中心区域的第一打线垫201延伸，各第一分支303位于任两个第一延伸电极202之间。参照图3B，多个第一分支303自各边上的第二延伸电极302往三角形中心区域延伸。第一分支303位于每两个第一延伸电极202之间。在图3C中，发光元件3”还包含多个邻近顶点60突出于第二电极30的第二分支304，第二分支304自第二延伸电极302的弯曲部及/或第二打线垫301延伸出，并朝向各顶点60a-60c。第一分支303自第二延伸电极302朝向三角形的中心区域及三个边80a-80c延伸。在本实施例中，第一分支303的端点位于两相邻第一延伸电极202的两端点的连线外不与连线相交，或是位于连线上，更详言之，第一分支303与第一延伸电极302为交错设置。在另一实施例中，如前述图3A至图3C中发光元件的第一分支303可具有较长的长度，使第一分支302与第一延伸电极202形成指叉，更详言之，第一分支303延伸跨过两相邻第一延伸电极202的两端点的连线，且与两相邻第一延伸电极重叠。由于第一电极20的第一延伸电极202与第二电极30的第一分支303交错设置或者互为指叉，可减低电流壅塞且电流散布更为均匀，使得发光元件3、3’及3”的发光效率可被提升。然而，在这些实施例中，第二打线垫的数量并不限于单一，也可采用两个或三个位于顶点的第二打线垫301。在量测图3A至图3C中发光元件所增进的效能的实验中，相较于如图6所示具有相同面积的方形发光元件，具有如图3A中电极配置的发光元件3，在顺向电压(Vf)可降低0.07V，未盖胶时在亮度有2.26％的提升，盖胶后则有1.17％的提升。具有如图3B中电极配置的发光元件3’，在顺向电压可降低0.09V，未盖胶时在亮度有2.05％的提升，盖胶后则有1.26％的提升。具有如图3C中电极配置的发光元件3”，在顺向电压可降低0.08V，未盖胶时在亮度有2.79％的提升，盖胶后则有1.45％的提升。在上述实验中，发光元件中基板101的厚度为150μm。
图4A及图4B分别为依据本发明另一些实施例的发光元件4及4’的上视图。相较于上述的实施例，图4A及图4B中的第一打线垫201’邻近于三角形的第一边80a，使得第一打线垫201’由上视观之，第一打线垫201’没有完全被第二延伸电极302’所包围。更详言之，第一打线垫201’具有一面对第一边80a的侧表面没有被第二延伸电极302’所包围。第二电极30’包含邻近第一顶点60a的第二打线垫301’、延伸自第二打线垫301’的第二延伸电极302’及一第三延伸电极305’。第一边80a与第一顶点60a相对。第二延伸电极302’沿三角形的边80b,80c延伸且停在第一边80a，以形成一开口部，使得第一打线垫201’没有完全被第二延伸电极302’所包围。三角形具有一第二电极30’以外且不被第二电极30’所环绕的周围区，周围区不具有任何第一电极20’形成于其上。更详言之，此周围区位于第二电极30’与三角形的边之间。第一电极20’另包含了自第一打线垫201’延伸之Y字型分支203’，第一打线垫201’及Y字型分支203’都位于三角形的内切圆内。第三延伸电极305’朝向第一打线垫201’延伸，介于两个Y字型分支203’之间且与两个Y字型分支203’形成指叉配置。任一第二延伸电极302’及第三延伸电极305’包围一Y字型分支203’，因此，电流可更容易且更均匀地流入第一电极20’。在图4B的发光元件4’中，多个第一分支303’自第二延伸电极302’延伸，多个第二分支304’自第二打线垫301’及第二延伸电极302’的弯曲部延伸出。在一实施例中，第一分支303’可具有较长的长度，使得第一分支303’设置于Y字型分支203’两端点间的区域内。Y字型分支203’、第三延伸电极305’及第一分支303’为交错设置或者形成指叉。如此一来，电流散布更为均匀，进而提升发光元件4及4’的发光效率。在量测图4A及图4B中发光元件所增进的效能的实验中，相较于如图6所示具有相同面积的方形发光元件，具有如图4A中电极配置的发光元件4，在顺向电压(Vf)可降低0.09V，未盖胶时在亮度有2.47％的提升，盖胶后则有1.79％的提升。具有如图4B中电极配置的发光元件4’，在顺向电压可降低0.1V，未盖胶时在亮度有2.23％的提升，盖胶后则有1.77％的提升。
图5A至图5C分别为依据本发明另一些实施例的发光元件5、5’及5”的上视图。相较于上述的实施例，图5A至图5C中的第一打线垫201”邻近于三角形的第一顶点60a，两第二打线垫301”设置在邻近三角形的其他两顶点60b及60c。第一延伸电极202”自第一打线垫201”朝着垂直于第一边80a的方向延伸，并分为两个分支204”。第二延伸电极302”沿着三角形的边80a、80b、80c设置以包围第一延伸电极201”及分支204”。在图5B及图5C中，第二延伸电极302”另包含一或多个分支303”，第一电极20”的分支204”与第二电极30”的分支303”形成指叉。在图5C中，第二延伸电极302”形成一封闭回路以包围第一打线垫201”、第一延伸电极202”及分支240”。
表1为现有发光元件与依据本发明实施例的发光元件的实验比较。
表1
编号1为如图6所示的现有方形发光元件，其芯片形状及电极配置与编号2～5不同，但其截面结构与编号2～5相同，亦即如在图1B中所详述的结构。编号1的方形面积与编号2～5的三角形面积相同，其面积为6629×105μm2。编号2及编号4的电极配置与图2A相同；编号3及编号5的电极配置与编号2及编号4相似，但于邻近三角形顶点60b或60c多一个第二打线垫301。发光效率是指在发光元件没有封胶的情况下，以输出功率(mW)对输入功率(W)的比值计算之。如表中所示，编号2～5的三角形发光元件的亮度及发光效率都较现有的方形发光元件佳，这些三角形发光元件的顺向电压(Vf)也较低。此外，在具有相同基板厚度的编号1～3发光元件中，包含多个第二打线垫301的三角形发光元件具有较低的顺向电压及较高的发光效率。如编号4及编号5具有厚基板的三角形发光元件，其发光效率更可提升6％以上。意即，在具有厚基板的三角形发光元件中，光可从基板的侧表面被导出且出光更为有效率。因此，依据本发明实施例，可实现具有高亮度、高发光效率以及优选电流散布的发光元件。
图7A为依据本发明另一实施例发光元件7的上视图，图7B为图7A中发光元件7沿A-A’线的截面图。如图7A及图7B所示，发光元件7包含一菱形基板101以及发光叠层10设置于其上方。发光叠层10包含一第一导电型半导体层12(例如为n型半导体层12)、一活性层14以及一第二导电型半导体层16(例如为p型半导体层16)依序形成于基板101的一表面。一沟槽28位于发光叠层10中，通过移除部分活性层14及p型半导体层16，并暴露出n型半导体层12的表面所形成。因此，沟槽28将发光叠层10中的活性层14与p型半导体层16分为两个发光单元10a及10b。在本实施例中，n型半导体层12是连续并未被沟槽28分隔，亦即两发光单元10a及10b共用n型半导体层12。在另一实施例中，n型半导体层12可以被沟槽28分隔，两发光单元10a、10b分别有各自的n型半导体层12。两发光单元10a及10b各具有三角形上表面以及互相比邻的第一边80a。在本实施例中，此三角形上表面为正三角形，且两发光单元10a及10b具有相同形状、相同面积及相同的电极配置。在每一发光单元中，具有第一打线垫201及第一延伸电极202的第一电极20形成于n型半导体层12上。第一打线垫201设置于邻近三角形的第一边80a，第一延伸电极202自第一打线垫201往第一边80a的相对顶点60a延伸。第二电极30设置于p型半导体层16上，包含了设置于邻近第一顶点60a的第二打线垫301及延伸自第二打线垫301的第二延伸电极302。第二延伸电极302沿三角形的两边80b与80c延伸，且停在第一边80a上以围绕第一电极20。两第一打线垫201及两第二打线垫302都位于菱形的一对角线上。分支303自第二延伸电极302突出并往三角形的中心区域延伸。两发光单元10a及10b彼此互相对称，其对称轴即为沟槽28。
图7C为依据本发明另一实施例的发光元件7’上视图，发光元件7’的截面结构与图7A及图7B所述的发光元件7类似，其差别在于，在图7C中，第一打线垫201设置于沟槽28中的n型半导体层12上，两第一延伸电极202自第一打线垫201往两三角形发光单元10a’及10b’的顶点60a延伸。第一打线垫201实质上位于菱形的中心。与图7A中发光元件7相似，图7C中的第二延伸电极302分别沿三角形的边80b及80c设置，以围绕第一延伸电极201。依据本发明实施例中的菱形发光元件7及7’，利用沟槽28将发光叠层分为两个三角形发光单元10a～10b及10a’～10b’，并搭配所述的电极配置，电流自菱形两顶点的第二打线垫301注入后，可分别快速且均匀地经由第二延伸电极302传导于两个三角形的发光区域内，且由发光元件7或7’的上视观之，第一电极20被第二电极30围绕，电流可自各方向注入第一电极20，如此一来，可提升发光元件7及7’的发光效率。
上述实施例仅为例示性说明本申请案的原理及其功效，而非用于限制本申请案。任何本申请案所属技术领域中具有通常知识者均可在不违背本申请案的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。因此本申请案的权利保护范围应以附上的权利要求为准。
Claims (10)
1.一种发光元件，包含：
基板；
第一发光叠层，位于该基板上，包含：
三角形上表面，与该基板平行且具有三个边及三个顶点；
第一电极，位于该第一发光叠层上，且位于邻近该三角形上表面三个边中的一第一边；以及
第二电极，位于该第一发光叠层上，包含：
第二电极打线垫，位于邻近三个顶点中的一第一顶点；以及
第二电极延伸部，自该第二电极打线垫往两方向延伸，沿该三角形上表面的另两个边设置以围绕该第一电极，并停在该第一边上以形成一开口部。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极设置于该三角形上表面的一内切圆内。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中该第一电极包含第一电极打线垫及自该第一电极打线垫延伸的第一电极延伸部，该第一电极打线垫及该第一电极延伸部都位于该内切圆内。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中：
该第一电极包含第一电极打线垫及自该第一电极打线垫延伸的第一电极延伸部；以及该第二电极延伸部具有自该第二电极延伸部突出且朝向该第一电极的分支部，其中
该第一电极延伸部与及该分支部为交错设置或互相形成指叉，及/或该分支部垂直于该分支部所突出的该第二电极延伸部。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中：
该第二电极延伸部具有第一分支部自该第二电极延伸部的弯曲部突出，且朝向该另两个顶点的任一个，及/或该第二电极打线垫具有第二分支部自该第二电极打线垫突出，且朝向该第一顶点。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一边相对于该第一顶点，且该开口部邻近该第一边。
7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一发光叠层包含：
第一型半导体层；
第二型半导体层；以及
活性层，介于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；
其中该第一电极位于该第一型半导体层上，该第二电极位于该第二型半导体层上。
8.如权利要求7所述的发光元件，还包含具有与该第一发光叠层相同的三角形上表面的第二发光叠层形成于该基板上；
其中该基板具有一菱形上表面，该第一发光叠层与该第二发光叠层的该第一型半导体层彼此相连形成一平面，该第一发光叠层与该第二发光叠层具有相同的电极配置设置于其上方且互相对称。
9.一种发光元件，包含：
基板；
发光叠层，位于该基板上，包含：
三角形上表面，与该基板平行且具有三个边及三个顶点；
第一电极，位于该发光叠层上，且位于该三角形上表面的一内切圆内；以及
第二电极，位于该发光叠层上，包含：
第二电极打线垫，位于邻近三个顶点中的第一顶点；以及
第二电极延伸部，自该第二电极打线垫延伸且沿该三角形上表面的该三个边设置，以形成一封闭回圈围绕该第一电极。
10.如权利要求9所述的发光元件，其中该第二电极另具有第三打线垫，位于邻近该另两个顶点的任一个。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462079453P | 2014-11-13 | 2014-11-13 | |
| US62/079,453 | 2014-11-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105609608A true CN105609608A (zh) | 2016-05-25 |
| CN105609608B CN105609608B (zh) | 2019-06-11 |
Family
ID=55962449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510779870.8A Active CN105609608B (zh) | 2014-11-13 | 2015-11-13 | 发光二极管元件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9502615B2 (zh) |
| CN (1) | CN105609608B (zh) |
| TW (1) | TW201618341A (zh) |
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- 2015-11-13 TW TW104137436A patent/TW201618341A/zh unknown
- 2015-11-13 CN CN201510779870.8A patent/CN105609608B/zh active Active
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|---|---|
| US20160141454A1 (en) | 2016-05-19 |
| US9502615B2 (en) | 2016-11-22 |
| CN105609608B (zh) | 2019-06-11 |
| TW201618341A (zh) | 2016-05-16 |
| US20170077350A1 (en) | 2017-03-16 |
| US9887320B2 (en) | 2018-02-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |