JP2018046099A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018046099A JP2018046099A JP2016178572A JP2016178572A JP2018046099A JP 2018046099 A JP2018046099 A JP 2018046099A JP 2016178572 A JP2016178572 A JP 2016178572A JP 2016178572 A JP2016178572 A JP 2016178572A JP 2018046099 A JP2018046099 A JP 2018046099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- type semiconductor
- electrode
- semiconductor device
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 323
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
- H01L29/945—Trench capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/66181—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. trench capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下の説明において、n+、n−及びp+、p、p−の表記は、各導電形における不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわち、「+」が付されている表記は、「+」および「−」のいずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に高く、「−」が付されている表記は、いずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に低いことを示す。
以下で説明する各実施形態について、各半導体領域のp形とn形を反転させて各実施形態を実施してもよい。
図1は、第1実施形態に係る半導体装置100の平面図である。
図2は、図1のA−A’線およびB−B’線を含む斜視断面図である。
なお、図1では、絶縁層26が省略され、導電部20が破線で表されている。
なお、ここでは、2つの電極のうち、より高い電位に設定される電極をアノード電極と呼び、より低い電位に設定される電極をカソード電極と呼ぶ。
本実施形態の説明には、XYZ直交座標系を用いる。p+形半導体領域1からn−形半導体領域2に向かう方向をZ方向(第1方向)とし、Z方向に対して垂直であり互いに直交する2方向をX方向およびY方向とする。
p+形半導体領域1は、アノード電極30の上に設けられ、アノード電極30と電気的に接続されている。
n−形半導体領域2は、p+形半導体領域1の上に設けられている。
導電部21は、図2に表すように、複数の導電部20の上に設けられ、各導電部20と接続されている。また、導電部21は、n−形半導体領域2の上に絶縁層25を介して設けられている。なお、導電部20と21は、一体に設けられていてもよい。
カソード電極31は、絶縁層26の上に設けられ、絶縁層26中に形成された接続部(コンタクトプラグ)27を介して、導電部21と電気的に接続されている。
p+形半導体領域1およびn−形半導体領域2は、半導体材料として、シリコンまたは炭化シリコンを含む。半導体材料としてシリコンが用いられる場合、n形不純物として、ヒ素、リン、またはアンチモンを用いることができる。p形不純物として、ボロンを用いることができる。
導電部20および21は、ポリシリコンなどの導電材料を含む。
絶縁層25および26は、酸化シリコンなどの絶縁材料を含む。
接続部27、アノード電極30、およびカソード電極31は、アルミニウムなどの金属を含む。
図3(a)は、半導体装置100の一部を表す断面図である。図3(b)は、半導体装置100への印加電圧と容量の関係を表すグラフである。図3(c)は、スナバ回路を用いた回路の一例を表す電気回路図である。
このように、本実施形態によれば、半導体装置の容量を、アノード電極30に対するカソード電極31への印加電圧に応じて変化させることが可能となる。
図3(c)に表す回路では、MOSFET81、インダクタンス82、電源83、ゲート信号源84、およびスナバ回路85が用いられている。図3(c)に表す回路において、MOSFET81をオン状態からオフ状態へスイッチングした際、インダクタンス82の誘導起電力によって、ドレイン電極側には瞬間的に大きなサージ電圧が発生する。サージ電圧が生じると、ソース電極とドレイン電極との間の電圧(ドレイン電圧)が振動する。このドレイン電圧の振動は、ドレイン電極とソース電極との間にスナバ回路85を接続することで抑制できる。
このため、本実施形態に係る半導体装置100をスナバ回路85として用いることで、ドレイン電圧の振動を抑制しつつ、電圧に対して容量が一定のキャパシタをスナバ回路に用いた場合に比べて、キャパシタにおいて充放電される電荷量が小さくなり、スナバ回路85による電力損失を抑えることができる。
p+形半導体領域1中およびn−形半導体領域2中に複数の導電部20が設けられていることで、反転層ILの面積を増加させ、反転層ILが形成された際のキャパシタの容量を大きくすることができる。すなわち、図3(b)に表す容量Cmaxを大きくすることができる。
また、第1部分20aのZ方向における長さは、第2部分20bのZ方向における長さよりも短く、第1部分20aとp+形半導体領域1との対面する面積は、小さいことが望ましい。このような構成によれば、反転層ILが形成されていないときの半導体装置100の容量を小さくすることができる。すなわち、図3(b)に表す容量Cminを小さくすることができる。
容量Cmaxを大きくすることで、図3(c)に表す回路において、MOSFET81をターンオフした際のドレイン電圧の振動をより一層抑制することができる。また、容量Cminを小さくすることで、半導体装置100をスナバ回路85として用いた場合に、スナバ回路85の充放電に必要な電荷量をより小さくし、電力損失をさらに抑えることができる。
図4は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置110の斜視断面図である。
半導体装置110は、導電部21が設けられていない点で、半導体装置100と異なる。
このため、半導体装置110では、導電部20の上面が絶縁層26によって覆われており、導電部20とカソード電極31とが、絶縁層26中の接続部27によって直接接続されている。
また、本変形例によれば、導電部21が設けられていないことで、アノード電極30からカソード電極31へ流れる変位電流の経路が狭まるため、アノード電極30とカソード電極31との間の電気抵抗を高めることができる。このため、実施形態に係る半導体装置がスナバ回路として用いられる場合、スナバ回路における電気抵抗を高め、サージ電圧が生じた際の瞬間的なドレイン電圧の増大を抑制することができる。
図5は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置120の斜視断面図である。
半導体装置120では、アノード電極30およびカソード電極31の配置が半導体装置100と異なっている。また、これに伴って、p+形半導体領域1およびn−形半導体領域2に代えて、n+形半導体領域3およびp−形半導体領域4が設けられている。
なお、本変形例では、n+形半導体領域3からp−形半導体領域4に向かう方向をZ方向(第1方向)とし、Z方向に対して垂直であり互いに直交する2方向をX方向およびY方向として説明する。
n+形半導体領域3は、カソード電極31の上に設けられ、カソード電極31と電気的に接続されている。
p−形半導体領域4は、n+形半導体領域3の上に設けられている。
導電部21は、複数の導電部20の上に設けられている。導電部21は、複数の導電部20と接続されるとともに、絶縁層26中の接続部27を介してアノード電極30と電気的に接続されている。
図6は、第1実施形態に係る半導体装置100を含む半導体パッケージを表す平面図である。
なお、図6では、封止樹脂97が透過して表されている。
図7は、第2実施形態に係る半導体装置200の平面図である。
図8は、図7のA−A’断面図である。
なお、図7では、絶縁層26が省略され、導電部20が破線で表されている。
本実施形態では、n−形半導体領域5からp形半導体領域6に向かう方向をZ方向(第1方向)とし、Z方向に対して垂直であり互いに直交する2方向をX方向およびY方向として説明する。
図8に表すように、p形半導体領域6は、n−形半導体領域5の一部の上に設けられている。p形半導体領域5の一部は、X方向に延びて絶縁層25と接し、他の一部は、Z方向に延びて接続部28に接続されている。
n−形半導体領域7は、p形半導体領域6の上に設けられている。n−形半導体領域5とn−形半導体領域7は、図示されない部分でつながっていてもよい。
絶縁層26は、n−形半導体領域5、p形半導体領域6、n−形半導体領域7、および導電部21を覆っている。カソード電極31およびアノード電極30は、それぞれ、絶縁層26に形成された接続部27および28を通して、p−形半導体領域4および導電部21と接続されている。
図9は、第2実施形態の第1変形例に係る半導体装置210の平面図である。
図10は、図9のA−A’断面図の一例である。
図11は、図9のA−A’断面図の他の例である。
なお、図9では、絶縁層26が省略されている。
一方で、図10に表すように、半導体装置p形半導体領域6とカソード電極31とがn+形半導体領域8を介して接続され、p形半導体領域6の電位がフローティングであることで、図3(b)に表す容量Cminを小さくすることができる。
図12は、第3実施形態に係る半導体装置300の平面図である。
図13は、図12のA−A’断面図である。
本実施形態では、n−形半導体領域5からp形半導体領域6に向かう方向をZ方向(第1方向)とし、Z方向に対して垂直であり互いに直交する2方向をX方向およびY方向として説明する。
n+形ドレイン領域10は、ドレイン電極30Dの上に設けられ、ドレイン電極30Dと電気的に接続されている。
n−形半導体領域5は、n+形ドレイン領域10の上に設けられている。
p形半導体領域6は、絶縁層26中の接続部を介して金属層33と電気的に接続されている。
n+形ソース領域13およびp+形コンタクト領域14は、p形ベース領域12の上に選択的に設けられている。
ゲート電極40は、n−形半導体領域5中およびp形ベース領域12中にゲート絶縁層41を介して設けられ、ゲート絶縁層41を介してp形ベース領域12と対面している。また、ゲート電極40は、ゲートパッド32と電気的に接続されている。
ソース電極31Sとゲート電極40との間には、絶縁層26が設けられ、これらの電極は、電気的に分離されている。
ソース電極31Sに対してドレイン電極30Dに正電圧が印加された状態で、ゲート電極40に閾値以上の電圧が印加されると、ゲート絶縁層41近傍のp形ベース領域12に電子の反転層が形成される。これにより、半導体装置300に含まれるMOSFETがオン状態となり、ドレイン電極30Dからソース電極31Sに電流が流れる。
その後、ゲート電極40への印加電圧が閾値未満になると、電子の反転層が消滅し、MOSFETがオフ状態となる。
また、このように、MOSFETとスナバ回路を1つの半導体基板上に集積させることで、MOSFETとスナバ回路を別々の基板上に形成し、混載させて実装する場合に比べて、デバイスを小型化することが可能となる。
図14は、第3実施形態の第1変形例に係る半導体装置310の断面図である。
半導体装置310は、絶縁層25の構造について、半導体装置300と差異を有する。
本変形例に係る半導体装置310では、絶縁層25が下方に向かうほど厚くなっているため、絶縁層25の絶縁破壊が生じる可能性を低減することができる。
図15は、第3実施形態の第2変形例に係る半導体装置320の断面図である。
半導体装置320は、フィールドプレート電極(以下、FP電極という)45をさらに備える点で、半導体装置300と異なる。
しかし、半導体装置200と同様の構造が設けられていることで、このようなドレイン電圧の振動を好適に抑制することが可能となる。また、このような大きなドレイン電圧の振動を抑制するために、図3(b)に表す容量Cmaxを大きくした場合であっても、容量Cminを小さくすることで、スナバ回路による電力損失の増大を抑えることができる。
図16は、第3実施形態の第3変形例に係る半導体装置330の断面図である。
半導体装置330は、p−形ピラー領域15をさらに備える点で、半導体装置300と異なる。
しかし、半導体装置320と同様に、半導体装置200と同様の構造が設けられていることで、このような大きなドレイン電圧の振動を好適に抑制することが可能である。
また、各半導体領域における不純物濃度については、例えば、SIMS(二次イオン質量分析法)により測定することが可能である。
Claims (8)
- アノード電極と、
前記アノード電極と電気的に接続されたp形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられたn形の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域中および前記第2半導体領域中に絶縁層を介して設けられた導電部と、
前記導電部と電気的に接続され、前記第2半導体領域と電気的に分離されたカソード電極と、
を備えた半導体装置。 - カソード電極と、
前記カソード電極と電気的に接続されたn形の第1半導体領域と、
第1半導体領域の上に設けられたp形の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域中および前記第2半導体領域中に絶縁層を介して設けられた導電部と、
前記導電部と電気的に接続されたアノード電極と、
を備えた半導体装置。 - 前記導電部は、
前記絶縁層を介して前記第1半導体領域と対面する第1部分と、
前記絶縁層を介して前記第2半導体領域と対面する第2部分と、
を有し、
前記第1部分の、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向における長さは、前記第2部分の前記第1方向における長さよりも短い請求項1または2に記載の半導体装置。 - p形の第1半導体領域と、
第1半導体領域の一部の上に設けられたn形の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の他の一部の上に絶縁層を介して設けられた導電部と、
前記第2半導体領域と電気的に接続されたカソード電極と、
前記導電部と電気的に接続されたアノード電極と、
を備えた半導体装置。 - 第1導電形の第1半導体領域と、
第1半導体領域の一部の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域中および前記第3半導体領域中に第1絶縁層を介して設けられた導電部と、
前記第1半導体領域の他の一部の上に設けられた第2導電形の第4半導体領域と、
前記第4半導体領域の上に設けられた第1導電形の第5半導体領域と、
前記第4半導体領域とゲート絶縁層を介して対面するゲート電極と、
前記第4半導体領域の上および前記第5半導体領域の上に設けられ、前記第4半導体領域、前記第5半導体領域、および前記導電部と電気的に接続された第1電極と、
を備えた半導体装置。 - 前記導電部は、
前記絶縁層を介して前記第2半導体領域と対面する第1部分と、
前記絶縁層を介して前記第3半導体領域と対面する第2部分と、
を有し、
前記第1部分の、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向における長さは、前記第2部分の前記第1方向における長さよりも短い請求項5記載の半導体装置。 - 前記第1半導体領域の上に設けられ、前記第2半導体領域および前記第4半導体領域と離間した第1導電形の第6半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられ、前記第1電極および前記第2電極と離間した金属層と、
をさらに備え、
前記第6半導体領域における第1導電形のキャリア濃度は、前記第1半導体領域における第1導電形のキャリア濃度よりも高く、
前記第3電極は、前記第2半導体領域および前記第6半導体領域と電気的に接続された請求項6記載の半導体装置。 - 前記導電部の上に第2絶縁層を介して設けられ、前記第1電極と離間し、前記ゲート電極と電気的に接続された第2電極をさらに備えた請求項7記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178572A JP6635900B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 半導体装置 |
US15/448,057 US9978884B2 (en) | 2016-09-13 | 2017-03-02 | Semiconductor device |
US15/962,681 US10134921B2 (en) | 2016-09-13 | 2018-04-25 | Semiconductor device |
US16/164,327 US10403768B2 (en) | 2016-09-13 | 2018-10-18 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178572A JP6635900B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018046099A true JP2018046099A (ja) | 2018-03-22 |
JP6635900B2 JP6635900B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=61560259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016178572A Active JP6635900B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9978884B2 (ja) |
JP (1) | JP6635900B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019239701A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社村田製作所 | Crスナバ素子 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230099042A1 (en) * | 2021-09-30 | 2023-03-30 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Semiconductor Device and Method of Forming Monolithic Surge Protection Resistor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268245A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007194622A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 面積効率の高いゲート・ダイオード構造およびこれを形成する方法 |
JP2009021557A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-01-29 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2011082401A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013179166A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19713980C2 (de) * | 1997-04-04 | 1999-03-18 | Siemens Ag | Leistungsdiode, Herstellungsverfahren für diese und Verwendung derselben (FCI-Diode) |
GB0312512D0 (en) * | 2003-05-31 | 2003-07-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Termination structures for semiconductor devices and the manufacture thereof |
JP5612268B2 (ja) | 2008-03-28 | 2014-10-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びdc−dcコンバータ |
US8829624B2 (en) * | 2008-06-30 | 2014-09-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power device with monolithically integrated RC snubber |
JP5476737B2 (ja) | 2009-02-24 | 2014-04-23 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2010206012A (ja) | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
US9356133B2 (en) * | 2012-02-01 | 2016-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Medium voltage MOSFET device |
US8643071B2 (en) * | 2012-06-14 | 2014-02-04 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Integrated snubber in a single poly MOSFET |
US9230957B2 (en) * | 2013-03-11 | 2016-01-05 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Integrated snubber in a single poly MOSFET |
DE102013108518B4 (de) * | 2013-08-07 | 2016-11-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen derselben |
US9419080B2 (en) * | 2013-12-11 | 2016-08-16 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with recombination region |
US9337185B2 (en) * | 2013-12-19 | 2016-05-10 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor devices |
WO2016067835A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-06 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびパワー回路 |
-
2016
- 2016-09-13 JP JP2016178572A patent/JP6635900B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-02 US US15/448,057 patent/US9978884B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-25 US US15/962,681 patent/US10134921B2/en active Active
- 2018-10-18 US US16/164,327 patent/US10403768B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268245A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007194622A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 面積効率の高いゲート・ダイオード構造およびこれを形成する方法 |
JP2009021557A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-01-29 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2011082401A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013179166A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019239701A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社村田製作所 | Crスナバ素子 |
JPWO2019239701A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2021-01-07 | 株式会社村田製作所 | Crスナバ素子 |
US11303201B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CR snubber element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10134921B2 (en) | 2018-11-20 |
US9978884B2 (en) | 2018-05-22 |
US10403768B2 (en) | 2019-09-03 |
JP6635900B2 (ja) | 2020-01-29 |
US20190051760A1 (en) | 2019-02-14 |
US20180240916A1 (en) | 2018-08-23 |
US20180076338A1 (en) | 2018-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6449821B2 (ja) | 広禁止帯幅半導体装置 | |
JP5863574B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017163122A (ja) | 半導体装置 | |
JP5821320B2 (ja) | ダイオード | |
JP2009038318A (ja) | 半導体装置 | |
CN107833918B (zh) | 半导体装置 | |
JP5720582B2 (ja) | スイッチング素子 | |
JP2017045827A (ja) | 半導体装置 | |
JP7208875B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012049562A (ja) | 半導体装置 | |
US10403768B2 (en) | Semiconductor device | |
WO2014188570A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009105177A (ja) | 半導体装置 | |
JP7227110B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008227237A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019145646A (ja) | 半導体装置 | |
CN211929493U (zh) | 晶闸管 | |
JP2017157673A (ja) | 半導体装置 | |
TW201635474A (zh) | 半導體裝置 | |
JP2020129646A (ja) | 半導体装置 | |
JP6450659B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015226029A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
TWI714683B (zh) | 具有超晶格結構的表面優化電晶體 | |
JP7243795B2 (ja) | 半導体装置 | |
US11342410B2 (en) | Improving IGBT light load efficiency |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170911 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6635900 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |