JP2018037921A - 撮像素子 - Google Patents

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文秀 村尾
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Abstract

【課題】従来の撮像素子では、消費電力が大きくなる問題があった。【解決手段】半導体装置は、1本の垂直信号線SLに接続されたと複数の画素回路と、垂直信号線SLを介して得られる信号レベルを、入力容量Ciと帰還容量Cfの容量比に応じて決定される増幅率で増幅する反転増幅回路と、を有し、反転増幅回路による第1の画素回路から読み出された撮像信号の増幅が完了した第1のタイミングから反転増幅器による第2の画素回路から読み出されるダークレベル信号の増幅が開始される第2のタイミングまで間の期間に設定された電荷回収期間において、帰還容量を反転増幅器の出力から切り離して垂直信号線SLに接続する。【選択図】図3

Description

本発明は撮像素子に関し、例えば垂直信号線を介して読み出される信号レベルを反転増幅器を用いて増幅し、増幅後の信号レベルに対してアナログデジタル変換処理を行う撮像素子に関する。
撮像素子の回路構成の一例が特許文献1に開示されている。特許文献1に記載の回路構成では、撮像装置は、被写体像を撮像する複数の画素と、前記複数の画素から信号を読み出す複数の垂直出力線と、前記複数の垂直出力線に読み出された信号を増幅する増幅回路と、を有する。
特開2005−217771号公報
特許文献1に記載された撮像装置では、画素から読み出した信号を反転増幅器を利用して増幅する。また、特許文献1に記載の撮像装置では、画素から読み出した信号レベルの増幅を行う前に画素のダークレベルに対して増幅を行うダークレベル読み出し処理を行う。このようなことから、撮像装置では、ダークレベル読み出し処理と画素信号の増幅処理とを1画素毎に繰り返し行う。つまり、撮像素子では、反転増幅器の充放電が1画素毎に繰り返し行われる。ここで、近年、撮像素子では画素数の増加と、フレームレートの増加が著しい。そのため、撮像素子では、前述した反転増幅器の帰還容量に対する充放電の頻度が増加しており、撮像素子の性能向上による消費電力の増加が問題となってきている。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態によれば、半導体装置は、1本の垂直信号線に接続されたと複数の画素回路と、垂直信号線を介して得られる信号レベルを、入力容量と帰還容量の容量比に応じて決定される増幅率で増幅する反転増幅回路と、を有し、反転増幅回路による第1の画素回路から読み出された撮像信号の増幅が完了した第1のタイミングから反転増幅器による第2の画素回路から読み出されるダークレベル信号の増幅が開始される第2のタイミングまで間の期間に設定された電荷回収期間において、帰還容量を反転増幅器の出力から切り離して垂直信号線に接続する。
前記一実施の形態によれば、半導体装置は、画素信号の読み出しに起因する消費電力を低減することができる。
実施の形態1にかかる撮像素子を含むカメラシステムのブロック図である。 実施の形態1にかかる撮像素子のフロアレイアウトの概略図である。 実施の形態1にかかる撮像素子の画素回路、画素電流源及び増幅回路の回路図である。 実施の形態1にかかる撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。 図4のタイミングチャートの期間T1のときのスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図である。 図4のタイミングチャートの期間T2のときのスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図である。 図4のタイミングチャートの期間T3のときのスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図である。 図4のタイミングチャートの期間T5の第1の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図である。 図4のタイミングチャートの期間T5の第2の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図である。 図4のタイミングチャートの期間T5の第3の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図である。 図4のタイミングチャートの期間T5の第4の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図である。 実施の形態1にかかる撮像素子の画素回路の第1の変形例を説明する回路図である。 実施の形態1にかかる撮像素子の画素回路の第2の変形例を説明する回路図である。 実施の形態2にかかる撮像素子の画素回路、画素電流源及び増幅回路の回路図である。 実施の形態2にかかる撮像素子の画素電流源の別の形態を説明する回路図である。 実施の形態3にかかる撮像素子の画素回路、画素電流源及び増幅回路の回路図である。 実施の形態3にかかる撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。
実施の形態1
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
図1に実施の形態1にかかるカメラシステム1のブロック図を示す。図1に示すように、カメラシステム1は、ズームレンズ11、絞り機構12、固定レンズ13、フォーカスレンズ14、撮像素子15、ズームレンズアクチュエータ16、フォーカスレンズアクチュエータ17、信号処理回路18、システム制御MCU19、モニタ、記憶装置を有する。ここで、モニタ及び記憶装置は、カメラシステム1で撮影した画像を確認及び記憶するものであり、これらをカメラシステム1とは切り離した別のシステム上に設けても良い。
ズームレンズ11、絞り機構12、固定レンズ13及びフォーカスレンズ14は、カメラシステム1のレンズ群を構成する。ズームレンズ11は、ズームアクチュエータ16により位置の変更が行われる。フォーカスレンズ14は、フォーカスアクチュエータ17により位置の変更が行われる。そして、カメラシステム1では、各種アクチュエータによりレンズを移動させることでズーム倍率、フォーカスを変更し、かつ、絞り機構12を動作させることで入射光量を変更する。
ズームアクチュエータ16は、システム制御MCU19が出力するズーム制御信号SZCに基づきズームレンズ11を移動させる。フォーカスアクチュエータ17は、フォーカスアクチュエータ17は、システム制御MCU19が出力するフォーカス制御信号SFCに基づきフォーカスレンズ14を移動させる。絞り機構12は、システム制御MCU19が出力する絞り制御信号SDCにより絞り量を調節する。
撮像素子15は、例えば、フォトダイオード等の受光素子を有し、当該受光素子から得られた受光画素情報をデジタル値に変換して画像情報Doを出力する。また、撮像素子15は、撮像素子15が出力する画像情報Doを解析して画像情報Doの特徴を表す画像特徴情報DCIを出力する。この画像特徴情報DCIには、後述するオートフォーカス処理において取得される2つの画像が含まれる。さらに、撮像素子15は、モジュール制御MCU18から与えられるセンサ制御信号SSCに基づき画像情報Doの画素毎のゲイン制御、画像情報Doの露光制御、及び、画像情報DoのHDR(High Dynamic Range)制御を行う。撮像素子15の詳細については後述する。
信号処理回路18は、撮像素子15から受信した画像情報Doに画像補正等の画像処理を施して画像データDimgを出力する。信号処理回路18は、受信した画像情報Doを解析して色空間情報DCDを出力する。色空間情報DCDには、例えば、画像情報Doの輝度情報、及び、色情報が含まれる。
システム制御MCU19は、撮像素子15から出力される画像特徴情報DCIに基づきレンズ群のフォーカスを制御する。より具体的には、システム制御MCU19は、フォーカス制御信号SFCをフォーカスアクチュエータ17に出力することでレンズ群のフォーカスを制御する。システム制御MCU19は、絞り制御信号SDCを絞り機構12に出力して絞り機構12の絞り量を調節する。さらに、システム制御MCU19は、外部から与えられるズーム指示に従ってズーム制御信号SZCを生成し、ズーム制御信号SZCをズームアクチュエータ16に出力することでレンズ群のズーム倍率を制御する。
より具体的には、ズームアクチュエータ16によりズームレンズ11を移動することでフォーカスがずれる。そこで、システム制御MCU19は、撮像素子15から得た画像特徴情報DCIに含まれる2つの画像に基づき2つの物体像間の位置的位相差を算出し、この位置的位相差に基づきレンズ群のデフォーカス量を算出する。システム制御MCU19は、このデフォーカス量に応じて自動的にフォーカスを合わせる。この処理がオートフォーカス制御である。
また、システム制御MCU19は、信号処理回路18が出力する色空間情報DCDに含まれる輝度情報に基づき撮像素子15の露出設定を指示する露出制御値を算出して、信号処理回路18から出力される色空間情報DCDに含まれる輝度情報が露出制御値に近づくように撮像素子15の露光設定及びゲイン設定を制御する。このとき、システム制御MCU19は、露出を変更する際に絞り機構12の制御値を算出しても良い。
また、システム制御MCU19は、ユーザーからの指示に基づき画像データDimgの輝度或いは色を調整する色空間制御信号SICを出力する。なお、システム制御MCU19は、信号処理回路18から取得した色空間情報DCDとユーザーから与えられた情報との差分に基づき色空間制御信号SICを生成する。
実施の形態1にかかるカメラシステム1では、センサ15内においてフォトダイオードから画素情報を読み出す際の制御方法に特徴の1つを有する。そこで、以下では、撮像素子15についてより詳細に説明する。
図2に実施の形態1にかかる撮像素子のフロアレイアウトの一部の概略図を示す。図2では、撮像素子15のフロアレイアウトのうち画素垂直制御部20、画素アレイ21、画素電流源22、増幅回路23、AD(Analog to Digital)変換回路24、CDS(Correlated Double Sampling)回路25、水平転送回路26、タイミングジェネレータ27、出力制御部28、出力インタフェース29のフロアレイアウトのみを示した。
画素垂直制御部20は、画素アレイ21に格子状に配置される画素回路の動作を行毎に制御する。画素電流源22は、画素アレイ21に配置される画素回路の列毎に設けられる電流源を有する。増幅回路23は、画素回路から読み出した画素情報のゲイン調整を行う。AD変換回路24は、増幅回路23でゲイン調整された画素情報をデジタル値に変換する。CDS回路25は、画素情報の信号レベルからリセットレベル(以下ダークレベルと称す)を引き算することで画素情報のノイズを除去する。水平転送回路26は、CDS回路25でノイズ除去された画素情報を出力制御部28に近い方から順に出力制御部28に転送する。タイミングジェネレータ27は、画素垂直制御部20、画素電流源22、増幅回路23、AD変換回路24、CDS回路25が動作するタイミングを制御する。出力制御部28は、水平転送回路26により転送された画素情報を出力インタフェース29に出力する。出力インタフェース29は、撮像素子15の出力インタフェース回路である。
実施の形態1にかかる撮像素子では、増幅回路23に特徴の1つを有する。そこで、以下では増幅回路23について詳細に説明する。図3に実施の形態1にかかる絞り機構12、画素電流源22及び増幅回路23の回路図を示す。なお、図3では、画素回路の各素子に与える制御信号及び画素電流源22、増幅回路23に与える制御信号を説明するために画素垂直制御部20及び画素水平制御部(例えば、タイミングジェネレータ27)を示した。また、図3では、1つの画素列に関する回路のみを示した。図3では、以下の説明で用いる電圧を示す符号を括弧内に示した。
図3に示すように、実施の形態1にかかる画素アレイ21は、1本の垂直信号線SLに対してn個の画素回路(図3中の画素回路31〜3n)が設けられる。画素回路31〜3nは同じ回路であるため、図3では、画素回路31のみ詳細な回路を示した。画素回路31は、光電変換素子(例えば、フォトダイオード41)、転送トランジスタ42、リセットトランジスタ43、増幅トランジスタ44、選択トランジスタ45を有する。
フォトダイオード41は、撮像素子15に入射する光の光量に応じた電荷を生成する。転送トランジスタ42は、NMOSトランジスタであり、フォトダイオード41から電荷を読み出す。転送トランジスタ42は、ソースにフォトダイオード41が接続され、ドレインがフローティングディフュージョンFDに接続され、ゲートに読み出し制御信号TX1が与えられる。フローティングディフュージョンFDは、転送トランジスタ42を介して読み出された電荷を蓄積する。リセットトランジスタ43は、NMOSトランジスタであり、フローティングディフュージョンFDと電源配線PWRとの間に接続される。リセットトランジスタ43のゲートには、リセット制御信号RST1が与えられる。増幅トランジスタ43は、NMOSトランジスタであり、フローティングディフュージョンFDがゲートに接続され、ドレインに電源配線PWRが接続され、ソースが出力配線に接続される。そして、増幅トランジスタ44は、フローティングディフュージョンFDに蓄積された電荷量に応じた電圧を有する画素情報Vopxを出力する。選択トランジスタ45は、NMOSトランジスタであり、増幅トランジスタ44のソースと垂直信号線SLとの間に設けられ、ゲートに選択信号SEL1が与えられる。
また、垂直信号線SLには寄生容量CvsLが形成される。この寄生容量CvsLは垂直信号線SLの配線容量である。垂直信号線SLの端部には、画素電流源22が設けられる。画素電流源22は、第4のスイッチ(例えば、スイッチSWipx)及び定電流源46を有する。スイッチSWipxは、定電流源46と垂直信号線SLとの間に設けられる。定電流源46は、垂直信号線SLから定電流の引き抜きを行う。
増幅回路23は、増幅器47、第1の容量(例えば、入力容量Ci)、第2の容量(例えば、帰還容量Cf)、第1のスイッチ(例えば、スイッチSWamp)、第2のスイッチ(スイッチSWrcy)、第3のスイッチ(例えば、SWrs)、基準電圧源を有する。
入力容量Ciは、垂直信号線SLに一端が接続される。増幅器47は、入力容量Ciの他端が反転入力端子に接続され、正転入力端子に第1の基準電圧(例えば、基準電圧Vref)が供給される。基準電圧源は、基準電圧Vrefを生成する。帰還容量Cfは、増幅器47の反転入力端子に一端が接続される。スイッチSWampは、帰還容量Cfの他端と増幅器47の出力端子とを接続する。スイッチSWrcyは、帰還容量Cfの他端と垂直信号線SLとの間に接続される。スイッチSWrsは、増幅器47の反転入力端子と増幅器47の出力端子との間に設けられる。
タイミングジェネレータ27は、スイッチSWamp、スイッチSWrcy及びスイッチSWrcの開閉状態と、画素電流源22の動作状態(例えば、スイッチSWipxの開閉状態)と、を制御する。具体的には、タイミングジェネレータ27は、増幅器47による第1の画素回路(例えば、画素回路31)から読み出された撮像信号の増幅が完了した第1のタイミングから増幅器47による第2の画素回路(例えば、画素回路32)から読み出されるダークレベル信号の増幅が開始される第2のタイミングまで間の期間に設定された電荷回収期間において、画素電流源22による定電流の引き抜きを停止させ、スイッチSWampをオフ状態とし、かつ、スイッチSWrcyをオン状態とする。また、タイミングジェネレータ27は、第1のタイミングより前の期間、及び、第2のタイミング以降の期間において、画素電流源22による定電流の引き抜きを行わせ、スイッチSWampをオン状態とし、かつ、スイッチSWrcyをオフ状態とする。タイミングジェネレータ27は、電荷回収期間においてスイッチSWrsをオン状態に制御する。タイミングジェネレータ27は、電荷回収期間にスイッチSWipxをオフ状態とし、電荷回収期間以外の期間はスイッチSWipxをオン状態とする。
実施の形態1にかかる撮像素子15では、タイミングジェネレータ27による画素情報読み出し時の増幅回路23の制御方法に特徴を有する。そこで、以下では、増幅回路23の制御方法を中心に実施の形態1にかかる撮像素子15の動作について説明する。そこで、図4に実施の形態1にかかる撮像素子15の動作を説明するタイミングチャートを示す。図4に示す例では、画素回路31、32の2つの画素回路から画素情報を読み出す例を示したが、n個の画素回路であっても基本的な動作は変わらない。
まず、画素回路31、32から画素情報を読み出す際の画素回路31、32の動作について説明する。図4に示すように、実施の形態1にかかる撮像素子15では、画素回路毎にフォトダイオード41のリセット、露光、フローティングディフュージョンFDのリセット、ダークレベルの出力及び画素情報の出力の各処理を行う。
フォトダイオード41のリセット処理では、転送トランジスタ42及びリセットトランジスタ43をオン状態とすることで、フローティングディフュージョンFD及びフォトダイオード41の電荷レベルをリセットレベルとする。そして、転送トランジスタ42及びリセットトランジスタ43をオン状態からオフ状態に切り替えることで、露光処理が開始される。そして、この露光処理の期間(図中の露光期間)の間に、リセットトランジスタ43をオン状態に切り替えることで、フローティングディフュージョンFDのリセット処理を行う。また、撮像素子15は、露光期間中において、フローティングディフュージョンFDのリセット処理完了後にリセットトランジスタ43をオン状態からオフ状態に切り替え、かつ、選択トランジスタ45をオフ状態からオン状態に切り替えることでダークレベルの出力を行う。その後、撮像素子15は、転送トランジスタ42をオフ状態からオン状態に切り替えることでフローティングディフュージョンFDへのフォトダイオード41の電荷の転送及び垂直信号線SLへの画素情報Vopxの出力を行う。
ここで、実施の形態1にかかる撮像素子15では、ダークレベルは電源電圧レベルである。また、実施の形態1にかかる撮像素子15では、フォトダイオード41から画素情報を読み出すことでフローティングディフュージョンFD及び垂直信号線SLの電圧は、電源電圧レベルよりも低いアナログ電圧となる。なお、画素情報に対応するアナログ電圧は画素情報の大きさにより様々な値となるため、図4では、アナログ電圧となる部分については二重線で示した。
続いて、画素情報を読み出す際の画素電流源22及び増幅回路23の動作について説明する。図4に示すように、画素情報の読み出し処理を行う前は、画素電流源22は、垂直信号線SLから電流を引き抜く状態に制御され、増幅回路23は、反転増幅回路として機能するようにスイッチが制御される。この画素情報の読み出し処理を行う前の期間のスイッチ状態を期間T1のときのスイッチ状態を例に説明する。そこで、図5に図4のタイミングチャートの期間T1のときのスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図を示す。
図5に示すように、期間T1では、スイッチSWipxはオン状態、スイッチSWrsはオフ状態、スイッチSWampはオン状態、スイッチSWrcyはオフ状態となるように制御される。
続いて、ダークレベルを読み出す際の画素電流源22及び増幅回路23の動作について説明する。図4に示すように、ダークレベルを読み出す際には帰還容量Cfをリセットする期間T2とダークレベルの読み出し動作を行う期間T3とでスイッチの状態を切り替える。期間T2では、増幅回路23がバッファとして機能するようにスイッチの状態を制御することで帰還容量Cfの電荷のリセットを行い、期間T3では、増幅回路23を反転増幅器として機能させることで垂直信号線SLを介して伝達されるダークレベルに対応する変換対象画素情報Voutを出力する。そこで、図6に図4のタイミングチャートの期間T2のときのスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図を示し、図7に図4のタイミングチャートの期間T3のときのスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図を示す。
図6に示すように、期間T2では、スイッチSWipxはオン状態、スイッチSWrsはオフ状態からオン状態に切り替えられ、スイッチSWampはオン状態、スイッチSWrcyはオフ状態となるように制御される。
図7に示すように、期間T3では、スイッチSWipxはオン状態、スイッチSWrsはオン状態からオフ状態に切り替えられ、スイッチSWampはオン状態、スイッチSWrcyはオフ状態となるように制御される。
続いて、画素情報Vopxを読み出す際の画素電流源22及び増幅回路23の動作について説明する。図4に示すように、画素情報Vopxを読み出す際には期間T3のスイッチ状態を維持して、垂直信号線SLに出力される画素情報Vopxを反転増幅器構成の増幅回路23により変換対象画素情報Voutに変換する。ここでのスイッチの状態は期間T3と同じであるため説明を省略する。
続いて、帰還容量Cfの電荷を垂直信号線SLの寄生容量CvsL及び入力容量Ciに転送することで電荷を回収する電荷回収期間の画素電流源22及び増幅回路23の動作について説明する。図4に示すように、電荷回収期間となる期間T4では、最終的に、スイッチSWipxはオフ状態、スイッチSWrsはオン状態、スイッチSWampはオフ状態、スイッチSWrcyはオン状態となるように制御される。実施の形態1にかかる撮像素子15では、各スイッチに対して4つ段階の制御を行うことで期間T4における最終的なスイッチ状態とする。そこで、4つの段階それぞれについてスイッチ状態を示しながら、期間T4におけるスイッチ制御について説明する。
図8に図4のタイミングチャートの期間T5の第1の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図を示す。この第1の状態変化では、スイッチSWipxはオン状態、スイッチSWrsはオフ状態、スイッチSWampはオン状態からオフ状態に切り替えられ、スイッチSWrcyはオフ状態となるように制御される。
図9に図4のタイミングチャートの期間T5の第2の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図を示す。この第2の状態変化では、スイッチSWipxはオン状態、スイッチSWrsはオフ状態からオン状態に切り替えられ、スイッチSWampはオフ状態、スイッチSWrcyはオフ状態となるように制御される。
図19に図4のタイミングチャートの期間T5の第3の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図を示す。この第3の状態変化では、スイッチSWipxはオン状態からオフ状態に切り替えられ、スイッチSWrsはオン状態、スイッチSWampはオフ状態、スイッチSWrcyはオフ状態となるように制御される。
図11に図4のタイミングチャートの期間T5の第4の状態変化後のスイッチ状態を説明する増幅回路の回路図を示す。この第4の状態変化では、スイッチSWipxはオフ状態、スイッチSWrsはオン状態、スイッチSWampはオフ状態、スイッチSWrcyはオフ状態からオン状態に切り替えられるとなるように制御される。
撮像素子15では、反転増幅器構成の増幅回路23により画素情報Vopxの読み出しを行うため、画素情報Vopxの読み出しにより、垂直信号線SLの電圧がダークレベルから低下し、増幅回路23の出力となる変換対象画素情報Voutの電圧が上昇する。このようなことから、期間T5において第4の状態変化が完了した状態で帰還容量Cfから寄生容量CvsL及び入力容量Ciへの充電が行われる。
このように第1の状態変化から第4の状態変化を経て最終的なスイッチ状態とすることで、撮像素子15では、増幅回路23が不安定な状態になること及び帰還容量Cfに蓄積された電荷の流出を防ぎ、電荷回収効率を高める。特に、増幅回路23では、電荷回収時にスイッチSWrsにより、増幅器47によるバッファ回路を構成することで、増幅器47の反転入力端子の安定度を向上させ、帰還容量Cfから寄生容量CvsL及び入力容量Ciへの電荷の転送の効率を高める。
そして、実施の形態1にかかる撮像素子15では、期間T2〜T5の動作を画素回路毎に繰り返す。
上記説明より実施の形態1にかかる撮像素子15では、増幅器47による第1の画素回路(例えば、画素回路31)から読み出された撮像信号の増幅が完了した第1のタイミングから増幅器47による第2の画素回路(例えば、画素回路32)から読み出されるダークレベル信号の増幅が開始される第2のタイミングまで間の期間に設定された電荷回収期間において、帰還容量Cfに蓄積された電荷を垂直信号線SLの寄生容量CvsL及び入力容量Ciに転送する。これにより、画素情報Vopxの読み出しによりダークレベルよりも低下した垂直信号線SLの電位が上昇する。そして、実施の形態1にかかる撮像素子15では、垂直信号線SL及び入力容量Ciを第1の画素回路に続いて読み出される第2の画素回路のダークレベルとする際に垂直信号線SLの寄生容量CvsLに充電する電荷量を低減する。つまり、実施の形態1にかかる撮像素子15では、画素情報Vopxの読み出し時に帰還容量Cfに蓄積された電荷を寄生容量CvcL及び入力容量Ciに転送することで、ダークレベル読み出しを行う際の垂直信号線SL及び入力容量Ciへの充電電流を低減させて消費電力を削減することができる。
近年、撮像素子では、画素数の増加及びフレームレートの上昇が著しく、撮像素子の消費電力も大きくなっている。例えば、画素数が水平7680列、垂直4320行の撮像素子15においてフレームレートを120fpsの動画を撮影する場合を考える。この場合において、画素の垂直信号線の寄生容量CvsLを5pF、垂直信号線に接続される反転増幅器の入力容量Ciを5pFで、画素の出力振幅が1Vであったとすると、画素の垂直信号線の寄生容量CvsLと反転増幅器の入力容量Ciに充放電される電流は、(5pF+5pF)×1V×7680×4320×120=40mAとなる。
ここで、反転増幅器の帰還容量Cfを5pF、反転増幅器の正転入力の基準電圧Vrefを1V、画素出力の垂直信号線SLのダークレベルを2V、撮像信号の信号レベルが1V、出力振幅が1Vの場合、帰還容量Cfにも1Vの電荷が充電される。この状態で上記で説明した電荷回収を行うと、帰還容量Cfに蓄積された電荷の2/3が垂直信号線SLの容量CvsLと反転増幅器の入力容量Ciに移動して、垂直信号線SLの電圧が、1/.33Vとなり、前述の40mAの充電電流で充電した電荷の1/3を反転増幅器の帰還容量Cfからリサイクルすることができる。そして、画素回路の電源電圧が3Vの場合は、3V×40mA×1/3=40mWの電力消費を削減することができる。この消費電力の低減効果は、画素数とフレームレートに比例して増加する。例えば、画素数が水平15360列、垂直8640行で120fpsでは160mWの削減効果が得られ、画素数が水平15360列、垂直8640行で340fpsでは320mQの削減効果を得ることができる。このように、実施の形態1にかかる撮像素子15における電荷回収による消費電力削減効果は、画素数の増加及びフレームレートの上昇に対して非常に高い。
ここで、実施の形態1にかかる撮像素子15の画素回路としては、図3に示した回路のみならず、他の回路形式を採用することもできる。例えば、1つの増幅トランジスタ44に対して複数のフォトダイオード41を設ける構成とすることもできる。また、選択トランジスタ45の有無及び配置場所を変更することもできる。そこで、画素回路31から選択トランジスタ45を削除した回路形式の画素回路31aの回路図を図12に示す。
図12に示すように、画素回路31aは、画素回路31から選択トランジスタ45を削除し、リセットトランジスタ43のソース側にリセット電源配線Vrst1が接続される。画素垂直制御部20aは、画素垂直制御部20に対してリセット電源配線Vrst1〜Vrstnを介してリセット電圧を出力する機能を追加したものである。画素垂直制御部20aは、リセット電圧を選択信号SELと同じ論理で変化させる。このリセット電圧は、電源電圧VDDよりも高い電圧であることが好ましい。
また、画素回路31の選択トランジスタ45の配置を変更した回路形式の画素回路31bの回路図を図13に示す。図13に示すように、画素回路31bでは、選択トランジスタ45bが増幅トランジスタ44と電源配線PWRとの間に設けられる。この選択トランジスタ45bは、選択信号SELにより制御される。
実施の形態2
実施の形態2では、スイッチSWamp、スイッチSWrs、スイッチSWrcy、スイッチSWipxの具体例を説明する。なお、実施の形態2の説明において実施の形態1で説明した構成要素と同じ構成については、実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
図14に実施の形態2にかかる撮像素子15の画素回路31〜3n、画素電流源22及び増幅回路23の回路図を示す。図14に示すように、実施の形態2にかかる撮像素子15では、スイッチSWipxとしてNMOSトランジスタ51を採用する。このNMOSトランジスタ51は、ソースが定電流源46に接続され、ドレインが垂直信号線SLに接続され、ゲートにスイッチSWipxの制御信号が入力される。
実施の形態2にかかる撮像素子15は、スイッチSWrsとしてNMOSトランジスタ52を採用する。このNMOSトランジスタ52は、ソースが増幅器47の反転入力端子に接続され、ドレインが増幅器47の出力端子に接続され、ゲートにスイッチSWrsの制御信号が入力される。
実施の形態2にかかる撮像素子15は、スイッチSWrsとしてPMOSトランジスタ53を採用する。このPMOSトランジスタ53は、ソースが増幅器47の出力端子に接続され、ドレインが帰還容量Cfの他端に接続され、ゲートにスイッチSWampの制御信号が入力される。
実施の形態2にかかる撮像素子15は、スイッチSWrcyとしてPMOSトランジスタ54を採用する。このPMOSトランジスタ54は、ソースが垂直信号線SLの出力端子に接続され、ドレインが帰還容量Cfの他端に接続され、ゲートにスイッチSWrcyの制御信号が入力される。
図14に示すように、実施の形態2にかかる撮像素子15では、スイッチとしてNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとを採用する。ここで、NMOSトランジスタに対する制御信号は、図4のタイミングチャートで示した論理レベルと同じもので良い。一方、PMOSトランジスタに対する制御信号の論理レベルは、図4のタイミングチャートで示した論理レベルとは逆の論理レベルとなる。
実施の形態2にかかる撮像素子15では、スイッチを単にトランジスタに置き換えるのみならず、当該スイッチにより接続される端子、或いは、配線の電位関係に基づきスイッチとして採用するトランジスタの導電型を採用した。これにより、実施の形態2にかかる撮像素子15では、2つのトランジスタを有するトランスファスイッチを用いることなく1つのトランジスタにより各スイッチを構成して、回路規模を削減することができる。
また、スイッチSWipxとしては、別の形態を考えることができる。そこで、図15に実施の形態2にかかる撮像素子の画素電流源の別の形態を説明する回路図を示す。図15に示すように、画素電流源の別の形態では、NMOSトランジスタ560〜562(図示部分のみ)から構成されるカレントミラー回路と、定電流源55と、NMOSトランジスタ57を有する。カレントミラー回路は、定電流源55から与えられる定電流を対応する垂直信号線SLに出力する。また、カレントミラー回路は、カレントミラー回路を構成するトランジスタのゲートを共通接続するゲート配線を有する。NMOSトランジスタ57は、第4のスイッチ(例えば、スイッチSWipx)となるトランジスタである。図15の例では、NMOSトランジスタ57をスイッチSWipxの動作に合わせて導通状態と遮断状態とを切り替えることで垂直信号線SLからの定電流の引き抜きと当該引き抜きの停止とを切りかえる。
図15に示す例では、複数の垂直信号線SLに対して1のスイッチSWipxを設ける。これにより、図15に示す例では、スイッチSWipxとして機能するトランジスタの数を削減して回路規模を削減することができる。
実施の形態3
実施の形態3では、増幅回路23の別の形態となる増幅回路63について説明する。なお、実施の形態3の説明において実施の形態1で説明した構成要素と同じ構成については、実施の形態1と同じ符号を付して説明を省略する。
図16に実施の形態3にかかる撮像素子15の画素回路、画素電流源及び増幅回路の回路図を示す。図16に示すように、増幅回路63は、増幅回路23に対して、第5のスイッチ(例えば、スイッチSWshDi)、第6のスイッチ(例えば、スイッチSWshSi)、第7のスイッチ(例えば、スイッチSWshDo)、第8のスイッチ(例えば、スイッチSWshSo)、第9のスイッチ(例えば、スイッチSWrcysh)、第10のスイッチ(スイッチSWiPG)、第3のコンデンサ(例えば、コンデンサCshD)、第4のコンデンサ(例えば、CshS)を追加したものである。また、AD変換回路64は、AD変換回路24における変換処理タイミングを変更したものである。実施の形態3にかかる撮像素子15では、ダークレベルに対応する変換対象画素情報Voutを変換対象画素情報VoshDとしてサンプリングした後に変換対象画素情報VoshDの変換処理と、画素情報Vopxに対応する変換対象画素情報Voutを変換対象画素情報VoshSとしてサンプリングするサンプリング処理を並列して行う。
スイッチSWshDiは、増幅器47の出力端子に一端が接続される。スイッチSWshSiは、増幅器47の出力端子に一端が接続される。コンデンサCshDは、スイッチSWshDiの他端に一端が接続され、他端に第2の基準電圧(例えば、基準電圧VrefSH)が供給される。コンデンサCshSは、スイッチSWshSiの他端に一端が接続され、他端に第2の基準電圧(例えば、基準電圧VrefSH)が供給される。スイッチSWshDoは、スイッチSWshDiの他端に一端が接続され、他端に後段回路(例えば、AD変換回路64)が接続される。スイッチSWshSoは、スイッチSWshSiの他端に一端が接続され、他端に後段回路(例えば、AD変換回路64)が接続される。スイッチSWrcyshは、スイッチSWshSiの他端と垂直信号線SLの他端との間に接続される。スイッチSWiPGは、増幅器47の反転入力端子と正転入力端子との間に接続される。
タイミングジェネレータ67は、タイミングジェネレータ27に対してスイッチSWshDi、スイッチSWshSi、スイッチSWshDo、スイッチSWshSo、スイッチSWrcysh及びスイッチSWiPGを制御する制御信号を出力する機能を追加したものである。そして、タイミングジェネレータ67は、電荷回収期間において、スイッチSWrcysh及びスイッチSWiPGをオン状態とし、かつ、スイッチSWshDi、スイッチSWshSi、スイッチSWshDo及びスイッチSWshSoをオフ状態とする。
続いて、実施の形態3にかかる撮像素子15の動作について説明する。そこで、図17に実施の形態3にかかる撮像素子15の動作を説明するタイミングチャートを示す。図17に示すように、実施の形態3にかかる撮像素子15では、画素回路31、32の動作は図4に示した実施の形態1の動作と同じである。
そして、実施の形態3にかかる撮像素子15では、ダークレベルに対する増幅処理を行う際に、スイッチSWshDi及びスイッチSWshDoをオン状態としてダークレベルに対応する変換対象画素情報Voutを変換対象画素情報VoshDとしてコンデンサCshDにサンプリングする。また、実施の形態3にかかる撮像素子15では、画素情報Vopxに対する増幅処理を行う際に、スイッチSWshSi及びスイッチSWshSoをオン状態として画素情報Vopxに対応する変換対象画素情報Voutを変換対象画素情報VoshSとしてコンデンサCshSにサンプリングする。
また、実施の形態3にかかる撮像素子15では、電荷回収期間において、スイッチSWshDi、スイッチSWshDo、スイッチSWshSi及びスイッチSWshSoをオフ状態とし、かつ、スイッチSWrcysh及びスイッチSWiPGをオン状態とする。これにより、実施の形態3にかかる撮像素子15では、帰還容量CfとコンデンサCshSに蓄積された電荷を帰還容量Cf及び入力容量Ciに転送する。
上記説明より、実施の形態3にかかる撮像素子15では、ダークレベル電圧と画素情報Vopxとを個別にサンプリングすることで、変換処理とサンプリング処理とを並列して実行し、動作速度を速めることができる。さらに、実施の形態3にかかる撮像素子15では、画素情報VopxをサンプリングするコンデンサCshSに蓄積された電荷を寄生容量CvsL及び入力容量Ciに回収する。これにより、実施の形態3にかかる撮像素子15では、実施の形態1にかかる撮像素子15よりも多くの電荷を回収することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、上記の実施の形態に係る半導体装置では、半導体基板、半導体層、拡散層(拡散領域)などの導電型(p型もしくはn型)を反転させた構成としてもよい。そのため、n型、及びp型の一方の導電型を第1の導電型とし、他方の導電型を第2の導電型とした場合、第1の導電型をp型、第2の導電型をn型とすることもできるし、反対に第1の導電型をn型、第2の導電型をp型とすることもできる。
1 カメラシステム
11 ズームレンズ
12 絞り機構
13 固定レンズ
14 フォーカスレンズ
15 撮像素子
16 ズームレンズアクチュエータ
17 フォーカスレンズアクチュエータ
18 信号処理回路
19 システム制御MCU
20 画素垂直制御部
21 画素アレイ
22 画素電流源
23、63 増幅回路
24、64 AD変換回路
25 CDS回路
26 水平転送回路
27、67 タイミングジェネレータ
28 出力制御部
29 出力インタフェース
31〜3n 画素回路
41 フォトダイオード
42 転送トランジスタ
43 リセットトランジスタ
44 増幅トランジスタ
45 選択トランジスタ
46、55 定電流源
47 増幅器
51、52、57 NMOSトランジスタ
53、54 PMOSトランジスタ
560〜562 NMOSトランジスタ
SL 垂直信号線
PWR 電源配線
Vrst リセット電源配線
RST リセット制御信号
RSTH リセット制御信号
TX 読み出し制御信号
SEL 選択信号
FD フローティングディフュージョン
Vref 基準電圧
VrefSH 基準電圧
CvsL 寄生容量
Cf 帰還容量
Ci 入力容量
CshS 信号レベル保持容量
CshD ダークレベル保持容量
Vopx 画素情報
Vout 変換対象画素情報

Claims (10)

  1. 垂直信号線と、
    前記垂直信号線に接続される第1の画素回路及び第2の画素回路と、
    前記垂直信号線から定電流の引き抜きを行う画素電流源と、
    前記垂直信号線に一端が接続される第1の容量と、
    前記第1の容量の他端が反転入力端子に接続され、正転入力端子に第1の基準電圧が供給される増幅器と、
    前記増幅器の前記反転入力端子に一端が接続される第2の容量と、
    前記第2の容量の他端と前記増幅器の出力端子とを接続する第1のスイッチと、
    前記第2の容量の他端と前記垂直信号線との間に接続される第2のスイッチと、
    を有する撮像素子。
  2. 前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチの開閉状態と、前記画素電流源の動作状態と、を制御する画素水平制御部を更に有し、
    前記画素水平制御部は、前記増幅器による前記第1の画素回路から読み出された撮像信号の増幅が完了した第1のタイミングから前記増幅器による前記第2の画素回路から読み出されるダークレベル信号の増幅が開始される第2のタイミングまで間の期間に設定された電荷回収期間において、前記画素電流源による定電流の引き抜きを停止させ、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態とする請求項1に記載の撮像素子。
  3. 前記画素水平制御部は、前記第1のタイミングより前の期間、及び、前記第2のタイミング以降の期間において、前記画素電流源による前記定電流の引き抜きを行わせ、前記第1のスイッチをオン状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とする請求項2に記載の撮像素子。
  4. 前記増幅器の反転入力端子と前記増幅器の出力端子との間に設けられる第3のスイッチを更に有し、
    前記画素水平制御部は、前記電荷回収期間において前記第3のスイッチをオン状態に制御する請求項2に記載の撮像素子。
  5. 前記画素電流源は、
    前記定電流を出力する定電流源と、
    前記定電流源と前記垂直信号線との間に設けられる第4のスイッチと、を有し、
    前記画素水平制御部は、前記電荷回収期間に前記第4のスイッチをオフ状態とし、前記電荷回収期間以外の期間は前記第4のスイッチをオン状態とする請求項4に記載の撮像素子。
  6. 前記画素水平制御部は、前記電荷回収期間において第1のスイッチ及び前記第4のスイッチをオン状態、かつ、前記第2のスイッチ及び前記第3のスイッチをオフ状態として動作を開始し、
    前記第1のスイッチをオン状態からオフ状態に切り替える第1のスイッチ切替動作を行い、
    前記第1のスイッチ切替動作後に、前記第3のスイッチをオフ状態からオン状態に切り替える第2のスイッチ切替動作を行い、
    前記第2のスイッチ切替動作後に、前記第4のスイッチをオン状態からオフ状態に切り替える第3のスイッチ切替動作を行い、
    前記第3のスイッチ切替動作後に、前記第2のスイッチをオフ状態からオン状態に切り替える第4のスイッチ切替動作を行う請求項5に記載の撮像素子。
  7. 前記画素電流源は、
    前記定電流源から与えられる前記定電流を対応する前記垂直信号線に出力するカレントミラー回路と、
    前記カレントミラー回路を構成するトランジスタのゲートを共通接続するゲート配線と接地配線との間に設けられる第4のスイッチと、を有し、
    前記画素水平制御部は、前記電荷回収期間に前記第4のスイッチをオフ状態とし、前記電荷回収期間以外の期間は前記第4のスイッチをオン状態とする請求項4に記載の撮像素子。
  8. 前記画素水平制御部は、前記電荷回収期間において第1のスイッチ及び前記第4のスイッチをオン状態、かつ、前記第2のスイッチ及び前記第3のスイッチをオフ状態として動作を開始し、
    前記第1のスイッチをオン状態からオフ状態に切り替える第1のスイッチ切替動作を行い、
    前記第1のスイッチ切替動作後に、前記第3のスイッチをオフ状態からオン状態に切り替える第2のスイッチ切替動作を行い、
    前記第2のスイッチ切替動作後に、前記第4のスイッチをオン状態からオフ状態に切り替える第3のスイッチ切替動作を行い、
    前記第3のスイッチ切替動作後に、前記第2のスイッチをオフ状態からオン状態に切り替える第4のスイッチ切替動作を行う請求項7に記載の撮像素子。
  9. 前記増幅器の出力端子に一端が接続される第5、第6のスイッチと、
    前記第5のスイッチの他端に一端が接続され、他端に第2の基準電圧が供給される第3のコンデンサと、
    前記第6のスイッチの他端に一端が接続され、他端に前記第2の基準電圧が供給される第4のコンデンサと、
    前記第5のスイッチの他端に一端が接続され、他端に後段回路が接続される第7のスイッチと、
    前記第6のスイッチの他端に一端が接続され、他端に前記後段回路が接続される第8のスイッチと、
    前記第6のスイッチの他端と前記垂直信号線との間に接続される第9のスイッチと、
    前記増幅器の反転入力端子と正転入力端子との間に接続される第10のスイッチと、
    を更に有する請求項2に記載の撮像素子。
  10. 前記画素水平制御部は、前記電荷回収期間において、前記第9及び第10のスイッチをオン状態とし、かつ、前記第5から第8のスイッチをオフ状態とする請求項9に記載の撮像素子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020141186A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 日本放送協会 画素信号読み出し回路および積層型固体撮像装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111225166B (zh) * 2020-03-02 2021-11-19 上海集成电路研发中心有限公司 一种高动态范围的图像传感器读出电路及读出方法
JP7405653B2 (ja) * 2020-03-11 2023-12-26 Tianma Japan株式会社 イメージセンサ
WO2021184934A1 (zh) * 2020-03-20 2021-09-23 神盾股份有限公司 图像感测装置
CN118435077A (zh) * 2020-10-22 2024-08-02 趣眼有限公司 使用开关操作阶段的感光基元电路

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3844699B2 (ja) * 2001-02-19 2006-11-15 イノテック株式会社 可変利得アンプ
JP2005217771A (ja) 2004-01-29 2005-08-11 Canon Inc 撮像装置
JP4952301B2 (ja) * 2007-03-01 2012-06-13 ソニー株式会社 撮像装置およびカメラ
JP4353281B2 (ja) * 2007-06-06 2009-10-28 ソニー株式会社 A/d変換回路、a/d変換回路の制御方法、固体撮像装置および撮像装置
GB0816592D0 (en) * 2008-09-11 2008-10-15 Sgs Thomson Microelectronics Optical Sensor and Sensing Method
JP5721489B2 (ja) * 2011-03-22 2015-05-20 キヤノン株式会社 Ad変換回路、光電変換装置、撮像システム、およびad変換回路の駆動方法
CN103581645B (zh) * 2012-07-24 2017-05-24 三星电子株式会社 深度感测设备和方法
US10277848B2 (en) * 2015-01-13 2019-04-30 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of driving the same, and electronic apparatus
CN106341627B (zh) * 2015-07-07 2020-08-11 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
KR20170019581A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 삼성전자주식회사 지문 감지 센서, 이를 포함하는 전자 장치 및 지문 감지 센서의 동작 방법
KR20170019588A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 삼성전자주식회사 지문 감지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
US9699395B1 (en) * 2016-03-17 2017-07-04 Raytheon Company Imaging circuits and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020141186A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 日本放送協会 画素信号読み出し回路および積層型固体撮像装置

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