JP2018036568A - ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フォトマスクを安価で容易に製造できるウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法は、加工すべきウエーハ以上の大きさを有し光を透過する透光板と、加工すべきウエーハと同等以上の大きさを有し光を遮断する遮光板と、を準備する準備工程ST1と、光を透過すべき領域の遮光板の表面側に裏面には至らない深さの凹部を形成する凹部形成工程ST2と、凹部が形成された遮光板の表面と透光板とを陽極接合することにより一体化する一体化工程ST3と、一体化工程ST3を実施した後、透光板側を保持し遮光板の裏面側を研削して、凹部を裏面側に露出させる研削工程ST4と、を備える。【選択図】図4
Description
本発明は、ウエーハをプラズマエッチングによりデバイスに分割する際に用いられるウエーハ加工用フォトマスクの製造方法に関する。
IC(Integrated Circuit)、LSI(Large-Scale Integration)等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成された半導体ウエーハは、裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。
しかし、ダイシング装置によるダイシング時には、高速回転する切削ブレードがウエーハの分割予定ラインに切り込むため、切削ブレードの破砕力に起因してデバイスに欠けが生じ、デバイスの抗折強度を低下させるという問題がある。
また、切削ブレードによるダイシングは、切削ブレードを各分割予定ラインに精密に位置合わせした上で、各分割予定ラインを一本一本切削していく必要があり、非効率的である。特に、デバイスのサイズが小さく切削する分割予定ラインの数が多い場合は、全ての分割予定ラインを切削するのに相当の時間を有し、生産性が低下するという問題がある。
そこで、デバイスの抗折強度を向上させるため、或いは生産性を向上させるために、ウエーハの分割予定ラインをプラズマエッチングして個々のデバイスに分割する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、プラズマエッチングの際に用いられるマスクの製造方法も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかし、特許文献1に開示されているように、分割予定ラインをプラズマエッチングしてウエーハを個々のデバイスに分割するには、フォトマスクが必要であり、従来のフォトマスクは高額でコスト高になるという問題がある。
従来のフォトマスクの製造方法は、特許文献2に開示されているように、ガラス板の表面にクロム等の遮光膜を被覆する工程、遮光膜の上面にフォトレジスト膜を被覆する工程、フォトレジスト膜に対して遮光したい領域と透光したい領域に選択的に光又は電子ビームを照射してパターンを描画する工程、フォトレジスト膜を現像してフォトレジスト膜を部分的に除去する工程、エッチングによって遮光膜を部分的に除去する工程を含んでおり、製造工程が複雑でフォトマスクが高額になるという問題がある。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フォトマスクを安価で容易に製造できるウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハ加工用フォトマスクの製造方法は、ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法であって、加工すべきウエーハ以上の大きさを有し光を透過する透光板と、加工すべきウエーハと同等以上の大きさを有し光を遮断する遮光板と、を準備する準備工程と、光を透過すべき領域の該遮光板の表面側に裏面には至らない深さの凹部を形成する凹部形成工程と、該凹部が形成された該遮光板の表面と該透光板とを陽極接合することにより一体化する一体化工程と、該一体化工程を実施した後、該透光板側を保持し該遮光板の裏面側を研削して、該凹部を裏面側に露出させる研削工程と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、凹部が形成された遮光板と透光板とを接着剤を用いることなく接合できるので、接合に関連する工程を省くことができ簡易にフォトマスクを製造することができ、フォトマスクを安価で容易に製造できる、という効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を図面を参照して説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの加工対象のウエーハを示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクを示す斜視図である。図3は、図2中のIII−III線に沿う断面図である。
実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を図面を参照して説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの加工対象のウエーハを示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクを示す斜視図である。図3は、図2中のIII−III線に沿う断面図である。
実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法は、図1に示すウエーハWを加工する際に用いられる図2及び図3にウエーハ加工用フォトマスク1を製造する方法である。図1に示すウエーハWは、実施形態1ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板Sとする円板状の半導体ウエーハや光ウエーハである。ウエーハWは、図1に示すように、表面WSの交差(実施形態1では、直交)する複数の分割予定ラインLによって区画された基板S上の各領域にそれぞれデバイスDが形成されている。実施形態1に係るウエーハWは、分割予定ラインLの幅が数十μm程度以下で、かつその表面WSに一辺0.1mm以上かつ20mm以下の大きさの矩形状デバイスDを含み、プラズマエッチングによりデバイスDに分割されるのが好適なものである。また、実施形態1に係るウエーハWの厚さは、30μm以上で且つ300μm以下である。また、実施形態1において、ウエーハWのデバイスDは、平面形状が四角形に形成され、大きさが互いに等しいが、本発明はこれに限らず、ウエーハWの表面WSに種々の大きさのデバイスDが形成されても良く、平面形状が四角形以外の異形状のデバイスDでも良い。
ウエーハ加工用フォトマスク1は、ウエーハWにプラズマエッチングを施して、プラズマエッチングによりウエーハWを個々のデバイスDに分割する加工に用いられる保護膜P(図12に示す)をウエーハW上に形成するものである。保護膜Pは、レジストR(図10及び図11に示す)により構成される。
ウエーハ加工用フォトマスク1は、図2及び図3に示すように、透光板2と、透光板2に重ねられて固定された遮光板3とを備える。透光板2は、レジストRを露光する際にレジストRに照射される光を透過するものである。透光板2は、加工すべきウエーハW以上の大きさを有している。実施形態1において、透光板2は、ウエーハWと同じ大きさの円盤状に形成されている。また、実施形態1において、透光板2は、石英ガラスにより構成され、厚さが700μmに形成されている。
遮光板3は、保護膜Pを構成するレジストRを露光する際にレジストRに照射される光を遮断するものである。遮光板3は、加工すべきウエーハWと同等以上の大きさを有している。実施形態1において、遮光板3は、ウエーハWと同じ大きさの円盤状に形成されている。また、実施形態1において、遮光板3は、円板状のシリコンであり、厚さが775μmである。
また、遮光板3は、ウエーハWのデバイスDに対応する各領域にレジストRを露光する際にレジストRに照射される光を透過する光透過部3aを設けている。実施形態1において、光透過部3aは、レジストRが塗布されたウエーハWにウエーハ加工用フォトマスク1が重ねられた際に、デバイスDと重なる位置に設けられている。実施形態1において、光透過部3aは、デバイスDと同じ平面形状でかつ同じ大きさに形成されている。光透過部3aは、遮光板3を貫通した孔である。また、本発明では、透光板2と遮光板3との熱膨張係数が極力近いのが望ましく、透光板2と遮光板3との熱膨張係数の差が、石英ガラスの熱膨張係数とシリコンの熱膨張係数との差以下であるのが望ましい。
次に、実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を図面を参照して説明する。図4は、実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャートである。図5は、図4に示されたウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の準備工程を示す断面図である。図6は、図4に示されたウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の凹部形成工程を示す断面図である。図7は、図4に示されたウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の凹部形成工程の遮光板の平面図である。図8は、図4に示されたウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の一体化工程を示す断面図である。図9は、図4に示されたウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の研削工程の断面図である。
実施形態1に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法(以下、単に製造方法と記す)は、図2に示すウエーハ加工用フォトマスク1(以下、単にフォトマスクと記す)を製造する方法である。
製造方法は、図4に示すように、準備工程ST1と、凹部形成工程ST2と、一体化工程ST3と、研削工程ST4とを備える。
準備工程ST1は、図5に示すように、透光板2と、光透過部3aが形成されていない遮光板3とを準備する工程である。
凹部形成工程ST2は、光を透過すべき領域の遮光板3の表面3b側に表面3bの裏側の裏面3cには至らない深さの凹部3dを形成する工程である。実施形態1において、凹部形成工程ST2は、遮光板3の裏面3cをレーザ加工機100のチャックテーブル101に吸引保持し、フォトマスク1がウエーハWに重ねられる際に、遮光板3の光を透過すべき領域であるデバイスDに重なる図7に示す領域RDにレーザ照射ユニット102から遮光板3が吸収性を有する波長のレーザー光LRを照射して、遮光板3にアブレーション加工を施す。実施形態1において、凹部形成工程ST2は、レーザ加工機100のチャックテーブル101とレーザ照射ユニット102とを加工送り方向Xと割り出し送り方向Yとに沿って相対的に移動させて、各デバイスDに重なる領域RDに、図7に示すように、レーザー光LRを照射する。実施形態1において、凹部形成工程ST2は、遮光板3に波長が355nmのレーザー光LRを照射して、アブレーション加工を施し、デバイスDに重なる領域RDに凹部3dを形成する。
一体化工程ST3は、凹部3dが形成された遮光板3の表面3bと透光板2とを陽極接合することにより一体化する工程である。実施形態1において、一体化工程ST3は、300℃から400℃程度まで昇温した状態で、遮光板3の表面3bと透光板2の表面2aとを密に重ね、図8に示すように、遮光板3を陽極、透光板2を陰極にして、遮光板3と透光板2との間に例えば500V〜1000Vの直流電圧を直流電源200から印加する。すると、透光板2内のNa(ナトリウム)イオンが透光板2内を直流電源200側に移動する。透光板2と遮光板3との接合面では、遮光板3の表面3bにプラスの電荷が集まった層が形成され、透光板2の表面2aにNa(ナトリウム)イオンが欠乏したSiO−の空間電荷層が形成されて、表面3b,2a間にクーロン力が働き、接合面で共有結合が生じて、遮光板3の表面3bと透光板2の表面2aとが接合される。なお、図8は、Na(ナトリウム)イオンの電極への付着を防止するために、遮光板3の裏面3cと透光板2の表面2aの裏側の裏面2bとをカーボンシート201により覆っている。
研削工程ST4は、一体化工程ST3を実施した後、透光板2側を保持し、遮光板3の裏面3c側を研削して、凹部3dを裏面3c側に露出させる工程である。研削工程ST4は、透光板2側を研削装置300のチャックテーブル301に吸引保持し、遮光板3の裏面3cに研削砥石302を押し当てて、チャックテーブル301と研削砥石302とを軸心回りに回転して、凹部3dが裏面3cに露出するまで、研削砥石302で遮光板3の裏面3cを研削する。凹部3dが裏面3cに露出すると、凹部3dが遮光板3を貫通して、フォトマスク1の遮光板3に光透過部3aが形成される。研削工程ST4は、研削砥石302による研削後、算術表面粗さRaが10nmになるまで、裏面3cに研磨又はCMP(Chemical Mechanical Polishing)を施す。こうして、フォトマスク1が得られる。
次に、実施形態1に係る製造方法により製造されたフォトマスク1を用いたウエーハWの保護膜Pの形成方法を図面を参照して説明する。図10は、図3に示されたウエーハ加工用フォトマスクを用いたウエーハの保護膜の形成方法のレジスト塗布工程を示す断面図である。図11は、図3に示されたウエーハ加工用フォトマスクを用いたウエーハの保護膜の形成方法の露光工程を示す断面図である。図12は、図3に示されたウエーハ加工用フォトマスクを用いて保護膜が形成されたウエーハの断面図である。
実施形態1に係る製造方法により製造されたフォトマスク1を用いたウエーハWの保護膜Pの形成方法は、図10に示すレジスト塗布工程と、図11に示す露光工程とを備える。レジスト塗布工程は、ウエーハWの表面WSの裏側の裏面WRをスピンナ401に保持し、スピンナ401によりウエーハWを軸心回りに回転させながらウエーハWの表面WSにレジストRを供給して、図10に示すように、ウエーハWの表面WSにレジストRを薄膜状に塗布する。実施形態1のレジストRは、露光された部分がウエーハWの表面WSに残る所謂ネガ型のレジストである。
露光工程は、ウエーハWの表面WSに遮光板3が対向し、かつデバイスDに光透過部3aが対向した状態で、ウエーハWとフォトマスク1とを位置決めする。露光工程は、フォトマスク1越しにウエーハWに塗布されたレジストRに光を照射し、露光する。すると、光透過部3aがデバイスDと対向しているので、光がレジストRのデバイスDに重なる部分のみに照射される。レジストRが現像されると、図12に示すように、デバイスD上のみにレジストRにより構成された保護膜Pが残ることとなる。図12に示すように、デバイスDが保護膜Pにより被覆されたウエーハWは、プラズマエッチングにより分割予定ラインLの基板Sが切断されて、個々のデバイスDに分割される。
実施形態1に係る製造方法は、凹部3dが形成された遮光板3と透光板2とを接着剤を用いることなく陽極接合により接合できるので、接合に関連する工程を省くことができ簡易にフォトマスク1を製造することができ、フォトマスク1を安価で容易に製造できる、という効果を奏する。また、実施形態1に係る製造方法は、レーザー光LRを遮光板3に照射して光透過部3aを構成する凹部3dを形成するので、種々の大きさのデバイスDが形成されたウエーハWの加工にも用いることができるフォトマスク1を容易に製造することができる。
また、実施形態1に係る製造方法は、接着剤を用いることなく遮光板3と透光板2とを接合するので、接着剤を用いて接合する場合に比べ、遮光板3と透光板2とを接合する接着剤がレジストRに悪影響を与えることがなく、高精度なレジストRの露光、即ち高精度に保護膜Pとなるパターニングされたマスクを形成することができる。
また、実施形態1に係る製造方法により製造されたフォトマスク1は、光透過部3aを構成する凹部3dが遮光板3にレーザー光LRが照射されて構成されているので、凹部3dをウエーハWのデバイスDに対応した形状、即ちデバイスDと同等の形状に形成することができる。このために、フォトマスク1は、ウエーハWにレジストRを形成する際に、露光された部分がウエーハWの表面WSから除去されるポジ型のレジストよりも安価なネガ型のレジストRを用いて、デバイスD上に保護膜Pを形成することができるので、ウエーハWの加工及びデバイスDの製造に係るコストを低減することができる。
また、実施形態1に係る製造方法は、レーザー光LRを遮光板3に照射して光透過部3aを構成する凹部3dを形成するので、一端から他端まで連続した一直線とならない分割予定ラインLが設定されたウエーハWの分割に用いることができるフォトマスク1を容易に製造することができる。なお、一端から他端まで連続した一直線とならない分割予定ラインLが形成されたウエーハWには、平面形状が四角形でかつ大きさが異なるデバイスDが形成されたもの、分割予定ラインLが一直線とならないように大きさが等しいデバイスDが配置形成されたもの、平面形状が四角形以外の異形状(例えば、六角形、円形等)を有するデバイスDが形成されたものである。
〔実施形態2〕
実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を図面を参照して説明する。図13は、実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法により製造されたウエーハ加工用フォトマスクの断面図である。図14は、実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の凹部形成工程を示す断面図である。なお、図13及び図14は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法を図面を参照して説明する。図13は、実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法により製造されたウエーハ加工用フォトマスクの断面図である。図14は、実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の凹部形成工程を示す断面図である。なお、図13及び図14は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
図13に示すウエーハ加工用フォトマスク1−2(以下、単にフォトマスクと記す)は、光透過部3aが分割予定ラインLに対応する領域、即ち、光透過部3aがレジストRの露光時に分割予定ラインLと対向する位置に形成されている。図13に示すフォトマスク1−2は、レジストRの露光時に分割予定ラインL上のレジストRを露光して、デバイスD上に保護膜Pを形成するためのものである。即ち、図13に示すフォトマスク1−2は、露光された部分が除去されるポジ型のレジストRを用いてデバイスD上に保護膜Pを形成するためのものである。
実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法は、凹部形成工程ST2のみが異なり他の工程は、実施形態1と同じである。実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法の凹部形成工程ST2は、図14に示すように、遮光板3の裏面3cを切削装置500のチャックテーブル501に吸引保持し、フォトマスク1がウエーハWに重ねられる際に、遮光板3の表面3bの光を透過すべき領域である分割予定ラインLに重なる領域RLに切削ブレード502を裏面3cに至らない深さまで切り込ませて、遮光板3に切削加工を施す。実施形態2において、凹部形成工程ST2は、切削装置500のチャックテーブル501と切削ブレード502とを加工送り方向Xと割り出し送り方向Yと切り込み送り方向Zとに沿って相対的に移動させて、各分割予定ラインLに重なる領域RLに、図14に示すように、凹部3dを形成する。
実施形態2に係るウエーハ加工用フォトマスクの製造方法は、凹部3dが形成された遮光板3と透光板2とを接着剤を用いることなく陽極接合により接合できるので、接合に関連する工程を省くことができ簡易にフォトマスク1−2を製造することができ、フォトマスク1−2を安価で容易に製造できる、という効果を奏する。
なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1,1−2 ウエーハ加工用フォトマスク
2 透光板
3 遮光板
3b 表面
3c 裏面
3d 凹部
W ウエーハ
ST1 準備工程
ST2 凹部形成工程
ST3 一体化工程
ST4 研削工程
2 透光板
3 遮光板
3b 表面
3c 裏面
3d 凹部
W ウエーハ
ST1 準備工程
ST2 凹部形成工程
ST3 一体化工程
ST4 研削工程
Claims (1)
- ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法であって、
加工すべきウエーハ以上の大きさを有し光を透過する透光板と、加工すべきウエーハと同等以上の大きさを有し光を遮断する遮光板と、を準備する準備工程と、
光を透過すべき領域の該遮光板の表面側に裏面には至らない深さの凹部を形成する凹部形成工程と、
該凹部が形成された該遮光板の表面と該透光板とを陽極接合することにより一体化する一体化工程と、
該一体化工程を実施した後、該透光板側を保持し該遮光板の裏面側を研削して、該凹部を裏面側に露出させる研削工程と、を備えたウエーハ加工用フォトマスクの製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016171225A JP2018036568A (ja) | 2016-09-01 | 2016-09-01 | ウエーハ加工用フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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