JP2018032877A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図2から図12までは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法のプロセスを概略的に示す断面図である。なお、図12は、第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図でもある。
図14から図24までは、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法のプロセスを概略的に示す断面図である。なお、図24は、第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図でもある。
Claims (5)
- 支持基板の主面に一方の面を接して配置される第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の前記一方の面の反対側の面である他方の面に裏面を接して配置される素子形成層と、
厚さが前記第1の絶縁層の第1の厚さと前記素子形成層の第2の厚さとの和に等しく、前記第1の絶縁層の第1の側面と前記素子形成層の第2の側面とに隣接して配置された第2の絶縁層と、
少なくとも一部が前記第2の絶縁層に近接するように、前記素子形成層の表面に形成された半導体素子と、
前記半導体素子と前記素子形成層の前記表面と前記第2の絶縁層の頂面とを被覆する第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層を貫通して前記半導体素子の一部を露出させる開口部と、
前記開口部によって露出した前記半導体素子に接するように前記開口部内を埋める導電性部材と
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の絶縁層は、前記素子形成層の構成材料よりもエッチング速度が遅い材料で形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁層の前記頂面の反対側の面である下面が、前記第1の絶縁層の前記一方の面と同一の平面で前記支持基板と接することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁層が、前記第1の絶縁層の前記第1の側面と前記素子形成層の前記第2の側面とに直接接することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁層が前記頂面に、凹部を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
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