JP2018028996A - 有機el素子用の保護膜の形成方法、表示装置の製造方法および表示装置 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 177
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 38
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 32
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 29
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 770
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 48
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 39
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 37
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
<表示装置の全体構造について>
本実施の形態の表示装置は、有機EL素子を利用した有機EL表示装置(有機エレクトロルミネッセンス表示装置)である。本実施の形態の表示装置を、図面を参照して説明する。
本実施の形態の表示装置1の製造方法について、図面を参照して説明する。図4は、本実施の形態の表示装置1の製造工程を示す、工程フロー図である。図5は、本実施の形態の表示装置1の製造工程のうちの、保護膜16形成工程の詳細を示す、工程フロー図である。図6〜図13は、本実施の形態の表示装置1の製造工程中の要部断面図であり、上記図3に相当する領域の断面図が示されている。なお、ここでは、主として、表示装置1の表示部2の製造工程を説明する。
有機EL素子は、水分に弱いため、有機EL素子を覆うように保護膜(水分保護膜)を形成して、有機EL素子への水分の伝達を防ぐことが望ましい。この保護膜としては、プラズマCVD法で形成したSi含有無機絶縁膜が適している。プラズマCVD法で形成したSi含有無機絶縁膜は、低温での成膜が可能で、かつ、膜の密度を高くできるため、水分の伝達を防ぐ保護膜として好適だからである。なお、有機EL素子は、高温に弱く、高温にさらされると劣化するため、保護膜の成膜温度はある程度低くすることが望ましい。ここで、Si含有無機絶縁膜とは、Si(シリコン、ケイ素)を構成元素として含有する無機絶縁膜であり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜を例示できる。
本実施の形態の主要な特徴のうちの一つは、有機EL素子用の保護膜16が、プラズマCVD法で形成した絶縁膜16aと、絶縁膜16a上にALD法で形成した絶縁膜16bと、絶縁膜16b上にプラズマCVD法で形成した絶縁膜16cとを有する積層膜からなることである。
2 表示部
3 回路部
9 ガラス基板
10 基板
11 基板
12 パッシベーション膜
13 電極層
14 有機層
15 電極層
16 保護膜
16a,16b,16c 絶縁膜
17 樹脂膜
21 成膜装置
22 ロードロック室
23 トランスファチャンバ
24,25,26 チャンバ
27 処理対象物
31 ステージ
32 シャワーヘッド
33 アンテナ
34 排気部
41 ステージ
42 上部電極
43 排気部
44 ガス導入部
45 ガス排出部
PH ピンホール
Claims (22)
- 以下の工程を含む有機EL素子用の保護膜の形成方法:
(a)前記有機EL素子を覆うように、Siを含有する第1絶縁膜を、プラズマCVD法を用いて形成する工程;
(b)前記第1絶縁膜上に、Alを含有する第2絶縁膜を、ALD法を用いて形成する工程;
(c)前記第2絶縁膜上に、Siを含有する第3絶縁膜を、プラズマCVD法を用いて形成する工程、
ここで、
前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜からなる積層膜により、前記有機EL素子用の保護膜が形成される。 - 請求項1記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記第1絶縁膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなり、
前記第2絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜または酸窒化アルミニウム膜からなり、
前記第3絶縁膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項1記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記第1絶縁膜は、窒化シリコン膜からなり、
前記第2絶縁膜は、酸化アルミニウム膜または酸窒化アルミニウム膜からなり、
前記第3絶縁膜は、窒化シリコン膜からなる、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項1記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記第1絶縁膜の第1厚さは、前記第2絶縁膜の第2厚さよりも厚く、かつ、前記第3絶縁膜の第3厚さよりも厚い、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項4記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記第2絶縁膜の前記第2厚さは、10nm以上である、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項5記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記第3絶縁膜の前記第3厚さは、10nm以上である、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項1記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記(a)工程および前記(c)工程では、プラズマCVD法として、ICP−CVD法が用いられる、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項1記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜に接し、
前記第3絶縁膜は、前記第2絶縁膜に接している、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 以下の工程を含む、有機EL素子を有する表示装置の製造方法:
(a)基板上に前記有機EL素子を形成する工程;
(b)前記有機EL素子を覆うように、Siを含有する第1絶縁膜を、プラズマCVD法を用いて形成する工程;
(c)前記第1絶縁膜上に、Alを含有する第2絶縁膜を、ALD法を用いて形成する工程;
(d)前記第2絶縁膜上に、Siを含有する第3絶縁膜を、プラズマCVD法を用いて形成する工程、
ここで、
前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜からなる積層膜により、前記有機EL素子用の保護膜が形成される。 - 請求項9記載の表示装置の製造方法において、
前記第1絶縁膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなり、
前記第2絶縁膜は、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜または酸窒化アルミニウム膜からなり、
前記第3絶縁膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる、表示装置の製造方法。 - 請求項9記載の表示装置の製造方法において、
前記第1絶縁膜は、窒化シリコン膜からなり、
前記第2絶縁膜は、酸化アルミニウム膜または酸窒化アルミニウム膜からなり、
前記第3絶縁膜は、窒化シリコン膜からなる、表示装置の製造方法。 - 請求項9記載の表示装置の製造方法において、
(e)前記(d)工程後、前記第3絶縁膜上に樹脂膜を形成する工程、
を更に有する、表示装置の製造方法。 - 請求項9記載の表示装置の製造方法において、
前記第1絶縁膜の第1厚さは、前記第2絶縁膜の第2厚さよりも厚く、かつ、前記第3絶縁膜の第3厚さよりも厚い、表示装置の製造方法。 - 請求項13記載の表示装置の製造方法において、
前記第2絶縁膜の前記第2厚さは、10nm以上である、表示装置の製造方法。 - 請求項14記載の表示装置の製造方法において、
前記第3絶縁膜の前記第3厚さは、10nm以上である、表示装置の製造方法。 - 請求項13記載の表示装置の製造方法において、
前記基板は、フレキシブル基板である、表示装置の製造方法。 - 請求項16記載の表示装置の製造方法において、
前記第1の厚さと前記第2の厚さと前記第3の厚さの合計は、200nm以下である、表示装置の製造方法。 - 請求項9記載の表示装置の製造方法において、
前記(b)工程および前記(d)工程では、プラズマCVD法として、ICP−CVD法が用いられる、表示装置の製造方法。 - 請求項9記載の表示装置の製造方法において、
前記第2絶縁膜は、前記第1絶縁膜に接し、
前記第3絶縁膜は、前記第2絶縁膜に接している、表示装置の製造方法。 - 基板、
前記基板上に形成された有機EL素子、
前記有機EL素子を覆うように形成された第1絶縁膜、
前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜、
前記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜、
を有する表示装置であって、
前記第1絶縁膜は、プラズマCVD法を用いて形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなり、
前記第2絶縁膜は、ALD法により形成された、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜または酸窒化アルミニウム膜からなり、
前記第3絶縁膜は、プラズマCVD法を用いて形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなり、
前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜からなる積層膜により、前記有機EL素子用の保護膜が形成されている、表示装置。 - 請求項20記載の表示装置において、
前記基板は、フレキシブル基板であり、
前記第1絶縁膜の第1厚さは、前記第2絶縁膜の第2厚さよりも厚く、かつ、前記第3絶縁膜の第3厚さよりも厚い、表示装置。 - 請求項21記載の表示装置において、
前記第3絶縁膜上に形成された樹脂膜を更に有する、表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016159659A JP6788935B2 (ja) | 2016-08-16 | 2016-08-16 | 有機el素子用の保護膜の形成方法および表示装置の製造方法 |
TW105126828A TWI660063B (zh) | 2016-08-16 | 2016-08-23 | 有機el元件用保護膜的形成方法、顯示裝置的製造方法以及顯示裝置 |
KR1020160151774A KR101919664B1 (ko) | 2016-08-16 | 2016-11-15 | 유기 el 소자용 보호막의 형성 방법, 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
US15/361,444 US11127926B2 (en) | 2016-08-16 | 2016-11-27 | Method of forming protection film for organic EL device, method of manufacturing display device and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016159659A JP6788935B2 (ja) | 2016-08-16 | 2016-08-16 | 有機el素子用の保護膜の形成方法および表示装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020181019A Division JP2021015803A (ja) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 有機el素子用の保護膜の形成方法および表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018028996A true JP2018028996A (ja) | 2018-02-22 |
JP6788935B2 JP6788935B2 (ja) | 2020-11-25 |
Family
ID=61192213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016159659A Active JP6788935B2 (ja) | 2016-08-16 | 2016-08-16 | 有機el素子用の保護膜の形成方法および表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11127926B2 (ja) |
JP (1) | JP6788935B2 (ja) |
KR (1) | KR101919664B1 (ja) |
TW (1) | TWI660063B (ja) |
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US11539028B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-12-27 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescence device including multi-layered protective layer |
US11832470B2 (en) | 2020-01-06 | 2023-11-28 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescence device and electronic apparatus |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2016-08-16 JP JP2016159659A patent/JP6788935B2/ja active Active
- 2016-08-23 TW TW105126828A patent/TWI660063B/zh active
- 2016-11-15 KR KR1020160151774A patent/KR101919664B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6788935B2 (ja) | 2020-11-25 |
TWI660063B (zh) | 2019-05-21 |
US11127926B2 (en) | 2021-09-21 |
KR101919664B1 (ko) | 2018-11-16 |
TW201807237A (zh) | 2018-03-01 |
KR20180019466A (ko) | 2018-02-26 |
US20180053915A1 (en) | 2018-02-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20160823 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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