JP2018160388A - 有機el素子用の保護膜の形成方法、表示装置の製造方法および表示装置 - Google Patents
有機el素子用の保護膜の形成方法、表示装置の製造方法および表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1は、本実施の形態の有機EL素子用の保護膜の断面図である。図1に示すように、有機EL素子用の保護膜PROは、フレキシブル基板S上の有機EL形成層L上に形成されている。
次いで、実施の形態1で説明した保護膜を有する表示装置について以下に詳細に説明する。
本実施の形態の表示装置は、有機EL素子を利用した有機EL表示装置(有機エレクトロルミネッセンス表示装置)である。本実施の形態の表示装置を、図面を参照して説明する。
本実施の形態の表示装置1の製造方法について、図面を参照して説明する。図8〜図13は、本実施の形態の表示装置1の製造工程を示す要部断面図である。なお、ここでは、主として、表示装置1の表示部2の製造工程を説明する。
図15は、有機EL形成層L上の異物31を示す図である。有機EL形成層Lは、例えば、図10に示す基板10とパッシベーション膜12と電極層13と有機層14と電極層15とを合わせたものと対応する。
実施の形態1、2においては、保護膜(PRO、16)が単層膜である場合について説明したが、保護膜を積層膜としてもよい。保護膜を、例えば、SiOC膜/無機絶縁膜、無機絶縁膜/SiOC膜、SiOC膜/無機絶縁膜/SiOC膜、または、無機絶縁膜/SiOC膜/無機絶縁膜としてもよい。以下に、図18〜図21を参照しながら、本実施の形態の第1例〜第4例を説明する。
図18は、本実施の形態の第1例の有機EL素子用の保護膜(SiOC膜/無機絶縁膜)の断面図である。図18に示すように、本第1例において、保護膜16は、SiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16SとSiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hとの積層膜よりなる。フレキシブル基板S上の有機EL形成層L上に、SiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16Sが形成され、その上にSiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hが形成されている。前述したように、炭素(C)を含有する膜を有機膜と言い、ALD法により有機膜を形成する方法を有機ALD法と言う。これに対し、ALD法により無機膜を形成する方法を無機ALD法と言う。
図19は、本実施の形態の第2例の有機EL素子用の保護膜(無機絶縁膜/SiOC膜)の断面図である。図19に示すように、本第2例において、保護膜16は、SiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hと、SiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16Sとの積層膜よりなる。フレキシブル基板S上の有機EL形成層L上に、SiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hが形成され、その上にSiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16Sが形成されている。
図20は、本実施の形態の第3例の有機EL素子用の保護膜の断面図である。図20に示すように、本第3例において、保護膜16は、SiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16SとSiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16HとSiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16Sとの積層膜よりなる。フレキシブル基板S上の有機EL形成層L上に、SiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16Sが形成され、その上にSiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hが形成され、さらに、その上にSiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16Sが形成されている。
図21は、本実施の形態の第4例の有機EL素子用の保護膜の断面図である。図21に示すように、本第4例において、保護膜16は、SiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16HとSiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16SとSiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hとの積層膜よりなる。フレキシブル基板S上の有機EL形成層L上に、SiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hが形成され、その上にSiOC膜(有機絶縁膜、有機ALD膜)16Sが形成され、さらに、その上にSiO2膜(無機絶縁膜、無機ALD膜)16Hが形成されている。
上記第1例〜第4例においては、無機絶縁膜としてSiO2膜を例示したが、SiOC膜と他の無機絶縁膜との積層膜を保護膜としてもよい。無機絶縁膜としては、SiO2膜の他、SiN膜、Al2O3膜、TiO2膜、ZrO2膜などを用いることができる。これらの膜は、ALD法での成膜が可能である。また、これらの膜のうち、SiO2膜やSiN膜は、ドライエッチングが可能であり、保護膜の加工性が良く、チャンバのクリーニングも容易である。
1L 第一層
2 表示部
2L 第二層
3 回路部
4 領域
9 ガラス基板
10 基板
11 基板
12 パッシベーション膜
13 電極層
13a 電極
14 有機層
15 電極層
15a 電極
16 保護膜
16H SiO2膜
16S SiOC膜
17 樹脂膜
25 チャンバ
27 処理対象物
31 異物
32 保護膜
41 ステージ
42 上部電極
43 排気部(排気口)
44 ガス導入部
45 ガス排出部
L 有機EL形成層
PRO 保護膜
S フレキシブル基板
Claims (23)
- (a)フレキシブル基板上に、有機EL素子を形成する工程、
(b)前記有機EL素子を覆うように、SiOC膜を含む保護膜を形成する工程、
を有し、
前記SiOC膜は、SiとCとを有する化合物を原料としたALD法を用いて形成され、
前記SiとCとを有する化合物は、
SiとSiとの間の主鎖に、少なくとも1つ以上のCを有し、
前記主鎖の両端のSiには、それぞれアミノ基が結合されている、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項1記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記SiとCとを有する化合物は、酸化剤との反応により、前記SiOC膜を形成する、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項2記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記酸化剤は、酸素ラジカルである、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項3記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記(b)工程は、
前記有機EL素子が形成された前記フレキシブル基板をチャンバ内に配置した後、
(b1)前記原料を前記チャンバ内へ導入し、前記有機EL素子の上方に原料分子を吸着させる工程、
(b2)第1パージガスを前記チャンバ内へ導入し、前記原料のうち吸着されていない原料分子を前記第1パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、
(b3)前記酸素ラジカルを、前記チャンバ内に導入または前記チャンバ内で生成し、前記原料分子と前記酸素ラジカルとの反応物を生成する工程、
(b4)第2パージガスを前記チャンバ内へ導入し、未反応の物質を前記第2パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、を有する、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項4記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記(b)工程は、200℃以下で行われる、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項5記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記SiOC膜は、異物を固着する、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - 請求項5記載の有機EL素子用の保護膜の形成方法において、
前記保護膜は、前記SiOC膜より硬い無機絶縁膜を有し、
前記(b)工程の前または後に、
(c)前記無機絶縁膜を形成する工程、を有する、有機EL素子用の保護膜の形成方法。 - (a)フレキシブル基板上に、有機EL素子を形成する工程、
(b)前記有機EL素子を覆うように、SiOC膜を含む保護膜を形成する工程、
を有し、
前記SiOC膜は、SiとCとを有する化合物を原料としたALD法を用いて形成され、
前記SiとCとを有する化合物は、
SiとSiとの間の主鎖に、少なくとも1つ以上のCを有し、
前記主鎖の両端のSiには、それぞれアミノ基が結合されている、表示装置の製造方法。 - 請求項8記載の表示装置の製造方法において、
前記SiとCとを有する化合物は、酸化剤との反応により、前記SiOC膜を形成する、表示装置の製造方法。 - 請求項9記載の表示装置の製造方法において、
前記酸化剤は、酸素ラジカルである、表示装置の製造方法。 - 請求項10記載の表示装置の製造方法において、
前記(b)工程は、
前記有機EL素子が形成された前記フレキシブル基板をチャンバ内に配置した後、
(b1)前記原料を前記チャンバ内へ導入し、前記有機EL素子の上方に原料分子を吸着させる工程、
(b2)第1パージガスを前記チャンバ内へ導入し、前記原料のうち吸着されていない原料分子を前記第1パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、
(b3)前記酸素ラジカルを、前記チャンバ内に導入または前記チャンバ内で生成し、前記原料分子と前記酸素ラジカルとの反応物を生成する工程、
(b4)第2パージガスを前記チャンバ内へ導入し、前記酸素ラジカルのうち未反応の物質を前記第2パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、を有する、表示装置の製造方法。 - 請求項11記載の表示装置の製造方法において、
前記(b3)工程は、200℃以下で行われる、表示装置の製造方法。 - 請求項12記載の表示装置の製造方法において、
前記SiOC膜は、異物を固着する、表示装置の製造方法。 - 請求項12記載の表示装置の製造方法において、
前記保護膜は、前記SiOC膜より硬い無機絶縁膜を有し、
前記(b)工程の前または後に、
(c)前記無機絶縁膜を形成する工程、を有する、表示装置の製造方法。 - 請求項14記載の表示装置の製造方法において、
前記保護膜は、SiOC膜/無機絶縁膜、無機絶縁膜/SiOC膜、SiOC膜/無機絶縁膜/SiOC膜、および、無機絶縁膜/SiOC膜/無機絶縁膜、から選択されるいずれかの積層膜を有する、表示装置の製造方法。 - 請求項15記載の表示装置の製造方法において、
前記保護膜を構成する各膜は、前記チャンバ内において連続して成膜される、表示装置の製造方法。 - 請求項15記載の表示装置の製造方法において、
前記(c)工程の後に、
(d)前記チャンバ内に付着した前記保護膜の除去工程、を有する表示装置の製造方法。 - 請求項15記載の表示装置の製造方法において、
前記無機絶縁膜は、SiO2膜、SiN膜、Al2O3膜、TiO2膜、および、ZrO2膜から選択される膜である、表示装置の製造方法。 - フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に形成された有機EL素子と、
前記有機EL素子を覆うように形成された、SiOC膜を含む保護膜と、
を有する表示装置であって、
前記SiOC膜は、SiとCとを有する化合物を原料としたALD法を用いて形成された膜であり、
前記SiとCとを有する化合物は、SiとSiとの間の主鎖に、少なくとも1つ以上のCを有し、前記主鎖の両端のSiには、それぞれアミノ基が結合されている、表示装置。 - 請求項19記載の表示装置において、
前記SiOC膜は、前記SiとCとを有する化合物と、酸素ラジカルとの反応により、形成された膜である、表示装置。 - 請求項20記載の表示装置において、
前記保護膜は、前記SiOC膜より硬い無機絶縁膜を有する、表示装置。 - 請求項21記載の表示装置において、
前記保護膜は、SiOC膜/無機絶縁膜、無機絶縁膜/SiOC膜、SiOC膜/無機絶縁膜/SiOC膜、および、無機絶縁膜/SiOC膜/無機絶縁膜、から選択されるいずれかの積層膜を有する、表示装置。 - 請求項21記載の表示装置において、
前記無機絶縁膜は、SiO2膜、SiN膜、Al2O3膜、TiO2膜、および、ZrO2膜から選択される膜である、表示装置。
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