TW201840888A - 有機el元件用保護膜的形成方法、顯示裝置的製造方法以及顯示裝置 - Google Patents

有機el元件用保護膜的形成方法、顯示裝置的製造方法以及顯示裝置 Download PDF

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Abstract

提升有機EL元件用保護膜之性能。有機EL元件用保護膜的製造方法為下列製程：(a)於可撓性基板上形成有機EL元件；(b)以覆蓋該有機EL元件的方式，形成包含摻碳氧化矽(SiOC)的保護膜。其中，摻碳氧化矽膜使用以具有矽及碳的化合物為原料的ALD法來形成。具有矽及碳的化合物係於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳，主鏈之兩端的矽分別地與氨基結合。依此方法可效果性地導入碳(C)至所形成的氧化矽膜當中。此摻碳氧化矽膜具水分阻隔性及柔軟性。藉此，可保護有機EL元件免受水分侵入，並提升彎曲耐性。此外，藉由調整矽與矽間主鏈中的碳數以調整柔軟度。

Description

有機EL元件用保護膜的形成方法、顯示裝置的製造方法以及顯示裝置
本發明係關於一種有機EL(electroluminescence，電激發光)元件用保護膜的形成方法、顯示裝置的製造方法以及顯示裝置。
作為一種發光元件，有機電激發光元件(Organic electroluminescence device)的開發持續地進展中。所謂電激發光為施加電壓至物質時的發光現象。以有機物質來產生此發光現象的元件稱作有機EL元件(有機電激發光元件)。有機EL元件為電流注入型裝置，且由於呈現二極體特性，因此也稱為有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)。
日本專利特開1996-048369號公報(專利文獻1)中，揭露了一種技術，其為在由透明高分子構成的基材上，依序地形成：對基材具優越密著性之由氧化矽單獨構成的第一層；對拉伸或彎曲具有卓越耐性之含有碳的氧化矽所構成的第二層；對於印刷層或接著劑層具有優良密著性之由氧化矽單獨構成的第三層。此外，該第一層的氧化矽層，係以有機矽化合物氣體或是矽烷(SiH4 )氣體以及氧氣作為主原料氣體，以電漿輔助化學氣相沉積系統(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)法而形成的二氧化矽(SiO2 )層。
此外，國際專利申請公開號2004/017383號(專利文獻2)中揭露的技術為關於用於由有機矽前驅物及臭氧形成氧化矽及/或氮氧化矽的低溫原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)製程。並且例示了化學式Si(NR1 R2 )4-W LW 作為有機矽前驅物，其中，R1 及R2 係可獨立地選自氫、具C1 ～C6 的烷基、具C5 ～C6 的環狀烷基、鹵素、以及經取代的烷基以及經取代的環狀烷基，W為1、2、3、或4，L由氫或鹵素中選擇。
[先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本特開第1996-048369號公報 專利文獻2：國際公開第2004/017383號公報
[發明概要] [發明欲解決之問題] 使用有機EL元件的顯示裝置應用於資訊機器等，且其可撓化持續進展。此類的可撓性有機EL顯示器，不僅做為行動設備用，作為大型顯示器用途方面的利用也受到期待。
為了對應此可撓化，對於有機EL元件的保護膜，要求能夠滿足防止水份入侵的水分阻隔性；以及對應可撓化的柔軟性。在保護膜的開發上期待同時滿足此兩條件。
其他課題與新穎特徵，由本說明書記載及附錄圖式揭露並示出。
[為解決課題之手段] 　　本發明一實施型態的有機EL元件用的保護膜形成方法為具有以下製程：(a)於可撓性基板上形成有機EL元件；(b)以覆蓋該有機EL元件的方式，形成包含摻碳氧化矽(SiOC)膜的保護膜，其中，該摻碳氧化矽膜使用以具有矽(Si)及碳(C)的化合物作為原料的原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)法來形成，該具有矽及碳的化合物於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳(C)，該主鏈之兩端的矽(Si)分別地與氨基結合。
本發明一實施型態的顯示裝置之製造方法為具有下列製程：(a)於可撓性基板上形成有機EL元件；(b) 以覆蓋該有機EL元件的方式，形成包含摻碳氧化矽膜的保護膜。此外，該摻碳氧化矽膜係使用以具有矽及碳的化合物為原料的ALD法來形成，該具有矽及碳的化合物於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳，該主鏈之兩端的矽分別地與氨基結合。
本發明一實施型態的顯示裝置具有：可撓性基板；於該可撓性基板上形成的有機EL元件；以及以覆蓋該有機EL元件方式而形成的、包含摻碳氧化矽膜的保護膜。其中，該摻碳氧化矽膜使用以具有矽及碳的化合物為原料的ALD法來形成，該具有矽及碳的化合物於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳，該主鏈之兩端的矽分別地與氨基結合。
[發明效果] 根據本發明一實施型態，可提升有機EL元件用的保護膜之性能。
[用於實施發明之型態] 　　以下基於圖式詳細說明本發明的實施型態。此外，於用於說明實施型態的全圖中，於具有同一功能的部件標上相同的標號，省略重複的說明。
(實施型態1) 　　圖1係為本發明實施型態1中有機EL元件用的保護膜的剖面圖。如圖1所示，有機EL元件用的保護膜PRO形成於可撓性基板S上的有機EL形成層L上。
此保護膜PRO係以原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)法形成之摻碳氧化矽膜所構成。此摻碳氧化矽膜為使用以具有矽及碳之化合物為原料的ALD法所形成的膜。以此方式，將含有碳(C)的膜稱作有機膜，基於ALD法形成有機膜的方法稱作有機ALD法。然後，該具有矽及碳之化合物具有兩個特徵：(1)於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳，(2)該主鏈之兩端的矽分別地與氨基結合。
圖2係為包含本實施型態中有機EL元件用的保護膜的原料－矽及碳的化合物構造之概略示意圖。
作為圖2中公式(1)所示矽化合物的一例，可舉例如1,2-雙[(二甲胺)二甲基矽基]乙烷(1,2-bis[(Dimethylamino)Dimethylsilyl]ethane，以下僅稱「DMSE」)。
圖3係DMSE的結構與使用了DMSE的摻碳氧化矽膜的成膜之反應機構示意圖。如圖3所示，圖3(a)：有機EL形成層L表面的羥基(-OH)與DMSE一側的末端的氨基反應，產生作為副產物的N(CH3 )2 H(圖3(b))。接著，如圖3(c)所示般，基於作為氧化劑的氧自由基(O radical)之作用，DMSE另一側的末端的氨基變成-OH。接著，此-OH藉由與其他DMSE(圖3(a))進行相同的反應，使得摻碳氧化矽膜成長(圖3(d))。此外，於圖3中，相鄰的原子間的矽彼此可直接或是亦可經由其他原子(例如氧或碳)結合而產生反應。此外，雖然機率小，但也有上述原料分子兩端的氨基雙方都與有機EL形成層L表面-OH反應的情形。
圖4係基於使用DMSE的ALD法而得的摻碳氧化矽膜，其成膜情形之概略示意圖。
首先，作為第一步驟(原料氣體供給步驟)，將作為原料氣體的DMSE，導入(供給)至已配置基板的艙室內。藉此於作為處理對象物的有機EL形成層L的表面上物理吸附DMSE的分子(圖4(a))。然後，有機EL形成層L表面的-OH與DMSE一側的末端的氨基反應，使得NR2 H(R=CH3 )脫離，氧原子(O)與矽原子(Si)進行化學性結合(圖4(b))。
接著，作為第二步驟(洗淨步驟)，停止向艙室內導入原料氣體，並導入(供給)洗淨氣體。作為洗淨氣體，理想上可使用非活性氣體，亦可使用氮氣(N2 氣體)。藉由導入洗淨氣體，使得與有機EL層L表面的-OH反應的DMSE之外的原料氣體、或是副產物NR2 H(R=CH3 )，與洗淨氣體一起被排出艙室外。
接著，作為第三步驟(反應氣體供給步驟)，將反應氣體導入(供給)至艙體內。作為反應氣體，可使用氧電漿。於此，將氧氣(O2 氣體)導入艙室內，施加高頻電力，產生氧電漿。此外，亦可事先將於艙室外產生的氧電漿導入(供給)至艙室內。藉由此氧電漿作用(反應)，DMSE另一端的末端的氨基變成-OH(圖4(c))。換言之，即產生與氧自由基作用的反應物。藉此，於有機EL形成層L的表面上，形成摻碳氧化矽之原子層(第一層1L)。此外，也可使用O3 氣體(臭氧)或水蒸氣(H2 O)來取代氧氣。然而，在低溫(例如200℃以下)成膜當中，使用基於氧氣(O2 氣體)的電漿，其反應性較為良好。
接著，作為第四步驟(洗淨步驟)，停止往艙體內導入反應氣體、並停止施加高頻電力，將洗淨氣體導入(供給)至艙體內。作為洗淨氣體，理想上可使用非活性氣體，其中亦有可使用氮氣(N2 氣體)的情形。藉由導入洗淨氣體，使得未反應物質(反應氣體等)與洗淨氣體一起排出艙室外(被洗淨)。
接著同樣地進行第一步驟、第二步驟、第三步驟及第四步驟，形成摻碳氧化矽的原子層(第二層)2L(圖4(d))。
以此方式，藉由反覆多個循環進行第一步驟、第二步驟、第三步驟、第四步驟，可於有機EL形成層L的表面上形成所需的膜厚之摻碳氧化矽膜。例如，若將第一步驟、第二步驟、第三步驟、第四步驟重複進行30個循環，可形成由30層的原子層所構成的膜。
如此，基於本實施型態的有機EL元件用保護膜的製造方法(形成方法)，由於使用了「在矽與矽之間的主鏈上至少具有一個以上的碳」之原料，因而可具效果地將碳(C)結合至所形成的膜中，形成摻碳氧化矽膜。此摻碳氧化矽膜具有水分阻隔性(耐水性)、柔軟性。藉此，可於水分下保護有機EL元件，而且即使摻碳氧化矽膜跟隨可撓性基板而導致彎曲應力變大，仍可防止因彎曲導致的龜裂等狀況，提升彎曲耐性。
此外，可藉由調整矽與矽之間主鏈中的碳(C)的數量來調整柔軟度。例如，藉由增加矽與矽之間主鏈中的碳(C)的數量，可提高柔軟性。
此外，根據本實施型態中的有機EL元件用的保護膜的製造方法，基於矽與矽之間的主鏈，分子長度相對地較長，因而可加厚每一循環的原子層厚度，提高摻碳氧化矽膜的成膜速度(參考圖4)。
此外，矽與矽之間的主鏈中，除了-C-、-C-C-、-C-C-C-等之外，亦可包含苯環等。此外，亦可包括-O-C-C-O-等之碳與氧的化合物。
此外，該可撓性基板可重複進行彎折，可視為可彎折(bendable)基板，此外，亦可折疊，可視為可折疊(foldable)基板。因此，可撓性基板包括可彎折基板及可折疊基板。
此外，本實施型態的有機EL元件用的保護膜，可廣泛地應用於後述的顯示裝置、及使用有機EL元件的照明等電子機器。
(實施型態2) 接著，關於具有以實施型態1說明的保護膜之顯示裝置，如下詳細說明。
＜顯示裝置的構造＞ 　　本實施型態的顯示裝置為利用了有機EL元件的有機EL顯示裝置(有機電激發光顯示裝置)。 參考圖式來說明本實施型態的顯示裝置。
圖5係為本實施型態中顯示裝置1的整體構成俯視示意圖。
圖5所示的顯示裝置1具有顯示2與電路部3。顯示部2中有複數個畫素配列成陣列狀，可進行畫面的顯示。電路部3中依需求可形成各種的電路，例如形成驅動電路或是控制電路等。電路部3內的電路依照所需可連接顯示部2的畫素。電路部3亦可設置於顯示裝置1的外部。顯示裝置1的平面形狀可採用各種的形狀，例如矩形。
圖6係顯示裝置1的重點部分俯視圖。圖7係顯示裝置1的重點部分剖面圖。圖6係將顯示裝置1的顯示部2的一部分(圖5所示的區域4)的擴大表示。圖7對應例如圖6的A1-A1部。
構成顯示裝置1的基部的基板11具有絕緣性。此外，基板11為可撓性基板(薄膜基板)，具有可撓性。因此，基板11為具有絕緣性的可撓性基板，也就是可撓絕緣基板。基板11亦可進一步地具有透光性。例如可使用薄膜狀的塑膠基板(塑膠薄膜)以作為基板11。基板11存在於圖5的顯示裝置1的平面整體，構成顯示裝置1的最下層。因此，基板11的平面形狀與顯示裝置1的平面形狀大致相同，可採用各種形狀，例如可為矩形形狀。此外，位於基板11中互為反側的兩個主面當中，配置有機EL元件一側的主面，也就是形成後述的鈍化膜12、電極層13、有機層14、電極層15及保護層16的一側的主面，稱為基板11的上面。此外，基板11中與上面相反側的主面稱作基板11的下面。
基板11的上面上形成有鈍化膜(鈍化層)12。鈍化膜12由絕緣材料(絕緣膜)所構成，例如由氧化矽膜所構成。鈍化膜12也可不形成，但仍以形成較佳。鈍化膜12可形成為遍佈基板11上面的大致整體。
鈍化膜12具有防止(阻斷)來自基板11側之朝往有機EL元件(特別是有機層14)的水分傳達的功能。因此，鈍化膜12可作為有機EL元件下方的保護膜而發揮作用。另一方面，後述的保護膜16可做為有機EL元件上方的保護膜而發揮作用，防止(阻斷)來自上側之朝往有機EL元件(特別是有機層14)的水分傳達。
基板11的上面上隔著鈍化層12形成有機EL元件。有機EL元件由電極層13、有機層14及電極層15構成。也就是說，於基板11上的鈍化層12上，電極層13、有機層14、電極層15自下方起依序地形成(層積)，藉由此些電極層13、有機層14及電機層15而形成有機EL元件。
電極層13為下部電極層，電極層15為上部電極層。電極層13構成陽極及陰極的其中一方；而電極層15構成陽極與陰極的其中另一方。也就是說，電極層13為陽極(陽極層)時，電極層15為陰極(陰極層)，電極層13為陰極(陰極層)時，電極層15為楊極(陽極層)。電極層13及電極層15分別由導電膜而構成。
為使電極層13與電極層15中的其中一方可作為反射電極作用，較佳地可藉由鋁(Al)膜等金屬膜來形成，此外，為使電極膜13及電極膜15中的其中另一方可作為透明電極作用，較佳地可藉由從銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)等構成的透明導體膜來形成。從基板11的下面側取光，也就是採用底部發光(bottom emission)方式的情形下，可設置電極層13為透明電極；由基板11的上面側取光，也就是採用頂部發光(top emission)方式的情形下，可設置電極層15為透明電極。 此外，採用底部發光方式時，可使用具有透光性的透明基板(透明可撓性基板)作為基板11。
電極層13形成於基板11上的鈍化膜12上；有機層14形成於電極層13上；電極層15形成於有機層14上，因此有機層14介於電極層13與電極層15之間。
有機層14至少包含有機發光層。有機層14除了有機發光層以外，因應需要可進一步含有電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層以及電子注入層當中的任意個層。因此，有機層14可具有例如：有機發光層之單層構造；「電洞傳輸層、有機發光層與電子傳輸層」之積層構造；或是「電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層與電子注入層」之積層構造。
電極層13舉例可具有於X方向上延伸的條狀圖案。即，電極層13具有之構成為：於X方向延伸的線狀電極(電極圖案)13a，以Y方向上特定間隔複數配列。電極層15舉例可具有於Y方向上延伸的條狀圖案。也就是說，電極層15具有之構成為：於Y方向延伸的線狀電極(電極圖案)15a以X方向上特定間隔複數配列。即，電極層13為於X方向上延伸的條狀電極群所構成；電極層15為Y方向上延伸的條狀電極群所構成。於此，X方向與Y方向為互相交叉方向，更特定地說，為互相垂直的方向。此外，X方向與Y方向亦為與基板11上面略平行的方向。
構成電極層15的各電極15a的延伸方向為Y方向，構成電極層13的各電極13a的延伸方向為X方向，因此，於俯視平面中，電極15a與電極13a互相相交。此外，俯視平面指的是由略平行於基板11的上面的平面來看的情況。電極15a與電極13a的各交叉部中，具有以電極15a、電極13a上下夾住有機層14的構造。因此，於電極15a與電極13a的各交叉部上，形成電極13a、電極15a與電極13a、15a之間的有機層14所構成的有機EL元件(構成畫素的有機EL元件)，基於此有機EL元件而形成畫素。電極15a及電極13a之間施加特定電壓，使得電極15a、電極13a所夾持部分的有機層14中的有機發光層可發光。即，構成各畫素的有機EL元件可發光。電極15a作為有機 EL元件的上部電極(陽極或陰極的其中一方)而作用，而電極13a則作為有機EL元件的下部電極(陽極或陰極的另一方)而作用。
此外，雖然有機層14也可以遍佈顯示部2整體來形成，亦可與電極層13為相同圖案(也就是與構成電路層13的複數個電極13a相同圖案)來形成，或者是，亦可與電極層15相同圖案(也就是說與構成電極層15的複數個電極15a相同圖案)。無論是何者，構成電極層13的複數個電極13a；與電極層15的複數個電極15a之各交點存在著有機層14。
如此般，於俯視平面中，顯示裝置1的顯示部2為俯視平面中，有機EL元件(畫素)複數配置於基板11上而成陣列狀的狀態。
此外，於此已說明電極層為13、15為具有條狀圖案時的情況。因此，配列為陣列形狀的複數個有機EL元件(畫素)當中，同為X方向上排列的有機EL(元件)當中，下部電極(電極13a)彼此連接。此外，同為Y方向上排列的有機EL(元件)當中，上部電極(電極15a)彼此連接。然而，並不限定於此，配列為陣列狀的有機EL元件的構造可做各種變更。
例如，也可以為此狀況：配置為陣列狀的複數個有機EL元件，上部電極與下部電極都不彼此互相連接而獨立地配置。此情形下，各個有機EL元件基於具有下部電極、有機層與上部電極之積層構造的獨立圖案而形成，此獨立的有機EL元件複數配列成陣列狀。此情形下，於各畫素中除了在有機EL元件加上設置薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)等主動元件，還可視需要經配線而連接畫素與畫素。
於基板11(鈍化膜12)的上面上，以覆蓋有機EL元件進而覆蓋電極層13、有機層14與電極層15的方式，來形成保護膜(保護層)16。於本實施型態中，保護膜16由在實施型態1中所說明過之以有機ALD法形成的摻碳氧化矽膜來構成(參考圖3、4)。此摻碳氧化矽膜如前述般，為含有碳的有機膜，其為使用以具有矽及碳的化合物作為原料的ALD法而形成。此外，該具有矽及碳的化合物(1)於矽與矽之間的主鏈中具有至少一個以上的碳；(2)主鏈兩端的矽分別與氨基結合。
有機EL元件於顯示部2配置為陣列狀的情形中，以覆蓋此些配置為陣列狀的有機EL元件的方式，來形成該保護膜16。因此，保護膜16較佳為形成於顯示部2整體，此外，以形成於基板11的上面的大致整體上尤佳。藉由以保護膜16覆蓋有機EL元件(電極層13、有機層14與電極層15)來保護有機EL元件(電極層13、有機層14與電極層15)，此外還可藉由保護膜16來防止(阻斷)朝有機EL元件的水分傳達，特別是朝有機層14的水分傳達。此外，保護膜16因具有柔軟性而具有作為緩衝材料的作用。例如，緩和保護膜16與其下層的有機EL形成層(13、14、15等)間的應力，此外，緩和保護膜16及其上層的樹脂膜17間的應力。
於此，將電極或是配線等的一部分自保護膜16暴露的情況中，係藉由後述的保護膜16圖案化製程，部分地將保護膜16去除而暴露電極或是配線等的一部分。惟，於此情形中，較佳係不要從未形成保護膜16的區域暴露有機層14。
於保護膜16上形成樹脂膜(樹脂層、樹脂絕緣膜、有機絕緣膜)17。作為樹脂膜17的材料，理想可使用例如聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)等。關於樹脂膜17，其形成亦可省略。
＜顯示裝置的製造方法＞ 　　以下參考圖式說明關於本實施型態的顯示裝置1的製造方法。圖8-13為顯示裝置1的製造製程的重點部分剖面圖。此外，於此主要說明顯示裝置1的顯示部2的製造製程。
如圖8所示，準備基板10，基板10貼合了玻璃基板9與作為可撓性基板的基板11。雖然基板11具有可撓性，但由於基板11係貼合在玻璃基板9，因此基板11固定於玻璃基板9上。藉此可使對於基板11進行的各種膜的形成或是使其膜的加工變得容易。此外，基板11的下面貼附於玻璃基板9。
接著，如圖9所示，於基板10的上面上，形成鈍化膜12。此外，基板10的上面與基板11的上面為同義。
鈍化膜12可使用濺鍍法、CVD法或是ALD法等方式形成。鈍化膜12由絕緣材料構成，例如氧化矽膜。例如，理想上可使用以CVD法形成的氧化矽膜來作為鈍化膜12。
接著，如圖10所示般，於基板10的上面上，也就是鈍化膜12上形成：由「電極層13、電極層13上的有機層14，與有機層14上的電極層15」所構成的有機EL元件。即，於鈍化膜12上依序地形成電極層13、有機層14、電極層15。此製程例如可如下述方式進行。
也就是說，於基板10的上面上，即鈍化膜12上形成電極層13。電極層13舉例可如此形成：於鈍化膜12上形成導電膜後，藉由光刻(photolithography)技術及蝕刻(etch)來進行圖案化等處理而形成。其次，於電極層13上形成有機層14。有機層14可由例如藉由使用遮罩的蒸鍍法(遮罩蒸鍍法)來形成。接著，於有機層14上形成電極層15。電極層15例如可由使用遮罩的蒸鍍法形成。此外，亦可藉由將有機層14或電極層15圖案化來加工。
形成電極層13、有機層14與電極層15所構成的有機EL元件後，於基板10的上面上，即電極層15上，形成保護膜16。保護膜16以覆蓋有機EL元件的方式形成。
如實施型態1中所說明，保護膜16可使用ALD法形成。
圖14為基於ALD法進行成膜的艙室(處理室)25的構成的一例的剖面示意圖。
如圖14所示般，艙室25內配置有：用於配置處理對象物27的載台41；配置於載台41上方的上部電極42。艙室25的排氣部(排氣口)43藉著與真空泵(圖未示)連接而將艙室25內控制於特定壓力。此外，艙室25具有：用於導入氣體至艙室25內的氣體導入部44；以及用於自艙室25內排出氣體的氣體排出部45。此外，圖14為了便於理解，分別地以箭頭概略地標示出自氣體導入部44導入至艙室25內的氣體流動；及自氣體排出部45排出至艙室25外的氣體流動。使用此般構成之裝置，以如實施型態1之詳細說明般地形成保護膜(PRO，16)(參考圖3、4)。
此外，當需要將電極或配線等的一部分從保護膜16暴露的情形時，可在形成保護膜16之後，對保護膜16進行基於使用光刻技術或是蝕刻技術等的圖案化處理，而使電極或是配線的一部分暴露。於此，二氧化矽或是摻碳氧化矽等的矽類化合物，容易進行乾蝕刻，加工性良好。相對於此，例如氧化鋁等的Al錐體(cone)，難以進行乾蝕刻，必須使用一方法(遮罩蒸鍍法)，其使用遮罩，覆蓋未形成保護膜16的區域，未覆蓋遮罩而暴露的區域，則形成氧化鋁(Al錐體(cone))作為保護膜16，此方法加工性差。
由於有機EL元件(特別是有機層14)不耐高溫，因此，有機層14形成後的成膜溫度較佳為相對地低溫，以免造成對有機EL元件(特別是有機層14)的不良影響。具體來說，較佳為300℃以下，而又以200℃以下更佳。例如，如實施例1中所說明，保護膜16的成膜溫度為200℃以下。以此方式，基於本實施型態，即使是以相對較低的成膜溫度，也能夠形成具有水分阻隔性及柔軟性的保護膜16。
形成保護膜16之後，如圖12所示般，於基板10的上面上、即保護膜16上形成樹脂膜17。樹脂膜17例如可由PET構成，可利用旋轉塗佈(spin coat)法(塗佈法)等來形成。
其後，如圖13所示，藉由將基板11由玻璃基板9上撕下，以使基板11與其上面上的構造體，從玻璃基板9上分離。可以此方式製造顯示裝置1。
此外，於顯示裝置的製造製程中，亦可將附著於艙室25的側壁等處之不需要的二氧化矽或是摻碳氧化矽等的矽類化合物清理(除去)。如前述般，二氧化矽或是摻碳氧化矽等的矽類化合物容易乾蝕刻，因此可藉由將蝕刻氣體流入艙室25內來進行艙室25內的清理，從而容易地維護艙室25。
(應用例) 　　圖15為有機EL形成層L上的異物31的示意圖。有機EL形成層L為例如對應圖10所示之基板10、鈍化膜12、電極層13、有機層14與電極層15的集合物。
如圖15所示，有機EL形成層L的表面上，會有附著異物(粉塵、顆粒)31的情形。如此的異物31產生機率為低較佳，然而產生機率不可能為零。因此能夠抑制異物31的產生機率的同時，也期望能夠有極力迴避異物31產生時的故障之方案。其方案之一為藉由膜固定附著異物之方法。
圖16係於有機EL形成層上的異物上，使用CVD法以形成保護膜時之示意圖。圖17係於有機EL形成層上的異物上使用ALD法以形成保護膜時之示意圖。
如圖16所示，以異物31附著於有機EL形成層L上的狀態，基於CVD法形成保護膜32的情形下，塗佈性低，無法形成異物31會固定附著之連續的保護膜32。換句話說，異物31的占據部分不會形成保護膜32。於此狀態中，水分可能會透過異物31的下部而侵入。此外，異物31容易脫落，若於其後的製程中異物31脫落的情形下，會產生對應異物31尺寸之保護膜32的孔(開口部)，水分阻隔性更加地惡化。
相對於此，如本實施型態中所說明般，基於ALD法形成保護膜16的情形中，如圖17所示，塗佈性良好，可堅牢地固定附著異物31，並可維持水分阻隔性。
(實施型態3) 　　實施型態1、2中係以保護膜(PRO，16)為單層膜之情形來作說明，但保護膜亦可為積層膜。保護膜可為例如：摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜、無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜、摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜，或是無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜。以下參考圖18-21並說明本實施型態的第1-4例。
(第1例) 　　圖18為本實施型態之第1例的有機EL元件用的保護膜(摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜)剖面圖。如圖18所示，本第1例中，保護膜16由摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S與二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H的積層膜構成。可撓性基板S上的有機EL形成膜L上，形成有摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S，其上形成有二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H。如前述般，含有碳的膜稱為有機膜；基於ALD法形成有機膜的方法稱為有機ALD法。相對於此，基於ALD法形成無機膜的方法稱為無機ALD法。
摻碳氧化矽膜16S如於實施型態1中說明般，例如藉由使用1,2-雙[(二甲基氨基)二甲基矽基]乙烷之氧電漿的有機ALD法來形成。摻碳氧化矽膜16S具有水分阻隔性及柔軟性。
二氧化矽膜16H例如可藉由使用雙(二甲基氨基)矽烷(bis(dimethylamino) silane)與氧電漿的無機ALD法而形成。此二氧化矽膜16H雖柔軟性較差，但細緻且水分阻隔性高。是以，如二氧化矽膜16H般的無機絕緣膜，比摻碳氧化矽膜16S般的有機絕緣膜還要細緻、硬(硬度高)。硬度可用例如鉛筆硬度法等來測定。此外，摻碳氧化矽膜16S般的有機絕緣膜，與二氧化矽膜16H般的無機絕緣膜相比，在施加特定壓力彎曲時的曲率半徑較小，彎曲耐性較高。於此所謂的彎曲耐性指的是為彎曲時的龜裂發生耐性，以目測或是耐水性(有無漏水)來判斷彎曲後有無發生龜裂。
以此方式，藉由層積摻碳氧化矽膜16S、二氧化矽膜16H，以提升水分阻隔性。此外，摻碳氧化矽膜16S因具柔軟性而具有作為緩衝材的作用，例如緩和二氧化矽膜16H與有機EL形成層L之間的應力。
例如，在複數個循環執行了實施型態1中參考圖4說明的第1步驟、第2步驟、第3步驟及第4步驟而形成摻碳氧化矽膜16S之後，藉由使用雙(二甲基氨基) 矽烷與氧電漿的無機ALD法來形成二氧化矽膜16H。此時，可使用參考圖14進行說明的艙室(處理室)25，來連續形成摻碳氧化矽膜16S與二氧化矽膜16H。
例如，於參考圖4說明的第1-第4步驟當中，使用作為原料氣體的1,2-雙[(二甲基氨基)二甲基矽基]乙烷，以形成摻碳氧化矽膜16S之後，將原料氣體替換成雙(二甲基氨基)矽烷，以同樣方式處理形成二氧化矽膜16H。圖22係以使用雙(二甲基氨基)矽烷的ALD法而得的二氧化矽膜(SiO2)成膜情形之概略示意圖。
首先，作為第一步驟(原料氣體供給步驟)，將作為原料氣體的雙(二甲基氨基)矽烷，導入(供給)至已配置基板的艙室內。藉此，作為處理對象物的有機EL層L表面的-OH，緩慢地、化學性地與雙(二甲基氨基)矽烷中一側的末端的氨基結合(圖22(a))。
接著，作為第二步驟(洗淨步驟)，停止往艙室內的原料氣體導入，轉而導入(供給)洗淨氣體。作為洗淨氣體，理想上可使用非活性氣體，但也可使用氮氣(N2 氣體)。藉由導入洗淨氣體，以將除了已經與有機EL形成層L表面的-OH化學性地、緩慢地結合的雙(二甲基氨基)矽烷之外的原料氣體，使其與洗淨氣體一起排出艙室外。於此第二步驟中，藉由200℃以下的熱處理，使得有機EL形成層L表面的-OH，與雙(二甲基氨基)矽烷一側的末端的氨基進行化學性反應，使得NR2 H(R=CH3 )脫離，氧原子(O)與矽原子(Si)結合(圖22(b))。
接著，作為第三步驟(反應氣體供給步驟)，將反應氣體導入(供給)至艙室內。作為反應氣體，可使用氧電漿。於此，將氧氣(O2 氣體)導入至艙室內，藉由施加高頻電力，而產生氧電漿。此外，亦可事先地在將艙室外產生的氧電漿導入(供給)至艙室內。藉此氧電漿作用，使得雙(二甲基氨基)矽烷的另一側的氨基成為–OH(圖22(c))。藉此，於有機EL形成層L的表面上，形成一氧化矽(SiO)的原子層(第一層1L)。
接著，作為第四步驟(洗淨步驟)，停止往艙室內導入反應氣體、並停止施加高頻電力，轉而導入(供給)洗淨氣體至艙室內。作為洗淨氣體，理想上可使用非活性氣體，亦有可使用氮氣(N2 氣體)的情形。藉由導入洗淨氣體，使得未反應物質(反應氣體等)與洗淨氣體一起排出(洗淨)至艙室外。
接著，同樣地，反覆地循環進行第一步驟、第二步驟、第三步驟以及第四步驟，以形成一氧化矽(SiO，第二層2L)原子層(圖22(d))。
以此方式，藉由反覆地循環進行第一步驟、第二步驟、第三步驟以及第四步驟，可於有機EL形成層L的表面上，形成所需膜厚的摻碳氧化矽膜。例如，反覆地循環進行30次第一步驟、第二步驟、第三步驟以及第四步驟，而形成由30層原子層所構成的膜。
此外，於圖22中，相鄰原子間的矽彼此可直接地、或是透過氧原子結合產生反應。
以此方式，於本實施型態中，藉由替換原料氣體，可形成具有柔軟性的摻碳氧化矽膜16S、細緻的二氧化矽膜16H的積層膜。
(第二例) 圖19係本實施型態之第2例的有機EL元件用的保護膜(無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜)的剖面圖。如圖19所示，於本第二例中，保護膜16係由二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H、摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S的積層膜所構成。可撓性基板S上的有機EL形成層L上，形成有二氧化矽膜(無機絕緣膜、有機ALD膜)16H，其上形成有摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S。
與第一例的情形相同，二氧化矽膜16H例如可藉由使用雙(二甲基氨基)矽烷與氧電漿的無機ALD法來形成，摻碳氧化矽膜16S則可藉由例如使用1,2-雙[(二甲基氨基)二甲基矽基]乙烷，及氧電漿的有機ALD法來形成。
於本應用例中，藉由層積二氧化矽膜16H與摻碳氧化矽膜16S來提升水分阻隔性。此外，摻碳氧化矽膜16S因具柔軟性而具有緩衝材之作用，例如，緩和二氧化矽膜16H、以及樹脂膜17之間的應力。
(第三例) 　　圖20係本實施型態之第3例的有機EL元件用的保護膜剖面圖。如圖20所示，於本第三例中，保護膜16為以下內容之積層膜所構成：摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S、二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H、：摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S。可撓性基板S上的有機EL形成層L之上形成有摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S，其上形成有二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H，再於其上形成有摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S。
與第一例的情形相同，二氧化矽膜16H例如可藉由使用雙(二甲基氨基)矽烷與氧電漿的無機ALD法形成，摻碳氧化矽膜16S則例如可藉由使用1,2-雙[(二甲基氨基)二甲基矽基]乙烷與氧電漿的有機ALD法來形成。
於本應用例當中，藉由層積摻碳氧化矽膜16S、二氧化矽膜16H、摻碳氧化矽膜16S，以提升水分阻隔性。此外，摻碳氧化矽膜16S因具柔軟性而具緩衝材的作用，例如緩和有機EL形成層L與二氧化矽膜16H之間的應力。此外，緩和二氧化矽膜16H與樹脂膜17之間的應力。
(第四例) 圖21係為本實施型態之第4例的有機EL元件用的保護膜剖面圖。如圖21所示，於本第四例中，保護膜16為以下內容的積層膜所構成：二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H、摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S、與二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H。可撓性基板S上的有機EL形成層L上形成有二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H，其上形成摻碳氧化矽膜(有機絕緣膜、有機ALD膜)16S，再於其上形成有二氧化矽膜(無機絕緣膜、無機ALD膜)16H。
與第一例的情形相同，二氧化矽膜16H例如可藉由使用雙(二甲基氨基)矽烷與氧電漿的無機ALD法而形成，摻碳氧化矽膜16S例如可藉由使用1,2-雙[(二甲基氨基)二甲基矽基]乙烷與氧電漿的有機ALD法來形成。
於本應用例當中，亦藉由層積二氧化矽膜16H、摻碳氧化矽膜16S與二氧化矽膜16H，以提升水分阻隔性。此外，摻碳氧化矽膜16S因具柔軟性而具緩衝材的作用，例如緩和二氧化矽膜16H之間的應力。
(其他例子) 　　於第一至第四例當中，雖示例了二氧化矽膜以作為無機絕緣膜，但也可以摻碳氧化矽膜與其他無機絕緣膜的積層膜作為保護膜。作為無機絕緣膜，除了二氧化矽(SiO2 )膜之外、還可使用氮化矽(SiN)膜、氧化鋁(Al2 O3 )膜、二氧化鈦(TiO2 )膜、以及二氧化鋯(ZrO2 )膜。此些膜可用ALD法來成膜。此外，此些膜當中，二氧化矽膜及氮化矽膜可進行乾蝕刻，使得保護膜的加工性良好，而艙室的清潔也變得容易。
(實施型態4) 以下說明本實施型態中的具體實施例。
[實施例] 　　以下針對層積了摻碳氧化矽膜以及氧化鋁膜的PEN基板的彎曲測試結果進行說明。摻碳氧化矽膜以及氧化鋁膜例如對應實施型態3中所說明的「摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜」。圖23係彎曲測試情形的概略示意圖。圖24係層積了摻碳氧化矽膜及氧化鋁膜的PEN基板、與以單層形成氧化鋁膜的PEN基板的剖面圖。圖25為層積了摻碳氧化矽膜以及氧化鋁膜的PEN基板、與以單層形成氧化鋁膜的PEN基板的彎曲測試後的表面照片。
＜成膜製程＞ 藉由以下製程於PEN基板上依序地形成摻碳氧化矽膜及氧化鋁膜(參考圖24(b))。PEN基板係由聚萘二甲酸二乙酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)構成的可撓性基板。
首先，於PEN基板上藉由ALD法形成摻碳氧化矽膜。將作為原料氣體的1,2-雙[(二甲胺)二甲基矽基]乙烷(即前述的DMSE)導入至已配置有PEN基板的艙室內(步驟St1)。接著，停止導入原料氣體至艙室內，導入作為洗淨氣體的氮氣(步驟St2)。接著，將作為反應氣體之氧氣(O2 氣體)導入至艙室內，藉由施加高頻電力產生氧電漿(步驟St3)。接著，停止導入反應氣體至艙室內，並停止施加高頻電力，導入作為洗淨氣體的氮氣至艙室內(步驟St4)。
接著，藉由執行50次循環上述的步驟St1-St4，形成50層摻碳氧化矽的原子層，以作為摻碳氧化矽膜。摻碳氧化矽膜的膜厚大致為200nm。
接著，於摻碳氧化矽膜上基於ALD法形成氧化鋁膜(alumina膜、Al2 O3 膜)。將作為原料氣體的三甲基鋁(Trimethylaluminium)，導入至已配置PEN基板的艙室內(步驟St11)。接著，停止導入原料氣體至艙室內，轉而導入作為洗淨氣體的氮氣(步驟St12)。接著，將氧氣(O2 氣體)作為反應氣體導入艙室內，施加高頻電力而產生氧電漿(步驟St13)。接著，停止往艙室內導入反應氣體、並停止施加高頻電力，並導入作為洗淨氣體的氮氣至艙室內(步驟St14)。
接著 ，藉由以120個循環執行上述步驟St11-St14，以形成氧化鋁120層的原子層，以作為氧化鋁膜。氧化鋁膜的膜厚大致上為20nm。
＜比較例＞ 於PEN基板上基於ALD法以單層方式形成氧化鋁膜，並以其為比較例(參考圖24(a))。於PEN基板上基於ALD法形成氧化鋁膜。將作為原料氣體的三甲基鋁導入至已配置PEN基板的艙室內(步驟St11)。接著，停止導入原料氣體至艙室內，轉而導入作為洗淨氣體的氮氣(步驟St12)。接著，將作為反應氣體的氧氣(O2氣體)導入至艙室內，施加高頻電力，產生氧電漿(步驟St13)。接著，停止導入反應氣體至艙室內，停止施加高頻電力，轉而導入氮氣至艙室內(步驟St14) 以作為洗淨氣體。
接著，藉由以600個循環執行步驟St11-St14，以形成氧化鋁600層的原子層，以作為氧化鋁膜。氧化鋁膜的膜厚大致為100nm。
＜評測：彎曲測試＞ 使用彎曲測試機，以針對層積了摻碳氧化矽膜與氧化鋁膜的PEN基板之柔軟性進行評測。如圖23所示，支撐部SP1與支撐部SP2將基板(此處為PEN基板)S以半徑R之彎折狀態來將其支撐。彎折部中內側IN為成膜面。此外，於支撐部SP1當中，將基板S的一端夾持於支撐體SP1a與支撐體SP1b之間；支撐部SP2當中，將基板S的另一端夾持於支撐體SP2a與支撐體SP2b之間。然後，藉由左右移動支持體SP2a，以增加彎曲應力於基板S。
以曲率半徑R為4mm、支撐體SP2移動距離為8cm的條件下，以一秒間一次的頻率進行一萬次往返後，觀察其表面。於以單層形成氧化鋁膜的比較例也進行同樣的測試。
在圖24、25當中，圖24(b)及圖25(b)係層積了摻碳氧化矽膜及氧化鋁膜的PEN基板(實施例)；圖24(a)及圖25(a)係以單層形成氧化鋁的PEN基板(比較例)。
如圖25(b)所示，在層積了摻碳氧化矽與氧化鋁膜的PEN基板(實施例)當中，於執行上述的彎曲測試後，以目測未確認到有龜裂。另一方面，如圖25(a)所示，以單層形成氧化鋁膜的PEN基板(比較例)當中，確認有龜裂CK。
如上所述，可確認基於形成摻碳氧化矽膜使柔軟性提升。即，可確認作為摻碳氧化矽膜的緩衝材之作用。此外，可確保以50次循環而得的200nm膜厚，增加每次循環原子層的厚度。也就是說，可確認摻碳氧化矽膜的成膜速度的提升。
以上具體說明基於本發明人完成之發明以及其實施型態，然而本發明並不限定於前述的實施型態，理所當然地，於不脫離發明精神之範圍內可做各種的變更。
1‧‧‧顯示裝置
1L‧‧‧第一層
2‧‧‧顯示部
2L‧‧‧第二層
3‧‧‧電路部
4‧‧‧區域
9‧‧‧玻璃基板
10‧‧‧基板
11‧‧‧基板
12‧‧‧鈍化膜
13‧‧‧電極層
13a‧‧‧電極
14‧‧‧有機層
15‧‧‧電極層
15a‧‧‧電極
16‧‧‧保護膜
16H‧‧‧二氧化矽膜
16S‧‧‧摻碳氧化矽膜
17‧‧‧樹脂膜
25‧‧‧艙室
27‧‧‧處理對象物
31‧‧‧異物
32‧‧‧保護膜
41‧‧‧載台
42‧‧‧上部電極
43‧‧‧排氣部(排氣口)
44‧‧‧氣體導入部
45‧‧‧氣體排出部
IN‧‧‧內側
L‧‧‧有機EL形成層
PRO‧‧‧保護膜
S‧‧‧可撓性基板
SP1‧‧‧支撐部
SP1a、SP1b‧‧‧支撐體
SP2‧‧‧支撐部
SP2a、SP2b‧‧‧支撐體
R‧‧‧半徑
CK‧‧‧龜裂
［圖1］係為本發明實施型態1中有機EL元件用的保護膜的剖面圖。 ［圖2］係為包含本發明實施型態1中有機EL元件用的保護膜的原料－矽及碳的化合物構造之概略示意圖。 ［圖3］係為1,2-雙[(二甲基氨基)二甲基矽基]乙烷(1,2-bis[(Dimethylamino) Dimethylsilyl]ethane，DMSE)的結構與使用了DMSE的摻碳氧化矽膜的成膜之反應機構示意圖。 ［圖4］係為基於使用DMSE的ALD法而得的摻碳氧化矽膜，其成膜情形之概略示意圖。 ［圖5］係為實施型態2之顯示裝置的整體構成俯視示意圖。 ［圖6］係為顯示裝置的重點部分俯視圖。 ［圖7］係為顯示裝置的重點部分剖面圖。 ［圖8］係表示實施型態2中顯示裝置的製造製程的重點部分剖面示意圖。 ［圖9］係表示實施型態2中顯示裝置的製造製程的重點部分剖面示意圖。 ［圖10］係表示實施型態2中顯示裝置的製造製程的重點部分剖面示意圖。 ［圖11］係表示實施型態2中顯示裝置的製造製程的重點部分剖面示意圖。 ［圖12］係表示實施型態2中顯示裝置的製造製程的重點部分剖面示意圖。 ［圖13］係表示實施型態2中顯示裝置的製造製程的重點部分剖面示意圖。 ［圖14］係進行以ALD法成膜的艙室之構成一例的剖面示意圖。 ［圖15］係有機EL形成層上的異物示意圖。 ［圖16］係於有機EL形成層上的異物上使用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法以形成保護膜時情形之示意圖。 ［圖17］係於有機EL形成層上的異物上使用ALD法以形成保護膜時情形之示意圖。 ［圖18］係為實施型態3之第1例的有機EL元件用的保護膜剖面圖。 ［圖19］係為實施型態3之第2例的有機EL元件用的保護膜剖面圖。 ［圖20］係為實施型態3之第3例的有機EL元件用的保護膜剖面圖。 ［圖21］係為實施型態3之第4例的有機EL元件用的保護膜剖面圖。 ［圖22］以使用雙(二甲基氨基)矽烷(bis(dimethylamino)silane)的ALD法而得的二氧化矽(SiO2 )膜的成膜情形之概略示意圖。 ［圖23］彎曲測試情形的概略示意圖。 ［圖24］層積了摻碳氧化矽膜及氧化鋁(Al2 O3 )的聚萘二甲酸二乙酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)基板、與以單層形成氧化鋁膜的PEN基板的剖面圖。 ［圖25］層積了摻碳氧化矽膜及氧化鋁的PEN基板、與以單層形成氧化鋁膜的PEN基板的彎曲測試後的表面照片。

Claims (23)

  1. 一種有機EL元件用保護膜的形成方法，具有以下製程： (a)於可撓性基板上形成有機EL元件； (b)以覆蓋該有機EL元件的方式，形成包含摻碳氧化矽(SiOC)膜的保護膜， 其中，該摻碳氧化矽膜係使用以具有矽(Si)及碳(C)的化合物作為原料的原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)法來形成， 該具有矽及碳的化合物於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳(C)， 該主鏈之兩端的矽(Si)分別地與氨基結合。
  2. 如請求項1所述之有機EL元件用保護膜的形成方法，其中，該具有矽及碳的化合物藉由與氧化劑的反應，來形成該摻碳氧化矽膜。
  3. 如請求項2所述之有機EL元件用保護膜的形成方法，其中，該氧化劑為氧自由基。
  4. 如請求項3所述之有機EL元件用保護膜的形成方法，其中，(b)製程於將已形成有該有機EL元件之該可撓性基板配置於艙室內之後，具有下述製程： (b1)將該原料導入該艙室內，使該原料分子吸附於該有機EL元件的上方； (b2)將第一洗淨氣體導入該艙室內，將該原料中未被吸附的原料分子連同該第一洗淨氣體自該艙室內去除； (b3)將該氧自由基導入該艙室內或是於該艙室內產生該氧自由基，而產生該原料分子與該氧自由基的反應物； (b4)導入第二洗淨氣體至該艙室內，將未反應物質連同該第二洗淨氣體自該艙室內去除。
  5. 如請求項4所述之有機EL元件用保護膜的形成方法，其中， 該(b)製程係在200℃以下進行。
  6. 如請求項5所述之有機EL元件用保護膜的形成方法，其中， 該摻碳氧化矽膜使異物固定附著。
  7. 如請求項5所述之有機EL元件用保護膜的形成方法，其中， 該保護膜具有比該摻碳氧化矽膜還硬的無機絕緣膜， 且於該(b)製程之前或之後，具有一製程： (c)形成該無機絕緣膜。
  8. 一種顯示裝置的製造方法，包含下述製程： (a)於可撓性基板上形成有機EL元件； (b) 以覆蓋該有機EL元件的方式，形成包含摻碳氧化矽膜的保護膜， 其中，該摻碳氧化矽膜使用以具有矽及碳的化合物為原料的ALD法來形成， 該具有矽及碳的化合物於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳， 該主鏈之兩端的矽分別地與氨基結合。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置的製造方法，其中，該具有矽及碳的化合物藉由與氧化劑的反應來形成該摻碳氧化矽膜。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置的製造方法，其中， 該氧化劑為氧自由基。
  11. 如請求項10所述之顯示裝置的製造方法， 其中，(b)製程於將已形成該有機EL元件之該可撓性基板配置於艙室內之後，具有下述製程： (b1)將該原料導入該艙室內，使該原料分子吸附於該有機EL元件的上方； (b2)將第一洗淨氣體導入該艙室內，將該原料中未被吸附的原料分子連同該第一洗淨氣體由該艙室內去除； (b3)將該氧自由基導入至該艙室內或是於該艙室內產生該氧自由基，而產生該原料分子與該氧自由基的反應物； (b4)導入第二洗淨氣體至該艙室內，將該氧自由基中未反應物質連同該第二洗淨氣體自該艙室內去除。
  12. 如請求項11所述之顯示裝置的製造方法，其中， 該(b3)製程係在200℃以下進行。
  13. 如請求項12所述之顯示裝置的製造方法，其中，該摻碳氧化矽膜使異物固定附著。
  14. 如請求項12所述之顯示裝置的製造方法，其中，該保護膜具有比該摻碳氧化矽膜還硬的無機絕緣膜， 且於該(b)製程之前或之後，具有以下製程： (c)形成該無機絕緣膜。
  15. 如請求項14所述之顯示裝置的製造方法，其中，該保護膜具有由下列組合所選之任一積層膜：摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜、無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜、摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜、以及無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置的製造方法，其中，構成該保護膜的各個膜係在該艙室內連續成膜。
  17. 如請求項15所述之顯示裝置的製造方法，其中，於該(c)製程之後具有以下製程： (d) 除去附著於該艙室內的該保護膜。
  18. 如請求項15所述之顯示裝置的製造方法，其中，該無機絕緣膜為下列群組中所選的膜：二氧化矽(SiO2 )膜、氮化矽(SiN)膜、氧化鋁(Al2 O3 )膜、二氧化鈦(TiO2 )膜、以及二氧化鋯(ZrO2 )膜。
  19. 一種顯示裝置，具有： 可撓性基板； 於該可撓性基板上形成的有機EL元件；以及 以覆蓋該有機EL元件的方式而形成的、包含摻碳氧化矽膜的保護膜， 其中，該摻碳氧化矽膜係使用以具有矽及碳的化合物為原料的ALD法來形成的膜， 該具有矽及碳的化合物，於矽及矽之間的主鏈上具有至少一個以上的碳， 該主鏈之兩端的矽分別地與氨基結合。
  20. 如請求項19所述之顯示裝置，其中，該摻碳氧化矽膜係藉由該具有矽及碳的化合物與氧自由基的反應而形成的膜。
  21. 如請求項20所述之顯示裝置，其中，該保護膜具有比該摻碳氧化矽膜還硬的無機絕緣膜。
  22. 如請求項21所述之顯示裝置，其中，該保護膜具有由下列組合所選任一積層膜：摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜、無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜、摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜、以及無機絕緣膜/摻碳氧化矽膜/無機絕緣膜。
  23. 如請求項21所述之顯示裝置，其中，該無機絕緣膜為下列群組中所選的膜：二氧化矽(SiO2 )膜、氮化矽(SiN)膜、氧化鋁(Al2 O3 )膜、二氧化鈦(TiO2 )膜、以及二氧化鋯(ZrO2 )膜。
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