CN111769216A - 一种显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示装置及其制备方法，该方法包括以下步骤：在承载基底上形成柔性基层，在所述柔性基层中形成像素凸块区以及弹性拉伸区，在所述柔性基层上依次形成缓冲层、薄膜晶体管器件以及有机发光二极管器件，接着在所述承载基底上形成对应所述像素单元的第一封装单元，接着在所述承载基底上形成第二封装层，接着将所述第二封装层临时粘合至临时载板，接着去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层，接着在所述弹性拉伸区的所述第二封装层中形成多个第一沟槽，并在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着形成金属层叠结构，接着在所述柔性基层和所述第二封装层上形成第三封装层。

Description

一种显示装置及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体显示的封装技术领域，尤其是涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

随着显示器技术发展和更新换代，有机电致发光显示器件由于具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可制作柔性显示器等特点，已经逐渐成为显示领域的主流产品。OLED显示装置主要向全面屏、柔性拉伸折叠及更窄的边框方向发展。因此，如何实现可拉伸显示装置的寿命延长成为发展的技术难点。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种显示装置及其制备方法。

为实现上述目的，一种显示装置的制备方法，包括以下步骤：

(1)提供一承载基底，在所述承载基底上形成柔性基层，接着对所述柔性基层进行刻蚀处理，以在所述柔性基层中形成多个呈阵列排布的像素凸块区以及位于相邻所述像素凸块区之间的弹性拉伸区。

(2)接着在所述柔性基层上形成缓冲层。

(3)接着在每个所述像素凸块区的所述缓冲层上均形成一薄膜晶体管器件。

(4)接着在每个所述薄膜晶体管器件上均形成一相应的有机发光二极管器件，每个所述所述薄膜晶体管器件与相应的所述有机发光二极管器件共同组成一像素单元。

(5)接着在所述承载基底上形成第一封装层，所述第一封装层包括多个分立设置的第一封装单元，每个所述第一封装单元仅覆盖一相应的所述像素单元。

(6)接着在所述承载基底上形成第二封装层，使得所述第二封装层与所述第一封装层以及所述柔性基层直接接触。

(7)提供一临时载板，将所述第二封装层临时粘合至所述临时载板，接着去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层。

(8)接着对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理，以形成多个第一沟槽；接着对每个所述第一沟槽的底部进行刻蚀处理，以在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽。

(9)接着在所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二封装胶层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成对应每个所述第一沟槽的第三沟槽，所述第三沟槽的尺寸小于所述第一沟槽的尺寸，接着在所述第三沟槽中沉积金属材料，接着在所述第一光刻胶掩膜上形成第二光刻胶掩膜，在所述第二光刻胶掩膜中形成对应每个所述第三沟槽的第四沟槽，所述第四沟槽的尺寸大于所述第三沟槽的尺寸，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二光刻胶掩膜上形成第三光刻胶掩膜，在所述第三光刻胶掩膜中形成对应每个所述第四沟槽的第五沟槽，所述第五沟槽的尺寸小于所述第四沟槽的尺寸，接着在所述第五沟槽中沉积金属材料，接着在所述第三光刻胶掩膜上形成第四光刻胶掩膜，在所述第四光刻胶掩膜中形成对应每个所述第五沟槽的第六沟槽，所述第六沟槽的尺寸大于所述第五沟槽的尺寸，接着在所述第六沟槽中沉积金属材料，以形成金属层叠结构，接着去除所述第一、第二、第三、第四光刻胶掩膜。

(10)接着在所述柔性基层和所述第二封装层上形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述柔性基层、所述第二封装层以及所述金属层叠结构。

作为优选，在所述步骤(1)中，所述承载基底为玻璃基底、陶瓷基底、不锈钢基底或塑料基底，所述柔性基层的材料为PET、PEN、PC或PMMA。

作为优选，在所述步骤(3)中，所述薄膜晶体管器件包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，在所述步骤(4)中，所述有机发光二极管器件包括阳极、发光层以及阴极，其中，所述漏极与所述阳极电连接。

作为优选，在所述步骤(5)中，所述第一封装单元包括至少一无机封装层和至少一有机封装层，所述至少一无机封装层直接覆盖所述像素单元，所述至少一有机封装层覆盖所述至少一无机封装层。

作为优选，在所述步骤(6)中，所述第二封装层的材料为PI、PDMS或TPU。

作为优选，在所述步骤(8)中，对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理之前，形成一刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述所述柔性基层以及所述第二封装层，接着对所述刻蚀阻挡层进行开孔以暴露所述第二封装层，所述第二沟槽的长度和宽度均小于所述第一沟槽的长度和宽度。

作为优选，在所述步骤(9)中，所述金属材料为铝、铜或钛，且通过热蒸发、磁控溅射、电子束蒸发、电镀或化学镀的方式进行沉积。

作为优选，在所述步骤(10)中，形成第三封装层之前先去除所述刻蚀阻挡层，所述第三封装层的材料为PI、PDMS或TPU。

本发明还提出一种显示装置，其采用上述方法制备的。

本发明与现有技术相比具有下列优点：

在本发明的显示装置的制备过程中，通过在第二封装层以及第三封装层之间设置金属层叠结构，且所述金属层叠结构位于弹性拉伸区中，有效避免第二封装层以及第三封装层之间发生剥离，且通过优化金属层叠结构的尺寸，使得其不影响其拉伸性能，且提高整个显示装置的机械性能和密封性能。且在本发明中，形成第二封装层后，去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层，进而形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述柔性基层、所述第二封装层以及所述金属层叠结构，通过上述制备工序的树脂，可以提高整个显示装置的密封性和整体性，可以避免空气中的水汽和氧气浸入所述显示装置，进而避免显示装置失效，延长显示装置的寿命。

附图说明

图1-图9为本发明的显示装置的制备过程的结构示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

本发明提出的一种显示装置的制备方法，包括以下步骤：

(1)提供一承载基底，在所述承载基底上形成柔性基层，接着对所述柔性基层进行刻蚀处理，以在所述柔性基层中形成多个呈阵列排布的像素凸块区以及位于相邻所述像素凸块区之间的弹性拉伸区。

(2)接着在所述柔性基层上形成缓冲层。

(3)接着在每个所述像素凸块区的所述缓冲层上均形成一薄膜晶体管器件。

(4)接着在每个所述薄膜晶体管器件上均形成一相应的有机发光二极管器件，每个所述所述薄膜晶体管器件与相应的所述有机发光二极管器件共同组成一像素单元。

(5)接着在所述承载基底上形成第一封装层，所述第一封装层包括多个分立设置的第一封装单元，每个所述第一封装单元仅覆盖一相应的所述像素单元。

(6)接着在所述承载基底上形成第二封装层，使得所述第二封装层与所述第一封装层以及所述柔性基层直接接触。

(7)提供一临时载板，将所述第二封装层临时粘合至所述临时载板，接着去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层。

(8)接着对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理，以形成多个第一沟槽；接着对每个所述第一沟槽的底部进行刻蚀处理，以在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽。

(9)接着在所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二封装胶层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成对应每个所述第一沟槽的第三沟槽，所述第三沟槽的尺寸小于所述第一沟槽的尺寸，接着在所述第三沟槽中沉积金属材料，接着在所述第一光刻胶掩膜上形成第二光刻胶掩膜，在所述第二光刻胶掩膜中形成对应每个所述第三沟槽的第四沟槽，所述第四沟槽的尺寸大于所述第三沟槽的尺寸，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二光刻胶掩膜上形成第三光刻胶掩膜，在所述第三光刻胶掩膜中形成对应每个所述第四沟槽的第五沟槽，所述第五沟槽的尺寸小于所述第四沟槽的尺寸，接着在所述第五沟槽中沉积金属材料，接着在所述第三光刻胶掩膜上形成第四光刻胶掩膜，在所述第四光刻胶掩膜中形成对应每个所述第五沟槽的第六沟槽，所述第六沟槽的尺寸大于所述第五沟槽的尺寸，接着在所述第六沟槽中沉积金属材料，以形成金属层叠结构，接着去除所述第一、第二、第三、第四光刻胶掩膜。

(10)接着在所述柔性基层和所述第二封装层上形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述柔性基层、所述第二封装层以及所述金属层叠结构。

进一步的，在所述步骤(1)中，所述承载基底为玻璃基底、陶瓷基底、不锈钢基底或塑料基底，所述柔性基层的材料为PET、PEN、PC或PMMA。

进一步的，在所述步骤(3)中，所述薄膜晶体管器件包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，在所述步骤(4)中，所述有机发光二极管器件包括阳极、发光层以及阴极，其中，所述漏极与所述阳极电连接。

进一步的，在所述步骤(5)中，所述第一封装单元包括至少一无机封装层和至少一有机封装层，所述至少一无机封装层直接覆盖所述像素单元，所述至少一有机封装层覆盖所述至少一无机封装层。

进一步的，在所述步骤(6)中，所述第二封装层的材料为PI、PDMS或TPU。

进一步的，在所述步骤(8)中，对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理之前，形成一刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述所述柔性基层以及所述第二封装层，接着对所述刻蚀阻挡层进行开孔以暴露所述第二封装层，所述第二沟槽的长度和宽度均小于所述第一沟槽的长度和宽度。

进一步的，在所述步骤(9)中，所述金属材料为铝、铜或钛，且通过热蒸发、磁控溅射、电子束蒸发、电镀或化学镀的方式进行沉积。

进一步的，在所述步骤(10)中，形成第三封装层之前先去除所述刻蚀阻挡层，所述第三封装层的材料为PI、PDMS或TPU。

本发明还提出一种显示装置，其采用上述方法制备的。

请参阅图1-9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。

请参考图1-9，本发明提出的一种显示装置的制备方法，包括以下步骤：

如图1所示，在步骤(1)中，提供一承载基底1，在所述承载基底1上形成柔性基层2，接着对所述柔性基层2进行刻蚀处理，以在所述柔性基层2中形成多个呈阵列排布的像素凸块区21以及位于相邻所述像素凸块区21之间的弹性拉伸区22。

其中，所述承载基底1为玻璃基底、陶瓷基底、不锈钢基底或塑料基底，所述柔性基层2的材料为PET、PEN、PC或PMMA。

在具体的实施例中，所述承载基板1为刚性基板，具体的可以为玻璃基底、陶瓷基底、不锈钢基底或塑料基底，所述承载基板1还可以是其他物化性质相对较佳且稳定的材料所形成的基板，但本申请不以此为限。

在具体的实施例中，首先在所述承载基板上1上定义出多个像素区以及位于相邻像素区之间的多个拉伸区，接着在所述承载基底1上形成柔性基层2，具体的，可以通过旋涂、喷涂或刮涂工艺在所述承载基底1上涂布PET、PEN、PC或PMMA等树脂材料，以形成具有一定柔性的柔性基底层2，接着对所述柔性基层2进行刻蚀处理，以在所述柔性基层2中形成多个呈阵列排布的像素凸块区21以及位于相邻所述像素凸块区21之间的弹性拉伸区22，其中像素凸块区21对应承载基板上1上定义出的像素区，而弹性拉伸区22对应承载基板1上定义出的拉伸区。

如图2所示，接着在步骤(2)中，在所述柔性基层2上形成缓冲层3。

在具体的实施例中，缓冲层3为像素凸块区21的上表面提供平坦表面，进而便于后续薄膜晶体管的形成。缓冲层3可以为无机材料，具体的可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铪等形成单层或多层堆叠的层状结构，所述缓冲层3通过等离子体增强化学气相沉积、ALD、PVD、热氧化或CVD法形成，在其中一个实施例中，所述缓冲层3仅覆盖所述像素凸块区21的上表面，在另一个实施例中，所述缓冲层同时覆盖所述像素凸块区21的上表面以及所述弹性拉伸区22的上表面，所述缓冲层的存在还可以防止水分和氧气渗透到后续形成的薄膜晶体管中，进而可以避免水分和氧气影响显示装置的性能。

如图2所示，接着在步骤(3)中，在每个所述像素凸块区21的所述缓冲层3上均形成一薄膜晶体管器件4。

在具体的实施例中，薄膜晶体管器件4可以包括半导体有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极。其制备工艺可以为：在所述缓冲层3上形成半导体有源层，所述半导体有源层可采用硅、锗、铟锌氧化物材料或其他材料制得，接着在半导体有源层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层材质可选用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他性质相近且稳定的材料，本申请对此不作限制。接着在栅极绝缘层上形成栅极，栅极可通过热蒸发或溅射工艺形成。所述栅极为金属层，其材质包括铝、钼钨、铜、钛等，具体的，例如在栅极绝缘层上利用溅射金属层，接着对所述金属层进行图案化以形成栅极，接着在所述栅极绝缘层上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，所述层间绝缘层的材质可选用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他性质相近且稳定的材料，本申请对此不作限制，接着对所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层进行开孔以暴露所述半导体有源层，进而填充导电材料以形成源极和漏极。在本发明中，还可以在所述弹性拉伸区22上形成多条导电布线，以电连接相邻所述像素凸块区21上的薄膜晶体管器件4。

如图3所示，在步骤(4)中，接着在每个所述薄膜晶体管器件4上均形成一相应的有机发光二极管器件5，每个所述所述薄膜晶体管器件4与相应的所述有机发光二极管器件5共同组成一像素单元。

在具体的实施例中，所述有机发光二极管器件5可以包括阴极层、发光层、阳极层，在其具体的制备工艺中，首先形成平坦化层以覆盖所述层间绝缘层和所述源极、漏极，接着对所述平坦化层进行图案化以露出所述薄膜晶体管的源极或漏极，接着在所述平坦化层上形成第一电极，第一电极与相应的源极或漏极电性耦接，以接收源极或漏极传输的信号，驱动有机发光二极管器件5，第一电极可为阳极层或阴极层。接着在第一电极上制作像素围堤层，以定义发光像素区域，接着制作发光元件，发光元件从阴、阳两极分别注入电子和空穴，被注入的电子和空穴在阴、阳两极内传输，并在发光元件内复合，从而激发发光元件的发光层分子产生激子，激子辐射衰减而发光。接着在发光元件上形成第二电极。第二电极可作为阳极层或阴极层，以与第一电极对应形成有机发光二极管器件5的阳极层或阴极层。在其中一个实施例中，所述有机发光二极管器件包括阳极、发光层以及阴极，其中，所述漏极与所述阳极电连接。

如图4所示，在步骤(5)中，在所述承载基底1上形成第一封装层，所述第一封装层包括多个分立设置的第一封装单元6，每个所述第一封装单元6仅覆盖一相应的所述像素单元。

其中，所述第一封装单元6包括至少一无机封装层和至少一有机封装层，所述至少一无机封装层直接覆盖所述像素单元，所述至少一有机封装层覆盖所述至少一无机封装层。

在具体的实施例中，所述无机封装层可以为氧化硅或氮化硅，所述有机封装层可以为环氧树脂、PMMA、聚乙烯或聚碳酸酯，通过无机封装层和有机封装层的堆叠设置，可以更好的保护每个像素单元。

如图5所示，在步骤(6)中，在所述承载基底上形成第二封装层7，使得所述第二封装层7与所述第一封装层以及所述柔性基层2直接接触。

其中，所述第二封装层7的材料为PI、PDMS或TPU，其具有良好的可拉伸性能。

如图6所示，在步骤(7)中，提供一临时载板11，将所述第二封装层7临时粘合至所述临时载板11，接着去除所述承载基底1，接着对所述柔性基层2进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区22的所述第二封装层7。

其中，所述临时载板11可以为玻璃基底、陶瓷基底、不锈钢基底或塑料基底，且所述临时载板11通过临时粘结层粘结所述第二封装层7。

如图7所示，在步骤(8)中，接着对所述弹性拉伸区12的所述第二封装层7进行刻蚀处理，以形成多个第一沟槽71；接着对每个所述第一沟槽71的底部进行刻蚀处理，以在所述第一沟槽71的底部形成第二沟槽72。

其中，对所述弹性拉伸区12的所述第二封装层7进行刻蚀处理之前，形成一刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述所述柔性基层2以及所述第二封装层7，接着对所述刻蚀阻挡层进行开孔以暴露所述第二封装层7，所述第二沟槽72的长度和宽度均小于所述第一沟槽71的长度和宽度。在具体的实施例中，所述第二沟槽72位于所述第一沟槽的中间区域。

如图8所示，在步骤(9)中，在所述第一沟槽71和所述第二沟槽72中沉积金属材料，接着在所述第二封装胶层7上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成对应每个所述第一沟槽的第三沟槽，所述第三沟槽的尺寸小于所述第一沟槽的尺寸，接着在所述第三沟槽中沉积金属材料，接着在所述第一光刻胶掩膜上形成第二光刻胶掩膜，在所述第二光刻胶掩膜中形成对应每个所述第三沟槽的第四沟槽，所述第四沟槽的尺寸大于所述第三沟槽的尺寸，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二光刻胶掩膜上形成第三光刻胶掩膜，在所述第三光刻胶掩膜中形成对应每个所述第四沟槽的第五沟槽，所述第五沟槽的尺寸小于所述第四沟槽的尺寸，接着在所述第五沟槽中沉积金属材料，接着在所述第三光刻胶掩膜上形成第四光刻胶掩膜，在所述第四光刻胶掩膜中形成对应每个所述第五沟槽的第六沟槽，所述第六沟槽的尺寸大于所述第五沟槽的尺寸，接着在所述第六沟槽中沉积金属材料，以形成金属层叠结构8，接着去除所述第一、第二、第三、第四光刻胶掩膜。

其中，在所述步骤(9)中，所述金属材料为铝、铜或钛，且通过热蒸发、磁控溅射、电子束蒸发、电镀或化学镀的方式进行沉积。更具体的，所述金属材料为铜，且通过电镀工艺形成。在具体的实施例中，所述金属层叠结构8的宽度与所述弹性拉伸区的宽度的比值为0.1-0.5，更优选的，所述金属层叠结构8的宽度与所述弹性拉伸区的宽度的比值为0.3。通过形成所述金属层叠结构8，所述金属层叠结构8位于弹性拉伸区中，有效避免第二封装层7以及后续形成的第三封装层之间发生剥离，且通过优化金属层叠结构8的尺寸，使得其不影响其拉伸性能，且提高整个显示装置的机械性能和密封性能。

如图9所示，在步骤(10)中，接着在所述柔性基层2和所述第二封装层7上形成第三封装层9，所述第三封装层9完全覆盖所述柔性基层2、所述第二封装层7以及所述金属层叠结构8，然后去除所述临时载板11。

其中，在所述步骤(10)中，形成第三封装层9之前先去除所述刻蚀阻挡层，所述第三封装层9的材料为PI、PDMS或TPU，在具体的实施例中，所述第二封装层7的材质与所述第三封装层9的材质相同。

本发明还提出一种显示装置，其采用上述方法制备的，其具体结构如图9所示。在本发明的显示装置的制备过程中，通过在第二封装层以及第三封装层之间设置金属层叠结构，且所述金属层叠结构位于弹性拉伸区中，有效避免第二封装层以及第三封装层之间发生剥离，且通过优化金属层叠结构的尺寸，使得其不影响其拉伸性能，且提高整个显示装置的机械性能和密封性能。且在本发明中，形成第二封装层后，去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层，进而形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述柔性基层、所述第二封装层以及所述金属层叠结构，通过上述制备工序的树脂，可以提高整个显示装置的密封性和整体性，可以避免空气中的水汽和氧气浸入所述显示装置，进而避免显示装置失效，延长显示装置的寿命。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种显示装置的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一承载基底，在所述承载基底上形成柔性基层，接着对所述柔性基层进行刻蚀处理，以在所述柔性基层中形成多个呈阵列排布的像素凸块区以及位于相邻所述像素凸块区之间的弹性拉伸区；

(2)接着在所述柔性基层上形成缓冲层；

(3)接着在每个所述像素凸块区的所述缓冲层上均形成一薄膜晶体管器件；

(4)接着在每个所述薄膜晶体管器件上均形成一相应的有机发光二极管器件，每个所述所述薄膜晶体管器件与相应的所述有机发光二极管器件共同组成一像素单元；

(5)接着在所述承载基底上形成第一封装层，所述第一封装层包括多个分立设置的第一封装单元，每个所述第一封装单元仅覆盖一相应的所述像素单元；

(6)接着在所述承载基底上形成第二封装层，使得所述第二封装层与所述第一封装层以及所述柔性基层直接接触；

(7)提供一临时载板，将所述第二封装层临时粘合至所述临时载板，接着去除所述承载基底，接着对所述柔性基层进行减薄处理，以露出所述弹性拉伸区的所述第二封装层；

(8)接着对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理，以形成多个第一沟槽；接着对每个所述第一沟槽的底部进行刻蚀处理，以在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽；

(9)接着在所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二封装胶层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成对应每个所述第一沟槽的第三沟槽，所述第三沟槽的尺寸小于所述第一沟槽的尺寸，接着在所述第三沟槽中沉积金属材料，接着在所述第一光刻胶掩膜上形成第二光刻胶掩膜，在所述第二光刻胶掩膜中形成对应每个所述第三沟槽的第四沟槽，所述第四沟槽的尺寸大于所述第三沟槽的尺寸，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料，接着在所述第二光刻胶掩膜上形成第三光刻胶掩膜，在所述第三光刻胶掩膜中形成对应每个所述第四沟槽的第五沟槽，所述第五沟槽的尺寸小于所述第四沟槽的尺寸，接着在所述第五沟槽中沉积金属材料，接着在所述第三光刻胶掩膜上形成第四光刻胶掩膜，在所述第四光刻胶掩膜中形成对应每个所述第五沟槽的第六沟槽，所述第六沟槽的尺寸大于所述第五沟槽的尺寸，接着在所述第六沟槽中沉积金属材料，以形成金属层叠结构，接着去除所述第一、第二、第三、第四光刻胶掩膜；

(10)接着在所述柔性基层和所述第二封装层上形成第三封装层，所述第三封装层完全覆盖所述柔性基层、所述第二封装层以及所述金属层叠结构。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述承载基底为玻璃基底、陶瓷基底、不锈钢基底或塑料基底，所述柔性基层的材料为PET、PEN、PC或PMMA。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述薄膜晶体管器件包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，在所述步骤(4)中，所述有机发光二极管器件包括阳极、发光层以及阴极，其中，所述漏极与所述阳极电连接。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，所述第一封装单元包括至少一无机封装层和至少一有机封装层，所述至少一无机封装层直接覆盖所述像素单元，所述至少一有机封装层覆盖所述至少一无机封装层。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)中，所述第二封装层的材料为PI、PDMS或TPU。

6.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(8)中，对所述弹性拉伸区的所述第二封装层进行刻蚀处理之前，形成一刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述所述柔性基层以及所述第二封装层，接着对所述刻蚀阻挡层进行开孔以暴露所述第二封装层，所述第二沟槽的长度和宽度均小于所述第一沟槽的长度和宽度。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(9)中，所述金属材料为铝、铜或钛，且通过热蒸发、磁控溅射、电子束蒸发、电镀或化学镀的方式进行沉积。

8.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(10)中，形成第三封装层之前先去除所述刻蚀阻挡层，所述第三封装层的材料为PI、PDMS或TPU。

9.一种显示装置，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法制备的。

Images