CN108538852B - 柔性显示面板及柔性显示装置 - Google Patents
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 228
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种柔性显示面板及柔性显示装置，包含柔性基板，所述柔性基板包括弯曲区域；第一无机层，设置在所述柔性基板上，且在所述弯曲区域所述第一无机层包含凹槽，应力缓和层，填充所述凹槽；以及多条布线，设置在所述第一无机层和所述应力缓和层上；绝缘层，覆盖所述多条布线；第二无机层，设置在所述弯曲区域的至少一端，且所述第二无机层包含第一部分和第二部分，其中，所述第一部分和所述绝缘层接触，所述第二部分和所述第一无机层接触。可以有效改善布线和第一无机层的接触性能，使得布线被第二无机层钉扎，防止弯折时，在弯折区域的两端发生膜层剥离或者翘曲，影响信号传输。
Description
技术领域
本发明涉及柔性显示技术领域，特别是涉及柔性显示面板及柔性显示装置。
背景技术
随着科技的发展，便携式设备已经成为现代社会新的发展趋势，并在逐步改变着人类的生活，为科学技术带来重大变革。尤其地，柔性显示面板以其可折叠、方便携带、应用范围广等优势越来越多的受到用户的青睐，且给予用户全新的观看体验。
相关技术中，柔性显示面板经常在弯折区域内出现金属走线折断或者金属走线在弯折区域出现膜层剥离的现象，造成显示缺陷。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种柔性显示面板及柔性显示装置提高弯折区域布线的弯折性能，降低弯折时布线发生断线或者膜层剥离的风险。
第一方面，本发明提供一种柔性显示装置，包含：
柔性基板，所述柔性基板包括弯曲区域；
第一无机层，设置在所述柔性基板上，且在所述弯曲区域所述第一无机层包含凹槽，
应力缓和层，填充所述凹槽；以及
多条布线，设置在所述第一无机层和所述应力缓和层上；
绝缘层，覆盖所述多条布线；
第二无机层，设置在所述弯曲区域的至少一端，且所述第二无机层包含第一部分和第二部分，其中，所述第一部分和所述绝缘层接触，所述第二部分和所述第一无机层接触。
第二方面，本发明提供一种柔性显示装置，包含第一方面所述的柔性显示面板。
本申请通过在弯曲区域，设置第一无机层包含凹槽，应力缓和层填充凹槽；以及多条布线，设置在第一无机层和应力缓和层上；绝缘层，覆盖多条布线；第二无机层，第二无机层包含第一部分和第二部分，其中，第一部分和绝缘层接触，第二部分和第一无机层接触，在改善弯曲区域布线的弯折性能的同时，可以有效改善布线和第一无机层的接触性能，使得布线被第二无机层钉扎，防止弯折时，在弯折区域的两端发生膜层剥离或者翘曲，影响信号传输。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种柔性显示面板弯曲区域截面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种多条布线俯视图；
图3为图2中AA区域截面图；
图4为本发明实施例提供的另一种多条布线俯视图；
图5为图4中BB区域截面图；
图6为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图；
图7为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图；
图8为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图；
图9为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图；
图10为本发明实施例提供的一种柔性显示面板部分区域截面图；、
图11为本发明实施例提供的另一种柔性显示面板部分区域截面图；
图12为本发明实施例提供的一种柔性基板弯折状态示意图；
图13为本发明实施例提供的一种柔性显示装置示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
请参照图1，图1为本发明实施例提供的一种柔性显示面板弯曲区域截面结构示意图，包含：柔性基板10，柔性基板10包括弯曲区域BA；第一无机层20，设置在柔性基板10上，且在弯曲区域BA第一无机层包含凹槽，应力缓和层30，填充凹槽；以及多条布线40，设置在第一无机层20和应力缓和层30上；绝缘层50，覆盖多条布线40；第二无机层60，设置在弯曲区域BA的至少一端，且第二无机层60包含第一部分61和第二部分62，其中，第一部分61和绝缘层50接触，第二部分62和第一无机层20接触。本发明实施例通过在柔性基板10上设置第一无机层20，可以有效阻挡激光取下时对布线的损伤。但是，第一无机层20与布线40相比可以具有相当小的柔性，并且会是脆性的，导致当被施以外力时第一无机层20易被损坏。因此，弯曲区域(BA)的第一无机层20会被由弯曲引起的拉伸力损坏，从而会形成裂纹，最初发生的裂纹会蔓延到第一无机层20的其他区域。第一无机层20中的裂纹会导致布线40中的断路，这导致了柔性显示面板中的显示缺陷。本发明实施例在弯曲区域BA的第一无机层20设置凹槽，并用应力缓和层30填充该凹槽，有效改善弯曲区域BA的弯折性能。并在弯曲区域BA的至少一端，设置第二无机层60，第二无机层60包含第一部分61和第二部分62，其中，第一部分61和绝缘层50接触，第二部分62和第一无机层20接触，可以有效改善布线和第一无机层的接触性能，使得布线40被第二无机层60钉扎，防止弯折时，在弯折区域的两端发生膜层剥离或者翘曲，影响信号传输。
可选地，请继续参照图1以及参照图2和图3，图2为本发明实施例提供的一种多条布线俯视图，图3为图2中AA区域截面图。沿布线40延伸方向且在弯曲区域BA的至少一端，多条布线40依次被绝缘层50和第二无机层60覆盖，使得第二无机层60的第二部分62和第一无机层20在布线40的两侧接触。可选地，沿布线延伸40方向且在弯曲区域BA的两端，多条布线40依次被绝缘层50和第二无机层60覆盖，使得第二无机层60的第二部分62和第一无机层20在布线40的两侧接触。可选地，如图2和图3所示，在垂直布线延伸方向Y上，第二无机层60是不连续地，并且，第二无机层60的第二部分62在布线40的两侧和第一无机层20接触。使得在垂直布线延伸方向Y上，第一无机层20和第二无机层60相接触，具有较好的界面接触性能，不容易发生界面剥离，使得布线被第二无机层60钉扎，防止弯折时在弯折区发生布线和其他膜层的剥离使布线发生翘曲，影响信号传输。
可选地，请参照图4，图4为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图，图5为图4中BB区域截面图，与上述实施例的区别为在垂直布线延伸方向Y上，第二无机层60是连续地，并且，第二无机层60的第二部分62在布线40的两侧和第一无机层20接触。这可以有效增大第二无机层60和第一无机层20的接触面积，进一步增大第二无机层60的钉扎作用，防止弯折时在弯折区发生布线和其他膜层的剥离使布线发生翘曲，影响信号传输。
可选地，请继续参照图1以及参照图6，图6为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图，与上述实施例不同的是，沿布线40延伸方向且在弯曲区域BA的至少一端，布线40包含通孔；所述第二无机层填充所述通孔H，使第二无机层60的第二部分62和第一无机层20在通孔H处接触。本发明实施例中通过在在弯曲区域BA的至少一端的布线中设置通孔，使得第二无机层60的第二部分62和第一无机层20在通孔H处接触，改善布线和其他膜层间的界面接触性能，放在在弯折时发生剥离而发生翘曲。另外，这也可以降低相邻走线之间的距离，使得在相同的面积下，可以放置更多的走线，有利于窄边框设计。
可选地，通孔H所在区域的宽度L1大于其他部分的宽度D2。通孔H所在区域的宽度大于其他部分的宽度，可以使得形成通孔时不会发生断线，降低工艺难度。
可选地，请参照图7，图7为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图，与上述实施例的区别在于，沿着布线40延伸方向X，通孔H的长度为L，且沿着布线40的排布方向Y上，布线40包含中间布线M和远离中间布线的边缘布线E，其中，沿着中间布线M向边缘布线E的方向上，通孔H的长度越短。
可选地，请参照图8，图8为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图，与上述实施例不同的是，沿着布线40延伸的方向X，布线40包含通孔，且沿着布线40的排布方向上，布线40包含中间布线M和远离中间布线M的边缘布线E，其中，沿着所述中间布线向所述边缘布线的方向上，通孔的个数逐渐增多。
可选地，请参照图9，图9为为本发明实施例提供的又一种多条布线俯视图，与上述实施例不同的是，垂直布线40的延伸方向X上，通孔的宽度为W，且沿着布线40的排布方向上，布线40包含中间布线M和远离中间布线M的边缘布线W，其中，沿着中间布线M向边缘布线E的方向上，通孔的宽度W越宽。
当布线40连接到扇形区走线时，由于扇形区不同位置的走线长度不一致，导致走线之间电阻存在差异，从而影响信号均一性。电阻的技术公式为R＝ρL1/S1(其中,ρ表示电阻的电阻率,是由其本身性质决定,L1表示电阻的长度,S1表示电阻的横截面积)，在布线中设置通孔，相当于降低了布线的横截面积，使得布线的电阻增大。因此，通孔的长度越大、通孔的宽度越大或者通孔的个数越多，布线的横截面积降低越大，布线电阻越大。因此，通过设置沿着中间布线M向边缘布线E的方向上，通孔H的长度越短，通孔的个数逐渐增多，和或者通孔的宽度W越宽，可以有效改善扇形区各位置的走线的电阻均一性，从而改善信号传输均一性，从而改善显示稳定性和显示效果。
需要说明的是，上述任一实施例的多条布线的条数只是示意，本发明实施例对于布线的条数不做限定。
可选地，请参照图10，图10为本发明实施例提供的一种柔性显示面板部分区域截面图，在柔性基板10上还包含薄膜晶体管70，在柔性基板10上薄膜晶体管70依次包含堆叠设置的缓冲层71、半导体层76、栅极绝缘层72、栅极层75、层间绝缘层73和源漏极金属层74；其中，第一无机层20和缓冲层71、层间绝缘层73中的至少一层同一膜层制备，多条布线40和源漏极金属层74同一膜层制备。可选地，缓冲层和层间绝缘层的材料包含硅氧化物、硅氮化物等。第一无机层20和缓冲层71、层间绝缘层73中的至少一层同一膜层制备，多条布线40和源漏极金属层74同一膜层制备，可以减少制程工艺，提高产能。缓冲层71提供用于形成薄膜晶体管70的平坦表面，并且可以包括氧化硅(5i02)或氮化硅(SiNx)。需要说明的是，在其他实施例中，阵列层20还可以为底栅结构，本发明实施例对此不做限定。
可选地，请继续参照图10，在薄膜晶体管层70上还设置有有机发光器件层80，在薄膜晶体管层70远离柔性基板10的方向上，有机发光器件层80依次包含平坦化层81，第一电极82、发光层83和第二电极84，以及发光层83之间的像素定义层85，绝缘层50与平坦化层81、像素定义层85中的至少一层同一膜层制备。有机发光器件80中，第一电极82产生空穴(电子)和第二电极84产生电子(空穴)，并注入到发光层33中。注入的电子和空穴彼此结合以形成激子，有机发光器件通过激子从激发态跌落至基态时所生成的能量来发光。有机发光器件80可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。发光层83可以是红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。发光层83可以是单个白色发光层。发光层33可具有红色发光层、绿色发光层和/或蓝色发光层的层叠结构。当发光层83具有层叠结构时，可包括滤色器(未示出)。本发明实施例中，第一电极和第二电极其中一个电极可以为阳极，另一电极个为阴极，对此本发明不做限定。空穴注入层和/或空穴传输层可被设置在阳极与发光层之间，电子注入层和/或电子传输层可被设置在阴极与发光层之间。
可选地，请继续参考图10，在有机发光器件80背离柔性基板10的一侧还包含封装层90，封装层90覆盖有机发光器件80。封装层90包含第一无机封装层(91)和第一有机封装层(未示出)，其中，第二无机层60和第一无机封装层90同一膜层制备。其中，第一有机封装层的材料可包括聚合物，例如，可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸脂、环氧树脂、聚乙烯、聚丙烯酸酯、有机硅氧烷形成的单层或堆叠层。第一无机封装层可以是包含金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如第一无机封装层90的材料可包含SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任一种。第一有机封装层可以采用喷墨打印(IJP)、化学气相沉积(CVD)、溅射、等离子体化学气相沉积(PE-CVD)的方式制备。第一无机封装层91可以采用原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体化学气相沉积(PE-CVD)等方式制备。由于第二无机层60和第一无机封装层90同一膜层制备，且第二无机层60和第一无机层20接触，又由于无机层具有较好的致密性，具有较好的阻水氧效果，这可以使得有机发光器件在周边多了一层无机层的密封，使得水汽和氧气更难侵入，从而提高柔性显示面板的使用寿命。
可选地，请继续参考图10和图1，在封装层90背离柔性基板10的方向上，还包含触控层100，触控层100包含触控电极101和触控走线(图10为示出，图1中的102)，触控电极102为触控电极101传输信号。可选地，触控走线102通过过孔和多条布线40电连接。由于触控电极101位于封装层90背离柔性基板10的一侧，距离中性面较远，当在弯曲区域，触控走线102和触控电极101同一膜层制备时，距离中性面较远，弯折时易发生较大的形变，容易发生断线，影响信号传输。本发明实施例中触控走线102通过过孔和多条布线40电连接，使得在弯折区触控走线换线到和源极或者漏极同一膜层制备，使得触控走线靠近中性面，改善弯折性能。另外，由于源极和漏极通常可以采用钛-铝-钛的材料，弯折性能较好。然而本申请对于源极和漏极的材料不做限定。可选地，触控电极101可以为自电容触控电极和互电容触控电极。该自电容触控电极可以为块状电极或者条状电极。该互电容触控电极可以包含第一触控电极和第二触控电极，其中，第一触控电极和第二触控电极可以为异层绝缘设置的条状电极，或者同层且相同电极通过跨桥电连接的块状电极。本发明实施例对于触控电极不作任何限定。
可选地，请参照图11，在所柔性基板10和缓冲层71之间还包含阻挡层11，绝缘层还包含和阻挡层同一膜层制备的部分。阻挡层的材料可以包含氧化硅(Si02)或氮化硅(SiNX)的无机材料。阻挡层11用于阻挡湿气和/或氧气渗透穿过柔性基板10，并且可以用其中氧化硅(Si 02)和氮化硅(Si NX)交替地和重复地彼此堆叠的多个层形成。
可选地，请参照图12，图12为本发明实施例提供的一种柔性基板弯折状态示意图，可选地，柔性基板10可以包含显示区DA和非显示区NDA，弯曲区域BA可以位于非显示区，多条布线40给显示区DA提供信号。然后弯曲区域还可以位于显示区，本发明对此不作限定。
可选地，请参照图13，图13为本发明实施例提供的一种柔性显示装置示意图。包含上述任意实施例的柔性显示面板。该柔性显示装置可以为手机、平板电脑、可穿戴设备等。可以理解，该柔性显示装置还可以包括驱动芯片等公知的结构，此处不再赘述。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
Claims (14)
1.一种柔性显示面板，其特征在于，包含：
柔性基板，所述柔性基板包括弯曲区域；
第一无机层，设置在所述柔性基板上，且在所述弯曲区域所述第一无机层包含凹槽，
应力缓和层，填充所述凹槽；以及
多条布线，设置在所述第一无机层和所述应力缓和层上；
绝缘层，覆盖所述多条布线；
第二无机层，设置在所述弯曲区域的至少一端，且所述第二无机层包含第一部分和第二部分，其中，所述第一部分和所述绝缘层接触，所述第二部分和所述第一无机层接触；沿所述布线延伸方向且在所述弯曲区域的至少一端，所述多条布线依次被所述绝缘层和所述第二无机层覆盖，使得所述第二无机层的第二部分和所述第一无机层在所述布线的两侧接触；
在垂直布线延伸方向上，第二无机层是连续地；
沿所述布线延伸方向且在所述弯曲区域的至少一端，所述布线包含通孔，所述第二无机层填充所述通孔，使所述第二无机层的第二部分和所述第一无机层在所述通孔处接触。
2.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，沿所述布线延伸方向且在所述弯曲区域的两端，所述多条布线依次被所述绝缘层和所述第二无机层覆盖，使得所述第二无机层的第二部分和所述第一无机层在所述布线的两侧接触。
3.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，沿所述布线延伸方向且在所述弯曲区域的两端，所述布线包含通孔。
4.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述通孔所在区域的宽度大于其他部分的宽度。
5.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，沿着所述布线延伸方向，所述通孔的长度为L，且沿着所述布线的排布方向上，所述布线包含中间布线和远离所述中间布线的边缘布线，其中，沿着所述中间布线向所述边缘布线的方向上，所述通孔的长度越短。
6.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，沿着所述布线延伸的方向，所述布线包含通孔，且沿着所述布线的排布方向上，所述布线包含中间布线和远离所述中间布线的边缘布线，其中，沿着所述中间布线向所述边缘布线的方向上，所述通孔的个数逐渐减少。
7.根据权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，在垂直所述布线的延伸方向上，所述通孔的宽度为W，且沿着所述布线的排布方向上，所述布线包含中间布线和远离所述中间布线的边缘布线，其中，沿着所述中间布线向所述边缘布线的方向上，所述通孔的宽度变窄。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的柔性显示面板，其特征在于，所述应力缓和层的材料包含有机物。
9.根据权利要求8所述的柔性显示面板，其特征在于，在所述柔性基板上还包含薄膜晶体管，在所述柔性基板上所述薄膜晶体管依次包含堆叠设置的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层和源漏极金属层；其中，所述第一无机层和所述缓冲层、所述层间绝缘层中的至少一层同一膜层制备，所述多条布线和所述源漏极金属层同一膜层制备。
10.根据权利要求9所述的柔性显示面板，其特征在于，在所述薄膜晶体管层上还设置有有机发光器件层，在所述薄膜晶体管层远离所述柔性基板的方向上，所述有机发光器件层依次包含平坦化层，第一电极、发光层和第二电极，以及发光层之间的像素定义层，所述绝缘层与所述平坦化层、所述像素定义层中的至少一层同一膜层制备。
11.根据权利要求10所述的柔性显示面板，其特征在于，在所述有机发光器件背离所述柔性基板的方向上还包含封装层，所述封装层覆盖所述有机发光器件，且所述封装层包含第一无机封装层和第一有机封装层，其中，所述第二无机层和所述第一无机封装层同一膜层制备。
12.根据权利要求11所述的柔性显示面板，其特征在于，在所述封装层背离所述柔性基板的一侧，还包含触控层，所述触控层包含触控电极和触控走线，所述触控走线通过过孔和所述多条布线电连接。
13.根据权利要求12所述的柔性显示面板，其特征在于，在所述柔性基板和所述缓冲层之间还包含阻挡层，所述绝缘层包含和所述阻挡层同一膜层制备的部分。
14.一种柔性显示装置，包含上述任一项所述的柔性显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810250596.9A CN108538852B (zh) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | 柔性显示面板及柔性显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810250596.9A CN108538852B (zh) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | 柔性显示面板及柔性显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108538852A CN108538852A (zh) | 2018-09-14 |
| CN108538852B true CN108538852B (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=63484229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810250596.9A Active CN108538852B (zh) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | 柔性显示面板及柔性显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108538852B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109448566A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-03-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| KR102628360B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2024-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN109256400B (zh) * | 2018-11-16 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN109638057B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-06-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110264870B (zh) * | 2019-06-13 | 2021-05-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| KR20210044920A (ko) * | 2019-10-15 | 2021-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 |
| CN111697021B (zh) * | 2020-06-28 | 2023-04-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN113642396B (zh) * | 2020-08-17 | 2023-05-19 | 友达光电股份有限公司 | 感测装置 |
| CN112230803B (zh) * | 2020-10-28 | 2024-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控基板及其制备方法、显示装置 |
| CN112712761A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
| CN112667106B (zh) * | 2020-12-31 | 2024-05-28 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板及触控显示装置 |
| CN112951096B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN113515203B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-09-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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| CN107464828A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-12-12 | 武汉天马微电子有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
| CN207008253U (zh) * | 2017-07-28 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9356087B1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-05-31 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with bridged wire traces |
| CN104795403B (zh) * | 2015-04-16 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制作方法、显示装置 |
| JP6695727B2 (ja) * | 2016-04-08 | 2020-05-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN107491221B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制备方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-03-26 CN CN201810250596.9A patent/CN108538852B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106486520A (zh) * | 2015-08-24 | 2017-03-08 | 三星显示有限公司 | 柔性显示器及其制造方法 |
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| CN207008253U (zh) * | 2017-07-28 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板和显示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108538852A (zh) | 2018-09-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |