JP2018026539A - 太陽電池モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、互いに直列に接続された第1ユニットセルおよび第2ユニットセルとを備え、2つのユニットセルのそれぞれは、第1電極層22と、第1金属原子の酸化物を含む第1半導体層3と、第2半導体層4と、第2電極層26とをこの順で含み、第1ユニットセルの第2電極層の一部は、2つのユニットセルの第2半導体層を分離する溝内に位置し、第1ユニットセルの第2電極層は、第2ユニットセルの第1半導体層のうち溝と平面視において重なる第1部分を介して、第2ユニットセルの第1電極層と電気的に接続されており、第1部分は、第2金属原子を含み、第1部分における、金属原子数の合計に対する第2金属原子数の比Aは、第1半導体層のうち第1部分以外の第2部分における、金属原子数の合計に対する第2金属原子数の比Bよりも大きい、太陽電池モジュール。
【選択図】図1
Description
基板と、前記基板上に配置され、互いに直列に接続された第1ユニットセルおよび第2ユニットセルと、を備え、前記第1ユニットセルおよび前記第2ユニットセルのそれぞれは、前記基板上に配置された第1電極層と、前記第1電極層上に位置し、第1金属原子の酸化物を含む第1半導体層と、前記第1半導体層上に位置する第2半導体層と、前記第2半導体層上に位置する第2電極層と、を含み、前記第1ユニットセルの前記第2電極層の一部は、前記第1ユニットセルの前記第2半導体層と前記第2ユニットセルの前記第2半導体層とを分離する溝内に位置し、前記第1ユニットセルの前記第2電極層は、前記第2ユニットセルの前記第1半導体層のうち前記溝と平面視において重なる第1部分を介して、前記第2ユニットセルの前記第1電極層と電気的に接続されており、前記第1部分は、前記第1金属原子とは異なる第2金属原子を含み、前記第1部分における、全ての金属原子の原子数の合計に対する前記第2金属原子の原子数の比Aは、前記第1半導体層のうち前記第1部分以外の第2部分における、全ての金属原子の原子数の合計に対する前記第2金属原子の原子数の比Bよりも大きい、太陽電池モジュール。
前記第1電極層は、前記第2金属原子を含む、項目1に記載の太陽電池モジュール。
前記第1電極層は、前記第2金属原子の酸化物を含む、項目2に記載の太陽電池モジュール。
前記比Aは0.9%以上であり、かつ前記比Bは0.5%未満である、項目1に記載の太陽電池モジュール。
前記第1金属原子はチタンである、項目1から4のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
前記第2金属原子は錫である、項目1から5のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
基板上に、第1電極膜と、第1金属原子の酸化物を含む第1半導体膜とを形成し(a)、
前記第1電極膜および前記第1半導体膜を分割する第1の溝を形成し(b)、
前記第1半導体膜上に、第2半導体膜を形成し(c)、
前記第2半導体膜を分割する第2の溝を形成し(d)、
前記第1半導体膜のうち前記第2の溝によって露出した第1部分をレーザー光で照射して加熱することによって、前記第1半導体膜の前記第1部分に、前記第1金属原子とは異なる第2金属原子を拡散させ(e)、
前記第2半導体膜上および前記第2の溝内に第2電極膜を形成し(f)、
前記第2電極膜を分割する第3の溝を形成する(g)、
太陽電池モジュールの製造方法。
前記(e)において、前記レーザー光としてYAGレーザーの第3次高調波光を用いる、項目7に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
前記(a)の後であって、前記(e)の前に、前記第1半導体膜上に前記第2金属原子を供給する、項目7または8に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
以下、図面を参照しながら、本開示の一実施形態の太陽電池モジュールを説明する。なお、本開示の太陽電池モジュールは、以下の実施形態に限定されない。以下の説明では、特定の数値や特定の材料を例示する場合があるが、他の数値や他の材料を適用してもよい。
基板1は、少なくとも第1電極膜2と接する側に絶縁性表面を有している。太陽電池モジュールが、基板1側から入射する光を吸収して発電を行う場合は、光透過性を有する基板1が用いられてもよい。基板1の材料として、例えば透光性絶縁材料が用いられる。このような材料の例として、ガラス、アルミナ、アクリル、PETが挙げられる。
第2半導体膜4は、例えば光電変換を行う光電変換層である。第1半導体膜3および第3半導体膜5は、例えばどちらかが電子輸送層であり、他方が正孔輸送層であってもよい。電子輸送層とは、第2半導体膜4で生成された正孔電子対のうち、電子のみを通過させる性質を有する層である。正孔輸送層とは、第2半導体膜4で生成された正孔電子対のうち、正孔のみを通過させる性質を有する層である。
第1電極膜2および第2電極膜6は、導電性を有する。第1電極膜2としては、第1半導体膜3とオーミック接触を形成し得る電極膜、第2電極膜6としては、第3半導体膜5とオーミック接触を形成し得る電極膜を用いることができる。第1電極膜2および第2電極膜6の少なくとも一方は、光透過性を有する。例えば、基板1から入射する光を吸収して発電させる場合、少なくとも第1電極膜が光透過性を有する。それ以外の場合は少なくとも第2電極膜が光透過性を有する。
第1分割溝7は、第1電極膜2および第1半導体膜3を、それぞれ、互いに電気的に絶縁された複数の部分(第1電極層22および第1半導体層23)に分割する。第1分割溝7は、第1電極膜2および第1半導体膜3の一部を除去することによって形成されている。第1分割溝7は、第1電極膜2が吸収する波長の光を用いたスクライブによって形成され得る。例えば、YAGレーザ(波長1065nm)を第1電極膜2に照射することで、第1分割溝7を形成してもよい。
第2分割溝8は、第2半導体膜4および第3半導体膜5を、それぞれ、互いに電気的に絶縁された複数の部分(第2半導体層24および第3半導体層25)に分割している。第2分割溝8は、第2半導体膜4および第3半導体膜5の一部を除去することによって形成されている。第2分割溝8の底面において、第1半導体膜3が露出している。第2分割溝8内では、第1半導体膜3と第2電極膜6とが直接接触し、電気的に接続される。
第3分割溝9は、第2電極膜6を互いに電気的に絶縁された複数の部分(第2電極層26)に分割する。第3分割溝9は、第2半導体膜4、第3半導体膜5および第2電極膜6の一部を除去することによって形成されていてもよい。なお、第3分割溝9は、第2電極膜6を分割していればよく、第2半導体膜4、第3半導体膜5またはその両方は第3分割溝9によって分割されていなくてもよい。第3分割溝9は、第1分割溝や第2分割溝と同様の手法によって形成することができる。
第1半導体接続部10は、第1半導体層23のうち第2分割溝8に面しない部分よりも高い濃度で不純物金属原子を含むことにより低抵抗化されている。この結果、その上下に存在する第2電極層26および第1電極層22との間で生じていた抵抗損失が抑制されている。
本発明者は、第1半導体膜3の第1半導体接続部10における不純物金属原子の原子数比と電極間の抵抗値との関係について、評価用の試料を用いて検討した。以下、その方法および結果を説明する。
実施例1から実施例3として、第1半導体接続部10における不純物金属原子の原子数比の異なる評価用の試料を作製した。
YAGレーザーの第3次高調波光の照射を行わない点以外は、実施例1と同様の方法で、比較例1の試料を作製した。
実施例1、実施例2および実施例3の試料の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した。
次いで、各実施例および各比較例の試料のうち2つの試料について、以下のようにして、第1電極42と第2電極45との間の抵抗を調べた。
第1半導体接続部44における金属原子に対する不純物金属原子(ここではSn)の割合である原子数比の閾値を、不純物金属の種類を変えて調べた。
第1半導体膜43として、Snを不純物として含むTiO2膜(厚さ30nm)を形成した。第1半導体膜43は、TiO2と不純物金属であるSnとをスパッタ法で基板上に同時に堆積させることによって形成した。この後、第1半導体膜43の一部に第3次高調波光を照射することにより、Snを含む第1半導体接続部44を形成した。
第1半導体膜43として、ニオブ(Nb)を不純物として含む、厚さ30mmのTiO2膜を形成した。第1半導体膜43は、TiO2と不純物金属であるNbとをスパッタ法で基板上に同時に堆積させることによって形成した。この後、第1半導体膜43の一部に第3次高調波光を照射することにより、Nbを含む第1半導体接続部44を形成した。
上記の第1半導体膜43を有する実施例4および実施例5の各試料に対して、TEM−EDX分析を行い、その結果から、第1半導体膜43に含まれる金属原子に対する不純物金属原子の原子数比を算出した。また、第1電極42であるSnO2:F膜と第2電極45であるAu膜との間の抵抗率Rを求めた。抵抗率Rは、実施例1等の試料に対して行った方法と同様の方法で算出した。この後、不純物金属の原子数比と電極間の抵抗率Rとの関係から、原子数比の望ましい範囲を検討した。
実施例6から実施例16として、前述の実施例と異なる第1半導体膜43および不純物金属を用いた場合の、第1半導体接続部44における不純物金属の原子数比の望ましい範囲を調べたので、以下に説明する。
・文献:Taro HITOSUGI、他9名、“Japanese Journal of Applied Physics”(日本)、2005年、第44巻、第34号、pp.L1063−L1065、DOI:10.1143/JJAP.44.L1063
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・文献:横尾俊信、他4名、“日本化学会誌”(日本)、1987年5月、第11号、p. 1946−1951
・文献:Min−Chul Jun、他2名、“Nanoscale Research Letters”(独国)、2012年11月、第7巻、 p. 639、DOI:10.1186/1556−276X−7−639
・文献:Chien−Yie Tsay、他1名、“Ceramics International”(オランダ)、2013年、第39巻, p.7425−7432、DOI:10.1016/j.ceramint.2013.02.086
実施例9で参照した文献のFigure 4には、亜鉛に対して1%原子数濃度のガリウムを導入することにより、シート抵抗値が12kΩ/sq.から6kΩ/sq.に低下することが記載されている。
・文献:SEVAL AKSOY、他3名、“Optica Applicata”(ポーランド)、2010年、第XL巻、第1号、p.7−14
・文献:Sh.El Yamny、他1名、“Journal of Modern Physics”(中国)、2012年、第3巻、p.1060−1069、DOI:10.4236/jmp.2012.39140
・文献:Jingzhen Shao、他8名、“Thin Solid Films”(オランダ)、2010年、第518巻、 p.5288−5291、DOI:10.1016/j.tsf.2010.04.068
・文献:K.Ravichandran、他3名、“Jouranal of Alloys and Compounds”(オランダ)、2016年、第656巻、 p.332−338、DOI:10.1016/j.tsf.2010.04.068
・文献:Sheng−Chi Chen、他5名、“Journal of Vacuum Science Technology A”(米国)、2014年、第32巻、第2号、02B118、DOI:10.1116/1.4865808
次いで、第1半導体膜の一部に金属原子を含む溶液を付与することによって、図2に示す構成を有する試料を作製し、その特性を評価した。
まず、実施例1と同様に、基板1として、200mm角、厚さ0.5mmのガラス基板を用いた。基板1上には、フッ素ドープ酸化スズ層が、第1電極膜として配置されている。第1電極膜上に、第1半導体膜(厚さ30nmのTiO2膜)43を形成した。次いで、第1半導体膜43上に、不純物金属(ここではNb)を含む溶液を付与した。ここでは、ニオブペンタイソプロポキシドの10%イソプロピルアルコール溶液を、スピンコートによって第1半導体膜43上に塗布した。スピンコートによる塗布は、6000rpmの回転速度で30秒間行った。
実施例17から実施例19の試料について、実施例1等と同様の方法で、電極間の抵抗率Rを求めた。結果を表4に示す。なお、表4には、比較のため、前述した実施例1から実施例3の結果も併せて示す。
以下、実施例20および比較例3の太陽電池を作製し、その特性を評価した。
図1を参照しながら前述した構成を有する実施例20の太陽電池を作製した。各構成要素の材料を以下に示す。
基板1:ガラス
第1電極膜2:フッ素ドープ酸化スズ厚さ0.7μm(シート抵抗10Ω/sq.)
第1半導体膜3:アナターゼ型酸化チタン
第2半導体膜4:CH3NH3PbI3
第3半導体膜5:Spiro−OMeTAD
第2電極膜6:金
第1半導体膜3のうち第2分割溝8内に露出した部分に対してYAGレーザーの第3次高調波光の照射を行わないこと以外は、実施例20の太陽電池と同様の方法で比較例3の太陽電池を作製した。
実施例20の太陽電池および比較例3の太陽電池の光電変換特性の評価を行った。ここでは、各太陽電池に、光強度が1kW/m2である疑似太陽光を照射し、電流−電圧特性を測定した。結果を図23に示す。
2、102 第1電極膜
3、43、103 第1半導体膜
4、104 第2半導体膜
5、105 第3半導体膜
6、106 第2電極膜
7、107 第1分割溝
8、108 第2分割溝
9、109 第3分割溝
10、44 第1半導体接続部
22 第1電極層
23 第1半導体層
24 第2半導体層
25 第3半導体層
26 第2電極層
42 第1電極
45 第2電極
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に配置され、互いに直列に接続された第1ユニットセルおよび第2ユニットセルと、
を備え、
前記第1ユニットセルおよび前記第2ユニットセルのそれぞれは、
前記基板上に配置された第1電極層と、
前記第1電極層上に位置し、第1金属原子の酸化物を含む第1半導体層と、
前記第1半導体層上に位置する第2半導体層と、
前記第2半導体層上に位置する第2電極層と、
を含み、
前記第1ユニットセルの前記第2電極層の一部は、前記第1ユニットセルの前記第2半導体層と前記第2ユニットセルの前記第2半導体層とを分離する溝内に位置し、
前記第1ユニットセルの前記第2電極層は、前記第2ユニットセルの前記第1半導体層のうち前記溝と平面視において重なる第1部分を介して、前記第2ユニットセルの前記第1電極層と電気的に接続されており、
前記第1部分は、前記第1金属原子とは異なる第2金属原子を含み、
前記第1部分における、全ての金属原子の原子数の合計に対する前記第2金属原子の原子数の比Aは、前記第1半導体層のうち前記第1部分以外の第2部分における、全ての金属原子の原子数の合計に対する前記第2金属原子の原子数の比Bよりも大きい、太陽電池モジュール。 - 前記第1電極層は、前記第2金属原子を含む、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1電極層は、前記第2金属原子の酸化物を含む、請求項2に記載の太陽電池モジュール。
- 前記比Aは0.9%以上であり、かつ前記比Bは0.5%未満である、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第1金属原子はチタンである、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第2金属原子は錫である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第2半導体層は、複数の半導体層を含む、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。
- 基板上に、第1電極膜と、第1金属原子の酸化物を含む第1半導体膜とをこの順に形成し(a)、
前記第1電極膜および前記第1半導体膜を分割する第1の溝を形成し(b)、
前記第1半導体膜上に、第2半導体膜を形成し(c)、
前記第2半導体膜を分割する第2の溝を形成し(d)、
前記第1半導体膜のうち前記第2の溝によって露出した第1部分をレーザー光で照射して加熱することによって、前記第1半導体膜の前記第1部分に、前記第1金属原子とは異なる第2金属原子を拡散させ(e)、
前記第2半導体膜上および前記第2の溝内に第2電極膜を形成し(f)、
前記第2電極膜を分割する第3の溝を形成する(g)、
太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記(e)において、前記レーザー光としてYAGレーザーの第3次高調波光を用いる、請求項8に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
- 前記(a)の後であって、前記(e)の前に、前記第1半導体膜上に前記第2金属原子を供給する、請求項8または請求項9に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
- 前記(c)において、前記第2半導体膜は、複数の半導体膜を含む、請求項8から請求項10のいずれか一項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
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