JP2018026484A - パッケージ方法及びパッケージ構造 - Google Patents

Abstract

【課題】インターポーザに対し、信頼性の高い電子部品の実装をすることを課題とする。【解決手段】パッケージ方法は、板状の支持体上にインターポーザを形成する工程と、第１の粘着層を介して前記インターポーザと基板とを接合する工程と、前記支持体を除去する工程と、前記インターポーザ内に形成されている再配線に設けられているランドを露出させると共に、前記基板に設けられている基板上パッドに到達するビアホールを形成する工程と、前記ビアホールにビア配線を形成する工程と、前記インターポーザに電子部品を実装する工程と、を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、パッケージ方法及びパッケージ構造に関する。

昨今、基板上に層状に設けられた配線や電子部品を電気的に接続する多層配線層や、配線基板、電子部品搭載装置等が、種々提案されている（例えば、特許文献１、２、３参照）。

特開２０００−７７８４８号公報 特開２００６−１８６２３８号公報 特開平６−６９３７２号公報

ところで、基板にチップ等の電子部品を実装する場合に、基板と電子部品との間に、インターポーザ（ＩＰ）が層状に介装されることがある。インターポーザは、内部に再配線が設けられており、この再配線を介して電子部品と基板とを電気的に接続する。従来、インターポーザには、シリコン（Ｓｉ）が用いられることが多かったが、コストの観点から、有機樹脂を用いた有機基板を用いることも多くなってきている。また、電子部品を搭載する電子機器の小型化、薄型化に伴い、インターポーザ自身も薄型化が進められている。例えば、有機樹脂内に再配線のみが設けられ、有機樹脂内にインターポーザを補強するフィラーやコア材を含まないフィルム型インターポーザも登場している。インターポーザの薄型化が進行すると、電子部品と基板との間隔が狭まるため、信号や電気の伝送距離の短縮化ともなり、都合がよい。フィルム型インターポーザは、その厚さを５０μｍ以下とすることもできる。

しかしながら、フィラーやコア材を含むことなく、薄型化されたインターポーザは、撓みが生じやすい。インターポーザが撓み、電子部品の実装面が波打ち、その実装面に凹凸が生じると、信頼性の高い電子部品の実装が困難となる。

特許文献１乃至３は、いずれも、このような薄型化されたインターポーザの不都合を解消するものとはなっていない。

１つの側面では、本明細書開示のパッケージ方法及びパッケージ構造は、インターポーザに対し、信頼性の高い電子部品の実装をすることを課題とする。

本明細書開示のパッケージ方法は、板状の支持体上にインターポーザを形成する工程と、第１の粘着層を介して前記インターポーザと基板とを接合する工程と、前記支持体を除去する工程と、前記インターポーザ内に形成されている再配線に設けられているランドを露出させると共に、前記基板に設けられている基板上パッドに到達するビアホールを形成する工程と、前記ビアホールにビア配線を形成する工程と、前記インターポーザに電子部品を実装する工程と、を備える。

本明細書開示のパッケージ構造は、基板と、有機樹脂内に再配線を有し、粘着層を介して前記基板と接合されているインターポーザと、前記インターポーザ上に実装されている電子部品と、前記電子部品の実装領域の外側に形成され、前記インターポーザを貫通して前記基板に設けられている基板上パッドに到達しているビアホールと、前記ビアホール内に形成され、前記再配線に設けられているランドと前記基板上パッドとを電気的に接続しているビア配線と、を備える。

本明細書開示のパッケージ方法及びパッケージ構造によれば、インターポーザに対し、信頼性の高い電子部品の実装をすることができる。

図１（Ａ）は実施形態のパッケージ構造の図１（Ｂ）におけるＡ−Ａ線断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態のパッケージ構造の平面図である。 図２（Ａ）〜（Ｅ）は実施形態のパッケージ方法の工程図である。 図３（Ａ）〜（Ｄ）は実施形態のパッケージ方法の工程図である。 図４（Ａ）〜（Ｄ）は実施形態のパッケージ方法の工程図である。 図５（Ａ−１）は第１の粘着層の異方エッチング性を、インターポーザの異方エッチング性よりも強く設定した場合のビアホールの形状を示す説明図であり、図５（Ａ−２）は第１の粘着層の異方エッチング性を、インターポーザの異方エッチング性よりも強く設定した場合のビア配線の形状を示す説明図であり、図５（Ｂ−１）はインターポーザの異方エッチング性を、第１の粘着層の異方エッチング性と同等に設定した場合のビアホールの形状を示す説明図であり、図５（Ｂ−２）はインターポーザの異方エッチング性を、第１の粘着層の異方エッチング性と同等に設定した場合のビア配線の形状を示す説明図である。 図６（Ａ）は異方エッチング性の説明図であり、図６（Ｂ）は材料による異方エッチング性の違いの一例を示すグラフである。 図７（Ａ）、（Ｂ）はビア配線の形態の一例を示す説明図である。 図８（Ａ）、（Ｂ）はビア配線の形態の他の例を示す説明図である。 図９（Ａ）は比較例のパッケージ構造を模式的に示す説明図であり、図９（Ｂ）は比較例のパッケージ構造が撓む様子を模式的に示す説明図である。

以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。ただし、図面中、各部の寸法、比率等は、実際のものと完全に一致するようには図示されていない場合がある。また、図面によっては、説明の都合上、実際には存在する構成要素が省略されていたり、寸法が実際よりも誇張されて描かれていたりする場合がある。

（実施形態）
まず、図１（Ａ）、（Ｂ）を参照しつつ、実施形態のパッケージ構造１について説明し、その後、図２（Ａ）乃至図８（Ｂ）を参照しつつ、パッケージ構造１の製造方法、すなわち、パッケージ方法の一例につき、説明する。図１（Ａ）は実施形態のパッケージ構造の図１（Ｂ）におけるＡ−Ａ線断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態のパッケージ構造の平面図である。図２（Ａ）〜図４（Ｄ）は実施形態のパッケージ方法の工程図である。図５（Ａ−１）は第１の粘着層の異方エッチング性を、インターポーザの異方エッチング性よりも強く設定した場合のビアホールの形状を示す説明図であり、図５（Ａ−２）は第１の粘着層の異方エッチング性を、インターポーザの異方エッチング性よりも強く設定した場合のビア配線の形状を示す説明図である。図５（Ｂ−１）はインターポーザの異方エッチング性を、第１の粘着層の異方エッチング性と同等に設定した場合のビアホールの形状を示す説明図であり、図５（Ｂ−２）はインターポーザの異方エッチング性を、第１の粘着層の異方エッチング性と同等に設定した場合のビア配線の形状を示す説明図である。図６（Ａ）は異方エッチング性の説明図であり、図６（Ｂ）は材料による異方エッチング性の違いの一例を示すグラフである。図７（Ａ）、（Ｂ）はビア配線の形態の一例を示す説明図である。図８（Ａ）、（Ｂ）はビア配線の形態の他の例を示す説明図である。なお、図９（Ａ）は比較例のパッケージ構造を模式的に示す説明図であり、図９（Ｂ）は比較例のパッケージ構造が撓む様子を模式的に示す説明図である。

図１（Ａ）、（Ｂ）を参照すると、パッケージ構造１は、基板２と、第１の粘着層３を介して基板２と接合されているインターポーザ４とを備える。インターポーザ４は、有機樹脂内に再配線５〜７を有している。第１の粘着層３の材料と、インターポーザ４を形成する有機樹脂については、後に詳述する。インターポーザ４には、電子部品の実装領域に相当するチップ実装領域Ｘが設けられており、そのチップ実装領域Ｘに電子部品の一例であるチップ８が実装されている。本実施形態では、２個のチップ８が実装されており、両者は再配線７を通じて電気的に接続されている。

パッケージ構造１は、チップ実装領域Ｘの外側に形成され、インターポーザ４を貫通して基板２に設けられている基板上パッド２ａに到達しているビアホール１５ａ、１５ｂを備える。ビアホール１５ａ、１５ｂ内には、それぞれ再配線５、６に設けられているランド５ａ、６ａが露出している。ビアホール１５ａ、１５ｂ内には、ビア配線１１が設けられている。ビア配線１１は、再配線５、６に設けられているランド５ａ、６ａと基板上パッド２ａとを電気的に接続している。基板上パッドは、銅（Ｃｕ）により形成されている。

図１（Ａ）において、インターポーザ４内に形成されている再配線５〜７は、それぞれ、その一端部に設けられているランドを示すために添字ａが付され、他端部に設けられているランドを示すために添字ｂが付されている。再配線５、６において、ランド５ａ、６ａは、それぞれ、ビア配線１１と電気的に接続されている。一方、ランド５ｂ、６ｂには、それぞれ、インターポーザ４の厚み方向に延びる配線５ｂ１、６ｂ１の一端が接続されている。配線５ｂ１、６ｂ１の他端は、インターポーザ４の表面に露出している。インターポーザ４の表面に露出した配線５ｂ１、６ｂ１の他端は、マイクロバンプ９を介してチップ８と電気的に接続されている。これにより、配線５ｂ１、６ｂ１は、再配線５、６の一部となっている。再配線７において、ランド７ａ、７ｂには、それぞれ、インターポーザ４の厚み方向に延びる配線７ａ１、７ｂ１の一端が接続されている。配線７ａ１、７ｂ１の他端は、インターポーザ４の表面に露出している。インターポーザ４の表面に露出した配線７ａ１、７ｂ１の他端は、マイクロバンプ９を介してチップ８と電気的に接続されている。これにより、配線７ａ１、７ｂ１は再配線７の一部となっている。このようにして２個のチップ８は、再配線７を介して電気的に接続されている。マイクロバンプ９の周囲には、アンダーフィル１０が設けられている。

図１（Ａ）を参照すると、インターポーザ４は、有機樹脂内に再配線５〜７のみが設けられ、有機樹脂内にインターポーザを補強するフィラーやコア材を含まないフィルム型であり、その厚みはｔである。フィラーやコア材を含まないことで、本実施形態における厚みｔは、５０μｍ以下に設定することができている。インターポーザ４の厚みを５０μｍとすることで、信号や電気の伝送距離の短縮化し、良好な通電環境を得ることができる。また、フィラーやコア材を含まないため、フィラーやコア材を避ける必要がなく、後に説明するビアホール１５ａ、１５ｂを設ける位置の自由度が向上する。

本実施形態のインターポーザ４における有機樹脂は、ポリイミド系材料である。一方、第１の粘着層３の材料はオレフィン系材料である。これらの材料の選定は、インターポーザ４の異方エッチング性と第１の粘着層３の異方エッチング性との関係で選定されている。すなわち、両者の材料は、第１の粘着層３の異方エッチング性がインターポーザ４の異方エッチング性よりも強くなるように選定されている。本実施形態では、後に詳述するように、その製造工程において、ビアホール１５ａ、１５ｂを形成する際に、ドライエッチングを行う。このドライエッチングでは、ＣＦ_４Ｏ_２ガスを用いる。ＣＦ_４Ｏ_２ガスに対する異方エッチング性は、ポリイミド系材料よりもオレフィン系材料の方が強い。このため、本実施形態では、第１の粘着層３をオレフィン系材料で形成し、インターポーザ４をポリイミド系材料で形成している。なお、第１の粘着層３をオレフィン系材料で形成する場合、同様の観点から、インターポーザ４をフェノール系材料で形成してもよい。

つぎに、主として、図２（Ａ）乃至図４（Ｄ）を参照して、本実施形態のパッケージ方法、すなわち、パッケージ構造１の製造方法の一例について説明する。パッケージ構造１の製造は、ロボットを用いて実施することができる。

まず、図２（Ａ）を参照すると、板状の支持体１２上に第２の粘着層１３を設ける。支持体１２は、インターポーザ４が変形しないように、支持できるものであればよく、少なくとも、インターポーザ４の有機樹脂よりも硬く、その平面を維持することができるものであればよい。第２の粘着層１３は、熱により発泡する熱発泡剤である。具体的に、第２の粘着層１３は、一面側が支持体１２と一体となるように設けられている。そして、第２の粘着層１３の他面側に接着対象物が接着される。そして、その他面側が熱により発泡すると、他面側に接着された状態の接着対象物を容易に剥がすことができるようになる。

図２（Ｂ）を参照すると、第２の粘着層１３上に金属膜であるメタルマスク素材１４が配置され、図２（Ｃ）を参照すると、メタルマスク素材１４にパターンニングが施され、メタルマスク１４１が形成される。メタルマスクは、マスクの一例である。メタルマスク素材は、ニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）の板材を用いることができる。パターニングはレジスト等で保護しながら、ＮｉやＣｒをエッチングし、所望の形状、具体的に、ビアホール１５ａ、１５ｂを形成する部分に合わせて開口する。なお、パターンニングは、従来周知の種々の手法を用いることができる。

図２（Ｄ）を参照すると、メタルマスク１４１上に、インターポーザ４が形成される。インターポーザ４は、従来周知の手法を用いて形成することができる。例えば、有機樹脂を層状に設け、その有機樹脂上に再配線６、７を設ける。そして、再配線６、７を覆うように有機樹脂を層状に設ける。そして、再配線５を設ける。インターポーザ４の厚み方向に延びる配線５ｂ１、６ｂ１、７ａ１及び７ｂ１は、設置箇所に穿設し、溶融金属を流し込むことで形成する。

なお、説明の都合上、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）に示されている第２の粘着層１３やインターポーザ４は、個片化された状態に描かれているが、ここまでの工程は、ウエハ（wafer）上で形成することができる。インターポーザ４をウエハ上で形成した場合、図２（Ｄ）で示す工程が完了した後、ダイシングして個片化し、図２（Ｅ）以下に示す工程を行う。

つぎに、図２（Ｅ）を参照すると、インターポーザ４の表面を基板２の表面と対向させる。このとき、インターポーザ４は第２の粘着層１３を介して支持体１２上に支持されているため、容易に基板２と対向させることができる。

つぎに、図３（Ａ）を参照すると、第１の粘着層３を介して、基板２とインターポーザ４を接合する。第１の粘着層３は、熱硬化性を有する。ここで、第２の粘着層１３の発泡温度と、第１の粘着層３の硬化温度について説明する。第１の粘着層３の硬化温度は、第２の粘着層１３の発泡温度よりも低い。具体的に、第１の粘着層３の温度が１５０℃以下とされているのに対し、第２の粘着層１３の発泡温度が１８０℃程度に設定されている。第１の粘着層３の硬化温度を１５０℃以下とするために、本実施形態では、第１の粘着層３を形成するオレフィン系材料にフェノールブラック系の硬化剤を２ｗｔ％以下の割合で添加している。

第１の粘着層３を介して、基板２とインターポーザ４を接合する際、インターポーザ４は、板状の支持体１２に支持された状態で、基板２に押し付けられる。このため、インターポーザ４は、その撓みが抑制され、表面が平滑に維持される。

図３（Ｂ）を参照すると、支持体１２を除去する。具体的に、インターポーザ４から支持体１２を除去する。支持体１２を除去するためには、第２の粘着層１３に熱を付与し、発泡させる。第２の粘着層１３が発泡状態となると、支持体１２を容易に剥がすことができる。第２の粘着層１３へ熱を付与するためには、ホットプレートを用いてもよいし、昇温可能なチャンバー内で作業を行うようにしてもよい。

ここで、第１の粘着層３の硬化温度が、第２の粘着層１３の発泡温度よりも低いことに着目すると、第２の粘着層１３が発泡温度に到達し、支持体１２を除去することができる状態となる以前に、第１の粘着層３が硬化している。このため、支持体１２を除去する時点では、基板２とインターポーザ４とは接合されており、両者は固定された状態となっている。このため、インターポーザ４は、これ以後の工程において、撓みが抑制され、表面が平滑に維持されやすくなる。

図３（Ｃ）を参照すると、ドライエッチングにより、第２の粘着層１３上に配置されているメタルマスク１４１の開口部に合わせてビアホール１５ａ、１５ｂを形成する。メタルマスク１４１を用いることで、所望の位置にビアホール１５ａ、１５ｂを形成することができる。本実施形態にあっては、ビアホール１５ａ、１５ｂは、チップ実装領域Ｘの外側に形成される。このため、チップ実装領域Ｘがビアホール１５ａ、１５ｂを形成するための加工の影響を受けにくく、チップ実装領域Ｘの表面が平滑に維持されやすい。

ここで、図５（Ａ−１）乃至図６（Ｂ）を参照しつつ、ドライエッチングによって形成されるビアホール１５ａの形状について説明する。なお、ビアホール１５ｂについても同様であるので、ここでは、ビアホール１５ａについて説明する。図５（Ａ−１）に示すように、第１の粘着層３の異方エッチング性を、インターポーザ４の異方エッチング性よりも強く設定した場合、インターポーザ４における内径が第１の粘着層３における内径よりも大きくなる。異方エッチング性は、図６（Ａ）に示す孔の内径ａと孔の深さｂとの比で表現することができる。すなわち、ｂ／ａの値が小さいほど、異方エッチング性が強いことになる。本実施形態では、第１の粘着層３をオレフィン系材料で形成し、インターポーザ４をポリイミド系材料で形成している。このため、図５（Ａ−１）で示すような形状のビアホール１５ａが形成される。このようなビアホール１５ａに後に詳説するビア配線１１を形成すると、ビア配線１１は、図５（Ａ−２）に示すように、ビアホール１５ａを隙間なく、埋めることができる。

一方、図５（Ｂ−１）に示すように、インターポーザ４の異方エッチング性を、第１の粘着層３の異方エッチング性と同等に設定した場合、インターポーザ４における内径が第１の粘着層３における内径よりも小さくなる。このようなビアホール１５ａに後に詳説するビア配線１１を形成すると、ビア配線１１は、図５（Ｂ−２）に示すように、第１の粘着層３とインターポーザ４との境目付近に気泡１６を生じさせる可能性がある。これは、ビア配線１１を形成する材料がインターポーザ４側から導入されるためである。

第１の粘着層３の異方エッチング性を、インターポーザ４の異方エッチング性よりも強く設定することで、パッケージ構造１を安定して稼働させることができる。例えば、本実施形態のパッケージ構造１と、第１の粘着層３の材料とインターポーザ４の材料の双方をポリイミド系材料とした構造に対し、同様のサーマルサイクル試験を実施した後の抵抗変化率を比較すると、大きな違いが確認された。具体的に、本実施形態のパッケージ構造１のサーマルサイクル試験前後の抵抗変化率が＋０．５％であるのに対し、双方をポリイミド系材料とした構造では、サーマル試験前後の抵抗変化率が＋８．５％であった。第１の粘着層３をフェノール系材料とし、インターポーザ４をポリイミド系材料とした場合には、抵抗変化率が＋８．８％であった。第１の粘着層３の異方エッチング性が、インターポーザ４の異方エッチング性よりも強い関係が維持される第１の粘着層３をオレフィン系材料とし、インターポーザ４をフェノール系材料とした場合には、抵抗変化率が＋０．６であった。すなわち、安定した稼働が可能であることが確認された。

これとは逆に、インターポーザ４の異方エッチング性を、第１の粘着層の異方エッチング性よりも強く設定した場合には、サーマルサイクル試験前後の抵抗変化率が大きいことが確認された。具体的に、第１の粘着層３をポリイミド系材料とし、インターポーザ４をオレフィン系材料とした場合には、抵抗変化率が＋１９．５％であった。また、第１の粘着層３をフェノール系材料とし、インターポーザ４をオレフィン系材料とした場合には、抵抗変化率が＋１６．５％であった。

このように、第１の粘着層３の異方エッチング性を、インターポーザ４の異方エッチング性よりも強く設定することで、パッケージ構造１を安定して稼働させることができる。

本実施形態では、ＣＦ_４Ｏ_２ガスを用いるが、第１の粘着層３とインターポーザ４の材料との関係で、図５（Ａ−１）に示すビアホール１５ａのような形状を得ることができれば、他のガスを用いてもよい。すなわち、ガス、第１の粘着層３の材料及びインターポーザ４の材料の選定は、本実施形態の組合せに限定されず、ビアホール１５ａのインターポーザ４における内径が第１の粘着層３における内径よりも大きくなる組合せを適宜選定できる。

また、ビアホール１５ａを形成するために、ビアホール１５ａのインターポーザ４における内径が第１の粘着層３における内径よりも大きくなる組合せであれば、他の方法、例えば、ウェットエッチングを用いてもよい。また、レーザ照射によりビアホール１５ａを形成することもできるが、この場合、デミアス処理が必要となる。デミアス処理を行うと、Ｃｕによって形成されている基板上パッド２ａを損傷する可能性があるため、この点は、注意を要する。

ここで、図７（Ａ）を参照して、ランド５ａの直径とビアホール１５ａの内径との関係について説明する。ランド５ａの直径は、ビアホール１５ａの内径よりも小さくなっている。このため、ビアホール１５ａが設けられると、ビアホール１５ａ内にランド５ａの全体が露出し、恰も、ランド５ａがビアホール１５ａ内で浮いたような状態となる。このような関係は、ビアホール１５ｂとランド６ａにおいても同様である。

なお、図３（Ｃ）及びこれ以後の各図において、説明の都合上、再配線５がビアホール１５ｂを通過しているように描かれているが、実際は、再配線５とビアホール１５ｂとは、紙面に垂直となる方向にずれている。このため、実際には、再配線５は、ビアホール１５ｂ内を通過していない。

ビアホール１５ａ、１５ｂを形成した後は、図３（Ｄ）に示すように、メタルマスク１４１をエッチングにより除去する。そして、図４（Ａ）に示すように、ビアホール１５ａ、１５ｂ内にそれぞれビア配線１１を形成する。本実施形態においては、ビアホール１５ａ、１５ｂ内に溶融金属の一例である半田クリームを充填し、ビアホール１５ａ、１５ｂを埋めることで、ビア配線１１を形成する。ビアホール１５ａ、１５ｂに半田クリームを充填すると、半田クリームがランド５ａ、５ｂを取り囲み、図７（Ｂ）に示すように、ランド５ａ、５ｂと電気的に接続されているビア配線１１が形成される。なお、電解メッキでビアホール１５ａ、１５ｂを埋め込むようにしてビア配線１１を形成してもよい。

また、図８（Ａ）に示すように、ランド５ａに代えて、穴部５ａ´１を備えるリング形状のランド５ａ´を設け、穴部５ａ´１内に半田クリームを流し込むようにしてもよい。この場合、ビアホール１５ａの内径は、ランド５ａ´の外径よりも小さくし、穴部５ａ´１の内径よりも大きくする。このような構成としても、ランド５ａ´とビア配線１１とを電気的に接続することができる。ランド６ａについても、同様の構成としてもよい。

これらのビア配線１１は、チップ実装領域Ｘの外側で行われる。このため、チップ実装領域Ｘの表面が平滑に維持されやすい。

ビア配線１１を形成した後は、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、インターポーザ４上にチップ８を実装する。チップ８は、マイクロバンプ９を介してインターポーザ４の表面に露出している配線５ｂ１、６ｂ１、７ａ１及び７ｂ１に接続される。マイクロバンプ９の径は、１５〜２５μｍ程度である。このため、インターポーザ４の表面に凹凸が生じ、特に、高低差がマイクロバンプ９の径以上となると、マイクロバンプ９が凹凸に埋もれ、チップ８とインターポーザ４とを適切に接続できなくなる。

例えば、図９（Ａ）に示すような比較例のパッケージ構造１００では、図９（Ｂ）に示すように、インターポーザ４０が撓む可能性があり、チップ８を適切に実装できない可能性がある。パッケージ構造１００をより詳細に説明すると、パッケージ構造１００は、基板２０に設けられている基板上パッド２０ａと、インターポーザ４０に設けられているランド４０ａとをＢＧＡ（Ball Grid Array）５１を介して接続している。ランド４０ａは、インターポーザ４０内の再配線５０と電気的に接続されており、再配線５０の端部は、インターポーザ４０の表面に露出し、マイクロバンプ９を介してチップ８が実装されている。

インターポーザ４０は、本実施形態のインターポーザ４と同様に、有機樹脂内に再配線５０のみを備え、フィラーやコア材を含んでいない。このため、柔軟性を有し、ランド４０ａをＢＧＡ５１に接続すると、図９（Ｂ）に示すように、インターポーザ４０が撓み、その表面に凹凸が生じる可能性がある。チップ８は、インターポーザ４０の表面に実装されるが、図９（Ｂ）に示すように、インターポーザ４０の表面に凹凸が生じると、チップ８の実装が困難となる。

これに対し、本実施形態のパッケージ構造１では、基板２とインターポーザ４とを接合するとき、インターポーザ４を板状の支持体１２上に支持させているので、インターポーザ４の表面を平滑に維持することができる。また、本実施形態のパッケージ構造では、インターポーザ４を貫通し、基板２に設けられている基板上パッド２ａに到達するビアホール１５ａ、１５ｂを設け、このビアホール１５ａ、１５ｂに半田クリームを供給し、ビア配線１１を形成している。このため、インターポーザ４の撓みを抑制することができる。しかも、ビア配線１１は、チップ実装領域Ｘの外側に設けられている。このように、本実施形態では、インターポーザ４の表面を平滑に維持した状態でチップ８を実装することができる。この結果、インターポーザ４に対し、信頼性の高いチップ８の実装をすることができる。

マイクロバンプ９を介してチップ８をインターポーザ４の表面に実装した後は、図４（Ｄ）に示すように、マイクロバンプ９の周囲にアンダーフィル１０を施す。以上の工程を経ることにより、本実施形態のパッケージ構造１を得ることができる。

以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

１ パッケージ構造
２ 基板
２ａ 基板上パッド
３ 第１の粘着層
４、４０ インターポーザ
５〜７ 再配線
５ａ、５ａ´、５ｂ、６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ ランド
５ａ´１ 穴部
８ チップ
９ マイクロバンプ
１０ アンダーフィル
１１ ビア配線
１２ 支持体
１３ 第２の粘着層
１４ メタルマスク素材
１４１ メタルマスク
１５ａ、１５ｂ ビアホール
Ｘ チップ実装領域

Claims (9)

1. 板状の支持体上にインターポーザを形成する工程と、
   第１の粘着層を介して前記インターポーザと基板とを接合する工程と、
   前記支持体を除去する工程と、
   前記インターポーザ内に形成されている再配線に設けられているランドを露出させると共に、前記基板に設けられている基板上パッドに到達するビアホールを形成する工程と、
   前記ビアホールにビア配線を形成する工程と、
   前記インターポーザに電子部品を実装する工程と、
   を、備えるパッケージ方法。
2. 前記ビアホールを形成する工程において、前記電子部品の実装領域の外側に前記ビアホールを形成する請求項１に記載のパッケージ方法。
3. 前記インターポーザを形成する工程において、有機樹脂内に前記再配線を設けて前記インターポーザを形成する請求項１又は２に記載のパッケージ方法。
4. 前記インターポーザを形成する工程において、熱により発泡する熱発泡剤を前記支持体上に第２の粘着層として設け、前記第２の粘着層を介して前記支持体上にインターポーザを形成し、
   前記支持体を除去する工程において、前記第２の粘着層を加熱して前記支持体を除去する請求項１乃至３のいずれか一項に記載のパッケージ方法。
5. 前記第１の粘着層の硬化温度は、前記第２の粘着層の発泡温度よりも低い請求項４に記載のパッケージ方法。
6. 前記インターポーザを形成する工程において、前記第２の粘着層上にマスクを配置し、
   前記ビアホールを形成する工程において、前記マスクを通じて、前記ビアホールを形成する請求項４又は５に記載のパッケージ方法。
7. 前記ビアホールを形成する工程において、前記第１の粘着層の異方エッチング性を、前記インターポーザの異方エッチング性よりも強く設定し、前記ビアホールを、エッチングによって形成する請求項１乃至６のいずれか１項に記載のパッケージ方法。
8. 前記再配線に設けられている前記ランドの径は、前記ビアホールの内径よりも小さく、
   前記ビア配線を形成する工程において、前記ビアホール内に溶融金属を注入し、前記ランドを取り囲む前記ビア配線を形成する請求項１乃至７のいずれか１項に記載のパッケージ方法。
9. 基板と、
   有機樹脂内に再配線を有し、粘着層を介して前記基板と接合されているインターポーザと、
   前記インターポーザ上に実装されている電子部品と、
   前記電子部品の実装領域の外側に形成され、前記インターポーザを貫通して前記基板に設けられている基板上パッドに到達しているビアホールと、
   前記ビアホール内に形成され、前記再配線に設けられているランドと前記基板上パッドとを電気的に接続しているビア配線と、
   を、備えるパッケージ構造。
   

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