JP2017537350A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2017537350A5
JP2017537350A5 JP2017525962A JP2017525962A JP2017537350A5 JP 2017537350 A5 JP2017537350 A5 JP 2017537350A5 JP 2017525962 A JP2017525962 A JP 2017525962A JP 2017525962 A JP2017525962 A JP 2017525962A JP 2017537350 A5 JP2017537350 A5 JP 2017537350A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
drain electrode
source electrode
light emitting
display according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017525962A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6793642B2 (ja
JP2017537350A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP14425146.9A external-priority patent/EP3021373A1/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2017537350A publication Critical patent/JP2017537350A/ja
Publication of JP2017537350A5 publication Critical patent/JP2017537350A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6793642B2 publication Critical patent/JP6793642B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2017525962A 2014-11-14 2015-11-13 改善された画素アーキテクチャを含むディスプレイ Expired - Fee Related JP6793642B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462079709P 2014-11-14 2014-11-14
EP14425146.9 2014-11-14
US62/079,709 2014-11-14
EP14425146.9A EP3021373A1 (en) 2014-11-14 2014-11-14 Display containing improved pixel architectures
PCT/US2015/060542 WO2016044860A1 (en) 2014-11-14 2015-11-13 Display containing improved pixel architectures

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017537350A JP2017537350A (ja) 2017-12-14
JP2017537350A5 true JP2017537350A5 (enExample) 2018-12-06
JP6793642B2 JP6793642B2 (ja) 2020-12-02

Family

ID=52292738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017525962A Expired - Fee Related JP6793642B2 (ja) 2014-11-14 2015-11-13 改善された画素アーキテクチャを含むディスプレイ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10615233B2 (enExample)
EP (2) EP3021373A1 (enExample)
JP (1) JP6793642B2 (enExample)
KR (1) KR102422083B1 (enExample)
CN (1) CN107112347B (enExample)
TW (1) TWI716368B (enExample)
WO (1) WO2016044860A1 (enExample)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6844845B2 (ja) 2017-05-31 2021-03-17 三国電子有限会社 表示装置
CN108493229A (zh) 2018-05-31 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
JP7190729B2 (ja) 2018-08-31 2022-12-16 三国電子有限会社 キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
JP7246681B2 (ja) 2018-09-26 2023-03-28 三国電子有限会社 トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置
EP3664171B1 (en) 2018-12-06 2021-05-12 Flexterra, Inc. A thin-film transistor comprising organic semiconductor materials
KR102791452B1 (ko) * 2019-04-26 2025-04-08 제이에스알 가부시키가이샤 디스플레이의 휘도를 보상하는 방법 및 디스플레이
CN110148616B (zh) * 2019-05-22 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置、制作显示基板的设备
KR102825031B1 (ko) * 2019-11-27 2025-06-24 삼성전자주식회사 표시 패널 및 표시 장치
CN111081740A (zh) * 2019-12-06 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
JP7444436B2 (ja) 2020-02-05 2024-03-06 三国電子有限会社 液晶表示装置
DE112021000957T5 (de) * 2021-02-26 2022-11-17 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Lichtemittierender transistor und anzeigesubstrat

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602004031596D1 (de) 2003-03-28 2011-04-14 Michele Muccini Organische elektrolumineszente vorrichtung
JP4530334B2 (ja) * 2004-01-21 2010-08-25 国立大学法人京都大学 有機半導体装置、ならびにそれを用いた表示装置および撮像装置
CN100487930C (zh) * 2004-08-30 2009-05-13 国立大学法人京都大学 有机半导体发光装置及使用它的显示装置
CN101069298A (zh) * 2004-08-30 2007-11-07 国立大学法人京都大学 有机半导体发光装置以及使用了该发光装置的显示装置
JP2006252774A (ja) * 2005-03-07 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置
US7598518B2 (en) * 2005-03-07 2009-10-06 Ricoh Company, Ltd. Organic transistor with light emission, organic transistor unit and display device incorporating the organic transistor
KR100683791B1 (ko) * 2005-07-30 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치
TW200721505A (en) * 2005-10-14 2007-06-01 Pioneer Corp Thin film semiconductor element and display apparatus using the same
US7521710B2 (en) * 2006-02-16 2009-04-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor
JP4934774B2 (ja) * 2006-09-05 2012-05-16 大日本印刷株式会社 有機発光トランジスタ及び表示装置
US8431448B2 (en) * 2006-12-28 2013-04-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic transistor element, and method of manufacturing the same by concurrently doping an organic semiconductor layer and wet etching an electrode provided on the organic semiconductor layer
EP1950804A2 (en) 2007-01-26 2008-07-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
CN101960633B (zh) 2008-03-06 2014-12-10 默克专利股份有限公司 有机半导体组合物
JP2010080467A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Ricoh Co Ltd 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタアレイ、及びアクティブマトリクス駆動表示装置
JP2012507843A (ja) 2008-10-29 2012-03-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光用デュアルゲート電界効果トランジスタ、及び発光用デュアルゲート電界効果トランジスタの製造方法
JP2010275239A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 新規な縮合芳香環化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ
KR101156435B1 (ko) * 2010-01-08 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011176152A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜回路構造及びその製造方法並びに有機ｅｌ装置
WO2011147523A1 (en) 2010-05-27 2011-12-01 Merck Patent Gmbh Formulation and method for preparation of organic electronic devices
US8664648B2 (en) 2010-07-22 2014-03-04 National Tsing Hua University N-type organic thin film transistor, ambipolar field-effect transistor, and method of fabricating the same
BR112013013873A2 (pt) 2010-12-07 2016-09-13 Univ Florida fonte diluída de matriz ativa habilitada para um transistor emitindo luz orgânica vertical incluindo painel de exibição e fonte diluída dupla e invertida habilitada para um transistor de efeito de efeito de campo vertical (ds-vfet) duplo invertido
JP5790095B2 (ja) 2011-04-01 2015-10-07 ソニー株式会社 薄膜素子及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法
WO2012165612A1 (ja) * 2011-06-03 2012-12-06 国立大学法人九州大学 有機半導体材料及び有機エレクトロニクスデバイス
ITMI20111447A1 (it) 2011-07-29 2013-01-30 E T C Srl Transistor organico elettroluminescente
ITMI20111446A1 (it) 2011-07-29 2013-01-30 E T C Srl Transistor organico elettroluminescente
ITMI20111445A1 (it) 2011-07-29 2013-01-30 E T C Srl Transistor organico elettroluminescente a doppio gate
JP2013168307A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Kyoto Institute Of Technology 第２ゲート電極を有する有機発光トランジスタ
ITMI20120284A1 (it) 2012-02-27 2013-08-28 E T C Srl Transistor ambipolare elettroluminescente organico ad effetto di campo ad emissione luminosa distribuita
US8901547B2 (en) * 2012-08-25 2014-12-02 Polyera Corporation Stacked structure organic light-emitting transistors
KR101994332B1 (ko) * 2012-10-30 2019-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
CN103219463B (zh) * 2013-04-08 2015-09-02 上海和辉光电有限公司 有机电子发光器件及其制造方法
EP2797133B1 (en) * 2013-04-23 2017-01-11 Novaled GmbH A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor
CN103500752A (zh) * 2013-09-27 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素结构和oled显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017537350A5 (enExample)
JP2015179250A5 (enExample)
JP2015194577A5 (enExample)
JP2018010287A5 (enExample)
JP2013077816A5 (enExample)
JP2013137484A5 (enExample)
JP2016194703A5 (enExample)
JP2013093565A5 (ja) 半導体装置、表示装置、半導体装置の作製方法、及び表示装置の作製方法
JP2013016831A5 (enExample)
JP2014199403A5 (enExample)
JP2015135438A5 (enExample)
JP2009094492A5 (enExample)
JP2013178525A5 (ja) 半導体装置
WO2015101258A8 (zh) 一种透明 oled 器件及采用其的显示装置
JP2014056246A5 (ja) 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
JP2018006115A5 (enExample)
JP2018506836A (ja) フレキシブル有機発光ディスプレイ及びその製造方法
JP2017067830A5 (enExample)
JP2017059239A5 (ja) 入出力装置
JP2011054951A5 (ja) 半導体装置
JP2015111706A5 (ja) 表示装置および電子機器
CN104201292B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP2014157357A5 (ja) 液晶表示装置
JP2015144273A5 (ja) 表示装置
JP2016021230A5 (ja) タッチパネル及びタッチパネルモジュール