JP2017537281A - 基板にポリマーを定着させる装置及び方法 - Google Patents

Abstract

基板であって、該基板の厚さにより離間された互いに反対側の主表面を有する、基板と、第１の表面に沿って延びる複数のチャネルであって、前記複数のチャネルの少なくとも２つが互いに平行に延びる、複数のチャネルとを備え、前記複数のチャネルの少なくとも１つが、高分子材料を受容し、かつ該高分子材料を基板に固着させるように適合されている、ベアリングのための構成要素。厚さにより離間された互いに反対側の主表面を有する基板を提供するステップと、基板内にチャネルを形成するステップであって、チャネルがそれぞれ、第１の主表面から第２の主表面に向かって延びる深さを有する、ステップと、第１の主表面の少なくとも一部分に高分子材料を適用するステップであって、高分子材料の一部分がチャネルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部分を占める、ステップと、高分子材料を硬化させるステップと、を含む、ベアリングの形成方法。【選択図】図１

Description

本開示は、基板にポリマーを定着させる装置及び方法に関する。

一般に、所定のポリマーが基板との接着に抵抗することは周知である。例えば、フルオロポリマーは、滑りを向上させるために表面に度々適用される。しかしながら、フルオロポリマーは、その非接着性組成に起因して、表面に対する接着に抵抗する。

フルオロポリマーのような非接着性ポリマーを基板に付着させる現在の方法は、化学的にエッチングされ又は酸洗いされた、ポケット又は空隙を含む基板を使用することであり、該ポケット又は空隙にポリマーを流入させる。このような化学的にエッチングされたポケットは、該ポケットの非選択的形状により、所定の用途においては十分な耐剥離性を提供しない。更に、化学的にエッチングされた基板は、基板−ポリマー界面に沿って異なる位置で測定した際、均一の耐剥離性に欠く場合がある。このことは、ポリマーと基板との間に一貫性のない界面をもたらし、長期間の使用によって、ポリマー及び基板の一方又は両方のむらのある損耗と、好ましくない性能とがもたらされ得る。

産業界では、化学エッチングによって提供される耐剥離性を超える高い耐剥離性を有するように、ポリマーを基板と結合させる方法が継続して要求されている。産業界では更に、基板−ポリマー界面に沿った、より均一な耐剥離性が要求されている。

実施形態は例として示され、添付の図面に限定することを意図するものではない。

図１は、一実施形態によるベアリングの一部分の断面側面図を含む。 図２は、一実施形態による基板の一部分の断面側面図を含む。 図３は、一実施形態による、ベアリングを形成する例示的な方法の上面斜視図を含む。 図４は、一実施形態による基板の一部分の断面側面図を含む。 図５は、一実施形態によるアニュラリングの上面斜視図を含む。 図６は、一実施形態による基板の断面側面図を含む。

好ましい実施形態の詳細な説明
以下の記載は、図面と組み合わせて、本明細書に開示した教示を理解することを援助するよう提供される。以下の解説は、該教示の特定の実行及び実施形態に焦点を当てる。この焦点は、該教示の説明を援助するよう提供され、該教示の範囲又は適用性の限定として解釈されるべきではない。しかしながら、開示した教示に基づいて他の実施形態も用いることができる。

用語「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」、又はそれらの任意の他の変形は、非排他的包含を含むことが意図される。例えば、特徴のリストを含む方法、物品又は機器は、必ずしもそれらの特徴のみに限定されず、明示的に列挙されていない、又は、そのような方法、物品若しくは機器に固有の、他の特徴も含むことができる。更に、明示的に別段の定めをした場合を除いて、「又は」は、包含的な「又は」を指し、排他的な「又は」を指すものではない。例えば、状態Ａ又はＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａは真であり（又は存在し）Ｂは偽である（又は存在しない）、Ａは偽であり（又は存在せず）Ｂは真である（又は存在する）、Ａ及びＢの両方は真である（又は存在する）。

また、「ａ」又は「ａｎ」の使用は、本明細書に記載される要素及び構成要素を記述するために用いられる。これは単に利便性のために行われ、本発明の範囲の一般的な意味を与える。この記載は、別異の意味が明らかではない限り、複数も含む１つ、若しくは少なくとも１つ、若しくは単数を含むものとして読まれるべきであり、又はこの逆も同様である。例えば、単一の品目が本明細書に記載される場合、単一の品目の代わりに１つを超える品目が使用されてもよい。同様に、１つを超える品目が本明細書に記載される場合、単一の品目がその１つを超える品目を代替してもよい。

別段定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術及び科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者が通常理解するものと同一の意味を有する。材料、方法及び例は、単なる例示であり、限定を意図するものではない。本明細書に記載されていない範囲で、特定の材料及び加工行為に関する多くの詳細が慣習的であり、それらは機械的定着の技術分野における教科書及び他の情報源に見出すことができる。

図１を参照すると、ベアリング１００は、一般に、基板１０２及び高分子材料１０４を備えてもよい。高分子材料１０４は、基板１０２からの剥離に抵抗するように基板１０２に固着されてもよい。

基板１０２は、少なくとも部分的に、金属、合金又はポリマー等の材料を含んでもよい。例示的な金属としては、鋼及びアルミニウムが挙げられる。

一実施形態において、基板１０２は、少なくとも部分的に２次材料（図示せず）で塗布又は亜鉛めっきされてもよい。例えば、特定の実施形態では、２次材料は、基板１０２の少なくとも一部分に適用されてもよい。より特定の実施形態では、塗布された２次材料は、基板１０２の表面全体を覆ってもよい。

基板１０２は、厚さＴにより離間された互いに反対側の主表面１０６及び１０８を含んでもよい。複数のチャネル１１０は、主表面１０６から基板１０２内に延びていてもよい。各チャネル１１０は、厚さＴに平行な方向において、主表面１０６から主表面１０８へ測定して、深さＤ_Ｃ、延びていてもよい。

一実施形態において、チャネル１１０の少なくとも２つは、互いに同一の深さを有してもよい。更なる実施形態では、チャネル１１０の全部は、互いに同一の深さを有してもよい。別の実施形態では、チャネル１１０の少なくとも２つは、異なる深さ、基板１０２内に延びていてもよい。更なる実施形態では、チャネル１１０の全部は、互いに比較して、異なる深さ、延びていてもよい。

一実施形態において、チャネル１１０の少なくとも１つは、少なくとも０．００００１Ｔ、例えば少なくとも０．０００１Ｔ、少なくとも０．００１Ｔ、又は更には０．０１Ｔ等のＤ_Ｃを有してもよい。更なる実施形態では、チャネルの少なくとも１つは、０．９９Ｔ以下、例えば０．７５Ｔ以下、０．５Ｔ以下、０．２５Ｔ以下、又は更には０．１Ｔ以下等のＤ_Ｃを有してもよい。

一実施形態において、Ｄ_Ｃは、１００μｍ〜５００μｍの範囲内、例えば１２５μｍ〜４７５μｍの範囲内、１５０μｍ〜４５０μｍの範囲内、１７５μｍ〜４２５μｍの範囲内、又は更には２００μｍ〜４００μｍの範囲内等にあってもよい。

一実施形態において、チャネル１１０の少なくとも２つは、主表面１０６に沿って測定して、互いに関連して平行であってもよい。更なる実施形態では、チャネル１１０の全部は、互いに関連して平行であってもよい。

チャネル１１０はそれぞれ、基板１０２の主表面１０６を横切って延びる長さＬを有する。一実施形態において、チャネル１１０の少なくとも１つは、基板１０２の全長に沿って延びていてもよい。更なる実施形態では、チャネル１１０の全部は、基板１０２の全長に沿って延びていてもよい。

別の実施形態では、基板１０２の長さは、少なくとも１つチャネル１１０の長さよりも大きくてもよい。例えば、基板１０２の長さは、少なくとも１．１Ｌ、例えば少なくとも１．２Ｌ、少なくとも１．３Ｌ、少なくとも１．４Ｌ、少なくとも１．５Ｌ、少なくとも２Ｌ、少なくとも３Ｌ、少なくとも４Ｌ、少なくとも５Ｌ、少なくとも１０Ｌ、又は更には少なくとも２０Ｌ等であってもよい。この関連で、チャネル１１０の少なくとも１つは、基板の全長を横切って延びていない可能性がある。

一実施形態において、少なくとも２つのサブチャネルが基板１０２に沿って、かつ単一の面に沿って延びて、サブチャネルの縦列又は横列を形成してもよい。この少なくとも２つのサブチャネルは、共通の二等分線を共有してもよい。一実施形態において、少なくとも３つのサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、例えば少なくとも４つのサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、少なくとも５つのサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、少なくとも１０個のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、少なくとも１５個のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、少なくとも２０個のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、少なくとも２５個のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、少なくとも５０個のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、又は更には少なくとも１００個のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよい。一実施形態において、１０，０００個以下のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、例えば５，０００個以下のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよく、又は更には２，５００個以下のサブチャネルが単一の縦列に沿って存在してもよい。

サブチャネル、例えばチャネル１２０及び１２２の隣接する縦列は、同一の数のサブチャネルを有してもよい。代替的に、サブチャネルの第１の縦列は、第１の数のサブチャネルを有してもよく、サブチャネルの第２の縦列は、第１の数のサブチャネルとは異なる第２の数のサブチャネルを有してもよい。

一実施形態において、チャネル１１０はそれぞれ、最大幅Ｗ_ＭＡＸ及び最小幅Ｗ_ＭＩＮを画定してもよい。特定の実施形態では、チャネル１１０のうちの少なくとも１つの最小幅は、主表面１０６により画定される面に沿って配置されてもよい。チャネル１１０のうちの少なくとも１つの最大幅は、主表面１０６と主表面１０８との間に位置する面に沿って配置されてもよい。

チャネル１１０はそれぞれ、チャネル１１０の最大幅と、チャネル１１０の対応する最小幅とにより測定された幅比を規定してもよい。一実施形態において、少なくとも１つのチャネル１１０は、少なくとも１．０１：１、例えば少なくとも１．１：１、少なくとも１．２：１、少なくとも１．３：１、少なくとも１．４：１、少なくとも１．５：１、少なくとも１．６：１、少なくとも１．７：１、少なくとも１．８：１、少なくとも１．９：１、少なくとも２．０：１、少なくとも２．２５：１、少なくとも２．５：１、少なくとも２．７５：１、又は更には少なくとも３．０：１等の幅比を有してもよい。別の実施形態では、幅比は、１０：１以下、例えば９：１以下、８：１以下、７：１以下、６：１以下、５：１以下、又は更には４：１以下等であってもよい。

一実施形態において、チャネル１１０の少なくとも１つは、断面から見た場合に、楕円形状を有してもよい。チャネル１１０のうちの少なくとも１つの、側壁１１６の少なくとも１つは、断面から見た場合に、弓形のプロファイルを有してもよい。特定の実施形態では、チャネル１１０の基部１１８は、平坦であってもよい（例えば図２）。別の実施形態では、基部１１８は、対向する側壁１１６の角度接合部を含んでもよい。この関連で、基部１１８は、２つの側壁１１６の間の相対角度により連結された２つの側壁１１６を含んでもよい（例えば図３）。尚別の実施形態では、基部１１８は、丸みを帯びた部分を含んでもよい（図１）。より詳細には、基部１１８は、外方に丸みを帯びていてもよい。

図２を参照すると、一実施形態において、チャネル１１０の少なくとも１つは、断面から見た場合に、略多角形の形状を有してもよい。より特定の実施形態では、チャネル１１０の少なくとも１つは、断面から見た場合に、略四辺形の形状を有してもよい。非限定的な更なる実施形態では、チャネルの少なくとも１つは、以下の形状から選択される形状を有してもよい：３角形、４角形、５角形、６角形、７角形、８角形、９角形、１０角形、１１角形、１２角形、又は任意の他の好適な構造。チャネルの形状は、側壁、基部、及び基板１０２の主表面１０６を横切って延びる面により画定されて、閉鎖体積を画定してもよい。

非限定的な実施形態において、断面から見た場合に、チャネル１１０の少なくとも１つは、規則的な多角形に対応する形状を有してもよく、即ち、チャネルは、等辺及び等角配置を含む。別の実施形態では、断面から見た場合に、チャネル１１０の少なくとも１つは、不規則な多角形に対応する形状を有してもよく、即ち、チャネルは、等辺及び等角配置のどちらも含まない。

チャネル１１０は全て、互いに関連して、寸法及び形状において均一であってもよい。このようにして、基板１０２は、基板１０２に沿った位置に関わりなく均一の剥離強度を有することができる。

再び図１を参照すると、一実施形態において、チャネル１１０の少なくとも１つは、絞られた開放端１１２を有してもよい。絞りは、チャネル１１０の幅比によって定量化することができる。詳細には、幅比が増大するにつれて、チャネル１１０はより絞られ得る。より絞られた開放端１１２は、基板１０２と高分子材料１０４との間の耐剥離性を増大させ得る。例えば２５：１を超える幅比を有する過剰な絞りは、チャネル１１０内のポリマーの体積と比較して、主表面１０６に沿ったポリマーを不必要に薄くすることによって耐剥離性を弱化させる場合があり、それにより主表面１０６に沿った弱化されたポリマー構造がもたらされる。

チャネル密度は、開放端におけるチャネルの表面積を含む基板１０２の表面積と比較した、開放端１１２におけるチャネルの表面積として定義することができる。一実施形態において、基板１０２は、少なくとも１：１００のチャネル密度を有してもよく、ここで１は、開放端におけるチャネルにより形成される表面積であり、１０は、開放端におけるチャネルにより形成される開放表面積を含む基板１０２の表面積である。特定の実施形態では、平均チャネル密度は、少なくとも１：７５、例えば少なくとも１：５０、少なくとも１：２５、少なくとも１：２０、少なくとも１：１５、少なくとも１：１４、少なくとも１：１３、少なくとも１：１２、少なくとも１：１１、少なくとも１：１０、少なくとも１：９、少なくとも１：８、少なくとも１：７、少なくとも１：６、少なくとも１：５、少なくとも１：４、少なくとも１：３、少なくとも１：２、又は更には少なくとも１：１．５等であってもよい。更なる実施形態では、チャネル密度は、１：１．００１以下、例えば１：１．０１以下、１：１．０５以下、１：１．１以下、１：１．１５以下、１：１．２以下、１：１．２５以下、１：１．３以下、１：１．３５以下、１：１．４以下、又は更には１：１．４５以下等であってもよい。

一実施形態において、チャネル密度は、１：００１〜１：１．５の範囲内にあってもよい。

隣接するチャネル、例えばチャネル１２０とチャネル１２２は、主表面１０６に沿って測定して、距離Ｄ_Ａ、離間されてもよい。一実施形態において、Ｄ_Ａとチャネルの最小幅（Ｗ_ＭＩＮ）との比は、少なくとも０．００１：１、例えば少なくとも０．０１：１、少なくとも０．０１：１、少なくとも０．５：１、又は更には少なくとも１：１等であってもよい。別の実施形態では、Ｄ_Ａ：Ｗ_ＭＩＮは、１００：１以下、例えば７５：１以下、５０：１以下、２５：１以下、１０：１以下、又は更には５：１以下等であってもよい。

一実施形態において、隣接するチャネルの第１の対は、隣接するチャネルの第２の対の間の間隔と等しい間隔を該第１の対の間に有してもよい。更なる実施形態では、隣接するチャネル間の間隔は、全ての隣接するチャネル間で同一であってもよい。即ち、Ｄ_Ａは、全ての隣接するチャネル間で同一であってもよい。等しい間隔は、基板１０２の範囲全体における均一の耐剥離性を向上させることができる。

別の実施形態では、隣接するチャネルの第１の対の間の間隔は、隣接するチャネルの第２の対の間の間隔とは異なっていてもよい。

チャネル１１０はそれぞれ、側壁１１６と、基部１１８と、基板１０２の主表面１０６に沿って延びる面との間に含まれる開放体積Ｖ_Ｏを有してもよい。隣接するチャネル間に配置される基板１０２の部分（例えば、破線１１４内に含まれる体積により示される）は、閉鎖体積Ｖ_Ｃを画定してもよく、チャネル１１０に側方の支持を提供している。一実施形態において、Ｖ_Ｏは、２０Ｖ_Ｃ以下、例えば１５Ｖ_Ｃ以下、１０Ｖ_Ｃ以下、５Ｖ_Ｃ以下、１Ｖ_Ｃ以下、０．５Ｖ_Ｃ以下、又は更には０．２５Ｖ_Ｃ以下等であってもよい。更なる実施形態では、Ｖ_Ｏは、少なくとも０．００１Ｖ_Ｃ、例えば少なくとも０．００５Ｖ_Ｃ、少なくとも０．０１Ｖ_Ｃ、少なくとも０．０１５Ｖ_Ｃ、又は更には少なくとも０．０２Ｖ_Ｃ等であってもよい。

図３は、機械的プロセスによって基板１０２内にチャネル１１０を形成する例示的なプロセスを示す。

チャネルの機械的形成は、化学エッチング又は酸洗い等の化学的プロセスと比較して、より均一なチャネルの配置及び形状を可能とし得る。化学エッチングは、典型的には、金属基板の表面に導入される酸性溶液の使用を含む。酸性溶液は基板と接触して該基板と反応することができ、極小さいポケット又は窪みが形成される。これらのポケットは、様々な相対的な寸法及び形状を有し得る。いくつかのポケットが絞られた入口を有し得る一方、他のポケットは基板の表面に沿って最大幅を有する場合があり、該ポケットの相対的な有効性は大きく低下する。様々な溶液組成及びモル濃度は、基板１０２の所定の部分の表面凹凸度を、他の部分と比較して高め又は低める場合がある。加えて、酸性溶液は、マスキング手順又は他の同様の選択的エッチングプロセスが存在しない場合、平面状の主表面を維持することを困難にし、又は不可能にもし得る。

チャネル１１０を形成するための例示的な機械的プロセスとしては：例えば、ダイヤモンド塗布されたマイクロホイール等のマイクロホイール、ルーチング、のこ引き、削り落とし、ドリル穿孔によるマイクロ加工；レーザーエッチング；高圧水噴射；及び電着加工が挙げられる。本開示を読んだ後、当業者は他の機械的形成プロセスを使用できることを認識するであろう。

図３に示すように、マイクロホイール２００は、方向Ａにおいて基板１０２の一部分を通過し得る。マイクロホイール２００の深さは、チャネル１１０の深さと幾何学的特性とを決定し得る。第１のチャネルの形成後、マイクロホイール２００又は基板１０２の一方又は両方を平衡移動させて、第１のチャネルに隣接して第２のチャネルを形成してもよい。このプロセスは、基板の好適な部分がチャネル１１０でパターン化されるまで反復され得る。

一実施形態において、マイクロホイール２００は、第１の方向Ａに通過されて第１のチャネルを形成し、第２の方向（図示せず）に通過されて第２のチャネルを形成してもよい。第１の方向と第２の方向とは、異なってもよい。例えば、第１の方向は、第２の方向の反対であってもよい。このことは、生産性を増大させる場合があり、また製造時間を短縮する場合がある。別の実施形態では、マイクロホイールは、基板１０２に沿って単一の方向のみに移動する際にチャネルを形成し得る。これは、単一方向の操作能力を有する典型的なホイールを使用する場合に好適であり得る。

図示されない実施形態では、少なくとも２つのマイクロホイールが縦一列で操作されて、チャネル１１０を形成してもよい。これらのマイクロホイールは、単一のドライブシャフトにより係合され、該マイクロホイールが基板１０２を横切って一体となって前進するように互いに連結されてもよい。代替的に、これらのマイクロホイールは、独立して駆動され、又は、異なる相対的速度若しくは空間配置で操作されてもよい。

一実施形態において、マイクロホイール２００は、マイクロホイール２００の中心軸線が基板１０２の主表面１０６と平行であるように操作されてもよい。このことは、所定のチャネル形状の構成を基板１０２内に生じさせ得る。

別の実施形態では、マイクロホイール２００は、マイクロホイール２００の中心軸線が相対角度ずれるように、主表面１０６に対して傾斜してもよい。相対角度は、少なくとも１°、例えば少なくとも２°、少なくとも３°、少なくとも４°、少なくとも５°、少なくとも１０°、又は更には少なくとも２０°等であってもよい。相対角度は、９０°以下であってもよい。相対角度の使用により、基部１１８を反対側の主表面１０８により接近して形成することなく、より深いチャネルを形成することが可能となり得る。即ち、チャネル深さＤ_Ｃは、基板１０２の強度を低下させることなく増大させることができる。

一実施形態において、主表面１０６は、チャネルの形成前及び形成後に測定して、同一の、又は実質的に同様の、表面粗さＲ_Ａを有してもよい。本明細書に記載されるチャネル形成技術は、隣接するチャネル間の位置において基板に影響を与えることがないように行うことができる。従って、コーティング、仕上げ又はテクスチャー等の追加の表面品質は乱されないままであり得る。これとは反対に、化学的にエッチングする際、表面品質を保持するためのマスキング層の適用、又は他の同様の選択的エッチプロセスが一般に必要である。それらのプロセスは、法外に高価であり、時間がかかる場合がある。

一実施形態において、基板１０２は、チャネル１１０の形成中に熱、例えば切削工具により形成される摩擦熱に晒され得る。そのような熱の吸収により基板１０２は軟性かつ可鍛性となり得る。図４は、チャネル１１０の形成後の基板１０２の例示的な断面図を含む。軟化の後、基板１０２の部分１３０は、例えばそれら自体の重量下で屈曲して弓形部分を形成し得る。破線Ａ、Ｂ及びＣは、屈曲前の基板１０２の部分１３０を表す。冷却の後、部分１３０は基板材料の元の機械的特性を取り戻すことができる。

当業者は、Ｄ_Ａ：Ｗ_ＭＩＮの比が低下するにつれて、即ちチャネル密度が増大するにつれて、部分１３０の屈曲が増大し得ることを認めるであろう。

弓形部分１３０は、上述したような仕方でチャネル１１０を絞り得る。更に、弓形部分１３０は、チャネルの体積１３２を覆い隠すことによって高分子材料と基板との間の耐剥離性を向上させ得る。一実施形態において、第１のチャネル１１０の覆い隠された体積１３２は、第２のチャネルの覆い隠された体積１３２と等しくてもよい。更なる実施形態では、全てのチャネルの覆い隠された体積１３２は等しくてもよい。別の実施形態では、第１のチャネルの覆い隠された体積１３２は、第２のチャネルの覆い隠された体積１３２とは異なってもよい。更なる実施形態では、全てのチャネル１１０の覆い隠された体積１３２は、互いに比較して異なってもよい。

再び図１を参照すると、高分子材料１０４は、基板１０２内に好適な数のチャネル１１０を形成した後、主表面１０６において基板１０２に適用されてもよい。

一実施形態において、高分子材料１０４は、低摩擦材料を含んでもよい。例えば、高分子材料は、乾燥（きれいな、無潤滑の）表面を有する鋼に対して測定して、０．６以下、例えば０．５５以下、０．５以下、０．４５以下、０．４以下、０．３５以下、０．３以下、０．２５以下、０．２以下、又は更には０．１５以下等の静摩擦係数μ_ｓを有する材料を含んでもよい。一実施形態において、高分子材料は、乾燥（きれいな、無潤滑の）表面を有する鋼に対して測定して、少なくとも０．０２、例えば少なくとも０．０３、少なくとも０．０４、少なくとも０．０５、少なくとも０．０６、少なくとも０．０７、少なくとも０．０８、少なくとも０．０９、又は更には少なくとも０．１等の静摩擦係数μ_ｓを有する材料を含んでもよい。

特定の実施形態では、高分子材料１０４は、１種以上のポリマー、例えば、１種以上のフルオロポリマー等を含んでもよい。

例示的なポリマーとしては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、フッ素化エチレン−プロピレン（ＦＥＰ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレンクロロトリフルオロエチレン（ＥＣＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリスルホン、ポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリウレタン、ポリエステル、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、又はそれらの任意の組み合わせが挙げられる。

高分子材料１０４は、フィラーを含侵又は飽和させてもよい。例示的なフィラーとしては、ガラス繊維、炭素繊維、シリコン、ＰＥＥＫ、芳香族ポリエステル、カーボン粒子、青銅、フルオロポリマー、熱可塑性フィラー、酸化アルミニウム、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ＰＰＳ、ポリフェニレンスルホン（ＰＰＳＯ２）、ＬＣＰ、芳香族ポリエステル、二硫化モリブデン、二硫化タングステン、黒鉛、グラフェーム（ｇｒａｐｈｅｍｅ）、膨張黒鉛、硝酸ホウ素（ｂｏｒｏｎ ｎｉｔｒａｄｅ）、タルク、フッ化カルシウム、又はそれらの任意の組み合わせが挙げられる。加えて、フィラーには、アルミナ、シリカ、二酸化チタン、フッ化カルシウム、窒化ホウ素、マイカ、珪灰石、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ジルコニア、カーボンブラック、色素、又はそれらの任意の組み合わせを挙げることができる。フィラーには、商標Ｅｋｏｎｏｌ（登録商標）で本出願人により販売されている材料も挙げることができる。

一実施形態において、高分子材料１０４は、高温で、例えば高分子材料１０４が容易に流動し変形する温度で、基板１０２に適用されてもよい。高分子材料１０４は、例えば、物理的又は気相蒸着、噴霧、めっき、粉体塗装、又は他の化学的又は電気化学的技術等の塗布技術によって基板１０２に適用されてもよい。特定の実施形態では、高分子材料１０４は、例えば、押出塗布を含むロール−トゥ−ロール塗布プロセスによって適用されてもよい。例えば、高分子材料１０４は、溶融又は半溶融状態にまで加熱され、スロットダイを通して基板１０２の主表面１０６上に押出されてもよい。別の実施形態では、高分子材料１０４は、注型又は成型されてもよい。注型又は成型は、射出技術により、又は高圧条件下、例えば大気圧を超える圧力で受けてもよい。代替的に、注型又は成型は、高圧又は射出技術を用いずに行われてもよい。

高分子材料１０４は、主表面１０６に向かった方向にプレス又はロールされてもよい。プレス又はロールは、高温で行われてもよく、即ち、高分子材料１０４はホットプレス又はロールされる。ローラーは、チャネル１０４のうちの少なくとも１つの長さと平行な方向に、高分子材料１０４に沿って通過されてもよい。代替的に、ローラーは、チャネル１０４のうちの少なくとも１つの長さに関連して相対角度を有する方向に、高分子材料１０４に沿って通過されてもよい。例えば、ロールは、チャネルの長さに直交して行われてもよい。別の例では、ロールは、チャネル長さに関連して４５°の角度で行われてもよい。

適用プロセス中、高分子材料１０４は、チャネル１１０の開放空隙内に導入され得る。一実施形態において、高分子材料１０４は、チャネルの少なくとも１つの少なくとも７５％、例えばチャネルの少なくとも１つの少なくとも８０％、チャネルの少なくとも１つの少なくとも８５％、チャネルの少なくとも１つの少なくとも９０％、チャネルの少なくとも１つの少なくとも９５％、チャネルの少なくとも１つの少なくとも９６％、チャネルの少なくとも１つの少なくとも９７％、チャネルの少なくとも１つの少なくとも９８％、又は更にはチャネルの少なくとも１つの少なくとも９９％を占めてもよい。更なる実施形態では、高分子材料１０４は、チャネル１１０のうちの少なくとも１つの体積の全体、又はほぼ全体を占めてもよい。

更なる実施形態では、高分子材料１０４は、チャネルのそれぞれの少なくとも７５％、例えばチャネルのそれぞれの少なくとも８０％、チャネルのそれぞれの少なくとも８５％、チャネルのそれぞれの少なくとも９０％、チャネルのそれぞれの少なくとも９５％、チャネルのそれぞれの少なくとも９６％、チャネルのそれぞれの少なくとも９７％、チャネルのそれぞれの少なくとも９８％、又は更にはチャネルのそれぞれの少なくとも９９％等を占めてもよい。更なる実施形態では、高分子材料１０４は、チャネル１１０のそれぞれの体積の全体、又はほぼ全体を占めてもよい。

チャネルとの好適な係合が達成され、十分な高分子材料１０４が基板１０２に適用された後、高分子材料１０４を硬化させてもよい。当業者は、この硬化が、標準的な周囲条件で、又は、特定の種類の高分子材料により好ましい条件で行われ得ることを認めるであろう。

一実施形態において、高分子材料１０４は、基板１０２の少なくとも一部分と直接接触してもよい。更なる実施形態では、高分子材料１０４は、主表面１０６全体に沿って基板と直接接触してもよい。別の実施形態では、高分子材料１０４は、チャネル１１０のうちの少なくとも１つの側壁１１６及び基部１１８に沿って基板１０２と直接接触してもよい。また更なる実施形態では、高分子材料１０４は、主表面１０６全体に沿って、かつ全チャネル１１０の側壁１１６及び基部１１８に沿って基板１０２と直接接触してもよい。基板と高分子材料との間の直接接触を有する実施形態では、基板と高分子材料との間の接着剤及び中間層は存在しない。前記実施形態では、高分子材料と基板との間の耐剥離性は、チャネルの幾何学的構成に依存し得る。

別の実施形態において、ベアリング１００は、基板と高分子材料との間に配置された接着剤（図示せず）又は中間層（図示せず）を更に備えてもよい。より特定の実施形態では、接着剤は中間層の間に配置されてもよく、各中間層は、基板及び高分子層の一方と隣接している。

特定の実施形態では、ベアリング１００は、成形され又は別様に作用されて、アニュラリング３００を形成してもよい（図５）。一実施形態において、高分子材料１０４は、基板１０２の内側に径方向に配置されてもよい。別の実施形態では、高分子材料１０４は、基板１０２の外側に径方向に配置されてもよい（図５）。

一実施形態において、アニュラリング３００は、高分子材料１０４が基板１０２に適用される前に成形されてもよい。別の実施形態では、アニュラリング３００は、高分子材料１０４が基板１０２に適用された後に成形されてもよい。

アニュラリング３００は、周方向間隙３０２を含んでもよい。特定の実施形態では、間隙３０２は、例えば、リング３００の第１の周方向端部３０４と第２の周方向端部３０６とを互いに取り付けることにより閉鎖されてもよい。周方向端部３０４及び３０６の取り付けは、例えば、溶接、例えばスポット溶接により行われてもよい。温度感受性高分子材料を使用する実施形態では、溶接は基板のみに沿って行われて、高分子材料に対する損傷を防止し、また高分子材料の融解を回避してもよい。

アニュラリング３００は、中心開口３０８を画定してもよく、中心開口３０８内にシャフト３１０又は他の機械的構成要素を挿入することが可能である。例えば、アニュラリング３００は、例えば産業用機械及び自動車等におけるような高速用途、又は、例えばドア蝶番等の低速用途に使用することができる。

図６は、基板１０２が、第１の主表面１０６から延びる少なくとも１つのチャネル１１０と、第２の主表面１０８から延びる少なくとも１つのチャネル１２４とを含む、代替実施形態を示す。チャネル（１つ又は複数）１２４は、チャネル（１つ又は複数）１１０と比較して、任意の同様の特徴又は構造配置を有してもよい。例えば、チャネル（１つ又は複数）１２４は、チャネル１１０の側壁１１６と同様の２つの側壁１２６と、チャネル１１０の基部１１８と同様の基部１２８とを含んでもよい。

一実施形態において、チャネル１１０及び１２４は、基部１１８及び１２８が主表面１０６及び１０８に関連して垂直方向の異なる高さにおいて終結するように、基板１０２内に延びていてもよい。この関連で、チャネル（１つ又は複数）１１０及び１２４の基部１１８及び１２８は、それぞれ、互いに異なる面に沿って存在してもよい。より詳細には、一実施形態において、チャネル（１つ又は複数）１１０の基部１１８は第１の面に沿って存在してもよく、チャネル（１つ又は複数）１２４の基部１２８は第２の面に沿って存在してもよく、第１の面と第２の面とは、互いにずれていてもよい。第１の面と第２の面とは平行であってもよく、即ち、それらは交差しない。

別の実施形態では、チャネル１１０及び１２４は、基部１１８及び１２８が同一の面に沿って存在するように基板１０２内に延びていてもよく、該面は、主表面１０６又は１０８と平行な方向において基板１０２と交差する。

主表面１０６に沿って適用されたものと同様の仕方で、追加の高分子材料を基板１０２の主表面１０８に沿って適用してもよい。ロール又はプレスにより、高分子材料とチャネル１２４との係合が向上され得る。

当業者は、本明細書に記載される実施形態によるベアリング及びアニュラリングが、化学エッチング及び酸洗いプロセスを用いる係合方法と比較して、より高い耐剥離性を示すことを認識するであろう。更に、このベアリング及びアニュラリングは、該ベアリング及びアニュラリングに沿った様々な位置で測定して、耐剥離性のより高い均一性を有し得る。このことは、ベアリング又はアニュラリングに沿ったより均一な損耗プロファイルの促進に役立ち、高分子材料が寿命延長使用の間に、より良好に機能することを可能にし得る。

多くの異なる態様及び実施形態が可能である。それらの態様及び実施形態のいくつかを以下に記載する。この明細書を読んだ後、当業者はそれらの態様及び実施形態が単なる例示であり、本発明の範囲を限定するものではないことを認識するであろう。実施形態は、以下に列挙される実施形態の任意の１つ以上によるものであり得る。

実施形態１。ベアリングのための構成要素であって：
基板であって、前記基板の厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面を有する、基板と；
前記第１の表面に沿って延びる複数のチャネルであって、前記複数のチャネルの少なくとも２つが互いに平行に延びる、複数のチャネルと、を備え、
前記複数のチャネルの少なくとも１つが、高分子材料を受容し、かつ前記高分子材料を前記基板に固着させるように適合されている、構成要素。

実施形態２。構成要素であって：
基板であって、前記基板の厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面を有し、前記基板が複数のチャネルを含み、前記複数のチャネルはそれぞれ、前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延びる深さを有し、前記チャネルは、前記チャネルの深さと前記チャネルの最大幅との比により測定したアスペクト比を有し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記アスペクト比は少なくとも１：１である、基板と；
前記複数のチャネルの少なくとも１つの中に配置された高分子材料であって、前記高分子材料が前記基板の前記第１の主表面の少なくとも一部分を覆っている、高分子材料と、を備える、構成要素。

実施形態３。ベアリングであって：
基板であって：
前記基板の厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面と；
前記第１の主表面に沿って延びる複数のチャネルであって、前記複数のチャネルの少なくとも２つが互いに平行に延びる、複数のチャネルと；を有する基板と、
前記複数のチャネルの少なくとも１つの中に配置された高分子材料であって、前記高分子材料が前記基板の前記第１の主表面の少なくとも一部分を覆っている、高分子材料と、を備える、ベアリング。

実施形態４。前記高分子材料が、前記基板の前記第１の主表面の少なくとも一部分と直接接触する、実施形態１〜３のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態５。前記高分子材料が、前記基板の前記第１の主表面の全体と直接接触する、実施形態１〜４のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態６。前記高分子材料と前記基板との間の係合が、接着剤を有さない、実施形態１〜５のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態７。前記基板及び前記高分子材料の少なくとも一部分の間に配置された接着剤を更に備える、実施形態１〜５のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態８。前記基板及び前記高分子材料の少なくとも一部分の間に配置された中間の層を更に備える、実施形態１〜５及び７のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態９。前記チャネルのそれぞれが対向する側壁を含み、第１の前記対向する側壁が第１の面に沿って存在し、第２の前記対向する側壁が第２の面に沿って存在し、前記第１の面と第２の面とが交差しない、実施形態１〜８のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１０。前記チャネルがそれぞれ、深さを画定し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記深さが、１００μｍ〜５００μｍである、実施形態１〜９のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１１。前記チャネルの全部が等しい深さを有する、実施形態１〜１０のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１２。前記チャネルの少なくとも１つが、少なくとも部分的にマイクロホイールによって形成されている、実施形態１〜１１のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１３。前記チャネルの少なくとも１つが、少なくとも部分的にレーザーによって形成されている、実施形態１〜１２のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１４。前記チャネルの少なくとも１つが、少なくとも部分的に電着加工（ＥＤＭ）によって形成されている、実施形態１〜１３のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１５。各チャネルが、前記チャネルの深さと前記チャネルの最大幅との比により測定したアスペクト比を有し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記アスペクト比が、少なくとも１：１、例えば少なくとも１．１：１、少なくとも１．２：１、少なくとも１．３：１、少なくとも１．４：１、少なくとも１．５：１、少なくとも１．６：１、少なくとも１．７：１、少なくとも１．８：１、少なくとも１．９：１、少なくとも２．０：１、少なくとも２．２５：１、少なくとも２．５：１、少なくとも２．７５：１、又は更には少なくとも３．０：１等である、実施形態１〜１４のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１６。各チャネルが、前記チャネルの深さと前記チャネルの最大幅との比により測定したアスペクト比を有し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記アスペクト比が、１０．０：１以下、例えば９．０：１以下、又は更には８．０：１以下等である、実施形態１〜１５のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１７。各チャネルが、前記チャネルの最小幅に対する前記チャネルの最大幅により測定した幅比を有し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記幅比が、少なくとも１．１：１、例えば少なくとも１．２：１、少なくとも１．３：１、少なくとも１．４：１、少なくとも１．５：１、少なくとも１．６：１、少なくとも１．７：１、少なくとも１．８：１、少なくとも１．９：１、少なくとも２．０：１、少なくとも２．２５：１、少なくとも２．５：１、少なくとも２．７５：１、又は更には少なくとも３．０：１等である、実施形態１〜１６のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１８。各チャネルが、前記チャネルの最小幅に対する前記チャネルの最大幅により測定した幅比を有し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記幅比が、１０．０：１以下、例えば９．０：１以下、又は更には８．０：１以下等である、実施形態１〜１７のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態１９。各チャネルの最小幅が、前記第１の主表面により画定される面に沿って位置する、実施形態１７又は１８による構成要素又はベアリング。

実施形態２０。各チャネルの最大幅が、前記第１の主表面と第２の主表面との間に位置する、実施形態１７〜１９のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２１。断面から見た場合に、前記チャネルの少なくとも１つが略多角形の形状を有する、実施形態１〜２０のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２２。断面から見た場合に、前記チャネルの少なくとも１つが略四辺形の形状を有する、実施形態１〜２１のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２３。断面から見た場合に、前記チャネルの少なくとも１つが、前記第２の主表面に最も近い前記チャネルの一部分により画定される、丸みを帯びた底部を有する、実施形態１〜２２のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２４。断面から見た場合に、前記チャネルの全部が、前記第２の主表面に最も近い前記チャネルの一部分により画定される、丸みを帯びた底部を有する、実施形態１〜２３のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２５。前記チャネルの少なくとも１つが、前記第１の主表面の全長に沿って延びる、実施形態１〜２４のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２６。前記チャネルの全部が、前記第１の主表面の全長に沿って延びる、実施形態１〜２５のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２７。前記基板の前記第２の主表面に沿って配置された複数の第２のチャネルを更に備える、実施形態１〜２６のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２８。前記高分子材料が、フルオロポリマー、例えばＰＴＦＥ、ＦＥＰ、ＰＣＴＦＥ、ＰＦＡ、ＰＥＥＫ、ＬＣＰ、ＰＡ、ＰＩ、又はＰＥ等を含む、実施形態１〜２７のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態２９。前記高分子材料がＥｋｏｎｏｌで充填されている、実施形態１〜２８のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態３０。前記基板が鋼又はアルミニウム等の金属を含む、実施形態１〜２９のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態３１。前記基板が亜鉛コーティングを更に含む、実施形態１〜３０のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態３２。前記基板と高分子層との間の接着強度が、接着剤又は酸洗いを用いた類似した基板と高分子層との間の接着強度よりも高い、実施形態１〜３１のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態３３。前記チャネルの少なくとも１つが、絞られた開放端を含む、実施形態１〜３２のいずれか１つによる構成要素又はベアリング。

実施形態３４。ベアリングの形成方法であって：
厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面を有する基板を提供するステップと；
前記基板内にチャネルを形成するステップであって、前記チャネルがそれぞれ、前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延びる深さを有する、ステップと；
前記第１の主表面の少なくとも一部分に高分子材料を適用するステップであって、前記高分子材料の一部分が、前記チャネルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部分を占める、ステップと；
前記高分子材料を硬化させるステップと、を含む、方法。

実施形態３５。ベアリングの形成方法であって：
厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面を有する基板を提供するステップと；
前記基板にチャネルを形成するステップであって、前記チャネルがそれぞれ、前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延びる深さを有する、ステップと；
前記基板を成形してアニュラリングを形成するステップと；
前記第１の主表面に高分子材料を適用するステップであって、前記高分子材料の一部分が、前記チャネルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部分を占める、ステップと；前記高分子材料を硬化させるステップと、を含む、方法。

実施形態３６。前記チャネルの前記形成プロセスが、化学的プロセスによって行われない、実施形態３４又は３５による方法。

実施形態３７。前記チャネルの前記形成プロセスが、化学エッチングによって行われない、実施形態３４〜３６のいずれか１つによる方法。

実施形態３８。前記チャネルの形成が、機械的プロセスによって行われる、実施形態３４〜３７のいずれか１つによる方法。

実施形態３９。前記チャネルの前記形成プロセスが：
マイクロ加工により行われる、実施形態３４〜３８のいずれか１つによる方法。

実施形態４０。前記チャネルの前記形成プロセスが、少なくとも部分的に：
ダイヤモンドマイクロホイールを用いて、前記基板から材料を除去することにより行われる、実施形態３４〜３９のいずれか１つによる方法。

実施形態４１。前記チャネルの前記形成プロセスが、少なくとも部分的に：
前記基板をレーザーエッチングすることにより行われる、実施形態３４〜４０のいずれか１つによる方法。

実施形態４２。前記チャネルの前記形成プロセスが、少なくとも部分的に：
前記基板に圧力下で流体を噴霧することにより行われる、実施形態３４〜４１のいずれか１つによる方法。

実施形態４３。前記チャネルの前記形成プロセスが、少なくとも部分的に：
電着加工（ＥＤＭ）により行われる、実施形態３４〜４２のいずれか１つによる方法。

実施形態４４。前記チャネルの前記形成プロセスが、前記チャネルの少なくとも２つが互いに実質的に平行に配向されるように行われる、実施形態３４〜４３のいずれか１つによる方法。

実施形態４５。前記チャネルの前記形成プロセスが、前記チャネルの少なくとも２つが互いに平行に配向されるように行われる、実施形態３４〜４４のいずれか１つによる方法。

実施形態４６。前記チャネルの前記形成プロセスが、前記チャネルの全部が互いに平行に配向されるように行われる、実施形態３４〜４５のいずれか１つによる方法。

実施形態４７。前記チャネルの前記形成プロセスが、断面から見た場合に、少なくとも１つのチャネルが略多角形の形状を有するように行われる、実施形態３４〜４６のいずれか１つによる方法。

実施形態４８。前記チャネルの前記形成プロセスが、断面から見た場合に、少なくとも１つのチャネルが略四辺形の形状を有するように行われる、実施形態３４〜４７のいずれか１つによる方法。

実施形態４９。前記チャネルの前記形成プロセスが、断面から見た場合に、少なくとも１つのチャネルが、前記第２の主表面に最も近い前記チャネルの一部分により画定される、丸みを帯びた底部を有するように行われる、実施形態３４〜４８のいずれか１つによる方法。

実施形態５０。前記高分子材料の前記適用プロセスが、前記基板と前記高分子材料との間に中間層を堆積することなく行われる、実施形態３４〜４９のいずれか１つによる方法。

実施形態５１。前記高分子材料の前記適用プロセスが、前記基板と、前記チャネルのうちの少なくとも１つの一部分とに直接接触するように行われる、実施形態３４〜５０のいずれか１つによる方法。

実施形態５２。前記高分子材料の前記適用プロセスが、前記チャネルが前記高分子材料で少なくとも７５％占められ、例えば少なくとも８０％占められ、少なくとも８５％占められ、少なくとも９０％占められ、少なくとも９５％占められ、少なくとも９６％占められ、少なくとも９７％占められ、少なくとも９８％占められ、又は更には少なくとも９９％占められるように行われる、実施形態３４〜５１のいずれか１つによる方法。

実施形態５３。前記高分子材料の前記適用プロセスが、前記チャネルが前記高分子材料で完全に占められるように行われる、実施形態３４〜５２のいずれか１つによる方法。

実施形態５４。前記基板が鋼又はアルミニウム等の金属を含む、実施形態３４〜５３のいずれか１つによる方法。

実施形態５５。前記高分子材料が、フルオロポリマー、例えばＰＴＦＥ、ＦＥＰ、ＰＣＴＦＥ、ＰＦＡ、ＰＥＥＫ、ＬＣＰ、ＰＡ、ＰＩ、又はＰＥ等を含む、実施形態３４〜５４のいずれか１つによる方法。

実施形態５６。前記高分子材料がＥｋｏｎｏｌで充填されている、実施形態３４〜５５のいずれか１つによる方法。

実施形態５７。前記チャネルの前記形成プロセスが、各チャネルが前記チャネルの深さと前記チャネルの最大幅との比により測定したアスペクト比を有し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記アスペクト比が、少なくとも１：１、例えば少なくとも１．１：１、少なくとも１．２：１、少なくとも１．３：１、少なくとも１．４：１、少なくとも１．５：１、少なくとも１．６：１、少なくとも１．７：１、少なくとも１．８：１、少なくとも１．９：１、少なくとも２．０：１、少なくとも２．２５：１、少なくとも２．５：１、少なくとも２．７５：１、又は更には少なくとも３．０：１等であるように行われる、実施形態３４〜５６のいずれか１つによる方法。

実施形態５８。前記チャネルの形成プロセスが、各チャネルが前記チャネルの深さと前記チャネルの最大幅との比により測定したアスペクト比を有し、前記チャネルのうちの少なくとも１つの前記アスペクト比が、１０．０：１以下、例えば９．０：１以下、又は更には８．０：１以下等であるように行われる、実施形態３４〜５７のいずれか１つによる方法。

実施形態５９。前記第２の主表面から前記第１の主表面に向かって延びる第２の複数のチャネルを前記基板内に形成するステップを更に含む、実施形態３４〜５８のいずれか１つによる方法。

実施形態６０。前記基板及び高分子材料を成形して、アニュラリングを形成するステップを更に含む、実施形態３４及び３６〜５９のいずれか１つによる方法。

実施形態６１。前記高分子材料が、前記基板の内側に径方向に配置されている、実施形態３５又は６０による方法。

実施形態６２。前記高分子材料が、前記基板の外側に径方向に配置されている、実施形態３５又は５４による方法。

実施形態６３。前記アニュラリングの第１の周方向端部と第２の周方向端部とを互いに取り付けるステップを更に含む、実施形態３５及び６０〜６２のいずれか１つによる方法。

実施形態６４。前記第１の周方向端部と第２の周方向端部とを取り付ける前記ステップが、溶接により行われる、実施形態６３による方法。

実施形態６５。前記第１の周方向端部と第２の周方向端部との溶接が、前記基板上で行われる、実施形態６４による方法。

実施形態６６。溶接が、前記高分子材料を前記高分子材料の融点に晒さない、実施形態６４又は６５による方法。

上述した特徴の全てが必要ではなく、特定の特徴の一部は必要ではない場合があり、記載されたものに加えて１つ以上の特徴を提供できることに留意されたい。また更に、特徴が記載される順序は、必ずしも該特徴が組み込まれる順序ではない。

明確さのために別個の実施形態の文脈で記載された所定の特徴はまた、単一の実施形態において組み合わせで提供され得る。逆に、簡潔さのために単一の実施形態の文脈で記載された様々な特徴はまた、別個に又は任意のサブコンビネーションで提供され得る。

利益、他の利点、及び問題に対する解決法は、特定の実施形態に関連して上述したが、利益、他の利点、及び問題に対する解決法、並びに任意の利益、他の利点及び解決法を生じ得る、又はそれらがより明白となる任意の特徴（１つ又は複数）は、任意の又は全ての特許請求の範囲の重大な、必要な、又は必須の特徴であると解釈されるべきではない。

本明細書に記載した実施形態の詳述及び実例は、様々な実施形態の構造の一般的理解を提供することが意図される。詳述及び実例は、本明細書に記載した構造又は方法を用いた機器及びシステムの要素及び特徴の全ての網羅的かつ包括的な記載としての役割を果たすことを意図していない。別個の実施形態は、単一の実施形態における組み合わせで提供されてもよく、逆に、簡潔さのために単一の実施形態の文脈で記載された様々な特徴は、別個に又は任意のサブコンビネーションで提供されてもよい。更に、範囲で言及された値に対する参照は、その範囲内の各値及び全ての値を含む。本明細書を読んだ後のみ、多数の他の実施形態が当業者に明らかであり得る。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的代替、論理的代替、又は任意の変更を為し得るように、他の実施形態を使用し、本開示から誘導することができる。従って、本開示は、限定するものではなく、例示であると考慮するべきである。

Claims (15)

1. ベアリングのための構成要素であって：
   基板であって、前記基板の厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面を有する、基板と；
   前記第１の表面に沿って延びる複数のチャネルであって、前記複数のチャネルの少なくとも２つが互いに平行に延びる、複数のチャネルと、を備え、
   前記複数のチャネルの少なくとも１つが、高分子材料を受容し、かつ前記高分子材料を基板に固着させるように適合されている、構成要素。
2. ベアリングであって：
   基板であって：
   前記基板の厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面と；
   前記第１の主表面に沿って延びる複数のチャネルであって、前記複数のチャネルの少なくとも２つが互いに平行に延びる、複数のチャネルと；を有する基板と、
   前記複数のチャネルの少なくとも１つの中に配置された高分子材料であって、前記高分子材料が前記基板の前記第１の主表面の少なくとも一部分を覆っている、高分子材料と、を備える、ベアリング。
3. 前記基板の前記第２の主表面に沿って配置された複数の第２のチャネルを更に備える、請求項１又は２に記載の構成要素又はベアリング。
4. ベアリングの形成方法であって：
   厚さにより離間された互いに反対側の第１の主表面及び第２の主表面を有する基板を提供するステップと；
   前記基板内にチャネルを形成するステップであって、前記チャネルがそれぞれ、前記第１の主表面から前記第２の主表面に向かって延びる深さを有する、ステップと；
   前記第１の主表面の少なくとも一部分に高分子材料を適用するステップであって、前記高分子材料の一部分が、前記チャネルのうちの少なくとも１つの少なくとも一部分を占める、ステップと；
   前記高分子材料を硬化させるステップと、を含む、方法。
5. 前記チャネルの前記形成プロセスが、マイクロ加工により行われる、請求項４に記載の方法。
6. 前記チャネルの前記形成プロセスが、少なくとも部分的に、ダイヤモンドマイクロホイールを用いて前記基板から材料を除去することにより行われる、請求項４に記載の方法。
7. 前記高分子材料の前記適用プロセスが、前記基板と前記高分子材料との間に中間層を堆積することなく行われる、請求項４に記載の方法。
8. 前記高分子材料の前記適用プロセスが、前記高分子材料が、前記基板と、前記チャネルのうちの少なくとも１つの一部分とに直接接触するように行われる、請求項４〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記第２の主表面から前記第１の主表面に向かって延びる第２の複数のチャネルを前記基板内に形成するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
10. 前記基板及び高分子材料を成形して、アニュラリングを形成するステップを更に含む、請求項４〜７及び９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記アニュラリングの第１の周方向端部と第２の周方向端部とを互いに取り付けるステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
12. 各チャネルの最小幅が、前記第１の主表面により画定される面に沿って位置する、請求項１、２及び４のいずれか一項に記載の構成要素、ベアリング又は方法。
13. 断面から見た場合に、前記チャネルの少なくとも１つが、前記第２の主表面に最も近い前記チャネルの一部分により画定される、丸みを帯びた底部を有する、請求項１、２及び４のいずれか一項に記載の構成要素、ベアリング又は方法。
14. 前記チャネルの少なくとも１つが、前記第１の主表面の全長に沿って延びる、請求項１、２及び４のいずれか一項に記載の構成要素、ベアリング又は方法。
15. 前記チャネルの少なくとも１つが、絞られた開放端を含む、請求項１、２及び４のいずれか一項に記載の構成要素、ベアリング又は方法。