JP2017529361A - Ｓｉ含有膜堆積用カルボシラン置換アミン前駆体及びその方法 - Google Patents

Ｓｉ含有膜堆積用カルボシラン置換アミン前駆体及びその方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017529361A
JP2017529361A JP2017515206A JP2017515206A JP2017529361A JP 2017529361 A JP2017529361 A JP 2017529361A JP 2017515206 A JP2017515206 A JP 2017515206A JP 2017515206 A JP2017515206 A JP 2017515206A JP 2017529361 A JP2017529361 A JP 2017529361A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sih
precursor
nme
oet
hexyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017515206A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6578353B2 (ja
Inventor
クラウディア・ファファール
ヴェンカテスワラ・アール・パッレム
ジャン−マルク・ジラール
Original Assignee
レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード filed Critical レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Publication of JP2017529361A publication Critical patent/JP2017529361A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6578353B2 publication Critical patent/JP6578353B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/36—Carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

カルボシラン置換アミン前駆体を含有する、Ｓｉ含有膜形成用組成物が開示される。カルボシラン置換アミン前駆体は、式（Ｒ１）ａＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３−ａを有しており、式中、ａ＝０又は１であり；Ｒ１はＨ、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、又はハロゲンであり；Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ハロゲン、式ＯＲ’のアルコキシ基（Ｒ’はアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６））、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基（各Ｒ’’は独立にＨ、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルケニル基、Ｃ３−Ｃ１０のアリール基若しくはヘテロ環基である）である。カルボシラン置換アミン前駆体の合成方法及び堆積プロセスのためのそれらの使用も開示される。【選択図】図１

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１４年９月２３日に出願された米国仮特許出願番号第６２／０５４，１９８号の利益を主張するものであり、その全体は、あらゆる目的のために参照により本明細書に援用される。
カルボシラン置換アミン前駆体を含有する、Ｓｉ含有膜形成用組成物が開示される。カルボシラン置換アミン前駆体は、式（Ｒ１）ａＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３−ａを有しており、式中、ａ＝０又は１であり；Ｒ１はＨ、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、又はハロゲンであり；Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ハロゲン、式ＯＲ’のアルコキシ基（Ｒ’はアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６））、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基（各Ｒ’’は独立にＨ、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルケニル基、Ｃ３−Ｃ１０のアリール基若しくはヘテロ環基である）である。カルボシラン置換アミン前駆体の合成方法及び堆積プロセスのためのそれらの使用も開示される。
Ｓｉ含有薄膜は半導体、太陽光発電、ＬＣＤ−ＴＦＴ、フラットパネル型デバイス、耐火性材料、又は航空産業において広く使用されている。Ｓｉ含有薄膜は、例えば絶縁し得る電気的特性を有する誘電材料（ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯＨ、ＭＳｉＯｘ（ＭはＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ又はＧｅであり、ｘは０〜４である））として使用される場合がある。Ｓｉ含有薄膜は、金属シリサイド又は金属ケイ素窒化物などの導電膜として使用される場合もある。電子デバイス構造のナノスケール（特には２８ｎｍノード未満）への小型化に伴って課せられる厳しい要件のため、速い堆積速度、製造される膜のコンフォーマル性及び一貫性に加えて、揮発性（気相プロセスについて）、低い処理温度、様々な酸化剤との反応性、及び低い膜汚染の要件を満たす、微調整された分子の前駆体がますます必要とされてきている。
窒化ケイ素膜及び酸窒化ケイ素膜の蒸着のために、これまでトリシリルアミン［Ｎ（ＳｉＨ３）３］が用いられてきた（例えばＤｕｓｓａｒｒａｔ等の国際公開第２００４／０３００７１号パンフレット参照）。
Ｈｉｚａｗａ及びＮｏｊｉｍｏｔｏ（Ｋｏｇｙｏ Ｋａｇａｋｕ Ｚａｓｓｈｉ，１９５６，５９，１３５９−６３）は、Ｍｅ３ＳｉＣＨ２ＳｉＭｅ２ＣｌとＮＨ３との反応による（Ｍｅ３ＳｉＣＨ２ＳｉＭｅ２）２ＮＨの合成について述べている。
Ｔｏｐｃｈｉｅｖ等（Ｄｏｋｌａｄｙ Ａｋａｄｅｍｉｉ Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，１９５６，１０９，７８７−９０及びＩｓｓｌｅｄ．ｖ Ｏｂｌ．Ｋｒｅｍｎｉｉｏｒｇａｎ．Ｓｏｅｄｉｎ．，Ｓｉｎｔｅｚ ｉ Ｆｉｚ．−Ｋｈｉｍ．Ｓｖｏｉｓｔｖａ，Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，Ｉｎｓｔ．Ｎｅｆｔｅｋｈｉｍ．Ｓｉｎｔｅｚａ，Ｓｂ．Ｓｔａｔｅｉ，１９６２，１３０−４５）は、５〜１０℃、そして最終的には６０〜８０℃での、Ｒ３ＳｉＣＨ２ＳｉＲ２ＨへのＢｒの付加によるＲ３ＳｉＣＨ２ＳｉＲ２Ｂｒの生成（Ｒ＝Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、又はＢｕ）を開示している。これらはＥｔ２Ｏ又はＭｅＰｈ中、ＮＨ３で処理されて、アミン誘導体（Ｒ３ＳｉＣＨ２ＳｉＲ２）２ＮＨ及びＲ３ＳｉＣＨ２ＳｉＲ２ＮＨ２を生成する（２級誘導体は還流ＭｅＰｈ中で合成される）。２級誘導体は、１級アミン誘導体とモノ−Ｂｒ誘導体とをＭｅＰｈ中で還流させ、その後１０時間ＮＨ３を通すことによって、最もうまく合成される。
Ｏ’Ｎｅｉｌｌ等（米国特許出願公開第２０１５／００８７１３９号明細書）は、Ｈ３Ｓｉ−Ｒ３−ＳｉＨ２−ＮＲ１−ＳｉＨ２−Ｒ３−ＳｉＨ３（Ｒ１は直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖又は分岐のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖又は分岐のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、又はＣ５〜Ｃ１０アリール基であり、Ｒ３は直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖又は分岐のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、又はＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基である）を含む、５つの分類の有機アミノシラン前駆体を開示している。
Ｓｉ含有膜堆積のために利用可能な選択肢は幅広いものの、製造工程の要件に合わせることができ、望ましい電気的特性及び物理的特性を有する膜を得ることができる能力をデバイス技術者に与えるために、追加的な前駆体が継続的に求められている。
表記及び命名法
以降の記述及び請求項全体を通じて、特定の略語、記号、及び用語が使用されており、それらには次のものが含まれる。
本明細書において、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は、１つ以上を意味する。
本明細書において、用語「およそ」又は「約」は、述べられている値の±１０％を意味する。
本明細書において、用語「独立に」は、Ｒ基を述べる文脈において使用される場合、対象のＲ基は、同じ又は異なる下付き又は上付きを有する他のＲ基とは独立に選択されるだけでなく、同じＲ基の任意の追加的な種からも独立して選択されることを意味すると理解すべきである。例えば式ＭＲ１ ｘ（ＮＲ２Ｒ３）（４−ｘ）（ｘは２又は３）において、２つ又は３つのＲ１基は、互いに同じであってもよいが、同じである必要はなく、またＲ２又はＲ３と同じであってもよいが、同じである必要はない。更に、別段の記載がない限り、Ｒ基の値は、異なる化学式中で使用される場合、互いに独立であることが理解されるべきである。
本明細書において、用語「アルキル基」は、炭素原子と水素原子だけを含む飽和官能基のことを指す。更に、用語「アルキル基」は、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基のことを指す。直鎖アルキル基の例としては、これらに限定するものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。分岐アルキル基の例としては、これに限定するものではないが、ｔ−ブチル基が挙げられる。環状アルキル基の例としては、これらに限定するものではないが、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
本明細書において、用語「アリール」は、環から１つの水素原子が取り除かれた芳香環化合物のことを指す。本明細書において、用語「ヘテロ環」は、その環の要素としてＣ及びＳ及び／又はＮなどの少なくとも２種の異なる元素（Ｈは含まない）の原子を有する環状化合物のことを指す。
本明細書において、用語「カルボシラン」は、交互のＳｉ原子とＣ原子及び少なくとも１つのＳｉ−Ｃ−Ｓｉ単位を有する主鎖をもつ直鎖又は分岐の分子のことを指し、頭字語「ＤＳＰ」はジシラプロパン、より具体的にはＨ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３又はその配位子類似体−Ｈ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ３を意味し、用語「カルボシラン置換アミン前駆体」は、少なくとも１つのＲが、好ましくは２つ又は３つのＲが、カルボシラン配位子であるＮＲ３分子のことを指す。
本明細書において、略語「Ｍｅ」はメチル基を指し、略語「Ｅｔ」はエチル基を指し、略語「Ｐｒ」は任意のプロピル基（すなわちｎ−プロピル又はイソプロピル）を指し、略語「ｉＰｒ」はイソプロピル基を指し、略語「Ｂｕ」は任意のブチル基（ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル）を指し、略語「ｔＢｕ」はｔｅｒｔ−ブチル基を指し、略語「ｓＢｕ」はｓｅｃ−ブチル基を指し、略語「ｉＢｕ」はｉｓｏ−ブチル基を指し、略語「Ｐｈ」はフェニル基を指し、略語「Ａｍ」は任意のアミル基（ｉｓｏ−アミル、ｓｅｃ−アミル、ｔｅｒｔ−アミル）を指し、略語「Ｃｙ」は環状アルキル基（シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等）を指す。
本明細書において、頭字語「ＳＲＯ」はルテニウム酸ストロンチウム膜を表し、頭字語「ＨＣＤＳ」はヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）を表し、頭字語「ＰＣＤＳ」はペンタクロロジシラン（Ｓｉ２ＨＣｌ５）を表す。
本明細書では元素周期律表からの元素の標準的な省略形が使用されている。元素はこれらの省略形（例えばＳｉはケイ素を指し、Ｎは窒素を指し、Ｏは酸素を指し、Ｃは炭素を指す、等。）によって言及される場合があることを理解すべきである。
式（Ｒ１）ａＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３−ａ（式中、ａ＝０又は１であり；Ｒ１はＨ、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、又はハロゲンであり；Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ハロゲン、式ＯＲ’のアルコキシ基（Ｒ’はアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６））、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基（各Ｒ’’は独立にＨ、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルケニル基、又はＣ３−Ｃ１０のアリール基若しくはヘテロ環基である）である）のカルボシラン置換アミン前駆体を含有する、Ｓｉ含有膜形成用組成物が開示される。本開示の前駆体は、次の態様のうちの１つ以上を含んでいてもよい：
・ａ＝０；
・式がＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３である；
・Ｒ２＝Ｈ；
・式がＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））３である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨｔＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨＡｍ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）ある；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨｔＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨＡｍ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ３＝Ｈ；
・式がＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・ａ＝１；
・式がＲ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２である；
・式がＲ１Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２である；
・Ｒ１がＨである；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２；である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２；である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２である；
・式がＲ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体が（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体がｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・前駆体が（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）である；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０．１モル％〜約５０モル％のカルボシラン置換アミン前駆体を含有する；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約９３％ｗ／ｗ〜約１００％ｗ／ｗのカルボシラン置換アミン前駆体を含有する；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約９９％ｗ／ｗ〜約１００％ｗ／ｗのカルボシラン置換アミン前駆体を含有する；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０％ｗ／ｗ〜約５％ｗ／ｗのヘキサン、置換ヘキサン、ペンタン、置換ペンタン、ジメチルエーテル、又はアニソールを含有する；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物が約０ｐｐｍｗ〜２００ｐｐｍのＣｌを含有する；
・溶媒を更に含有する；
・溶媒が、Ｃ１−Ｃ１６の炭化水素、ＴＨＦ、ＤＭＯ、エーテル、ピリジン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
・溶媒がＣ１−Ｃ１６の炭化水素である；
・溶媒がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である；
・溶媒がシュウ酸ジメチル（ＤＭＯ）である；
・溶媒がエーテルである；
・溶媒がピリジンである；
・溶媒がエタノールである；又は
・溶媒がイソプロパノールである。
基板上へのＳｉ含有層の堆積方法も開示される。上で開示されたいずれかのＳｉ含有膜形成用組成物の蒸気は、中に基板が配置されているリアクターの中に導入される。カルボシラン置換アミン前駆体の少なくとも一部は、堆積方法を用いてＳｉ含有層を形成するために基板上に堆積される。開示される方法は、次の態様のうちの少なくとも１つ以上を含んでいてもよい：
・第２の前駆体を含有する蒸気をリアクターの中へ導入する；
・第２の前駆体が、２族、１３族、１４族、遷移金属、ランタニド、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される元素を含む；
・第２の前駆体の元素が、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、又はランタニドからなる群から選択される；
・リアクターの中に共反応物を導入する；
・共反応物が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、ＮＯ２、カルボン酸、これらのラジカル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される；
・共反応物がプラズマ処理された酸素である；
・共反応物がオゾンである；
・Ｓｉ含有層が酸化ケイ素層である；
・共反応物がＨ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、ヒドリドシラン（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２等）、クロロシラン及びクロロポリシラン（ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８等）、アルキルシラン（Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｅｔ２ＳｉＨ２、ＭｅＳｉＨ３、ＥｔＳｉＨ３等）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅ等）、有機アミン（ＮＭｅＨ２、ＮＥｔＨ２、ＮＭｅ２Ｈ、ＮＥｔ２Ｈ、ＮＭｅ３、ＮＥｔ３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ等）、ピラゾリン、ピリジン、Ｂ含有分子（Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノン、トリメチルホウ素、トリエチルホウ素、ボラジン等）、アルキル金属（トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等）、これらのラジカル種、及びこれらの混合物からなる群から選択される；
・共反応物がＨ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３これらの水素ラジカル種、及びこれらの混合物からなる群から選択される；
・共反応物がＨＣＤＳ又はＰＣＤＳである；
・蒸着法が化学蒸着法である；
・蒸着法が原子層堆積（ＡＬＤ）法である；
・蒸着法が空間的ＡＬＤ法である；
・蒸着法が化学蒸着法である；
・ケイ素含有層がＳｉである；
・ケイ素含有層がＳｉＯ２である；
・ケイ素含有層がＳｉＣである；
・ケイ素含有層がＳｉＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＯＮである；
・ケイ素含有層がＳｉＣＮである；及び
・ケイ素含有層がＳｉＣＯＨである。
基板上へのＳｉ含有膜の形成方法も開示される。上で開示された任意のＳｉ含有膜形成用組成物を含有する溶液は基板と接触させられ、Ｓｉ含有膜を形成するためのスピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、又はスリットコーティング法によってＳｉ含有膜が形成される。本開示の方法は、次の態様を含んでいてもよい：
・Ｓｉ含有膜形成用組成物がエタノールを含有する；
・Ｓｉ含有膜形成用組成物がイソプロパノールを含有する；
・Ｓｉ含有膜をスピンコーティング法により形成する；
・Ｓｉ含有膜をスプレーコーティング法により形成する；
・Ｓｉ含有膜をディップコーティング法により形成する；
・Ｓｉ含有膜をスリットコーティング法により形成する；
・Ｓｉ含有膜をアニーリングする；又は
・Ｓｉ含有膜をレーザー処理する。
本発明の本質及び目的を更に理解するために、添付の図面と組み合わせて以降の詳細な説明を参照すべきであり、これらの中では、同種の構成要素には同じ又は類似の参照番号が付与されている。
ｉＰｒＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２についての、温度変化に伴う重量損失割合を示す熱重量分析（ＴＧＡ）グラフである。 Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３についての、温度変化に伴う重量損失割合を示すＴＧＡグラフである。
カルボシラン置換アミン前駆体を含有する、Ｓｉ含有膜形成用組成物が開示される。カルボシラン置換アミン前駆体の合成方法及び半導体製造用のケイ素含有膜堆積のためのその使用方法も開示される。
本開示のカルボシラン置換アミン前駆体は、式（Ｒ１）ａＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３−ａを有しており、式中、ａ＝０又は１であり；Ｒ１はＨ、アルキル基（Ｃ１〜Ｃ６）、又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）であり；Ｒ２及び／又はＲ３は独立にＨ、ハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）、式ＯＲ’のアルコキシ基（Ｒ’はアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６））、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基（各Ｒ’’は独立にＨ、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルケニル基、又はＣ３−Ｃ１０のアリール基若しくはヘテロ環基である）である。
ａ＝０の場合、本開示のカルボシラン置換アミン前駆体は、次の式を有する：
Figure 2017529361
（式中、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）、アルコキシ基（ＯＲ’）（Ｒ’はアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６））、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基（各Ｒ’’は独立にＨ、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルケニル基、又はＣ３−Ｃ１０のアリール基若しくはヘテロ環基である）である）。アルキルアミノ基のＲ’’は、連結してＮ原子上に環状鎖を形成してもよい。例えば、ＮＲ’’２はピリジン、ピロール、ピロリジン、又はイミダゾール環構造を形成してもよい。各（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）基上の最少でも５個のＨは、改善された揮発性を与え得る。
ａ＝０かつＲ２及びＲ３＝Ｈの場合、カルボシラン置換アミン前駆体はＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である。
ａ＝０かつＲ２＝Ｈである典型的な前駆体としてはＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））３、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））３が挙げられる。
ａ＝０かつＲ３＝Ｈである典型的な前駆体としては、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ピリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ピロール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ピロリジン）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（イミダゾール）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、及びＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３が挙げられる。
本開示のカルボシラン置換アミン前駆体は、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３），Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２，Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２
（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨｔＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨＡｍ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨｔＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨＡｍ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２などの混合カルボシラン配位子も含んでいてもよい。本開示の混合配位子トリス（１，３−ジシラプロパン）アミン前駆体は、反応性と最小限の膜汚染の望ましい組み合わせを与え得る。
トリス（１，３−ジシラプロパン）アミン前駆体［Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３］は、非極性溶媒中、１−ハロ−１，３−ジシラプロパン、１，１−ジハロ−１，３−ジシラプロパン、又は１，３−ジハロ−１，３−ジシラプロパンを混合させる又は溶解させることによって、−７８℃〜２０℃の温度で合成することができる。１−ハロ−１，３−ジシラプロパンは、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．９２，１９７５ １６３−１６８に記載の通りに合成することができる。１，１−ジハロ−１，３−ジシラプロパン又は１，３−ジハロ−１，３−ジシラプロパンは、試薬の化学量論比を変化させることによって同じ方法に従い合成することができる。アンモニアを混合物にゆっくり添加するか、溶液に吹き込むことで、Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３化合物（式中、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）である）が形成される。
別の選択肢においては、前駆体Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３（式中、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）である）は、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３と；ｎＢｕ４ＰＣｌ、ｎＢｕ４ＮＣｌ等の不均化触媒又はジアルキルアミノ基を含む弱塩基性アニオン交換樹脂と；適切なＲｎＳｉＸ４−ｎ源（式中ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｈ又はアルキル基、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）と；から形成することができる。Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３はＮＨ３を１−Ｃｌ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３と反応させることによって合成することができ、これはＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．９２，１９７５ １６３−１６８に開示されている方法に従って合成することができる。
ジシラプロパン鎖上のハライド基（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）は、その後、必要に応じて置換することができる。例えば、ハライド基は、非極性溶媒中、温度（約−７８℃〜２０℃）で過剰の１級又は２級のアミン（ＮＨ２Ｒ又はＮＨＲ２）と反応させることによって、アミド基で置換することができ、その結果目的とする化合物を製造することができる。
あるいは、ハライド基は、非極性溶媒中、ピリジンなどの塩基の存在下、低温（約−７８℃〜２０℃）で適切なアルコールと反応させることによってアルコキシ基で置換することができ、その結果目的とする化合物を製造することができる。
別の選択肢においては、ジシラプロパン鎖上のハライド基（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）は、適切なリチウムアミドを用いて置換することができる。リチウムアミドは、エーテル又は任意の他の極性溶媒などの溶媒中、リチウムアミドを形成するために低温（約−７８℃〜２０℃）でアルキルリチウムと１級又は２級のアミン（ＮＨ２Ｒ又はＮＨＲ２）とを結合させることによって形成することができる。リチウムアミドは、単離されてＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）（式中、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）である）と反応することで望ましい化合物を形成することができる。あるいは、リチウムアミド溶液をＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）（式中、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）である）に添加して望ましい化合物を形成してもよい。
反応物は市販されており、またＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．９２，１９７５ １６３−１６８に従って合成することもできる。
ａ＝１の場合、本開示のカルボシラン置換アミン前駆体は、次の式を有する：
Figure 2017529361
（式中、Ｒ１はＨ、アルキル基、又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）であってもよく、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ、ハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）、アルコキシ基（ＯＲ’）（Ｒ’はアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６））、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基（各Ｒ’’は独立にＨ、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルケニル基、又はＣ３−Ｃ１０のアリール基若しくはヘテロ環基である）である）。アルキルアミノ基のＲ’’は、連結してＮ原子上に環状鎖を形成してもよい。例えば、ＮＲ’’２はピリジン、ピロール、ピロリジン、又はイミダゾール環構造を形成してもよい。
ａ＝１かつＲ１＝Ｈである典型的な前駆体としては、（Ｈ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、及びＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２が挙げられる。Ｎ−Ｈ結合はＮ−アルキル結合よりも反応性が高く、これによって基板又は共反応物に対する向上した反応性が付与され得る。
ａ＝１かつＲ１＝ハライドである典型的な前駆体としては、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、及び（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２が挙げられる。Ｎ−Ｘ結合（ＸはＣｌ、Ｂｒ、又はＩである）は、Ｎ−Ｈ結合又はＮ−アルキル結合よりも反応性が高く、これによって基板又は共反応物に対する向上した反応性が付与され得る。しかし、得られるＳｉ含有膜が任意のハライド不純物を有することが望ましくない場合もある。
ａ＝１であり、Ｒ１＝アルキルであり、かつＲ３＝Ｈである典型的な前駆体としては、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、 （Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２が挙げられる。Ｒ１基がアルキル基であることは、得られるＳｉ含有膜に少量の
炭素を取り込ませるために望ましい場合がある。
ａ＝１であり、Ｒ１＝アルキルであり、かつＲ２＝Ｈである典型的な前駆体としては、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピリジン））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロール））２
、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ピロリジン））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（イミダゾール））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、及び（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２が挙げられる。
本開示のカルボシラン置換アミン前駆体は、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、又は（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２
））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、及び（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）などの混合カルボシラン配位子も含んでいてもよい。本開示の混合配位子ビス（１，３−ジシラプロパン）アミン前駆体は、反応性と最小限の膜汚染の望ましい組み合わせを与え得る。
ビス（１，３−ジシラプロパン）アミン前駆体（Ｒ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２）は、非極性溶媒中、１−ハロ−１，３−ジシラプロパン、１，１−ジハロ−１，３−ジシラプロパン、又は１，３−ジハロ−１，３−ジシラプロパンを混合させる又は溶解させることによって、温度（−７８℃〜２０℃）で合成することができる。１−ハロ−１，３−ジシラプロパンは、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．９２，１９７５ １６３−１６８に記載の通りに合成することができる。１，１−ジハロ−１，３−ジシラプロパン、又は１，３−ジハロ−１，３−ジシラプロパンは、試薬の化学量論比を変化させることによって同じ方法に従い合成することができる。１級アミン（Ｒ１ＮＨ２）を混合物にゆっくり添加することで、Ｒ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２化合物（式中、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）である）が形成される。
あるいは、Ｒ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２前駆体（式中、Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）である）は、Ｒ１Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２と；ｎＢｕ４ＰＣｌ、ｎＢｕ４ＮＣｌ等の不均化触媒又はジアルキルアミノ基を含む弱塩基性アニオン交換樹脂と；適切なＲｎＳｉＸ４−ｎ源（ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｈ又はアルキル基、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）と；から形成することができる。Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３はＮＨ３を１−Ｃｌ−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３と反応させることによって合成することができ、これはＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．９２，１９７５ １６３−１６８に開示されている方法に従って合成することができる。
ジシラプロパン鎖上のハライド基（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）は、その後、必要に応じて置換することができる。
例えば、ハライド基は、非極性溶媒中、温度（約−７８℃〜２０℃）で過剰の１級又は２級のアミン（ＮＨ２Ｒ又はＮＨＲ２）と反応させることによって、アミド基で置換することができ、その結果目的とする化合物を製造することができる。
あるいは、ハライド基は、非極性溶媒中、ピリジンなどの塩基の存在下、低温（約−７８℃〜２０℃）で適切なアルコールと反応させることによってアルコキシ基で置換することができ、その結果目的とする化合物を製造することができる。
別の選択肢においては、ハライド基（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）は、適切なリチウムアミドを用いて置換することができる。リチウムアミドは、エーテル又は任意の他の極性溶媒などの溶媒中、リチウムアミドを形成するために約−７８℃〜２０℃の温度でアルキルリチウムと１級又は２級のアミン（ＮＨ２Ｒ又はＮＨＲ２）とを結合させることによって形成することができる。リチウムアミドは、単離されてＲ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２（式中、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）である）と反応することで望ましい化合物を形成することができる。あるいは、リチウムアミド溶液をＲ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２（式中、各Ｒ２及びＲ３は独立にＨ又はハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）である）に添加して望ましい化合物を形成してもよい。
ＸＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２前駆体（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）は、文献公知のクロロ化法を用いてＨＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２化合物から形成することができる。例えば、これに限定するものではないが、Ｗａｒｒｅｎ等のＮａｔｕｒｅ，５０８，２０１４，４０２−４０５及びその中の参考文献に従って、トルエン中、ＨＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２をハロゲン化試薬Ｎ−クロロ、ブロモ−、又はヨード−コハク酸イミドと０℃〜還流の範囲の温度で１〜１２時間反応させる。
反応物は市販されており、またＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．９２，１９７５ １６３−１６８に従って合成することもできる。
工程信頼性を確保するために、得られるＳｉ含有膜形成用組成物は、使用の前に、連続式又は分別回分式の蒸留又は昇華によって約９０％ｗ／ｗ〜約１００％ｗ／ｗ、好ましくは約９９％ｗ／ｗ〜約１００％ｗ／ｗの範囲の純度まで精製されてもよい。Ｓｉ含有膜形成用組成物は、次の不純物、すなわち望ましくない同族種；溶媒；塩化金属化合物；又は他の反応生成物；のうちのいずれかを含んでいる場合がある。好ましくは、これらの不純物の総量は０．１％ｗ／ｗ未満である。
精製された材料中の、ヘキサン、置換ヘキサン、ペンタン、置換ペンタン、ジメトキシエーテル、又はアニソールのそれぞれの濃度は、約０％ｗ／ｗ〜約５％ｗ／ｗ、好ましくは約０％ｗ／ｗ〜約０．１％ｗ／ｗの範囲とすることができる。溶媒は組成物の合成で使用される場合がある。組成物からの溶媒の分離は、両者が同程度の沸点を有する状況では困難な場合がある。混合物を冷却すると液体溶媒中で固体の前駆体が生成する場合があり、これは濾過によって分離することができる。前駆体生成物をそのおおよその分解点を超えて加熱しないという条件で、真空蒸留を用いることもできる。
ある実施形態では、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、５％ｖ／ｖ未満、好ましくは１％ｖ／ｖ未満、より好ましくは０．１％ｖ／ｖ未満、更に好ましくは０．０１％ｖ／ｖ未満しか任意のその望ましくない同族種、反応物、又は他の反応生成物を含まない。この実施形態は、より優れた工程再現性を付与することができる。この実施形態は、Ｓｉ含有膜形成用組成物の蒸留によって生み出すことができる。別の実施形態では、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、特には混合物が改善された工程パラメーターを与える場合、又は目的とする前駆体の単離が難しすぎるか費用がかかりすぎる場合、５％ｖ／ｖ〜５０％ｖ／ｖのカルボシラン置換アミン前駆体を含んでいてもよい。例えば、反応生成物の混合物がスピンオン又は蒸着に好適な、安定な液体混合物をもたらす場合がある。
Ｓｉ含有膜形成用組成物中の微量金属及び半金属の濃度は、それぞれ約０ｐｐｂ〜約１００ｐｐｂ、より好ましくは約０ｐｐｂ〜約１０ｐｐｂの範囲とすることができる。精製されたＳｉ含有膜形成用組成物中のＸ（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はＦ）の濃度は、約０ｐｐｍ〜約１００ｐｐｍ、より好ましくは約０ｐｐｍ〜約１０ｐｐｍの範囲とすることができる。
本開示のカルボシラン置換アミン前駆体の、蒸着法のための使用方法も開示される。本開示の方法は、ケイ素含有膜の堆積のためのＳｉ含有膜形成用組成物の使用を提供する。本開示の方法は、半導体、太陽光発電、ＬＣＤ−ＴＦＴ、又はフラットパネル型デバイスの製造において有用な場合がある。方法は、中に基板が配置されているリアクターの中に本開示のＳｉ含有膜形成用組成物の蒸気を導入することと、本開示のカルボシラン置換アミン前駆体の少なくとも一部を、堆積プロセスによって基板上に堆積させることでＳｉ含有層を形成することとを含む。
本開示の方法は、蒸着法を用いた基板上への二元金属含有層の形成も提供し、より具体的には、ＳｉＭＯｘ膜（ｘは０〜４であってもよく、ＭはＴａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、ランタニド（Ｅｒ等）、又はこれらの組み合わせである）の堆積も提供する。
基板上へのケイ素含有層形成についての本開示の方法は、半導体、太陽光発電、ＬＣＤ−ＴＦＴ、又はフラットパネル型デバイスの製造において有用な場合がある。本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、当該技術分野で公知の任意の蒸着法を用いてＳｉ含有膜を堆積することができる。好適な蒸着法の例としては、化学蒸着（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）が挙げられる。典型的なＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ、プラズマ促進ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、パルスＣＶＤ（ＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、準大気圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）、又は大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、流動性ＣＶＤ（ｆ−ＣＶＤ）、ホットワイヤーＣＶＤ（ＨＷＣＶＤ、ｃａｔ−ＣＶＤとしても知られており、この中でホットワイヤーは堆積プロセスのためのエネルギー源として機能する）、ラジカル組み込みＣＶＤ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。典型的なＡＬＤ法としては、熱ＡＬＤ、プラズマ促進ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、空間的隔離ＡＬＤ、ホットワイヤーＡＬＤ（ＨＷＡＬＤ）、ラジカル組み込みＡＬＤ、及びこれらの組み合わせが挙げられる。超臨界流体堆積法も使用することができる。適切な段差部の被覆性及び膜厚の制御性を付与するためには、堆積方法は好ましくはＡＬＤ、空間的ＡＬＤ、又はＰＥ−ＡＬＤである。
Ｓｉ含有膜形成用組成物の蒸気は、基板が入った反応チャンバーの中に導入される。反応チャンバー中の温度及び圧力、並びに基板の温度は、少なくとも一部のカルボシラン置換アミン前駆体の基板上への蒸着に好適な条件で保持される。つまり、チャンバー中に気化した組成物が導入された後、チャンバー中の条件は、少なくとも一部の気化した前駆体が基板上に堆積してケイ素含有膜を形成するようにされる。ケイ素含有層の形成を助けるために、共反応物を使用することもできる。
反応チャンバーは、平行平板型リアクター、コールドウォール型リアクター、ホットウォール型リアクター、シングルウエハーリアクター、マルチウエハーリアクター、又は堆積システムの他のそのような種類等の（ただしこれらに限定されない）、その中で堆積法が行われる装置の任意のエンクロージャー又はチャンバーとすることができる。全てのこれらの例示的な反応チャンバーが、ＡＬＤ反応チャンバーとしての役割を果たすことができる。反応チャンバーは、約０．５ｍＴｏｒｒ〜約２０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で維持することができる。更に、反応チャンバー内の温度は、約２０℃〜約６００℃の範囲であってもよい。当業者であれば、望ましい結果を得るための単純な実験によって温度を最適化できることを認識するであろう。
リアクターの温度は、基板ホルダーの温度を制御するか、リアクター壁の温度を制御することによって制御することができる。基板の加熱に用いられる装置は当該技術分野で公知である。リアクター壁は、目的とする膜を十分な成長速度並びに望ましい物理状態及び組成で得るのに十分な温度まで加熱される。リアクター壁が加熱され得る非限定的な例示的な温度範囲には、約２０℃〜約６００℃が含まれる。プラズマ堆積法を利用する場合、堆積温度は約２０℃〜約５５０℃の範囲とすることができる。あるいは、熱的プロセスを行う場合、堆積温度は約３００℃〜約６００℃の範囲とすることができる。
また、基板は目的とするケイ素含有膜を十分な成長速度並びに望ましい物理状態及び組成で得るのに十分な温度まで加熱することができる。基板を加熱することができる非限定的な例示的な温度範囲には１５０℃〜６００℃が含まれる。好ましくは、基板の温度は５００℃以下に保たれる。
ケイ素含有膜を上に堆積させる基板の種類は、意図される最終用途に応じて様々であろう。基板は一般的に、その上で処理が行われる材料として定義される。基板は半導体、太陽光発電、フラットパネル、又はＬＣＤ−ＴＦＴデバイスの製造で使用される任意の好適な基板であってもよい。好適な基板の例としては、ケイ素、シリカ、ガラス、Ｇｅ、又はＧａＡｓウエハー等のウエハーが挙げられる。ウエハーは、その前の製造工程でその上に堆積された、異なる材料の１つ以上の層を有していてもよい。例えば、ウエハーはケイ素層（結晶性、非晶質、多孔質等）、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＣＯＨ）層、又はこれらの組み合わせを含んでいてもよい。更に、ウエハーは、銅層、タングステン層、又は金属層（例えば白金、パラジウム、ニッケル、ロジウム、又は金）を含んでいてもよい。ウエハーは、マンガン、酸化マンガン、タンタル、窒化タンタル等の障壁層を含んでいてもよい。ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］などのプラスチック層も使用することができる。層は平坦であってもパターン化されていてもよい。いくつかの実施形態では、基板は、例えばＣＨｘ（ｘは０より大きい（例えばｘ≦４））などの水素化炭素で作られているパターン化されたフォトレジスト膜であってもよい。いくつかの実施形態では、基板は、ＭＩＭ、ＤＲＡＭ、若しくはＦｅＲａｍ技術において誘電材料として使用される酸化物（例えば、ＺｒＯ２を主体とする材料、ＨｆＯ２を主体とする材料、ＴｉＯ２を主体とする材料、希土類酸化物を主体とする材料、三元酸化物を主体とする材料等）の層、又は、銅とｌｏｗ−ｋ層との間の酸素障壁として使用される窒化物を主体とする膜（例えばＴａＮ）由来の層を含んでいてもよい。本開示の方法によって、ケイ素含有層をウエハー上に直接、又はウエハー上部の１つ以上の層上に直接（パターン化された層が基板を形成する場合）堆積することができる。更に、当業者であれば、本明細書で使用される用語「膜」又は「層」が表面上に配置された又は広がるある材料の厚さを指し、表面がトレンチ又はラインであってもよいことを認識するであろう。本明細書及び請求項全体を通して、ウエハー及びその上の任意の関連する層は基板とみなされる。使用される実際の基板は、使用される特定の前駆体の実施形態に依存してもよい。しかし、多くの実例においては、使用される好ましい基板は、水素化炭素、ＴｉＮ、ＳＲＯ、Ｒｕ、及びＳｉ型の基板（ポリシリコン又は結晶シリコン基板等）から選択されるであろう。
基板は、高アスペクト比を有するビア又はトレンチを含むようにパターン化されていてもよい。例えば、任意のＡＬＤ技術を用いて、約２０：１〜約１００：１の範囲のアスペクト比を有するシリコン貫通電極（ＴＳＶ）上に、コンフォーマルなＳｉＯ２などのＳｉ含有膜を堆積させることができる。
Ｓｉ含有膜形成用組成物は、純粋な形態で供給されてもよく、あるいはトルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン、オクタン、ヘキサン、ペンタン、第３級アミン、アセトン、テトラヒドロフラン、エタノール、エチルメチルケトン、１，４−ジオキサン、又は他のものなどの蒸着に好適な溶媒とのブレンド物として供給されてもよい。あるいは、Ｓｉ含有膜形成用組成物は、水、エタノール、イソプロパノール、ナフサ、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ｎ−メチルイソブチルケトン（ＮＭＩＢＫ）、又はこれらの組み合わせなどの、流延成膜に好適な溶媒を含んでいてもよい。当業者であれば、流延成膜溶液がｐＨ調整剤又は界面活性剤を更に含んでいてもよいことを認識するであろう。本開示の前駆体は、溶媒中に様々な濃度で存在していてもよい。例えば、蒸着溶液の出来上がりの濃度は、約０．０５Ｍ〜約２Ｍの範囲であってもよい。当業者であれば、流延成膜溶液のモル濃度が必要とする膜の厚さに正比例し、それに従ってモル濃度を調整し得ることを認識するであろう。
蒸着に関し、純粋な又はブレンドされたＳｉ含有膜形成用組成物は、管類及び／又は流量計などの従来の手段によって蒸気の形態でリアクターに導入される。蒸気の形態の組成物は、直接気化や蒸留などの従来の気化工程によって、吹き込みによって、又はＸｕらの国際公開第２００９／０８７６０９号パンフレットに開示されているもののような昇華装置を使用することによって、純粋な又はブレンドされた組成物を気化させることで製造することができる。純粋な又はブレンドされた組成物は液体状態で気化装置に供給され、そこで気化した後、それがリアクターに導入されてもよい。あるいは、純粋な又はブレンドされた組成物は、前駆体が入った容器の中にキャリアガスを通すことによって、又は前駆体の中にキャリアガスを吹き込むことによって、気化させることができる。キャリアガスとしては、これらに限定するものではないが、Ａｒ、Ｈｅ、又はＮ２、及びこれらの混合物を挙げることができる。キャリアガスを用いた吹き込みは、純粋な又はブレンドされた組成物中に存在する全ての溶存酸素を除去することもできる。その後、キャリアガス及び前駆体は蒸気としてリアクターの中に導入される。
必要に応じて、Ｓｉ含有膜形成用組成物がその液相であり、かつ十分な蒸気圧を有することが可能な温度まで容器を加熱してもよい。容器は例えば０℃〜１５０℃の範囲の温度に維持することができる。気化したＳｉ含有膜形成用組成物の量を制御するために、容器の温度を公知の方法で調整してもよいことが当業者に認識される。
本開示の組成物に加えて、反応ガスもリアクターの中に導入されてもよい。反応ガスは、Ｏ２；Ｏ３；Ｈ２Ｏ；Ｈ２Ｏ２；Ｏ・又はＯＨ・などの酸素含有ラジカル；ＮＯ；ＮＯ２；ギ酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸；ＮＯ、ＮＯ２、又はカルボン酸のラジカル種；パラホルムアルデヒド；及びこれらの混合物のうちの１つなどの酸化剤であってもよい。好ましくは、酸化剤は、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ・又はＯＨ・などの酸素含有ラジカル、及びこれらの混合物からなる群から選択される。好ましくは、ＡＬＤ法が行われる場合、共反応物はプラズマ処理された酸素、オゾン、又はこれらの組み合わせである。酸化ガスが使用される場合、得られるケイ素含有膜も酸素を含むであろう。
あるいは、反応ガスは、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、ヒドロシラン（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２等）、クロロシラン及びクロロポリシラン（ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳＩＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８等）、アルキルシラン（（ＣＨ３）２ＳｉＨ２、（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＨ２、（ＣＨ３）ＳｉＨ３、（Ｃ２Ｈ５）ＳｉＨ３等）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅ等）、有機アミン（Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２、Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ、Ｎ（ＣＨ３）３、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ等）、ピラゾリン、ピリジン、Ｂ含有分子（Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノン、トリメチルホウ素、トリエチルホウ素、ボラジン等）、アルキル金属（トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等）、これらのラジカル種、並びにこれらの混合物のうちの１つなどの還元剤であってもよい。好ましくは、還元剤はＨ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、これらの水素ラジカル、又はこれらの混合物である。還元剤が使用される場合、得られるケイ素含有膜は純粋なＳｉである場合がある。
反応ガスをそのラジカル形態に分解するために、反応ガスをプラズマによって処理してもよい。プラズマで処理する場合、還元剤としてＮ２も使用することができる。例えば、プラズマは、約５０Ｗ〜約５００Ｗ、好ましくは約１００Ｗ〜約２００Ｗの範囲の出力で発生させてもよい。プラズマはリアクター自体の中で発生させてもよいし、その中に存在させてもよい。あるいは、プラズマは、例えば遠くに配置されたプラズマ装置中などのリアクターから離れた位置に通常存在していてもよい。当業者であれば、そのようなプラズマ処理に適切な方法及び装置を認識するであろう。
必要とされるケイ素含有膜が、例えばＴａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、ランタニド（Ｅｒ等）、又はこれらの組み合わせなど（これらに限定されない）の別の元素も含む場合、共反応物は、これらに限定するものではないが、Ｌｎ（ＲＣｐ）３又はＣｏ（ＲＣｐ）２などのアルキル、Ｎｂ（Ｃｐ）（ＮｔＢｕ）（ＮＭｅ２）３などのアミン、及びこれらの任意の組み合わせから選択される前駆体を含んでいてもよい。
本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、ヘキサクロロジシラン、ペンタクロロジシラン、又はテトラクロロジシラン、又はオクタクロロトリシランなどの、ハロシラン又はポリハロジシラン又はポリハロトリシラン、及び、ＰＣＴ公開番号第２０１１／１２３７９２号パンフレット（この内容全体は本明細書に援用される）に開示されているようなＳｉＮ膜又はＳｉＣＮ膜を形成するための１種以上の共反応物ガスと共に使用してもよい。
Ｓｉ含有膜形成用組成物及び１種以上の共反応物は、反応チャンバーの中へ同時に（化学蒸着）、逐次的に（原子層堆積）、又は他の組み合わせで導入されてもよい。例えば、Ｓｉ含有膜形成用組成物が１つのパルスで導入され、２種類の追加的な金属源が別のパルスで一緒に導入されてもよい［改良型原子層堆積］。あるいは、Ｓｉ含有膜形成用組成物の導入の前に、反応チャンバーに共反応物を予め入れておいてもよい。共反応物は、反応チャンバーの中に位置するか離れて位置するプラズマ装置を通過し、ラジカルへと分解することができる。あるいは、他の金属源がパルスによって導入される一方で、Ｓｉ含有膜形成用組成物が連続的に反応チャンバーの中へ導入されてもよい（パルス化学蒸着）。各例において、導入される過剰量の成分を取り除くためにパルスの後にパージ工程又は真空排気工程が行われてもよい。各例において、パルスは約０．０１秒〜約１０秒、又は約０．３秒〜約３秒、又は約０．５秒〜約２秒の範囲の時間継続されてもよい。別の選択肢においては、Ｓｉ含有膜形成用組成物及び１種以上の共反応物はシャワーヘッドから同時に噴霧されてもよく、その下でサセプターが保持している複数のウエハーが回転される（空間的ＡＬＤ）。
ある非限定的な典型的な原子層堆積型のプロセスにおいては、Ｓｉ含有膜形成用組成物の気相は反応チャンバーへ導入され、そこで適切な基板と接触させられる。その後、過剰の組成物は、反応チャンバーをパージ及び／又は真空排気することによって、反応チャンバーから取り除くことができる。酸素源は、吸収されたカルボシラン置換アミン前駆体と自己制限的にこれが反応する場所である、反応チャンバーの中に導入される。全ての過剰の酸素源は、反応チャンバーをパージ及び／又は真空排気することによって、反応チャンバーから取り除かれる。目的とする膜が酸化ケイ素膜である場合には、この２工程プロセスによって望ましい膜厚を付与することができ、または必要な厚さを有する膜が得られるまで繰り返すこともできる。
あるいは、目的とする膜がケイ素金属／半金属酸化物膜（すなわちＳｉＭＯｘ（ｘは０〜４であってもよく、ＭはＴａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、ランタニド（Ｅｒ等））、又はこれらの組み合わせ）である場合には、上述の２工程プロセスの後、金属−又は半金属−含有前駆体の第２の蒸気を反応チャンバーの中に導入することができる。金属−又は半金属−含有前駆体は、堆積させるケイ素金属／半金属酸化物膜の性質に基づいて選択されるであろう。反応チャンバーの中への導入後、金属−又は半金属−含有前駆体は基板と接触させられる。全ての過剰な金属−又は半金属−含有前駆体は、反応チャンバーをパージ及び／又は真空排気することによって、反応チャンバーから取り除かれる。ここでも酸素源を反応チャンバーの中に導入して金属−又は半金属−含有前駆体と反応させてもよい。過剰の酸素源は、反応チャンバーをパージ及び／又は真空排気することによって、反応チャンバーから取り除かれる。必要とされる膜厚が得られた場合は、プロセスを終了することができる。しかし、より厚い膜が望まれる場合には、４工程プロセス全体を繰り返してもよい。Ｓｉ含有膜形成用組成物、金属−又は半金属−含有前駆体、及び酸素源の供給を交代で行うことで、望ましい組成及び厚さの膜を堆積させることができる。
更に、パルスの数を変化させることによって、望ましい化学量論のＭ：Ｓｉ比を有する膜を得ることができる。例えば、ＳｉＭＯ２膜は、Ｓｉ含有膜形成用組成物の１回のパルスと、金属−又は半金属−含有前駆体の１回のパルスとを用い、各パルスの後に酸素源のパルスを行うことによって得ることができる。しかしながら、望ましい膜を得るために必要とされるパルスの数は、得られる膜の化学量論比と一致しない場合があることが当業者に認識されるであろう。
別の選択肢においては、Ｓｉ膜又は緻密なＳｉＣＮ膜は、本開示の組成物と、式ＳｉａＨ２ａ＋２−ｂＸｂ（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、ａ＝１〜６であり、ｂ＝１〜（２ａ＋２）である）のハロシラン化合物又は式−ＳｉｃＨ２ｃ−ｄＸｄ−（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、ｃ＝３〜８であり、ｄ＝１〜２ｃである）の環状ハロシラン化合物とを用いて、ＡＬＤ法又は改良型ＡＬＤ法によって堆積させることができる。好ましくは、ハロシラン化合物は、トリクロロシラン、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤＳ）、ペンタクロロジシラン（ＰＣＤＳ）、テトラクロロジシラン、又はヘキサクロロシクロヘキサシランである。Ｓｉ−Ｘ結合中のより低い結合エネルギーのため、低い堆積温度が必要とされる場合には、これらの化合物中のＣｌは、Ｂｒ又はＩで置換できることを当業者であれば認識するであろう（すなわち、Ｓｉ−Ｃｌ＝４５６ｋＪ／ｍｏｌ；Ｓｉ−Ｂｒ＝３４３ｋＪ／ｍｏｌ；Ｓｉ−Ｉ＝３３９ｋＪ／ｍｏｌ）。必要であれば、堆積にはＮＨ３などのＮ含有共反応物を更に利用してもよい。本開示のＳｉ含有膜形成用組成物及びハロシラン化合物の蒸気は、最終的な膜に必要とされる濃度に応じて、リアクターの中に逐次的に導入されてもよいし、同時に導入されてもよい。前駆体注入のための選択される順序は、目標とされる望ましい膜組成に基づいて決定されるであろう。前駆体導入工程は、堆積された層が適切な厚さになるまで繰り返してもよい。当業者であれば、空間的ＡＬＤ装置を使用する場合、導入パルスは同時であってもよいことを認識するであろう。国際特許出願公開第２０１１／１２３７９２号パンフレットに記載のように、ＳｉＣＮ膜中の炭素と窒素の量を調整するために、前駆体導入の順序は変更してもよく、また堆積はＮＨ３共反応物ありで行ってもなしで行ってもよい。
また更に別の選択肢においては、ケイ素含有膜は、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物と、ラジカル窒素含有共反応物又はラジカル酸素含有共反応物を使用して、米国特許出願公開第２０１４／００５１２６４号明細書に記載されている流動性ＰＥＣＶＤ法によって堆積させてもよい。それぞれＮＨ３又はＨ２Ｏなどのラジカル窒素含有共反応物又はラジカル酸素含有共反応物は、リモートプラズマ装置中で発生させられる。ラジカル共反応物及び本開示の組成物の気相は、反応チャンバーの中に導入され、ここでこれらは反応して基板上に最初は流動性である膜を堆積する。出願人らは、本開示の化合物の窒素原子が堆積膜の流動性を更に向上させ、その結果膜のボイドがより少なくなると考えている。
スピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法などの流延成膜法における本開示のカルボシラン置換アミン前駆体の使用方法も開示される。本開示の方法は、ケイ素含有膜の堆積のためのＳｉ含有膜形成用組成物の使用を提供する。本開示の方法は、半導体、太陽光発電、ＬＣＤ−ＴＦＴ、又はフラットパネル型デバイスの製造において有用であり得る。方法は、リアクター中の基板上に、液体形態の本開示のＳｉ含有膜形成用組成物を塗布することと、基板上にＳｉ含有層を形成することとを含む。上で論じたように、液体形態の本開示のＳｉ含有薄膜は、カルボシラン置換アミン前駆体の純溶液であってもよいし、前駆体と、溶媒及び任意選択的なｐＨ調整剤又は界面活性剤との混合物であってもよい。液体形態の本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、基板の中心に直接塗布されてもよいし、噴霧によって基板全体に塗布されてもよい。基板の中心に直接塗布される場合、組成物を基板全体にわたって均一に分布させる目的で遠心力を利用するために基板を回転させてもよい。あるいは、基板をＳｉ含有膜形成用組成物の中に浸漬させてもよい。得られる膜は、全ての溶媒及び膜の揮発性成分を蒸発させるための時間、室温で乾燥させてもよい。乾燥工程の間、膜の加水分解反応を促進させるために基板の上に霧状の水を噴霧してもよい。
Ｓｉ含有膜形成用組成物中の本開示のカルボシラン置換アミン前駆体は、カルボシラン含有ポリマー合成用のモノマーとして有用であり得る。Ｓｉ含有膜形成用組成物は、パターニング可能な膜のための、又は反射防止膜のための、スピンオン誘電膜用配合物を形成するために使用することができる。例えば、本開示のＳｉ含有膜形成用組成物は、溶媒の中に入れられて膜形成のために基板に塗布されてもよい。必要であれば、基板全体にわたってＳｉ含有膜形成用組成物を均一に分布させるために基板を回転させてもよい。当業者であれば、基板の回転が必要か否かについてはＳｉ含有膜形成用組成物の粘度が影響することを認識するであろう。得られた膜は、アルゴン、ヘリウム、若しくは窒素などの不活性ガス下で、及び／又は減圧下で、加熱されてもよい。あるいは、得られた膜に対して電子ビーム照射又は紫外線照射を行ってもよい。本開示のカルボシラン置換アミン前駆体の１１〜１８個の加水分解可能な基（すなわち、直接のＳｉ−Ｎ又はＳｉ−Ｈ又はＳｉ−Ｘ結合）は、得られるポリマーの結合性を高めるために有用であり得る。
上で論じた方法により得られるケイ素含有膜は、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯＨ、ｐＳｉＣＯＨ、又はＭＳｉＯｘ（ＭはＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ又はＧｅなどの元素であり、ｘは当然Ｍの酸化状態に応じて０〜４であってもよい）を含んでいてもよい。当業者であれば、適切なＳｉ含有膜形成用組成物と共反応物の賢明な選択をすることによって望ましい膜組成が得られることを認識するであろう。
目的の膜厚が得られた後、膜に対し、熱アニーリング、炉アニーリング、急速熱アニーリング、ＵＶ硬化、電子線硬化、及び／又はプラズマガス曝露などの更なる処理を行ってもよい。当業者は、これらの追加的な処理工程を行うために利用される装置及び方法を認識している。例えば、ケイ素含有膜は、不活性雰囲気下、Ｈ含有雰囲気下、Ｎ含有雰囲気下、Ｏ含有雰囲気下、又はこれらの組み合わせの下、約０．１秒〜約７２００秒の範囲の時間、約２００℃〜約１０００℃の範囲の温度に曝露してもよい。最も好ましくは、温度は、Ｈ含有雰囲気下、３６００秒未満で６００℃である。得られる膜は、より少ない不純物しか含まない場合があり、その結果向上した性能特性を有し得る。アニーリング工程は、堆積プロセスが行われるのと同じ反応チャンバー中で行ってもよい。あるいは、基板を反応チャンバーから取り出し、アニーリング／フラッシュアニーリング工程を別の装置の中で行ってもよい。上述の後処理方法のいずれも、特には熱アニーリングが、ケイ素含有膜の炭素汚染及び窒素汚染を低減するのに効果的であることが見出された。
以降の非限定的な実施例は、本発明の実施形態をより詳しく説明するために与えられている。しかしながら、実施例は網羅的であることは意図されておらず、また本明細書に記載の発明の範囲を限定することを意図するものではない。
実施例１：ｉＰｒＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２の合成
ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ｉＰｒＮＨ２＋ｉＰｒ２ＥｔＮ→ｉＰｒＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２
２リットルの３口フラスコに、−７８℃（ドライアイス／アセトン）のコンデンサーを装着し、これにペンタン（２５０ｍＬ）を入れ、−７８℃まで冷却した。ｉＰｒＮＨ２（１４．７ｇ、０．２４８ｍｏｌ）及びｉＰｒ２ＥｔＮ（６４ｇ、０．４９７ｍｏｌ）をフラスコに添加した。１−クロロ−１，３−ジシラプロパン（５３．３ｇ、０．４８ｍｏｌ）を約１時間かけてゆっくり滴下した。透明な液体中での白色固体の生成が観察された。添加が完了した後、懸濁液を激しく撹拌しながらゆっくり室温に戻した。終夜撹拌を継続した。反応混合物をミディアムフリットガラスフィルターを通して濾過し、固体を追加のペンタンで洗浄した。減圧下で溶媒を除去することで濁った液体を得た。
その後、得られた濾液をショートパスカラムを用いて蒸留した。最終生成物は２２℃／１７０ｍＴｏｒｒで無色液体として蒸留した。収量：７ｇ（１４％）。
最終生成物ＮＭＲのＮＭＲは、４００ＭＨｚの装置で集めた。ｉＰｒＮ（−ＳｉＨ２ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｃ６Ｄ６中：１Ｈ ＮＭＲ：δ−０．１５（ｓｅｘｔ．４Ｈ，−ＣＨ２−），１．０７（ｄ，６Ｈ，３．６９，ＪＨＨ＝６．５Ｈｚ，−ＣＨＭｅ２），３．０７（ｍｕｌｔ．，１Ｈ，−ＣＨＭｅ２），３．７０（ｔ，６Ｈ，ＪＨＨ＝４．５Ｈｚ，−ＳｉＨ３），４．５７（ｔ，４Ｈ，ＪＨＨ＝４Ｈｚ，−ＳｉＨ２−）；２９ＳｉＮＭＲ：δ−２７．１，−６５．２４。開放式（ｏｃ）条件での熱重量分析（ＴＧＡ）では、１％ｗ／ｗ未満の残留物が生成する。密閉式（ｃｃ）でのＴＧＡでは２％ｗ／ｗ未満の残留物が生成する。図１参照。
実施例２：ＨＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２の合成
ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→ＨＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２
ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３（５３．６ｇ）の１．２１Ｍ溶液を、トルエン中、−１５℃で調製した。混合物を＋５℃まで温め、混合物の中へＮＨ３（１１．５ｇ）を約１．５時間かけてゆっくり吹き込んだ。反応混合物は自然に温まるようにした。添加後、混合物を室温（約２３℃）で０．５時間撹拌し、その後ＧＣ用の試料採取をした。ＧＣは、単一の生成物ＮＨＤＳＰ２のみを示す。ＧＣは、９．０３２分の保持時間の生成物だけでなく、溶媒と反応物のピークも示した。
実施例３：Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３の合成
ＣｌＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３＋ＮＨ３→Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３
−７８℃（ドライアイス／アセトン）のコンデンサーを備えた５００ｍＬの３口フラスコに乾燥ペンタン（１００ｍＬ）及び１−クロロ−１，３−ジシラプロパン（１５ｇ、０．１３５ｍｏｌ）を入れ、０℃まで冷却した。気相のアンモニアをフラスコの中に凝縮させた（２．５ｇ、０．１４７ｍｏｌ）。最初に少量の発煙が観察され、その後透明な液体中での多量の白色固体の生成が観察された。懸濁液を激しく撹拌しながらゆっくり室温に戻した。撹拌を室温で約６０分継続した。反応混合物をミディアムフリットガラスフィルターを通して濾過し、固体を追加の乾燥ペンタン１００ｍＬで洗浄することで、透明な無色の液体を得た。溶媒と高揮発性成分は、大気圧下、３２〜３７℃でショートパスカラムを用いて除去される。最終生成物は、２６℃〜３６℃／４０〜４５ｍＴｏｒｒでショートパスカラムを用いて無色液体として蒸留される。収量：４．３ｇ（５０％）。
最終生成物ＮＭＲのＮＭＲは、４００ＭＨｚの装置で集めた。Ｎ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｃ６Ｄ６中：１Ｈ ＮＭＲ：δ−０．１６（ｓｅｘｔ．６Ｈ，−ＣＨ２−），３．６９（ｔ，９Ｈ，ＪＨＨ＝４．５Ｈｚ，−ＳｉＨ３），４．６０（ｔ，６Ｈ，ＪＨＨ＝４Ｈｚ，−ＳｉＨ２−）；２９Ｓｉ ＮＭＲ：δ−２１．６，−６５．２３。開放式（ｏｃ）及び密閉式（ｃｃ）条件での熱重量分析（ＴＧＡ）では、１％ｗ／ｗ未満の残留物が生成する。図２参照。
本発明の本質を説明するために本明細書において記載及び説明がなされた詳細、材料、工程、及び要素の配置における数多くの追加的な変更が、添付の請求項中に表現されている本発明の原理及び範囲内で当業者によってなされ得ることが理解されるであろう。したがって、本発明は上で示した実施例及び／又は添付の図面の中の特定の実施形態に限定することは意図されていない。

Claims (14)

  1. 式（Ｒ１）ａＮ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３−ａ（式中、ａ＝０又は１であり；Ｒ１はＨ、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、又はハロゲンであり；Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ハロゲン、式ＯＲ’のアルコキシ基（Ｒ’はアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６））、又は式ＮＲ’’２のアルキルアミノ基（各Ｒ’’は独立にＨ、Ｃ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６のアルケニル基、又はＣ３−Ｃ１０のアリール基若しくはヘテロ環基である）である）を有するカルボシラン置換アミン前駆体を含有する、Ｓｉ含有膜形成用組成物。
  2. ａ＝０であり、前記カルボシラン置換アミン前駆体が式Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）３を有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  3. 前記カルボシラン置換アミン前駆体が、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））３、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨｔＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨＡｍ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｔＢｕ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３
    ）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨｔＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＡｍ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨＡｍ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙペンチル２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｎヘキシル２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＣｙＨｅｘ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｎＰｒＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＨ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｎＰｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＰｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｉＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯｔＢｕ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＡｍ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、及びＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｏヘキシル））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２からなる群から選択される、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  4. 前記カルボシラン置換アミン前駆体が、Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＡｍ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙペンチル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２
    、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｎヘキシル２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＣｙＨｅｘ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｎＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｎＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＰｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｉＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯｔＢｕ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＡｍ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、及びＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｏヘキシル）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２からなる群から選択される、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  5. 前記カルボシラン置換アミン前駆体がＮ（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）３である、請求項２に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  6. ａ＝１であり、前記カルボシラン置換アミン前駆体が式Ｒ１Ｎ（−ＳｉＨＲ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２Ｒ３）２を有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  7. 前記カルボシラン置換アミン前駆体が、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＨ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅＥｔ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＥｔＨ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮｉＰｒＨ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２
    −ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））２、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｃｌ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｂｒ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（Ｉ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＨ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＮＭｅ２））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３），ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＭｅ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、及び（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２（ＯＥｔ））（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）からなる群から選択される、請求項６に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  8. 前記カルボシラン置換アミン前駆体が、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｈ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＥｔＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｉＰｒＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮｔＢｕＨ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミ
    ル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｂｒ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（Ｉ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＨ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＮＭｅ２）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＭｅ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＨＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＭｅＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ＥｔＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、ｉＰｒＮ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｃｌ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、（Ｂｒ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）、及び（Ｉ）Ｎ（Ｓｉ（Ｈ）（ＯＥｔ）−ＣＨ２−ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２−ＣＨ２ＳｉＨ３）からなる群から選択される、請求項６に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  9. 前記カルボシラン置換アミン前駆体が、ＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｍｅ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｅｔ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｎＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＰｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｉＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ｔＢｕ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（アミル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（ヘキシル）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｂｒ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、（Ｃｌ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２、及び（Ｉ）Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２からなる群から選択される、請求項６に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
  10. Ｓｉ含有層を基板上に堆積させる方法であって、
    中に基板が配置されているリアクターの中に請求項１〜９のいずれか１項に記載のＳｉ含有膜形成用組成物の蒸気を導入することと、
    前記カルボシラン置換アミン前駆体の少なくとも一部を、蒸着法を用いて基板上に堆積させることでＳｉ含有層を形成することと、
    を含む方法。
  11. 共反応物を前記リアクターの中に導入することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記蒸着法が化学蒸着法である、請求項１０に記載の方法。
  13. 前記蒸着法が原子層堆積（ＡＬＤ）法である、請求項１０に記載の方法。
  14. 基板上へのＳｉ含有膜の形成方法であって、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＳｉ含有膜形成用組成物を含有する溶液を形成することと、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、又はスリットコーティング法によって前記溶液を前記基板と接触させることによりＳｉ含有膜を形成することと、を含む方法。
JP2017515206A 2014-09-23 2015-09-23 Ｓｉ含有膜堆積用カルボシラン置換アミン前駆体及びその方法 Active JP6578353B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462054198P 2014-09-23 2014-09-23
US62/054,198 2014-09-23
PCT/US2015/051678 WO2016049154A1 (en) 2014-09-23 2015-09-23 Carbosilane substituted amine precursors for deposition of si-containing films and methods thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017529361A true JP2017529361A (ja) 2017-10-05
JP6578353B2 JP6578353B2 (ja) 2019-09-18

Family

ID=55581940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017515206A Active JP6578353B2 (ja) 2014-09-23 2015-09-23 Ｓｉ含有膜堆積用カルボシラン置換アミン前駆体及びその方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9969756B2 (ja)
JP (1) JP6578353B2 (ja)
KR (1) KR102398827B1 (ja)
CN (1) CN107002236B (ja)
WO (1) WO2016049154A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023508367A (ja) * 2019-12-31 2023-03-02 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ポリカルボシラザンを使用してｌｏｗ－ｋ誘電体ケイ素含有膜を形成するための硬化性配合物

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10453675B2 (en) * 2013-09-20 2019-10-22 Versum Materials Us, Llc Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
TWI706957B (zh) * 2015-03-30 2020-10-11 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 碳矽烷與氨、胺類及脒類之觸媒去氫耦合
KR20180005221A (ko) * 2015-05-22 2018-01-15 다우 코닝 코포레이션 펜타클로로실란
JP6803368B2 (ja) * 2015-07-09 2020-12-23 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード アルキルアミノ置換ハロカルボシラン前駆体
TWI753794B (zh) * 2016-03-23 2022-01-21 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 形成含矽膜之組成物及其製法與用途
US20180187303A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Lanthanide precursors and deposition of lanthanide-containing films using the same
KR20180110612A (ko) 2017-03-29 2018-10-10 (주)디엔에프 비스(아미노실릴)알킬아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
WO2018182309A1 (en) * 2017-03-29 2018-10-04 Dnf Co., Ltd. Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same
WO2018182318A1 (en) * 2017-03-29 2018-10-04 Dnf Co., Ltd. Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same
KR102548405B1 (ko) * 2017-04-20 2023-06-28 (주)디엔에프 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
KR102190532B1 (ko) * 2017-11-22 2020-12-15 (주)디엔에프 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
US20220220132A1 (en) * 2020-12-29 2022-07-14 American Air Liquide, Inc. Organosilane precursors for ald/cvd/sod of silicon-containing film applications
WO2023211027A1 (ko) * 2022-04-25 2023-11-02 엠케미칼 주식회사 실리콘 전구체 화합물 및 이의 제조방법, 실리콘 전구체 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01100181A (ja) * 1987-09-11 1989-04-18 Dow Corning Corp ポリアルコキシシリルアルキレンジシラザン及びその製法
JP2014132653A (ja) * 2012-12-11 2014-07-17 Air Products And Chemicals Inc アルコキシシリルアミン化合物及びその応用
US20150087139A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-26 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
JP2015164917A (ja) * 2014-02-28 2015-09-17 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機アミノシランおよびその製造方法
JP2018511585A (ja) * 2015-03-30 2018-04-26 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード アンモニア、アミンおよびアミジンによるカルボシランの触媒的脱水素カップリング

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764642B2 (ja) 1986-06-13 1995-07-12 東燃株式会社 窒化物系セラミツクスの製法
US6841256B2 (en) 1999-06-07 2005-01-11 Honeywell International Inc. Low dielectric constant polyorganosilicon materials generated from polycarbosilanes
US6489030B1 (en) 2000-04-14 2002-12-03 Honeywell International, Inc. Low dielectric constant films used as copper diffusion barrier
JP4196246B2 (ja) 2000-11-17 2008-12-17 株式会社トリケミカル研究所 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP4358492B2 (ja) 2002-09-25 2009-11-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
US6940173B2 (en) 2003-01-29 2005-09-06 International Business Machines Corporation Interconnect structures incorporating low-k dielectric barrier films
US7098150B2 (en) 2004-03-05 2006-08-29 Air Liquide America L.P. Method for novel deposition of high-k MSiON dielectric films
US20060012014A1 (en) 2004-07-15 2006-01-19 International Business Machines Corporation Reliability of low-k dielectric devices with energy dissipative layer
US7358317B2 (en) 2004-09-22 2008-04-15 Jsr Corporation Polycarbosilane and method of producing the same
JP4756128B2 (ja) 2004-10-20 2011-08-24 日揮触媒化成株式会社 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜
ES2265291B1 (es) * 2005-07-22 2008-03-01 Universidad De Alcala Nuevos dendrimeros carbosilanos, su preparacion y sus usos.
US20080124815A1 (en) 2006-11-03 2008-05-29 International Business Machines Corporation Method for post cap ild/imd repair with uv irradiation
US20090096106A1 (en) 2007-10-12 2009-04-16 Air Products And Chemicals, Inc. Antireflective coatings
US8765899B2 (en) * 2007-11-06 2014-07-01 Braggone Oy Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings
JP5317089B2 (ja) 2008-01-23 2013-10-16 独立行政法人物質・材料研究機構 成膜方法および絶縁膜
US8993072B2 (en) * 2011-09-27 2015-03-31 Air Products And Chemicals, Inc. Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
US9978585B2 (en) * 2012-06-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same
US9243324B2 (en) 2012-07-30 2016-01-26 Air Products And Chemicals, Inc. Methods of forming non-oxygen containing silicon-based films
KR101583232B1 (ko) 2012-12-31 2016-01-07 제일모직 주식회사 중합체 제조 방법 및 실리카계 절연막 형성용 조성물
US9796739B2 (en) 2013-06-26 2017-10-24 Versum Materials Us, Llc AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same
US10023958B2 (en) * 2013-11-22 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of films comprising silicon, carbon and nitrogen using halogenated silicon precursors
CN103881101A (zh) 2014-03-18 2014-06-25 天津大学 一种碳氮化硅陶瓷用聚碳硅氮烷前驱体及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01100181A (ja) * 1987-09-11 1989-04-18 Dow Corning Corp ポリアルコキシシリルアルキレンジシラザン及びその製法
JP2014132653A (ja) * 2012-12-11 2014-07-17 Air Products And Chemicals Inc アルコキシシリルアミン化合物及びその応用
US20150087139A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-26 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
JP2015096489A (ja) * 2013-09-20 2015-05-21 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法
JP2015164917A (ja) * 2014-02-28 2015-09-17 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機アミノシランおよびその製造方法
JP2018511585A (ja) * 2015-03-30 2018-04-26 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード アンモニア、アミンおよびアミジンによるカルボシランの触媒的脱水素カップリング

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023508367A (ja) * 2019-12-31 2023-03-02 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ポリカルボシラザンを使用してｌｏｗ－ｋ誘電体ケイ素含有膜を形成するための硬化性配合物
JP7470794B2 (ja) 2019-12-31 2024-04-18 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ポリカルボシラザンを使用してｌｏｗ－ｋ誘電体ケイ素含有膜を形成するための硬化性配合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN107002236B (zh) 2019-04-05
KR102398827B1 (ko) 2022-05-16
JP6578353B2 (ja) 2019-09-18
WO2016049154A1 (en) 2016-03-31
CN107002236A (zh) 2017-08-01
KR20170058957A (ko) 2017-05-29
US20170291915A1 (en) 2017-10-12
US9969756B2 (en) 2018-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6578353B2 (ja) Ｓｉ含有膜堆積用カルボシラン置換アミン前駆体及びその方法
JP6242026B2 (ja) Ａｌｄ／ｃｖｄシリコン含有膜用のオルガノシラン前駆体
US9822132B2 (en) Hexacoordinate silicon-containing precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
JP6803368B2 (ja) アルキルアミノ置換ハロカルボシラン前駆体
US20200339610A1 (en) Alkylamino-substituted carbosilane precursors
JP2018511585A (ja) アンモニア、アミンおよびアミジンによるカルボシランの触媒的脱水素カップリング
US11407922B2 (en) Si-containing film forming compositions and methods of making and using the same
US9382268B1 (en) Sulfur containing organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
KR102461078B1 (ko) Ａｌｄ/ｃｖｄ 규소-함유 필름 응용을 위한 오르가노디실란 전구체
US20220220132A1 (en) Organosilane precursors for ald/cvd/sod of silicon-containing film applications

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20170404

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170405

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180910

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190820

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190826

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6578353

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250