JP2017513233A - 基板の複数の接触開口をパターニングする方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 基板をパターニングする方法であって、
目標層、該目標層の上に位置するパターン転写層及び該パターン転写層の上に位置する第1のフォトレジスト層を有する基板を受け取るステップであって、前記第1のフォトレジスト層はトポグラフィックパターンを定義する第1のパターニングされた層であり、前記第1のフォトレジスト層は溶解度変化剤を含む、ステップと、
前記第1のパターニングされた層の上に第2のフォトレジスト層を堆積するステップと、
前記第1のパターニングされた層内で生成された光酸が前記第2のフォトレジスト層の第1の部分に拡散するようにし、それによって前記第2のフォトレジスト層の前記第1の部分の溶解度を変化させるステップと、
前記第2のフォトレジスト層の前記第1の部分が除去された結果、前記第2のフォトレジスト層と前記第1のフォトレジスト層がともに第2のパターニングされた層を定義するように、前記第2のフォトレジスト層を現像するステップと、
第1のエッチングプロセスにより、前記第2のパターニングされた層を前記パターン転写層に転写し、前記第1のフォトレジスト層及び前記第2のフォトレジスト層を除去した結果、前記パターン転写層が第3のパターニングされた層を定義するようにするステップと、
を含む方法。 - 前記第3のパターニングされた層の上に平坦化層を堆積し、それによって前記第3のパターニングされた層内の定義された開口を埋めるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記平坦化層は、反射防止コーティングを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記平坦化層は、有機材料を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記平坦化層の上に第3のフォトレジスト層を堆積し、前記第3のフォトレジスト層がトポグラフィックパターンを定義する第4のパターニングされた層となるように、曝されたパターンを現像するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 第2のエッチングプロセスを実行するステップをさらに含み、該第2のエッチングプロセスは、前記第4のパターニングされた層によって曝された前記平坦化層の部分をエッチングし、前記第2のエッチングプロセスは、前記パターン転写層の曝された部分を実質的にエッチングすることなく、前記平坦化層の曝された前記部分をエッチングする化学物質を使用する、請求項5に記載の方法。
- 前記化学物質は、シリコン含有材料を実質的にエッチングすることなく、有機材料をエッチングするように選択される、請求項6に記載の方法。
- 前記第3のパターニングされた層の曝された部分を前記目標層に転写するステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第2のフォトレジスト層の前記第1の部分の溶解度を変化させるステップは、前記光酸が、前記第2のフォトレジスト層内に所定の距離だけ拡散するようにする、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のフォトレジスト層の前記第1の部分の溶解度を変化させるステップは、前記第1のパターニングされた層を加熱するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のパターニングされた層を加熱するステップは、前記溶解度変化剤が前記第1のパターニングされた層内に光酸を生成するようになる第1の所定の温度まで加熱するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1のパターニングされた層を加熱するステップは、前記第1のパターニングされた層内の架橋結合剤が前記第1のパターニングされた層を変化させるようになる第2の所定の温度まで加熱し、それによって前記第1のパターニングされた層が特定のレジスト現像剤によってはそれ以上溶解しないようにするステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記溶解度変化剤が前記第1のパターニングされた層内に光酸を生成するように、前記第2のフォトレジスト層を堆積する前に、前記溶解度変化剤を活性化するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記溶解度変化剤を活性化するステップは、前記基板を加熱するステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記基板を加熱するステップは、伝導加熱、対流加熱、レーザの使用、及び電磁放射の印加を含む群から選択された加熱プロセスを使用するステップを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記溶解度変化剤を活性化するステップは、前記第1のパターニングされた層が特定の現像剤によってはそれ以上溶解しないように、前記第1のパターニングされた層を固くするステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記溶解度変化剤は、光酸発生剤である、請求項1に記載の方法。
- ある閾値温度よりも高温に前記溶解度変化剤を加熱することにより光酸を発生させるという点で、温度活性化される、請求項17に記載の方法。
- 前記パターン転写層は、シリコン、オキシ窒化物シリコン(SiON)、有機材料、非有機材料、及びアモルファスカーボンを含む群から選択される材料を含む、請求項1に記載の方法。
- パターン転写層は、反射防止材料を含む、請求項19に記載の方法。
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