JP2017510791A - 多チャネルウェハ裏面検査 - Google Patents
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Abstract
Description
Δd=d−d’
Claims (22)
- 多チャネル焦点制御によってウェハの裏面を検査するシステムであって、
第1ウェハ位置に配置可能な第1検査サブシステムと、追加のウェハ位置に配置可能な少なくとも1つの追加検査サブシステムとを含む複数の検査サブシステムを含み、
前記第1検査サブシステムは、第1光学アセンブリと、第1アクチュエータアセンブリと、第1位置センサーとを含み、前記第1光学アセンブリは前記第1アクチュエータアセンブリに設けられ、前記第1位置センサーは前記第1光学アセンブリの一部分と前記ウェハの前記裏面との間の位置特性を検知するように構成され、
前記少なくとも1つの追加検査サブシステムは、少なくとも1つの追加光学アセンブリと、少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリと、少なくとも1つの追加位置センサーとを含み、前記少なくとも1つの追加光学アセンブリは前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリに設けられ、前記追加位置センサーは前記少なくとも1つの追加光学アセンブリの一部分と前記ウェハの前記裏面との間の位置特性を感知するように構成され、
前記システムは制御器を更に含み、
前記制御器は、前記第1アクチュエータアセンブリと、前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリと、前記第1位置センサーと、前記少なくとも1つの追加位置センサーとに通信可能に接続され、前記制御器はプログラム指令を実行し、1つまたは複数のプロセッサーに
前記ウェハの前記裏面に対する1つまたは複数のウェハプロファイルマップを取得させ、
前記取得した1つまたは複数のウェハプロファイルマップに基づき、前記第1検査サブシステムの第1焦点位置と、前記少なくとも1つの追加検査サブシステムの少なくとも1つの追加焦点位置との少なくとも一方を調節させる、
ことを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記1つまたは複数のウェハプロファイルマップを取得するステップは、
前記1つまたは複数のウェハプロファイルマップを生成するように前記ウェハの前記裏面に対してプレマッピング処理を実行するステップを含むことを特徴とするシステム。 - 請求項2に記載のシステムであって、前記1つまたは複数のウェハプロファイルマップを取得する前記ステップは、
前記第1位置センサーと前記少なくとも1つの追加位置センサーとの少なくとも一方によって、前記1つまたは複数のウェハプロファイルマップを生成するように前記ウェハの前記裏面に対してプレマップ処理を実行することを特徴とするシステム。 - 請求項3に記載のシステムであって、前記第1位置センサーと前記少なくとも1つの追加位置センサーとの少なくとも一方によって前記1つまたは複数のウェハプロファイルマップを生成するように前記ウェハの前記裏面に対してプレマップ処理を実行するステップは、
選択されたウェハ検査処理の前に、前記ウェハの前記裏面をスキャンするため、前記第1位置センサーと前記少なくとも1つの追加位置センサーとの少なくとも一方によって前記ウェハの前記裏面の複数の位置に渡る複数の位置特性値を取得するステップと、
前記取得した複数の位置特性値によって前記1つまたは複数のウェハプロファイルマップを生成するステップと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項2に記載のシステムであって、前記1つまたは複数のウェハプロファイルマップを取得するステップは、
選択されたウェハ検査処理の前に、前記ウェハの前記裏面に対する1つまたは複数のウェハプロファイルマップをウェハ形状測定システムから取得するステップを含むことを特徴とするシステム。 - 請求項5に記載のシステムであって、前記ウェハ形状測定システムは、
光学ベースのウェハ形状測定システムと、近接ベースのウェハ形状測定システムと、インダクタンスベースのウェハ形状測定システムと、空気圧ベースのウェハ形状測定システムとの内の少なくとも1つを含むことを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記取得した1つまたは複数のウェハプロファイルマップに基づき、前記第1検査サブシステムの第1焦点位置と、前記少なくとも1つの追加検査サブシステムの少なくとも1つの追加焦点位置との少なくとも一方を調節するステップは、
前記第1位置センサーと前記少なくとも1つの追加位置センサーとの少なくとも一方から1つまたは複数の位置特性測定値を取得するステップと、
前記第1位置センサーから取得した前記1つまたは複数の位置特性測定値を前記取得した1つまたは複数のウェハプロファイルマップと比較することによって、前記ウェハの前記裏面と前記第1光学アセンブリの前記一部分との間の第1焦点ずれ量を求めるステップと、
前記少なくとも1つの追加位置センサーから取得した前記1つまたは複数の位置特性測定値を前記取得した1つまたは複数のウェハプロファイルマップと比較することによって、前記ウェハの前記裏面と前記少なくとも1つの追加光学アセンブリの前記一部分との間の追加焦点ずれ量を求めるステップと、
前記求めた第1焦点ずれ量を補正するように前記第1アクチュエータアセンブリに前記第1焦点位置を調節するように指令するステップと、
前記求めた追加焦点ずれ量を補正するように前記少なくとも1つのアクチュエータアセンブリに前記少なくとも1つの追加焦点位置を調節するように指令するステップと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記第1光学アセンブリと前記少なくとも1つの追加光学アセンブリとの少なくとも一方は、
光源と、
前記光源から焦点への光の焦点を合わせるように構成された少なくとも1つの対物レンズを含む光学系と、
前記ウェハから反射または拡散される光を検出するように構成された検出器と、
前記ウェハの面からの光を集光し、前記集光した光を前記検出器に向けるように構成された集光系と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記第1アクチュエータアセンブリと、前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリとの少なくとも一方は、
アクチュエータ台と、
前記アクチュエータ台に機械的に接続され、前記アクチュエータ台を選択的に移動するように構成されたアクチュエータと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記第1位置センサーと前記少なくとも1つの追加位置センサーは、前記ウェハの同一面側に配置されることを特徴とするシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記第1位置センサーは前記ウェハの第1面側に配置され、前記少なくとも1つの位置センサーは前記ウェハの前記第1面側とは逆の前記ウェハの第2面側に配置されることを特徴とするシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記ウェハは、
半導体ウェハを含むことを特徴とするシステム。 - 多チャネル焦点制御によってウェハの裏面を検査するシステムであって、
第1検査サブシステムと少なくとも1つの追加検査サブシステムとを含む複数の検査サブシステムを含み、
前記第1検査サブシステムは、第1光学アセンブリと、第1アクチュエータアセンブリとを含み、前記第1光学アセンブリは前記第1アクチュエータアセンブリに設けられ、
前記少なくとも1つの追加検査サブシステムは、少なくとも1つの追加光学アセンブリと、少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリとを含み、前記少なくとも1つの追加光学アセンブリは前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリに設けられ、
前記システムは、
前記ウェハの前記裏面の少なくとも一部分の位置を測定するように構成されたウェハ形状測定システムと、
制御器とを更に含み、
前記制御器は、前記第1アクチュエータアセンブリと、前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリと、前記ウェハ形状測定システムとに通信可能に接続され、前記制御器はプログラム指令を実行し、1つまたは複数のプロセッサーに
ウェハ形状データを前記ウェハ形状測定システムから取得させ、
前記第1検査サブシステムと、前記少なくとも1つの検査サブシステムとの少なくとも一方に少なくとも対応する前記ウェハの前記裏面の少なくとも一部分の前記測定位置を前記ウェハ形状測定システムから取得させ、
前記第1検査サブシステムの第1焦点位置と、前記少なくとも1つの追加検査サブシステムの追加焦点位置との少なくとも一方を前記取得したウェハ形状データと前記ウェハの前記裏面の少なくとも前記一部分の前記取得した測定位置とに基づき調節させる、
ことを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、前記第1光学アセンブリと前記少なくとも1つの追加光学アセンブリとの少なくとも一方は、
光源と、
前記光源から焦点への光の焦点を合わせるように構成された少なくとも1つの対物レンズを含む光学系と、
前記ウェハから反射または拡散される光を検出するように構成された検出器と、
前記ウェハの面からの光を集光し、前記集光した光を前記検出器に向けるように構成された集光系と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、前記第1アクチュエータアセンブリと、前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリとの少なくとも一方は、
アクチュエータ台と、
前記アクチュエータ台に機械的に接続され、前記アクチュエータ台を選択的に移動するように構成されたアクチュエータと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、前記ウェハ形状測定システムは、
光学ベースのウェハ形状測定システムと、近接ベースのウェハ形状測定システムと、インダクタンスベースのウェハ形状測定システムと、空気圧ベースのウェハ形状測定システムとの内の少なくとも1つを含むことを特徴とするシステム。 - 多チャネル焦点制御によってウェハの裏面を検査するシステムであって、
第1検査サブシステムと、少なくとも1つの追加検査サブシステムとを含む複数の検査サブシステムを含み、
前記第1検査サブシステムは、第1光学アセンブリと、第1アクチュエータアセンブリと、第1焦点測定装置とを含み、前記第1光学アセンブリは前記第1アクチュエータアセンブリに設けられ、前記第1焦点測定装置は前記第1検査サブシステムからの光の焦点を測定するように構成され、
前記少なくとも1つの追加検査サブシステムは、少なくとも1つの追加光学アセンブリと、少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリと、追加焦点測定装置とを含み、前記少なくとも1つの追加光学アセンブリは前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリに設けられ、前記追加焦点測定装置は前記少なくとも1つの追加検査サブシステムからの光の焦点を測定するように構成され、
前記システムは制御器を更に含み、
前記制御器は、前記第1アクチュエータアセンブリと、前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリと、前記第1位置センサーと、前記少なくとも1つの追加位置センサーとに通信可能に接続され、前記制御器はプログラム指令を実行し、1つまたは複数のプロセッサーに
前記第1検査サブシステムからの光の測定された第1焦点を取得させ、
前記少なくとも1つの追加検査サブシステムからの光の少なくとも1つの追加焦点を取得させ、
前記測定した第1焦点と測定した少なくとも1つの追加焦点との少なくとも一方に基づき、前記第1検査サブシステムの第1焦点位置と、前記少なくとも1つの追加検査サブシステムの少なくとも1つの追加焦点位置との少なくとも一方を調節させる、
ことを特徴とするシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記第1光学アセンブリと前記少なくとも1つの追加光学アセンブリとの少なくとも一方は、
光源と、
前記光源から焦点への光の焦点を合わせるように構成された少なくとも1つの対物レンズを含む光学系と、
前記ウェハから反射または拡散される光を検出するように構成された検出器と、
前記ウェハの面からの光を集光し、前記集光した光を前記検出器に向けるように構成された集光系と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記第1アクチュエータアセンブリと、前記少なくとも1つの追加アクチュエータアセンブリとの少なくとも一方は、
アクチュエータ台と、
前記アクチュエータ台に機械的に接続され、前記アクチュエータ台を選択的に移動するように構成されたアクチュエータと、
を含むことを特徴とするシステム。 - ウェハの裏面検査中に多チャネル焦点制御する方法であって、
前記ウェハの前記裏面に対する1つまたは複数のウェハプロファイルマップを取得するステップと、
第1検査サブシステムの第1光学アセンブリの一部分と前記ウェハの前記裏面との間の第1位置特性を測定するステップと、
第2検査サブシステムの第2光学アセンブリの一部分と前記ウェハの前記裏面との間の第2位置特性を測定するステップと、
前記第1位置特性を前記取得した1つまたは複数のウェハプロファイルマップと比較することによって、前記ウェハの前記裏面と前記第1光学アセンブリの前記一部分との間の第1焦点ずれ量を求めるステップと、
前記第2位置特性を前記取得した1つまたは複数のウェハプロファイルマップと比較することによって、前記ウェハの前記裏面と前記第2光学アセンブリの前記一部分との間の第2焦点ずれ量を求めるステップと、
前記求めた第1焦点ずれ量を補正するように前記第1検査サブシステムの第1焦点位置を調節するステップと、
前記求めた第2焦点ずれ量を補正するように前記第2検査サブシステムの第2焦点位置を調節するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - ウェハの裏面検査中に多チャネル焦点制御する方法であって、
少なくとも1つの第1検査サブシステムの第1ウェハ位置または少なくとも1つの追加検査サブシステムの第2ウェハ位置に少なくとも対応するウェハ形状データを取得するステップと、
前記第1検査サブシステムの第1光学アセンブリの一部分と前記ウェハの前記裏面との間の第1位置特性を測定するステップと、
第2検査サブシステムの第2光学アセンブリの一部分と前記ウェハの前記裏面との間の第2位置特性を測定するステップと、
前記第1位置特性を前記第1ウェハ位置に対応する前記ウェハ形状データのプロファイル値と比較することによって、前記ウェハの前記裏面と前記第1光学アセンブリの前記一部分との間の第1焦点ずれ量を求めるステップと、
前記第2位置特性を前記第2ウェハ位置に対応する前記ウェハ形状データのプロファイル値と比較することによって、前記ウェハの前記裏面と前記第2光学アセンブリの前記一部分との間の第2焦点ずれ量を求めるステップと、
前記求めた第1焦点ずれ量を補正するように前記第1検査サブシステムの第1焦点位置を調節するステップと、
前記求めた第2焦点ずれ量を補正するように前記第2検査サブシステムの第2焦点位置を調節するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - ウェハの裏面検査中に多チャネル焦点制御する方法であって、
第1ウェハ位置にある第1検査サブシステムから前記ウェハの前記裏面に向けられた光の第1焦点を測定するステップと、
第2ウェハ位置にある第2検査サブシステムから前記ウェハの前記裏面に向けられた光の第2焦点を測定するステップと、
前記第1ウェハ位置での前記測定された第1焦点に基づいて前記第1検査サブシステムの第1焦点位置を調節するステップと、
前記第2ウェハ位置での前記測定された第2焦点に基づいて前記第2検査サブシステムの第2焦点位置を調節するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9752992B2 (en) * | 2014-03-25 | 2017-09-05 | Kla-Tencor Corporation | Variable image field curvature for object inspection |
US10014228B2 (en) * | 2014-11-24 | 2018-07-03 | Rudolph Technologies, Inc. | Method and apparatus to assist the processing of deformed substrates |
CN107195571A (zh) * | 2017-07-03 | 2017-09-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种侦测系统 |
US11441893B2 (en) * | 2018-04-27 | 2022-09-13 | Kla Corporation | Multi-spot analysis system with multiple optical probes |
JP7060687B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2022-04-26 | 株式会社日立ハイテク | ウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
EP3705945A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-09 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for estimating substrate shape |
US11581692B2 (en) * | 2019-06-18 | 2023-02-14 | KLA Corp. | Controlling pressure in a cavity of a light source |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6269149A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ異物検査装置 |
JPH08304049A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Sanwa Musen Sokki Kenkyusho:Kk | レーザ表面計測装置 |
JP2001133416A (ja) * | 1999-05-24 | 2001-05-18 | Nova Measuring Instr Ltd | 光学検査システムおよび方法 |
JP2002513204A (ja) * | 1998-04-30 | 2002-05-08 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 半導体ウェーハを検査するシステム及び方法 |
JP2003004643A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 自動追尾カメラ |
JP2005236296A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Asml Netherlands Bv | フィードフォワード焦点制御を有するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US20070114358A1 (en) * | 2003-07-18 | 2007-05-24 | Cory Watkins | Dynamic focusing method and appartus |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4319270A (en) * | 1979-01-12 | 1982-03-09 | Kobe Steel, Ltd. | Surface inspection system for hot radiant material |
JPS58153327A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
EP0435057A1 (en) * | 1989-12-20 | 1991-07-03 | Nitto Denko Corporation | A wafer shape detecting method |
US6294793B1 (en) * | 1992-12-03 | 2001-09-25 | Brown & Sharpe Surface Inspection Systems, Inc. | High speed optical inspection apparatus for a transparent disk using gaussian distribution analysis and method therefor |
US5963315A (en) | 1997-08-18 | 1999-10-05 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
US6204917B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-03-20 | Kla-Tencor Corporation | Backside contamination inspection device |
JP2001082925A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Sony Corp | 紫外光の焦点位置制御機構及び方法、並びに、検査装置及び方法 |
KR100314131B1 (ko) * | 1999-10-16 | 2001-11-15 | 윤종용 | 도전성 패턴 결함을 선택적으로 검사하는 웨이퍼 검사시스템 및 그 검사방법 |
JP2001134760A (ja) | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Sony Corp | 紫外光の焦点位置制御機構及び検査装置 |
JP2001332595A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Sony Corp | 焦点合わせ制御機構及びこれを用いた検査装置 |
US20040144760A1 (en) | 2002-05-17 | 2004-07-29 | Cahill Steven P. | Method and system for marking a workpiece such as a semiconductor wafer and laser marker for use therein |
US6710868B2 (en) * | 2002-05-22 | 2004-03-23 | Applied Materials, Inc. | Optical inspection system with dual detection heads |
US20040207836A1 (en) | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
JP4265206B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2009-05-20 | 株式会社 東北テクノアーチ | 非接触導電率測定システム |
JP2004233163A (ja) | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
US20060243711A1 (en) | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Robert Paradis | System and method for aligning a wafer processing system in a laser marking system |
EP1742362B1 (en) * | 2005-07-01 | 2009-04-01 | Senstronic, S.A. | Inductive presence, proximity or position sensor |
US7354779B2 (en) * | 2006-03-10 | 2008-04-08 | International Business Machines Corporation | Topography compensated film application methods |
US20090122304A1 (en) * | 2006-05-02 | 2009-05-14 | Accretech Usa, Inc. | Apparatus and Method for Wafer Edge Exclusion Measurement |
US7508504B2 (en) | 2006-05-02 | 2009-03-24 | Accretech Usa, Inc. | Automatic wafer edge inspection and review system |
KR20080015363A (ko) | 2006-08-14 | 2008-02-19 | 야마하 가부시키가이샤 | 웨이퍼 및 반도체 소자의 검사 방법 및 장치 |
US7571422B2 (en) * | 2006-09-21 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for generating a design rule map having spatially varying overlay budget |
US7629798B2 (en) * | 2007-05-25 | 2009-12-08 | Kla-Tencor Corporation | Wafer edge-defect detection and capacitive probe therefor |
DE102007035519B4 (de) | 2007-07-26 | 2011-12-08 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zur Korrektur der aufgrund der Durchbiegung eines Substrats bedingten Messwerte |
JP5241245B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-07-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置及び検査方法 |
US7919760B2 (en) | 2008-12-09 | 2011-04-05 | Hermes-Microvision, Inc. | Operation stage for wafer edge inspection and review |
JP5665784B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2015-02-04 | 株式会社東芝 | フォトマスクおよびパターン形成方法 |
US9239295B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-01-19 | Kla-Tencor Corp. | Variable polarization wafer inspection |
US9939386B2 (en) | 2012-04-12 | 2018-04-10 | KLA—Tencor Corporation | Systems and methods for sample inspection and review |
-
2014
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6269149A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ異物検査装置 |
JPH08304049A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Sanwa Musen Sokki Kenkyusho:Kk | レーザ表面計測装置 |
JP2002513204A (ja) * | 1998-04-30 | 2002-05-08 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 半導体ウェーハを検査するシステム及び方法 |
JP2001133416A (ja) * | 1999-05-24 | 2001-05-18 | Nova Measuring Instr Ltd | 光学検査システムおよび方法 |
JP2003004643A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 自動追尾カメラ |
US20070114358A1 (en) * | 2003-07-18 | 2007-05-24 | Cory Watkins | Dynamic focusing method and appartus |
JP2005236296A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Asml Netherlands Bv | フィードフォワード焦点制御を有するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
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