JPS58153327A - パタ−ン検査装置 - Google Patents
パタ−ン検査装置Info
- Publication number
- JPS58153327A JPS58153327A JP57035260A JP3526082A JPS58153327A JP S58153327 A JPS58153327 A JP S58153327A JP 57035260 A JP57035260 A JP 57035260A JP 3526082 A JP3526082 A JP 3526082A JP S58153327 A JPS58153327 A JP S58153327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- sensor
- objective lens
- control circuit
- line sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はパターン検査装置に関し、特にフォトマスク
等の基板上に描かれたノ（ターンの位置ずれの検出と該
パターンの図形の認識とを同時に一つの光学系を以て行
うことのできる）；ターン検査装置に関するものである
。
等の基板上に描かれたノ（ターンの位置ずれの検出と該
パターンの図形の認識とを同時に一つの光学系を以て行
うことのできる）；ターン検査装置に関するものである
。
リングラフィ技術の進展に伴ってフォトマスクに対する
要求精度も増々厳しいものとなっている。
要求精度も増々厳しいものとなっている。
フォトマスクの精度とは換信ずれば、フォトマスク上の
パターンの精度であり、このノくターン精度は該パター
ンを平面上に投影した時に、パターン正射影が設計パタ
ーンとどの程度まで一致しているかＫかかつている。一
般にフォトマスク上のパターン精度はフォトマスク平面
の平坦度と密接な関係があり、フォトマスク表面に凹凸
やうねりがあると、パターンの正射影が設計パターンと
異なったものとなり、その結果、半導体ウェハ上に転写
されるパターンに欠陥が生じることＫなる。
パターンの精度であり、このノくターン精度は該パター
ンを平面上に投影した時に、パターン正射影が設計パタ
ーンとどの程度まで一致しているかＫかかつている。一
般にフォトマスク上のパターン精度はフォトマスク平面
の平坦度と密接な関係があり、フォトマスク表面に凹凸
やうねりがあると、パターンの正射影が設計パターンと
異なったものとなり、その結果、半導体ウェハ上に転写
されるパターンに欠陥が生じることＫなる。
通常、フォトマスクの検査に於ては、フォトマスク上の
パターンを光学的に撮影し。た偉を所定の基準値と比較
して欠陥を検出するが、この場合にもフォトマスク表面
の平坦度はパターン映像の精度に大きな影響を与える。
パターンを光学的に撮影し。た偉を所定の基準値と比較
して欠陥を検出するが、この場合にもフォトマスク表面
の平坦度はパターン映像の精度に大きな影響を与える。
即ち、フォトマスク表面にうねり中凹凸があると、パタ
ーン撮影像に位置ずれが生じたり、フォトマスク検査装
置の光学系の焦点が該パターンに一致せず像が埋ける等
の現象が生じる。従来、フォトマスク上のパターンを検
査するパターン検査装置（マスク検査装置）として、フ
ォトマスク表面の平坦度もしくはマスク上のパターンの
位置ずれを検出する検出器を備えるとともに該検出器の
出力に応じて作動する焦点自動補正機構を備えたものが
あり、この公知の検査装置は、パターンの工、ジもしく
は線分を検出するためのラインセンサを備えるとともに
該ラインセンサの光学系の焦点距離を補正するためにマ
スク表面の平坦度を検出するエアマイクロ式位置ずれ検
出センサを備えていた。
ーン撮影像に位置ずれが生じたり、フォトマスク検査装
置の光学系の焦点が該パターンに一致せず像が埋ける等
の現象が生じる。従来、フォトマスク上のパターンを検
査するパターン検査装置（マスク検査装置）として、フ
ォトマスク表面の平坦度もしくはマスク上のパターンの
位置ずれを検出する検出器を備えるとともに該検出器の
出力に応じて作動する焦点自動補正機構を備えたものが
あり、この公知の検査装置は、パターンの工、ジもしく
は線分を検出するためのラインセンサを備えるとともに
該ラインセンサの光学系の焦点距離を補正するためにマ
スク表面の平坦度を検出するエアマイクロ式位置ずれ検
出センサを備えていた。
前記の公知の検査装置ではマスク表面の平坦度もしくは
パターンの位置ずれを検出するためのセンサがエアマイ
クロ式のものであったため、（ａ）圧縮空気源が必要で
あること、（ｂ）検出精度や応答速度が低いこと、など
の問題点がある他ｅｅ）空気源を含めた検査装置全体の
体積及び占有面積が太きどなる、という問題点があった
。
パターンの位置ずれを検出するためのセンサがエアマイ
クロ式のものであったため、（ａ）圧縮空気源が必要で
あること、（ｂ）検出精度や応答速度が低いこと、など
の問題点がある他ｅｅ）空気源を含めた検査装置全体の
体積及び占有面積が太きどなる、という問題点があった
。
この発明の目的は前記問題点を解決し、圧縮空気源等が
不要であり、検出精度及び応答速度が高く、且つ全体積
を小型化することができる等の利点を備えたパターン検
査装置を提供することである。
不要であり、検出精度及び応答速度が高く、且つ全体積
を小型化することができる等の利点を備えたパターン検
査装置を提供することである。
この発明によるパターン検査装置に於ては、パターン検
出のための対物レンズの焦点位置に第一のラインセンサ
を設備するとともに該焦点位置の前後に各々互に等距離
ずつ焦点位置から離れて第二及び第三のラインセンサを
設置して、これらのラインセンサに接続されたパルス発
生回路の各々から生じたパルスをそれぞれ微分回路に印
加し、該微分回路の出力信号を相互に比較することによ
りパターンの位置ずれ又はマスク等の平坦度の異常を検
出するとともに、該焦点位置に設置した第一のラインセ
ンサの出力に基いてパターン解析もしくは図形認識を行
うことを特徴とする。すなわち、この発明によるパター
ン検査装置に於ては、マスク等の基板の平坦度もしくは
それに基因するパターンの位置ずれは従来のパターン認
識系に組み込んだセンサを介して光学的及び電子的に検
出されるため、従来装置Ｋ〈らべて検出精度及び応答速
度が高く、且つ装置全体が小型になる等の利点が得られ
る。
出のための対物レンズの焦点位置に第一のラインセンサ
を設備するとともに該焦点位置の前後に各々互に等距離
ずつ焦点位置から離れて第二及び第三のラインセンサを
設置して、これらのラインセンサに接続されたパルス発
生回路の各々から生じたパルスをそれぞれ微分回路に印
加し、該微分回路の出力信号を相互に比較することによ
りパターンの位置ずれ又はマスク等の平坦度の異常を検
出するとともに、該焦点位置に設置した第一のラインセ
ンサの出力に基いてパターン解析もしくは図形認識を行
うことを特徴とする。すなわち、この発明によるパター
ン検査装置に於ては、マスク等の基板の平坦度もしくは
それに基因するパターンの位置ずれは従来のパターン認
識系に組み込んだセンサを介して光学的及び電子的に検
出されるため、従来装置Ｋ〈らべて検出精度及び応答速
度が高く、且つ装置全体が小型になる等の利点が得られ
る。
本発明のパターン検査装置によって検査する対象の基板
としては、既に説明したフォトマスク以外にもプリント
板、写真フィルム等を挙げることができる。
としては、既に説明したフォトマスク以外にもプリント
板、写真フィルム等を挙げることができる。
以下に図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。
する。
第１図に於て、１は検査すべきフォトマスク等の基板で
あり、基板１上には検査すべきパターンＰ１ｓｐ２・・
・・・・が形成されている。各パターンに向かって対物
レンズ２が配置され、対物レンズ２の後方にはこの対物
レンズ２の焦点位置Ｆよりもｉ方に互に間隔をおいて２
枚のハーフミラ−６，４が設置されている。後方のハー
フミラ−の反射光の光路上には第一のラインセンサ５が
設置され、ラインセンサ５の受光面に焦点Ｆが結ぶよう
になっ′ている。つまり、このラインセンサ５は対物レ
ンズ２の焦点位置に設置されている。また、前方のハー
フミラ−４０反射光の光路上には第二のラインセンサ６
が設置され、このラインセンサ６の後方位置に焦点Ｆが
結ぶようになっている。即ち、ラインセンサ６は対物レ
ンズ２の焦点位置Ｆよりも所定距離Δｆだけ前方に設置
されている。また、対物レンズ２の光路上の焦点位置Ｆ
より所定距離Δｆだけ彼方の位置には第三のラインセン
サ７が設置されている。
あり、基板１上には検査すべきパターンＰ１ｓｐ２・・
・・・・が形成されている。各パターンに向かって対物
レンズ２が配置され、対物レンズ２の後方にはこの対物
レンズ２の焦点位置Ｆよりもｉ方に互に間隔をおいて２
枚のハーフミラ−６，４が設置されている。後方のハー
フミラ−の反射光の光路上には第一のラインセンサ５が
設置され、ラインセンサ５の受光面に焦点Ｆが結ぶよう
になっ′ている。つまり、このラインセンサ５は対物レ
ンズ２の焦点位置に設置されている。また、前方のハー
フミラ−４０反射光の光路上には第二のラインセンサ６
が設置され、このラインセンサ６の後方位置に焦点Ｆが
結ぶようになっている。即ち、ラインセンサ６は対物レ
ンズ２の焦点位置Ｆよりも所定距離Δｆだけ前方に設置
されている。また、対物レンズ２の光路上の焦点位置Ｆ
より所定距離Δｆだけ彼方の位置には第三のラインセン
サ７が設置されている。
これらの２インセンサ５〜７は入射光量に応じて励起さ
れ、パターンのエツジもしくは線分を検出するものであ
る。各ラインセンサ５〜７にはそれぞれのラインセンサ
の励起に応じて電気的パルス出力を生じる第一乃至第三
のセンサ制御回路８〜１０がそれぞれ接続され、この第
一乃至第三のセンサ制御回路８〜１０の各々の出力端に
はそれぞれ微分回路１１〜１３が接続されている。また
各微分回路１１〜１６はパターンの位置ずれを検出する
ための位置ずれ検出回路１４に接続されている。
れ、パターンのエツジもしくは線分を検出するものであ
る。各ラインセンサ５〜７にはそれぞれのラインセンサ
の励起に応じて電気的パルス出力を生じる第一乃至第三
のセンサ制御回路８〜１０がそれぞれ接続され、この第
一乃至第三のセンサ制御回路８〜１０の各々の出力端に
はそれぞれ微分回路１１〜１３が接続されている。また
各微分回路１１〜１６はパターンの位置ずれを検出する
ための位置ずれ検出回路１４に接続されている。
一方第一のセンナ制御回路８の出力端にはパターン認識
回路１５が接続され、第一のラインセンサ５の受光１ｉ
ｆｌ！ｆｉｍｌ、たパターンの像が電気的に解析される
ようになっている。
回路１５が接続され、第一のラインセンサ５の受光１ｉ
ｆｌ！ｆｉｍｌ、たパターンの像が電気的に解析される
ようになっている。
次に第２図乃至第４図を参照して本発明装置の作動につ
き説明する。
き説明する。
第２図に示すように基板１上のパターンｐ１が第一のラ
インセンサ５の受光面に結像している場合、パターンｐ
１は明部りとして受光面に現れ、他の部分の基板面は暗
部りとして受光面に映し出される。今、基板１の面が全
く平坦であった場合に於て対物レンズ２ｆ、、第２図の
矢印Ｘの方向に図の左側から走査したとすれば、第一乃
至第三の各センサ制御回路８〜１０の各出力端子には第
６図（イ）に示すようなパルス信号が生じる。第３図（
イ）に於第三のセンサ制御回路１０の出力信号である。
インセンサ５の受光面に結像している場合、パターンｐ
１は明部りとして受光面に現れ、他の部分の基板面は暗
部りとして受光面に映し出される。今、基板１の面が全
く平坦であった場合に於て対物レンズ２ｆ、、第２図の
矢印Ｘの方向に図の左側から走査したとすれば、第一乃
至第三の各センサ制御回路８〜１０の各出力端子には第
６図（イ）に示すようなパルス信号が生じる。第３図（
イ）に於第三のセンサ制御回路１０の出力信号である。
そして、これらの信号がそれぞれの微分回路１１〜１６
の各々に印加されると、各信号ａ１〜ａ３は第６図（イ
）に点線で示すように微分されて第３図（ロ）に示すよ
うな微分出力Ａ１〜Ａ３が各微分回路の出力端子に現れ
る。これらの微分出力を位置ずれ検出回路１４に印加し
、位置ずれ検出回路１４に於てそれぞれの波高値’Ｆ１
ｅ ７２の相互比較を行うことにより、該パターンｐ
１が完全な平坦面の上に形成されていることを検出でき
る。すなわち、第６図←）に示すように信号んの波高値
と信号Ａ３の波高値とは等値であり、この事実から、対
物レンズ２の焦点Ｆに対して等距離ずつ隔てたセンサに
はそれぞれ等しい入射光量変化があったことがわかり、
また、これより、パターンｐ□は平坦面上にあることが
判る。
の各々に印加されると、各信号ａ１〜ａ３は第６図（イ
）に点線で示すように微分されて第３図（ロ）に示すよ
うな微分出力Ａ１〜Ａ３が各微分回路の出力端子に現れ
る。これらの微分出力を位置ずれ検出回路１４に印加し
、位置ずれ検出回路１４に於てそれぞれの波高値’Ｆ１
ｅ ７２の相互比較を行うことにより、該パターンｐ
１が完全な平坦面の上に形成されていることを検出でき
る。すなわち、第６図←）に示すように信号んの波高値
と信号Ａ３の波高値とは等値であり、この事実から、対
物レンズ２の焦点Ｆに対して等距離ずつ隔てたセンサに
はそれぞれ等しい入射光量変化があったことがわかり、
また、これより、パターンｐ□は平坦面上にあることが
判る。
一方、第一〇−＆：ノサ制御回路８の出力のみはパター
ン認識回路１５に印加され、この回路１５で基準信号と
比較されてパターンｐ０に回路的欠陥があるか否かが判
定される。（なお、第６図に於て横軸は時間座標、縦軸
は電圧座標を示す。）第４図（へ）及び同に示された波
形は、基板１上の凸部に形成されているパターンｐ２ヲ
第２図と同様に走査した場合の出力信号を示すものであ
る。
ン認識回路１５に印加され、この回路１５で基準信号と
比較されてパターンｐ０に回路的欠陥があるか否かが判
定される。（なお、第６図に於て横軸は時間座標、縦軸
は電圧座標を示す。）第４図（へ）及び同に示された波
形は、基板１上の凸部に形成されているパターンｐ２ヲ
第２図と同様に走査した場合の出力信号を示すものであ
る。
この場合同図から判るように、第三のセンサ制御回路１
０の出力信号ｂ３の立上り時間が最も短かく、第一のセ
ンサ制御回路８の出力信号ｂ１の立上り時間がそれに次
ぎ、第二のセンサ制御回路９の出力信号ｂ２の立上り時
間は最も長い。従って、それぞれのセンサ制御回路８〜
１０の出力信号の微分波形は第４図０）に点線で示すよ
うになり、第４図←）に示すような微分出力Ｂ１〜Ｂ３
がそれぞれの微分回路１１〜１６の出力端子に現れる。
０の出力信号ｂ３の立上り時間が最も短かく、第一のセ
ンサ制御回路８の出力信号ｂ１の立上り時間がそれに次
ぎ、第二のセンサ制御回路９の出力信号ｂ２の立上り時
間は最も長い。従って、それぞれのセンサ制御回路８〜
１０の出力信号の微分波形は第４図０）に点線で示すよ
うになり、第４図←）に示すような微分出力Ｂ１〜Ｂ３
がそれぞれの微分回路１１〜１６の出力端子に現れる。
このことから、パターンｐ２の一端側は対物レンズ２の
焦点Ｆよりも遠い位置にあるが、パターンｐ２の他端側
は対物レンズ２の焦点Ｆよりも近い位置にあるというこ
とが判る。従って該パターンｐ２は傾斜面上にあり、そ
の傾斜方向とパターンｐ２の位置すれとは各微分出力の
波高値ｖ３〜ｖ５の差から判定できる。
焦点Ｆよりも遠い位置にあるが、パターンｐ２の他端側
は対物レンズ２の焦点Ｆよりも近い位置にあるというこ
とが判る。従って該パターンｐ２は傾斜面上にあり、そ
の傾斜方向とパターンｐ２の位置すれとは各微分出力の
波高値ｖ３〜ｖ５の差から判定できる。
以上罠説明したように、この発明によれば、圧縮空気源
等の空圧装置が不要でアリ、従来装置よりも検出精度及
び応答速度が高く、且つ全体積を小型化することができ
る等の利点を備えたマスク検査装置すなわちパターン検
査装置が提供される。
等の空圧装置が不要でアリ、従来装置よりも検出精度及
び応答速度が高く、且つ全体積を小型化することができ
る等の利点を備えたマスク検査装置すなわちパターン検
査装置が提供される。
第１図は本発明装置の概略構成を示した図、第２図は被
検査パターンを光学的に走査した場合の説明図、第３図
及び第４図は本発明装置における検出原理を説明するた
めの信号波形図である。 １・・・基板、２・・・対物レンズ、ｐｌ’ｐ２・・・
パター７．５．６．７・・・ラノイ・ンセンサ、８，９
．１０・・・センサ制御回路、１１，１２，１３・・・
微分回路、１４・・・位置ずれ検出回路、１５・・・パ
ターン認識回路。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 第１図 第２図 （イン 第 （イ） 一一會を 図 （ロ） ４図 （ロ） 一−１
検査パターンを光学的に走査した場合の説明図、第３図
及び第４図は本発明装置における検出原理を説明するた
めの信号波形図である。 １・・・基板、２・・・対物レンズ、ｐｌ’ｐ２・・・
パター７．５．６．７・・・ラノイ・ンセンサ、８，９
．１０・・・センサ制御回路、１１，１２，１３・・・
微分回路、１４・・・位置ずれ検出回路、１５・・・パ
ターン認識回路。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 第１図 第２図 （イン 第 （イ） 一一會を 図 （ロ） ４図 （ロ） 一−１
Claims (1)
- １ 基板上のパターンに対向するように配置された対物
レンズと、該対物レンズの結像面の位置に配置された第
一のラインセンサと、該結像面よりも該対物レンズの方
へ所定距離だけ近付いた位置に配置された第二のライン
センサと、該結像面よりも該対物レンズから遠去かる方
へ所定距離だけ隔った位置に配置された第三のラインセ
ンサと、該第−のラインセンサの励起に応じて電気的出
力を生じる第一のセンサ制御回路と、該第二のラインセ
ンサＯ励起に応じて電気的出力を生じる第二のセンナ制
御回路と、該第三のラインセンサの励起に応じて電気的
出力を生じる第三のセンサ制御回路と、該第−のセンサ
制御回路の出力端子に接続された第一の微分回路と、該
第二のセンサ制御回路の出力端子に接続された第二の微
分回路と、該第三のセンサ制御回路の出力端子に接続さ
れた第三の微分回路と、該第−及び第二並びに第三の微
分回路の出力信号に基いて該パターン位置ずれを検出す
る“位置ずれ検出回路と、該第−のセンサ制御回路の出
力信号に基いて該パターンの図形認識を行うパターン認
識回路と、を有して成るノくターン検査装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57035260A JPS58153327A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | パタ−ン検査装置 |
| US06/472,604 US4577095A (en) | 1982-03-08 | 1983-03-07 | Automatic focusing apparatus for a semiconductor pattern inspection system |
| DE19833308191 DE3308191A1 (de) | 1982-03-08 | 1983-03-08 | Automatische scharfstellvorrichtung |
| FR8303783A FR2523319B1 (fr) | 1982-03-08 | 1983-03-08 | Appareil de mise au point automatique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57035260A JPS58153327A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | パタ−ン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153327A true JPS58153327A (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=12436833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57035260A Pending JPS58153327A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | パタ−ン検査装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4577095A (ja) |
| JP (1) | JPS58153327A (ja) |
| DE (1) | DE3308191A1 (ja) |
| FR (1) | FR2523319B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105395A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-05-14 | Asml Netherlands Bv | 光学フォーカスセンサ、検査装置及びリソグラフィ装置 |
| CN105866132A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-08-17 | 中国铁道科学研究院 | 一种车载信号机外观检测系统及方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610694B2 (ja) * | 1985-04-12 | 1994-02-09 | 株式会社日立製作所 | 自動焦点合せ方法及び装置 |
| US4769551A (en) * | 1986-06-27 | 1988-09-06 | Nippon Kogaku K.K. | Pattern detecting apparatus utilizing energy beam |
| US4978220A (en) * | 1988-03-04 | 1990-12-18 | Cimflex Teknowledge Corporation | Compensating system for inspecting potentially warped printed circuit boards |
| US4931630A (en) * | 1989-04-04 | 1990-06-05 | Wyko Corporation | Apparatus and method for automatically focusing an interference microscope |
| JPH03194673A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 記号読取装置 |
| US5122648A (en) * | 1990-06-01 | 1992-06-16 | Wyko Corporation | Apparatus and method for automatically focusing an interference microscope |
| WO1992006359A1 (en) * | 1990-10-09 | 1992-04-16 | Metronics, Inc. | Laser autofocus apparatus and method |
| US5144122A (en) * | 1990-10-19 | 1992-09-01 | Square D Company | Scanning radiation sensor with automatic focus control for optimal focus and method |
| US5912699A (en) * | 1992-02-18 | 1999-06-15 | Neopath, Inc. | Method and apparatus for rapid capture of focused microscopic images |
| AU3723993A (en) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Neopath, Inc. | Method and apparatus for rapid capture of focused microscopic images |
| DE4226523B4 (de) * | 1992-08-11 | 2005-01-05 | Universität Stuttgart | Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Fokussieren auf Objekte |
| IL111229A (en) * | 1994-10-10 | 1998-06-15 | Nova Measuring Instr Ltd | Autofocusing microscope |
| US5642433A (en) * | 1995-07-31 | 1997-06-24 | Neopath, Inc. | Method and apparatus for image contrast quality evaluation |
| US5784164A (en) * | 1997-03-20 | 1998-07-21 | Zygo Corporation | Method and apparatus for automatically and simultaneously determining best focus and orientation of objects to be measured by broad-band interferometric means |
| DE19726696A1 (de) * | 1997-06-24 | 1999-01-07 | Jenoptik Jena Gmbh | Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten |
| US6677565B1 (en) | 1998-08-18 | 2004-01-13 | Veeco Tucson Inc. | High speed autofocus and tilt for an optical imaging system |
| DE10112639A1 (de) * | 2001-03-16 | 2002-09-19 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Mikroskop mit Autofokussiereinrichtung |
| JP2002287017A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 撮影レンズのピント状態検出装置 |
| JP4215454B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2009-01-28 | 株式会社日立製作所 | 試料の凹凸判定方法、及び荷電粒子線装置 |
| DE10233087A1 (de) * | 2002-07-19 | 2004-02-05 | Roche Diagnostics Gmbh | Reflexionsphotometrisches Analysesystem |
| US20080135774A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Scatterometer, a lithographic apparatus and a focus analysis method |
| DE102007003059A1 (de) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Technische Universität Ilmenau | Verfahren zur objektivierten Fokussierung für die optische Längenmesstechnik |
| GB201113071D0 (en) * | 2011-07-29 | 2011-09-14 | Ffei Ltd | Method and apparatus for image scanning |
| CN102566023B (zh) * | 2012-01-11 | 2015-09-30 | 麦克奥迪实业集团有限公司 | 一种数字切片实时扫描自动聚焦系统及其方法 |
| CN103323939A (zh) * | 2012-03-20 | 2013-09-25 | 麦克奥迪实业集团有限公司 | 数字切片实时扫描自动聚焦系统及方法 |
| US20140168402A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Vala Sciences, Inc. | Continuous-Scanning Image Acquisition in Automated Microscopy Using Reflective Autofocus |
| US9689804B2 (en) * | 2013-12-23 | 2017-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-channel backside wafer inspection |
| US10014228B2 (en) * | 2014-11-24 | 2018-07-03 | Rudolph Technologies, Inc. | Method and apparatus to assist the processing of deformed substrates |
| EP3374817B1 (en) | 2015-11-11 | 2020-01-08 | Scopio Labs Ltd. | Autofocus system for a computational microscope |
| CN105866131B (zh) * | 2016-05-27 | 2018-03-27 | 中国铁道科学研究院 | 一种车载隧道内通信漏缆外观检测系统及方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3967110A (en) * | 1973-09-21 | 1976-06-29 | Corning Glass Works | Automatic focusing system |
| CA1015186A (en) * | 1973-09-21 | 1977-08-09 | Lynn G. Amos | Automatic focusing system |
| US4012634A (en) * | 1974-04-29 | 1977-03-15 | Geometric Data Corporation | Automatic focusing system including quantizing means |
| JPS53116852A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Olympus Optical Co Ltd | Automatic focus adjusting system |
| JPS5413330A (en) * | 1977-07-01 | 1979-01-31 | Olympus Optical Co Ltd | Automatic focus adjusting system |
| US4230940A (en) * | 1977-07-22 | 1980-10-28 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Automatic focusing apparatus |
| US4220850A (en) * | 1978-09-29 | 1980-09-02 | Abbott Laboratories | Bimodal autofocusing apparatus |
| JPS5576312A (en) * | 1978-12-04 | 1980-06-09 | Canon Inc | Focus detecting system of image |
| DE3005044C2 (de) * | 1979-02-13 | 1984-09-20 | Asahi Kogaku Kogyo K.K., Tokio/Tokyo | Fokussierungsermittlungseinrichtung für eine Kamera |
| US4349254A (en) * | 1979-02-13 | 1982-09-14 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Camera focus detecting device |
| JPS55155308A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-03 | Canon Inc | Focusing position detecting system |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP57035260A patent/JPS58153327A/ja active Pending
-
1983
- 1983-03-07 US US06/472,604 patent/US4577095A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-03-08 DE DE19833308191 patent/DE3308191A1/de not_active Ceased
- 1983-03-08 FR FR8303783A patent/FR2523319B1/fr not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105395A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-05-14 | Asml Netherlands Bv | 光学フォーカスセンサ、検査装置及びリソグラフィ装置 |
| US8125615B2 (en) | 2007-10-09 | 2012-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Optical focus sensor, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
| CN105866132A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-08-17 | 中国铁道科学研究院 | 一种车载信号机外观检测系统及方法 |
| CN105866132B (zh) * | 2016-05-27 | 2018-08-24 | 中国铁道科学研究院 | 一种车载信号机外观检测系统及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2523319A1 (fr) | 1983-09-16 |
| US4577095A (en) | 1986-03-18 |
| DE3308191A1 (de) | 1983-09-22 |
| FR2523319B1 (fr) | 1986-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58153327A (ja) | パタ−ン検査装置 | |
| JP2578519B2 (ja) | 光線による位置検出機能付き荷電粒子線露光装置 | |
| JPH04105341A (ja) | 半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置 | |
| JPH0145736B2 (ja) | ||
| JP2000121324A (ja) | 厚さ測定装置 | |
| JPS6069714A (ja) | 物体位置決めの装置および方法 | |
| JPS61111402A (ja) | 位置検出装置 | |
| CN105807571B (zh) | 一种光刻机用调焦调平系统及其调焦调平方法 | |
| JPH11118435A (ja) | 車輪測定装置 | |
| JPS6312241B2 (ja) | ||
| JP3340879B2 (ja) | 表面欠陥検出方法および装置 | |
| JPH07151514A (ja) | 重ね合わせ精度測定方法および測定装置 | |
| JPH0749930B2 (ja) | 実装基板検査装置 | |
| JP2525261B2 (ja) | 実装基板外観検査装置 | |
| JP3721713B2 (ja) | 位置合わせ精度測定方法及び位置合わせ精度測定装置 | |
| JPH0821711A (ja) | シート板表面のうねり検出装置 | |
| JP2947916B2 (ja) | 面状態検査装置 | |
| JPH01406A (ja) | 試料形状測定装置 | |
| JP2829666B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS63103949A (ja) | 異物検査装置 | |
| KR100327038B1 (ko) | 웨이퍼 정렬 장치 | |
| JPH0430175B2 (ja) | ||
| JPH0317282B2 (ja) | ||
| JPH0835908A (ja) | レンズ偏芯測定装置および測定方法 | |
| JP3047886B2 (ja) | 自動合焦点装置及び自動合焦点方法 |