CN105849884B - 多通道背侧晶片检查 - Google Patents

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CN105849884B CN201480070713.3A CN201480070713A CN105849884B CN 105849884 B CN105849884 B CN 105849884B CN 201480070713 A CN201480070713 A CN 201480070713A CN 105849884 B CN105849884 B CN 105849884B
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Abstract

本发明提供一种用于运用多通道焦点控件检查晶片的背侧表面的系统，其包含：一组检查子系统，其包含第一检查子系统及额外检查子系统。所述第一及额外检查子系统包含：光学组合件；致动组合件，其中所述光学组合件被安置于所述致动组合件上；及位置传感器，其经配置以感测所述光学组合件的部分与所述晶片的所述背侧表面之间的位置特性。所述系统还包含：控制器，其经配置以获取所述晶片的所述背侧表面的一或多个晶片轮廓映射，及基于所接收到的一或多个晶片轮廓映射调整所述第一检查子系统的第一焦点位置或所述额外检查子系统的额外焦点位置。

Description

多通道背侧晶片检查
相关申请案的交叉参考
本申请案根据35U.S.C.§119(e)规定主张将发明人为雅科夫博布罗夫(YakovBobrov)、在2013年12月23日申请的标题为“半导体制造或测试中的样本检查及检视(SAMPLE INSPECTION AND REVIEW IN SEMICONDUCTOR FABRICATION OR TESTING)”的第61/920,458号美国临时申请案的权益，所述美国临时申请案以全文引用方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及样本检查及检视，且特定来说，涉及在半导体装置测试及制造期间的背侧半导体晶片检视。
背景技术
随着半导体装置制造工艺的容限持续变窄，对改进半导体晶片检查及检视工具的需求持续增大。一种此类检视工具包含晶片检查工具，例如背侧晶片检查工具。多数前侧检查系统利用夹盘(例如真空夹盘)或固定晶片使其平坦的其它构件，而背侧检查系统要求晶片在无限制状态下得到固定。此对其中焦深有限的光学系统提出挑战。在此类背侧检查系统中，半导体晶片通常由连续接触线或以若干离散点在边缘处得到支撑，其中晶片表现为自由薄膜。因此，晶片展现归因于重力的大量“弛垂”或展现由与沉积于晶片上的一或多个薄膜涂层的表面张力相关联的应力所致的额外“翘曲”。典型途径，例如单通道光学系统，遭遇有限处理量。此外，现有多通道系统仅提供全局焦点校正，从而限制校正给定晶片中的弛垂及翘曲的能力。因此，将有利的是，提供一种解决先前技术中识别的缺陷的系统及方法。
附图说明
通过参考随附图式，所属领域的技术人员可更好地理解本发明的众多优点，在随附图式中：
图1A说明根据本发明的一或多个实施例的具有个别通道焦点控制的多通道检查系统的简化示意图。
图1B说明根据本发明的一个实施例的多通道检查系统的单检查子系统的简化示意图。
图1C说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于调整多通道系统中的单检查通道的焦点的方法的工艺流程图。
图1D说明在一或多个检查扫描过程之前获取的晶片轮廓映射的概念图。
图1E到1G说明根据本发明的一或多个实施例的多通道检查系统的检查子系统的焦点调整的概念图。
图1H说明根据本发明的一或多个实施例的具有垂直固定位置传感器的多通道检查系统的简化示意图。
图1I说明根据本发明的一或多个实施例的具有定位于晶片的前表面处的位置传感器的多通道检查系统的简化示意图。
图1J到1K说明根据本发明的一或多个实施例的对晶片形状变化的设定进行个别通道焦点控制的多通道检查系统的简化示意图。
图1L说明根据本发明的一或多个实施例的具有个别通道焦点控制的多通道检查系统的简化示意图，其中运用晶片形状测量系统监测晶片表面位置。
图1M说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于调整多通道系统中的单检查通道的焦点的方法的工艺流程图。
图1N说明根据本发明的一或多个实施例的多通道检查系统的简化示意图，其中运用焦点测量装置实时监测个别检查通道的焦点。
图1O说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于调整多通道系统中的单检查通道的焦点的方法的工艺流程图。
具体实施方式
现将详细参考随附图式中所说明的所揭示标的物。
大体上参考图1A到1O，揭示一种用于检查晶片的背侧表面的系统及方法。
本发明的实施例涉及用于使多通道背侧晶片检查系统的单检查通道个别地聚焦的方法及系统。
本发明的实施例适用于对经由接触线或数个离散接触点于晶片边缘处受限制的晶片执行检查或检视测量工艺。就此而言，本发明的实施例可用于检查或检视展现出重力弛垂及/或膜引发翘曲的一或多个晶片。
本发明的实施例提供一种包含两个以上检查通道的检查系统，其中每一通道能够独立地进行焦点调整。对多通道系统的给定检查通道所进行的焦点调整可为基于处于非夹置状态中的晶片的形状。本发明的实施例允许随着晶片及多通道检查通道的组件相对于彼此移动而自动调整每一个别通道的焦点。可经由专用于特定检查通道的个别致动器调整每一检查通道的焦点。本发明的一些实施例提供使用先前执行的晶片轮廓映射数据(即，预映射)对个别检查通道进行焦点调整。本发明的一些实施例提供使用运用单独晶片形状测量装置获得的晶片形状数据对个别检查通道进行焦点调整。本发明的一些实施例提供使用实时(或近实时)焦点测量装置(例如，自动聚焦装置)对个别检查通道进行实焦点调整。
应注意，本发明的各项实施例可提供检查结果的经改进处理量及改进可重复性。
图1A说明根据本发明的一或多个实施例的具有个别通道焦点控制的多通道检查系统100的简化示意图。
在一个实施例中，系统100包含一组检查子系统102a到102e。举例来说，检查子系统102a到102e中的每一者可被定位于不同晶片位置处，使得可同时扫描晶片112的多个区域或同时使所述多个区域成像。在另一实施例中，检查子系统102a到102e经配置以扫描经由一或多个接触件114固定的晶片112的背侧及/或使所述背侧成像。如所述，归因于晶片112的未限制状态，晶片112展现归因于重力的大量弛垂及/或展现由沉积于晶片112上的一或多个薄膜层的表面张力所致的翘曲。举例来说，在450mm晶片的情况中，晶片112的弛垂及翘曲可超过1mm。在另一实施例中，在任何给定时刻，每一检查子系统可跨越晶片112的背侧表面113被定位于不同横向位置(例如，X-Y位置)处。应注意，当在检查子系统102a到102e上方扫描晶片112(或跨越晶片扫描检查子系统102a到102e)时，晶片112的弛垂及/或翘曲引起来自特定检查子系统102a到102e的光的焦点107变得与晶片表面113未对准，从而导致特定通道的相关联成像/检查数据的焦点不够理想(参见图1E到1F)。本发明的其余部分描述适用于校正个别检查通道102a到102e的焦点的多个实施例。
在一个实施例中，每一检查子系统102a到102e包含光学组合件104。在另一实施例中，每一检查子系统102a到102e包含一或多个位置传感器110。在一个实施例中，位置传感器110中的一或多者经配置以感测特定光学组合件104的部分与晶片112的背侧表面113之间的位置特性。所述位置特性可包含所属领域已知的与晶片定位及对准相关的任何参数。举例来说，所述位置特性可包含(但不限于)距离、距离变化、速度及类似物。例如，特定位置传感器可测量检查子系统102a到102e的部分(例如，光学组合件104的部分)与晶片112的表面113之间的距离d。本文中应注意，系统100的位置传感器110可包含所属领域中已知的任何位置、高度或焦点传感器。
在另一实施例中，每一检查子系统102a到102e包含致动组合件108。在一个实施例中，由致动组合件108选择性地致动给定检查子系统102a到102e的光学组合件104及对应位置传感器110。举例来说，如本文中进一步论述，特定检查子系统102a到102e的致动组合件108可用于调整光学组合件104的位置，且因此调整来自检查子系统102a到102e的照明的焦点位置107。可响应于(例如)光学组合件104与晶片112的表面113之间的经测量的距离变化而作出此类调整。在一个实施例中，致动组合件108可包含致动台109及致动器111。就此而言，致动器111可按选定距离平移致动台109(及光学组合件104的一或多个部分及传感器110)。
图1B说明根据本发明的一个实施例的多通道检查系统100的单检查子系统102a的简化示意图。应注意，图1B中所描绘的单检查子系统102a的各个实施例及组件可被扩展到检查系统100的检查子系统(例如，102b到102e)中的每一者(或至少一些)。
在一个实施例中，检查子系统102a包含光学组合件104。光学组合件104可包含所属领域中已知的对晶片112执行检查工艺必需的任何一组光学元件或组件。在一个实施例中，光学组合件104包含物镜106，物镜106经布置以使来自照明源116的光聚焦于晶片112的背侧表面113上的焦点107。照明源116可包含所属领域中已知的适用于晶片检查系统的任何照明源。举例来说，照明源116可包含(但不限于)一或多个窄带源(例如，激光源)。通过另一实例，照明源116可包含(但不限于)一或多个宽带源(例如，灯源)。
在另一实施例中，光学组合件104包含检测器118，检测器118经布置以收集从晶片112的背侧表面113反射、散射或衍射的光。检测器118可包含所属领域中已知的适用于晶片检查的任何检测器。举例来说，检测器118可包含(但不限于)CCD检测器、TDI-CCD检测器、PMT管及类似物。
本文中应注意，检查子系统102a的光学组合件104可包含任何数目个额外或替代光学元件或组件，且检查子系统102a不限于图1B中所描绘的组件。举例来说，光学组合件104可包含(但不限于)一或多个额外照明光学器件(例如，透镜、滤光器、导向元件及类似物)。通过另一实例，光学组合件104可包含(但不限于)一或多个额外收集光学器件(例如，透镜、滤光器、导向元件及类似物)。本文中应进一步注意，检查子系统102a的光学组合件104可经配置以执行亮场晶片检查或暗场晶片检查。光学组合件104也可经执行以实施成像模式检查或扫描模式检查。
在另一实施例中，系统100包含一或多个控制器115。在一个实施例中，控制器115通信地耦合到致动组合件108中的每一者及位置传感器110中的每一者。在一个实施例中，控制器115可引导特定检查子系统102a到102e的致动组合件108以通过控制相应光学组合件104的位置而调整相关联的焦点位置107。可响应于由控制器115从相应位置传感器110接收到的(例如)在光学组合件104与晶片112的表面113之间的经测量的距离变化而对特定焦点位置107作出调整。
在一个实施例中，控制器115经配置以获取晶片112的背侧表面113的一或多个晶片轮廓映射。在另一实施例中，控制器115经配置以基于所接收到的一或多个晶片轮廓映射调整与检查子系统102a到102e相关联的焦点位置。
在一个实施例中，系统100的控制器115包含经配置以执行存储于存储器媒体(未展示)上的程序指令的一或多个处理器(未展示)。就此而言，控制器115的一或多个处理器可实施本发明的各个工艺步骤中的任一者。
图1C说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于调整多通道系统100中的单检查通道的焦点的方法120的工艺流程图。
在步骤122中，控制器115可获取一或多个晶片轮廓映射。在一个实施例中，系统100可对晶片112的背侧表面113执行预扫描及/或预映射过程以便获取一或多个晶片轮廓映射。在一个实施例中，可使用相应检查子系统102a到102e的位置传感器110的一或多者对晶片112的背侧表面113执行预扫描及/或预映射过程以便获取一或多个晶片轮廓映射。举例来说，如图1D中所展示，可通过在跨越晶片112的背侧表面113的数个位置处测量位置特性(例如距离或高度)而产生晶片轮廓映射130。就此而言，在每一测量位置132处的经测量位置特性(例如一或多个传感器110与表面113相距的距离)可经汇总以形成晶片轮廓映射130，如图1D中概念地说明。应注意，接着，在预映射过程期间获取的一或多个晶片轮廓映射可用作在给定检查扫描过程期间进行焦点调整的参考。在另一实施例中，在运用一或多个位置传感器110测量一或多个位置特性之后，一或多个位置传感器110可将获取到的位置特性数据传输到控制器115。控制器115又可产生相关联晶片轮廓映射。
举例来说，图1E描绘处于充分聚焦状态的检查子系统102a到102c中的每一者之间的距离的测量，其中焦点107与晶片的背侧表面113对准。此类配置可表示在晶片112的给定检查扫描之前所执行的预映射。如图1E中所展示，任何特定位置传感器110与晶片112的背侧表面之间的距离可由d表示。
在另一实施例中，可使用一或多个晶片形状测量系统对晶片112的背侧表面113执行预扫描及/或预映射过程以便获取一或多个晶片轮廓映射。在一个实施例中，用于执行预映射过程的晶片形状测量系统可包含外部晶片形状测量系统(例如，参见图1J的晶片形状测量系统140)。举例来说，晶片形状测量系统可包含所属领域中已知的用于表征晶片的背侧表面的形状的任何测量系统。例如，晶片形状测量系统可包含(但不限于)：基于光学的晶片形状测量系统、基于接近度的晶片形状测量系统、基于电感的晶片形状测量系统或基于气压的晶片形状测量系统。就此而言，可通过在跨越晶片112的背侧表面113的数个位置处使用外部晶片形状测量系统测量位置特性(例如距离或高度)而产生晶片轮廓映射130。在另一实施例中，在运用晶片形状测量系统测量一或多个位置特性之后，所述晶片形状测量系统可将所获取到的位置特性数据传输到控制器115。控制器115又可产生相关联晶片轮廓映射。
在步骤124中，特定检查子系统102a到102e的位置传感器110可测量所述特定检查子系统的部分与晶片112的背侧表面113之间的距离。
如图1F中所展示，在晶片112与检查子系统102a到102c组之间发生相对移动之后，检查子系统102a到102c中的一些归因于晶片112的弛垂及/或翘曲而变成离焦。因而，在晶片112与检查子系统102a到102c之间发生相对横向移动之后，一或多个位置传感器110可测量特定检查子系统的部分与晶片112的背侧表面113之间的距离。如图1F中所展示，当给定检查子系统处于离焦状态时，任何特定位置传感器110(或检查子系统的任何其它部分)与晶片112的背侧表面之间的距离可由d'表示。在另一实施例中，在运用晶片形状测量系统测量一或多个位置特性之后，所述晶片形状测量系统可将所获取到的位置特性数据传输到控制器115。
在步骤126中，在给定晶片位置处，控制器115可确定晶片112的背侧表面113与特定检查子系统102a到102e的部分之间的焦点偏移。在一个实施例中，通过比较步骤124的测量距离与如步骤122中提供在相同晶片位置处的晶片轮廓映射的数据而确定晶片112的背侧表面113与特定检查子系统102a到102e的部分之间的焦点偏移。
在步骤128中，控制器115可引导致动组合件108以将检查子系统的焦点位置107调整到足以校正经确定的焦点偏移的程度(等于Δd或与Δd相关)，如图1G中所展示。在此，Δd与距离d及距离d'的关系为：
Δd＝d-d'
应注意，上述距离的测量可与给定检查子系统102a到102c的相应位置传感器110或所述给定检查子系统102a到102c内的任何其它参考点相关。
此外，归因于位置传感器110与焦点107之间的横向间隔的可能性，关于位置传感器110与晶片表面113之间的距离的经测量Δd不一定等于焦点偏移校正所需的距离。因而，可使用Δd值及晶片112的曲率或曲率效应估计来估计焦点偏移校正所需的距离。在另一实施例中，位置传感器110可经定位使得其与焦点107紧密对准使得来自位置传感器110用于测量位置的照明于与焦点107近似相同的横向位置处照射晶片112。
在一个实施例中，致动组合件108可平移光学组合件104的任何部分以便调整照明子系统的焦点位置107。在一个实施例中，致动组合件108可平移整个光学组合件104以便相对于晶片112的表面113平移焦点107。在另一实施例中，致动组合件108可平移光学组合件104的选定部分以便相对于晶片112的表面113平移焦点107。举例来说，致动组合件108可经定位使得其可独立地平移物镜106(或光学组合件104的任何额外聚焦元件)以便相对于晶片112的表面113平移焦点107。
虽然本发明的各个图式描绘一或多个位置传感器110经定位接近于相应检查子系统102a到102c的光学组合件104，但此不应被解释为限制性。本文中应认识到，位置传感器可被定位于系统100内的多个位置处。举例来说，如图1G中所展示，一或多个位置传感器110可耦合到定位于检查子系统102a到102e之间的组合件(未展示)，使得所述一或多个位置传感器不会由致动组合件108垂直平移，但可由所述组合件横向平移，从而在扫描期间固定检查子系统102a到102e群组。通过另一实例，如图1H中所展示，位置传感器110中的一或多者可被定位于晶片112的前表面处。
图1J及1K说明经布置以在晶片112的背侧表面113改变形状及/或位置的情况下对设定提供焦点调整的多通道检查系统100的简化示意图。举例来说，归因于翘曲变化，晶片112的表面轮廓可被改变。与其中聚焦质量因晶片/检查子系统102a到102e的运动降低的情况类似，晶片轮廓变化也可引起给定检查通道的聚焦质量降低。本文中应注意，本文先前所描述的过程可被扩展到图1J及1K中所描绘的实施例以在晶片形状轮廓变化之后调整检查子系统102a到102e的焦点。
图1L说明根据本发明的一或多个实施例的具有个别通道焦点控制的多通道检查系统的简化示意图，其中运用晶片形状测量系统监测晶片表面位置。
在一个实施例中，系统100包含一或多个晶片形状测量系统140。本文中应注意，晶片形状测量系统140的描绘不是限制性的且仅出于说明性目的而提供。本文中应认识到，系统100可包含任何数目个晶片形状测量系统。此外，晶片形状测量系统140可进一步被定位于晶片112的前侧上以便收集晶片形状数据。应注意，倘若给定横向位置处晶片112的形状与检查子系统102a到102e的横向位置相关，那么任何形式的晶片形状数据可适用于系统100中。
在一个实施例中，一或多个晶片形状测量系统140通信地耦合到控制器115。
在一个实施例中，控制器115经配置以从晶片形状测量系统140获取晶片形状数据。举例来说，来自晶片形状测量系统140的晶片形状数据可对应于与相应检查子系统102a到102e的一或多者的晶片位置对应的晶片位置、高度或轮廓数据。在另一实施例中，控制器115进一步经配置以基于来自晶片形状测量系统140的晶片形状数据调整相应检查子系统102a到102e的一或多者的焦点位置。就此而言，本文先前关于图1A到1K所描述的各种过程及组件应被解释为扩展到图1L的实施例。此外，用于实施焦点偏移程序的过程也应被解释为扩展到图1L。
本文中应注意，晶片形状测量系统140可包含所属领域中已知的任何晶片形状测量系统或工具。举例来说，一或多个晶片形状测量系统可包含(但不限于)基于光学的晶片形状测量系统、基于接近度的晶片形状测量系统、基于电感的晶片形状测量系统或基于气压的晶片形状测量系统中的至少一者。
图1M说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于调整多通道系统中的单检查通道的焦点的方法150的工艺流程图。在步骤152中，运用晶片形状测量系统140获取晶片形状数据。在一个实施例中，系统100可运用一或多个晶片形状测量系统140对晶片112的背侧表面113执行预扫描及/或预映射过程。举例来说，当检查子系统102a到102e处于充分聚焦状态时，可在给定检查扫描之前执行预扫描及/或预映射。在一个实施例中，可使用一或多个晶片形状测量系统140对晶片112的背侧表面113执行预扫描及/或预映射过程，以便获取与检查子系统102a到102e的至少一些对应的晶片112的至少一部分的一或多个晶片轮廓映射。在步骤154中，晶片形状测量系统140测量晶片112的背侧表面113的至少一部分的位置(例如，垂直位置)。在步骤156中，控制器115通过比较步骤154中所见的测量位置与步骤152中获取的晶片形状数据而确定晶片的背侧表面与检查子系统的部分之间的焦点偏移。就此而言，控制器115可确定是否已在跨越晶片112的任何点处发生位置变化，且接着识别补偿此类变化必需的相关联焦点偏移。在步骤158中，控制器115可引导致动组合件108以调整相应检查子系统102a到102e的焦点位置使得足以校正经确定的焦点偏移。在另一实施例中，在步骤158的焦点调整之后，可在必要时重复测量步骤154及焦点确定步骤156以便提供进一步焦点调整158，如由图1M中的虚线指示。
图1N说明根据本发明的一或多个实施例的多通道检查系统的简化示意图，其中运用焦点测量装置实时监测个别检查通道的焦点。在一个实施例中，系统100包含一组焦点测量装置160，所述组焦点测量装置160经配置以测量与相应检查子系统102a到102e相关联的照明焦点。本文中应注意，焦点测量系统160的描绘不是限制性的且仅出于说明目的而提供。本文中应认识到，系统100可包含所属领域中已知的任何类型的焦点测量装置。
在一个实施例中，焦点测量装置160通信地耦合到控制器115。
在一个实施例中，控制器115经配置以从焦点测量装置160获取与检查子系统102a到102e中的每一者相关联的经测量焦点数据。就此而言，每一焦点测量装置160可对对应检查子系统提供个别焦点测量。在另一实施例中，控制器115可基于来自焦点测量装置160的经测量焦点数据调整检查子系统的一或多者的焦点位置107。举例来说，控制器115可引导相应致动组合件108平移对应检查子组合件以便补偿任何经测量的焦点偏移。就此而言，致动组合件108可作出焦点调整直到相应检查子组合件的焦点107得以最优化或达到选定容限程度为止。
本文中应注意，文中先前参考图1A到1M所描述的各种过程及组件应被解释为扩展到图1N的实施例。此外，用于实施焦点偏移程序的过程也应被解释为扩展到图1N。
图1O说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于调整多通道系统中的单检查通道的焦点的方法的工艺流程图。在步骤172中，焦点测量装置160测量从定位于相应晶片位置处的相应检查子系统引导到晶片的背侧表面的照明的焦点。就此而言，焦点测量系统160可独立地测量每一检查子系统102a到102e的焦点107。在步骤174中，控制器115可引导致动组合件108以调整相应检查子系统102a到102e的焦点位置使得足以校正运用焦点测量系统160所测量的焦点偏移。
本文中所描述的标的物有时说明其它组件内含有或与其它组件连接的不同组件。应理解，此类所描绘的架构仅是示范性的，且实际上可实施实现相同功能性的许多其它架构。在概念意义上，用于实现相同功能性的组件的任何布置经有效“相关联”使得实现所需功能。因此，本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件可被视为彼此“相关联”使得实现所需功能性，而不管架构或中间组件为何。同样，如此相关联的任何两个组件也可被视为“连接”或“耦合”到彼此以实现所需功能性，且能够如此相关联的任何两个组件也可被视为“可耦合”到彼此以实现所需功能性。可耦合的具体实例包含(但不限于)使组件物理上可配接及/或物理上互动、及/或使组件无线地可互动及/或无线地互动、使组件逻辑上互动及/或逻辑上可互动。
应相信，通过前述描述将了解本发明及其许多伴随优点，且将明白在不背离所揭示的标的物的情况下或不牺牲所有其实质优点的情况下可对组件形式、构造及布置作出各种变化。所描述的形式仅为阐释性的，且希望随附权利要求书涵盖且包含此类变化。此外，应理解，本发明由随附权利要求书来界定。

Claims (11)

1.一种运用多通道焦点控件检查晶片的背侧表面的系统，其包括：
多个检查子系统，其包含可定位于第一晶片位置处的第一检查子系统及可定位于额外晶片位置处的至少一额外检查子系统，其中所述晶片在所述晶片的一个或多个边缘点被固定，
其中所述第一检查子系统包括：第一光学组合件；第一致动组合件，其中所述第一光学组合件被安置于所述第一致动组合件上；及第一位置传感器，其经配置以感测所述第一光学组合件的部分与所述晶片的所述背侧表面之间的位置特性；
其中所述至少一额外检查子系统包括：至少一额外光学组合件；至少一额外致动组合件，其中所述至少一额外光学组合件被安置于所述至少一额外致动组合件上；
及至少一额外位置传感器，其经配置以感测所述至少一额外光学组合件的部分与所述晶片的所述背侧表面之间的位置特性；及
控制器，其中所述控制器通信地耦合到所述第一致动组合件、所述至少一额外致动组合件、所述第一位置传感器及所述至少一额外位置传感器，其中所述控制器经配置以执行一组程序指令，所述组程序指令经配置以引起一或多个处理器进行以下操作：
获取所述晶片的所述背侧表面的一或多个晶片轮廓映射，其中所述获取所述一或多个晶片轮廓映射包括：
执行所述晶片的所述背侧表面的预映射过程以便运用所述第一位置传感器或所述至少一额外位置传感器中的至少一者产生所述一或多个晶片轮廓映射；及
基于所接收到的一或多个晶片轮廓映射，调整所述第一检查子系统的第一焦点位置或所述至少一额外检查子系统的至少一额外焦点位置中的至少一者以校正由所述晶片的引力下垂及/或薄膜导致的翘曲引起的聚焦偏移。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述执行所述晶片的所述背侧表面的预映射过程以便运用所述第一位置传感器或所述至少一个额外位置传感器中的至少一者产生所述一或多个晶片轮廓映射包括：
在选定晶片检查过程之前，运用所述第一位置传感器或所述至少一个额外位置传感器中的至少一者扫描所述晶片的所述背侧表面而跨越所述晶片的所述背侧表面的多个位置获取多个位置特性值；及
运用所述所获取的多个位置特性值产生所述一或多个晶片轮廓映射。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述获取所述一或多个晶片轮廓映射包括：
在选定晶片检查过程之前，从晶片形状测量系统接收所述晶片的所述背侧表面的一或多个晶片轮廓映射。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述晶片形状测量系统包括：
基于光学的晶片形状测量系统、基于接近度的晶片形状测量系统、基于电感的晶片形状测量系统或基于气压的晶片形状测量系统中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述基于所述所接收到的一或多个晶片轮廓映射调整所述第一检查子系统的第一焦点位置或所述至少一额外检查子系统的至少一额外焦点位置中的至少一者包括：
从所述第一位置传感器或所述至少一额外位置传感器中的至少一者接收一或多个位置特性测量；
通过比较来自所述第一位置传感器的所述所接收到的一或多个位置特性测量与所述所接收到的一或多个晶片轮廓映射，确定所述晶片的所述背侧表面与所述第一光学组合件的所述部分之间的第一焦点偏移；
通过比较来自所述至少一个额外位置传感器的所述所接收到的一或多个位置特性测量与所述所接收到的一或多个晶片轮廓映射，确定所述晶片的所述背侧表面与所述至少一额外光学组合件的所述部分之间的额外焦点偏移；
引导所述第一致动组合件调整所述第一焦点位置使得足以校正所述经确定的第一焦点偏移；及
引导所述至少一额外致动组合件调整所述至少一额外焦点位置使得足以校正所述经确定的额外焦点偏移。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一光学组合件及所述至少一额外光学组合件中的至少一者包括：
照明源；
一组照明光学器件，其包含经配置以使来自所述照明源的照明聚焦于焦点的至少一物镜；
检测器，其经配置以检测从所述晶片反射或散射的照明；及
一组收集光学器件，其经配置以收集来自所述晶片的所述表面的照明并将所述所收集到的照明引导到所述检测器。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一致动组合件或所述至少一额外致动组合件中的至少一者包括：
致动台；及
致动器，其机械地耦合到所述致动台且经配置以选择性地平移所述致动台。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一位置传感器及所述至少一额外位置传感器被定位于所述晶片的相同侧上。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一位置传感器被定位于所述晶片的第一侧上且所述至少一额外位置传感器被定位于与所述晶片的所述第一侧相对的所述晶片的第二侧上。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述晶片包括：
半导体晶片。
11.一种用于在晶片的背侧检查期间进行多通道焦点控制的方法，其包括：
获取晶片的背侧表面的一或多个晶片轮廓映射，其中所述晶片在所述晶片的一个或多个边缘点被固定；
其中所述获取所述一或多个晶片轮廓映射包括：
执行所述晶片的所述背侧表面的预映射过程以便运用第一位置传感器或至少一额外位置传感器中的至少一者产生所述一或多个晶片轮廓映射；
测量第一检查子系统的第一光学组合件的部分与所述晶片的所述背侧表面之间的第一位置特性；
测量第二检查子系统的第二光学组合件的部分与所述晶片的所述背侧表面之间的第二位置特性；
通过比较所述第一位置特性与所接收到的一或多个晶片轮廓映射，确定所述晶片的所述背侧表面与所述第一光学组合件的所述部分之间的第一焦点偏移；
通过比较所述第二位置特性与所述所接收到的一或多个晶片轮廓映射，确定所述晶片的所述背侧表面与所述第二光学组合件的所述部分之间的第二焦点偏移；
调整所述第一检查子系统的第一焦点位置使得足以校正由所述晶片的引力下垂及/或薄膜导致的翘曲引起的所述经确定的第一焦点偏移；及
调整所述第二检查子系统的第二焦点位置使得足以校正由所述晶片的引力下垂及/或薄膜导致的翘曲引起的所述经确定的第二焦点偏移。
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