JP2017509768A - ダイシングフィルム粘着層形成用組成物およびダイシングフィルム - Google Patents

ダイシングフィルム粘着層形成用組成物およびダイシングフィルム Download PDF

Info

Publication number
JP2017509768A
JP2017509768A JP2016560325A JP2016560325A JP2017509768A JP 2017509768 A JP2017509768 A JP 2017509768A JP 2016560325 A JP2016560325 A JP 2016560325A JP 2016560325 A JP2016560325 A JP 2016560325A JP 2017509768 A JP2017509768 A JP 2017509768A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
meth
acrylate
dicing
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016560325A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6393779B2 (ja
Inventor
キム、ヨン−クク
キム、ヒ−チョン
キム、セ−ラ
チョ、チョン−ホ
キム、チョン−ハク
ナム、スン−ヒ
イ、グァン−チュ
Original Assignee
エルジー・ケム・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー・ケム・リミテッド filed Critical エルジー・ケム・リミテッド
Priority claimed from PCT/KR2014/012284 external-priority patent/WO2015093794A1/ko
Publication of JP2017509768A publication Critical patent/JP2017509768A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6393779B2 publication Critical patent/JP6393779B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08Macromolecular additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • C08K5/541Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/06Non-macromolecular additives organic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/94Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00Presence of (meth)acrylic polymer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/27001Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/27003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/271Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/274Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H01L2224/83204Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding with a graded temperature profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862Heat curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/94Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92Specific sequence of method steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3512Cracking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Abstract

本発明は、(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子、および反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子からなる群より選択された1種以上の高分子を含む高分子添加剤と、粘着バインダーと、光開始剤とを含み、前記粘着バインダー対比、前記高分子添加剤の重量比が0.01%〜4.5%である、ダイシングフィルム粘着層形成用組成物および前記組成物を含む粘着層を含むダイシングフィルム、並びに前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法に関する。【選択図】なし

Description

本発明は、ダイシングフィルム粘着層形成用組成物およびダイシングフィルムに関する。
一般に、半導体チップの製造工程は、ウエハに微細なパターンを形成する工程と、最終装置の規格に合うようにウエハを研磨してパッケージング(packaging)する工程とを含む。
パッケージング工程は、半導体チップの不良を検査するウエハ検査工程;ウエハを切断してバラのチップに分離するダイシング工程;分離されたチップを回路フィルム(circuit film)またはリードフレームの搭載板に付着させるダイボンディング工程;半導体チップ上に具備されたチップパッドと回路フィルムまたはリードフレームの回路パターンとをワイヤのような電気的接続手段で連結させるワイヤボンディング工程;半導体チップの内部回路とその他の部品を保護するために封止材で外部を囲むモールディング工程;リードとリードとを連結しているダムバーを切断するトリム工程;リードを所望の形状に曲げるフォーミング工程;および完成したパッケージの不良を検査する完成品検査工程などを含む。
ダイシング工程では、ウエハをダイヤモンドホイールなどを用いて所定の厚さにカッティングする。この時、ウエハを固定させるために、ウエハの後面にダイシングフィルムを適切な条件でラミネートした後、工程を進行させる。また、ダイシングされた個々のチップを回路基板に付着させるためにダイボンディングフィルム(接着フィルム)が使用される。
一方、ダイシング工程は、半導体ウエハをダイシングブレードで切削する段階と、前記半導体ウエハの基底フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの切削によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含むが、ピックアップ工程時にフィルム間の固着化が発生する問題、およびフィルム間のピール強度が大きすぎてチップのピックアップ成功率が低くなったり、ピックアップ中にチップクラックが発生する問題があった。
本発明は、ダイシング工程において、フィルム間の固着化を防止することでピックアップ成功率が高められ、相対的に高いダイシェア強度を示して接着力の低下による剥離現象を防止することのできるダイシングダイボンディングフィルムを提供するためのダイシングフィルム粘着層形成用組成物を提供する。
また、本発明は、前記ダイシングダイボンディングフィルムを提供する。
さらに、本発明は、前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法を提供する。
本明細書では、(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子、および反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子からなる群より選択された1種以上の高分子を含む高分子添加剤と、粘着バインダーと、光開始剤とを含み、前記粘着バインダー対比、前記高分子添加剤の重量比が0.01%〜4.5%である、ダイシングフィルム粘着層形成用組成物が提供される。
前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子は、下記化学式1の繰り返し単位を含んでもよい。
Figure 2017509768
前記化学式1において、R1は水素、炭素数1〜20のアルキル基であり、R2は水素、炭素数1〜20のアルキル基、ポリエステル基、またはポリエーテル基であり、nは1〜300の整数である。
前記フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子は、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、または炭素数1〜10のフッ素化アルケニル基が置換された(メタ)アクリレート系高分子を含んでもよい。
前記反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜10のアルキレンアルコール、エポキシ、アミノ基、チオール基、またはカルボキシル基からなる群より選択された1種以上の反応性官能基が1以上置換されたシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子を含んでもよい。
前記高分子添加剤は、アルコール類、エーテル類、アセテート類、およびケトン類からなる群より選択された1種以上の有機溶媒をさらに含んでもよい。
前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、および前記反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子それぞれが、1重量%〜50重量%の有機溶液を基準として10mgKOH/g〜50mgKOH/gの酸価を有してもよい。
前記粘着バインダーは、ヒドロキシ基、イソシアネート基、ビニル基、および(メタ)アクリレート基からなる群より選択された1種以上の官能基が1以上置換もしくは非置換の(メタ)アクリレート系重合体または(メタ)アクリレート系共重合体を含んでもよい。
前記粘着バインダーは、(メタ)アクリレート樹脂の側鎖に、炭素−炭素二重結合を有するアクリレートを付加させた内在型粘着バインダーを含んでもよい。例えば、前記内在型粘着バインダーとしては、(メタ)アクリレート系ベース樹脂の主鎖に、(メタ)アクリレート官能基を側鎖として1wt%〜45wt%付加した高分子樹脂が用いられる。
前記粘着バインダーは、100,000〜1,500,000の重量平均分子量を有する高分子樹脂を含んでもよい。
前記光開始剤は、ベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類、α−アミノアセトフェノン類、アシルホスフィンオキシド類、およびオキシムエステル類からなる群より選択された1種以上を含んでもよい。
前記粘着バインダー100重量部対比、前記光開始剤0.01〜5重量部を含んでもよい。
前記ダイシングフィルム粘着層形成用組成物は、硬化剤をさらに含んでもよい。
前記硬化剤は、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、および金属キレート系化合物からなる群より選択された1種以上を含んでもよい。
前記ダイシングフィルム粘着層形成用組成物は、前記粘着バインダー100重量部対比、前記硬化剤0.1〜30重量部を含んでもよい。
また、本明細書では、基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一面上に形成された粘着層とを含み、前記粘着層は、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物を含む、ダイシングフィルムが提供される。
前記基材フィルムの厚さは、10μm〜200μmであり、前記粘着層の厚さは、0.5μm〜50μmである。
また、本明細書では、前記ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの少なくとも一面に形成された接着層とを含む、ダイシングダイボンディングフィルムが提供される。
また、本明細書では、前記ダイシングダイボンディングフィルムと、前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハとを含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、前記前処理段階の後、半導体ウエハをエキスパンディングする段階と、前記エキスパンディングした半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法が提供される。
ダイシング工程において、フィルム間の固着化を防止することでピックアップ成功率が高められ、相対的に高いダイシェア強度を示して接着力の低下による剥離現象を防止することのできるダイシングダイボンディングフィルムを提供するためのダイシングフィルム粘着層形成用組成物および前記組成物を含む粘着層を含むダイシングフィルム、並びに前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法が提供される。
以下、発明の具体的な実施形態に係るダイシングフィルム、ダイシングダイボンディングフィルムおよび半導体ウエハのダイシング方法に関してより詳細に説明する。
発明の一実施形態によれば、(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子、および反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子からなる群より選択された1種以上の高分子を含む高分子添加剤と、粘着バインダーと、光開始剤とを含み、前記粘着バインダー対比、前記高分子添加剤の重量比が0.01%〜4.5%である、ダイシングフィルム粘着層形成用組成物が提供される。
従来は、ダイシング工程中のピックアップ工程時にフィルム間の固着化が発生する問題、およびフィルム間のピール強度が大きすぎてチップのピックアップ成功率が低下し得る問題が存在していた。
そこで、本発明者らは、前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子、および反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子からなる群より選択された1種以上の高分子を含む高分子添加剤を特定含有量で含む前記ダイシングフィルム粘着層形成用組成物から形成された粘着層を含むダイシングフィルムを用いる場合、フィルム間の固着化防止およびフィルム間のピール強度を低くしてチップのピックアップ成功率を向上させることができ、相対的に高いダイスェア強度を示して接着力の低下による剥離現象を防止することができ、半導体製造過程の信頼性を向上させることができるという点を、実験を通して確認し、発明を完成した。
前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子、および反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子それぞれは、粘着層表面において前記粘着バインダーとより相溶性を有して容易に混合できながらも、分子内部に存在する所定の非極性部分が前記組成物から製造される粘着層の上端に露出して離型性およびスリップ性を付与することができる。
これによって、前記高分子添加剤は、前記粘着バインダーと反応して転写を最小化しながらも、上述した非極性部分が粘着層表面に位置することでより効果的に離型性およびスリップ性を付与することができる。
特に、前記高分子添加剤は、前記粘着バインダー対比、0.01%〜4.5%、または0.1%〜2%の重量比で用いることができるが、相対的に低い使用量にもかかわらず、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物から製造されるダイシングフィルムの粘着層が剥離強度、例えば、UV照射前後における180度剥離力およびタック強度とSUSに対する剥離力が顕著に高くなり得る。
前記粘着バインダー対比、前記高分子添加剤の重量比が低すぎると、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物から製造されるダイシングフィルムの粘着層が剥離強度、例えば、UV照射前後における180度剥離力およびタック強度とSUSに対する剥離力が過度に高くなり得る。
また、前記粘着バインダー対比、前記高分子添加剤の重量比が高すぎると、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物から製造されるダイシングフィルムの粘着層が剥離強度はある程度低下させられるものの、前記粘着層のダイシェア強度が大きく低下して接着力の低下による剥離現象が現れ、これによって半導体製造過程における信頼性が低下することがある。
前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子は、下記化学式1の繰り返し単位を含んでもよい。
Figure 2017509768
前記化学式1において、R1は水素、炭素数1〜20のアルキル基であり、R2は水素、炭素数1〜20のアルキル基、ポリエステル基、またはポリエーテル基であり、nは1〜300の整数である。
前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子の商用製品の例としては、BYK0−350、BYK−352、BYK−354、BYK−355、BYK−356、BYK−358N、BYK−361N、BYK−380、BYK−392、またはBYK−394が挙げられるが、前記高分子添加剤の具体例がこれらに限定されるものではない。
前記フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子は、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、または炭素数1〜10のフッ素化アルケニル基が置換された(メタ)アクリレート系高分子を含んでもよい。
前記フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子の商用製品の例としては、フタージェント222F(ネオス社製造)、F470(DIC社)、F489(DIC社)、またはV−8FMなどが挙げられるが、前記高分子添加剤の具体例がこれらに限定されるものではない。
前記反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜10のアルキレンアルコール、エポキシ、アミノ基、チオール基、またはカルボキシル基からなる群より選択された1種以上の反応性官能基が1以上置換されたシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子を含んでもよい。
前記反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子のより具体的な例としては、ヒドロキシ官能性シリコン変性ポリアクリレートが挙げられ、その商用製品の例としては、BYK SIL−CLEAN3700などが挙げられるが、前記高分子添加剤の具体例がこれに限定されるものではない。
前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子、および反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子からなる群より選択された1種以上の高分子を含む高分子添加剤は、アルコール類、エーテル類、アセテート類、およびケトン類からなる群より選択された1種以上の有機溶媒をさらに含んでもよい。
前記高分子添加剤は、上述した高分子1〜50重量%と、残量の有機溶媒とを含んでもよい。
前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、および前記反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子それぞれが、1重量%〜50重量%の有機溶液を基準として10mgKOH/g〜50mgKOH/g、または20mgKOH/g〜40mgKOH/gの酸価を有してもよい。
一方、前記粘着バインダーは、ダイシングフィルムの粘着層を形成するのに使用できることが知られている高分子樹脂を大きな制限なく使用可能であり、例えば、所定の反応性官能基が置換された高分子樹脂、または反応性官能基を含む主鎖の高分子樹脂が用いられる。
具体的には、前記粘着バインダーは、ヒドロキシ基、イソシアネート基、ビニル基、および(メタ)アクリレート基からなる群より選択された1種以上の官能基が1以上置換もしくは非置換の(メタ)アクリレート系重合体または(メタ)アクリレート系共重合体を含んでもよい。
また、前記粘着バインダーとしては、(メタ)アクリレート樹脂の側鎖に、炭素−炭素二重結合を有するアクリレートを付加させた内在型粘着バインダーであってもよい。例えば、前記内在型粘着バインダーとしては、(メタ)アクリレート系ベース樹脂の主鎖に、(メタ)アクリレート官能基を側鎖として1wt%〜45wt%付加した高分子樹脂が用いられる。
前記粘着バインダーは、100,000〜1,500,000の重量平均分子量を有する高分子樹脂を含んでもよい。
具体的には、前記ヒドロキシ基、イソシアネート基、ビニル基、および(メタ)アクリレート基からなる群より選択された1種以上の官能基が1以上置換もしくは非置換の(メタ)アクリレート系重合体または(メタ)アクリレート系共重合体は、100,000〜1,500,000の重量平均分子量を有してもよい。
本明細書において、(メタ)アクリレートは、アクリレート[acrylate]および(メタ)クリレート[(meth)acrylate]を全て含む意味である。
このような(メタ)アクリレート系重合体または(メタ)アクリレート系共重合体は、例えば、(メタ)アクリル酸エステル系単量体および架橋性官能基含有単量体の重合体または共重合体であってもよい。
この時、(メタ)アクリル酸エステル系単量体の例としては、アルキル(メタ)アクリレートが挙げられ、より具体的には、炭素数1〜12のアルキル基を有する単量体として、ペンチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、またはデシル(メタ)アクリレートの1種または2種以上の組み合わせが挙げられる。アルキルの炭素数が大きい単量体を用いるほど、最終共重合体のガラス転移温度が低くなるので、目的のガラス転移温度に応じて適切な単量体を選択すれば良い。
また、架橋性官能基含有単量体の例としては、ヒドロキシ基含有単量体、カルボキシル基含有単量体、または窒素含有単量体の1種または2種以上の組み合わせが挙げられる。この時、ヒドロキシル基含有化合物の例としては、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートまたは2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートなどが挙げられ、カルボキシル基含有化合物の例としては、(メタ)アクリル酸などが挙げられ、窒素含有単量体の例としては、(メタ)アクリロニトリル、N−ビニルピロリドン、またはN−ビニルカプロラクタムなどが挙げられるが、これらに制限されるわけではない。前記(メタ)アクリレート系樹脂にはさらに、相溶性などのその他機能性向上の観点から、酢酸ビニル、スチレン、またはアクリロニトリル炭素−炭素二重結合含有低分子量化合物などが追加的に含まれてもよい。
また、前記(メタ)アクリレート樹脂の側鎖に、炭素−炭素二重結合を有するアクリレートを付加させた内在型粘着バインダーは、100,000〜1,500,000の重量平均分子量を有してもよい。
前記粘着バインダーに含まれる高分子樹脂の重量平均分子量が低すぎると、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物のコーティング性または凝集力が低下することがあり、前記実施形態の組成物から形成された粘着層の剥離時、被着体に残留物が残ったり、または前記粘着層が破壊されることがある。
また、前記粘着バインダーに含まれる高分子樹脂の重量平均分子量が高すぎると、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物の紫外線硬化が十分に起こらないことがあり、これによって前記組成物から形成される粘着層の剥離力が十分に低くならず、ピックアップ成功率が低下することがある。
一方、前記ダイシングフィルム粘着層形成用組成物は、紫外線硬化型化合物をさらに含んでもよい。
前記紫外線硬化型化合物の種類は特に制限されず、例えば、重量平均分子量が500〜300,000程度の多官能性化合物(ex.多官能性ウレタンアクリレート、多官能性アクリレート単量体またはオリゴマーなど)が用いられる。この分野における平均的技術者は、目的の用途に応じた適切な化合物を容易に選択することができる。
前記紫外線硬化型化合物の含有量は、前述した粘着バインダー100重量部に対して、5重量部〜400重量部、好ましくは10重量部〜200重量部であってもよい。紫外線硬化型化合物の含有量が5重量部未満であれば、硬化後の粘着力の低下が十分でなく、ピックアップ性が低下する恐れがあり、400重量部を超えると、紫外線照射前の粘着剤の凝集力が不足したり、離型フィルムなどとの剥離が容易に行われない恐れがある。
一方、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物に含まれる光開始剤の具体例が限定されるものではなく、通常知られた光開始剤を格別な制限なく使用可能である。例えば、前記光開始剤としては、ベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類、α−アミノアセトフェノン類、アシルホスフィンオキシド類、オキシムエステル類、またはこれら2種以上の混合物が用いられる。
前記光開始剤の使用量は、製造される粘着層の物性および特性と使用される粘着バインダーの種類および特性などを考慮して決定可能であり、例えば、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物は、前記粘着バインダー100重量部対比、前記光開始剤0.01〜8重量部を含んでもよい。
一方、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物は、硬化剤をさらに含んでもよい。前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物を基材フィルムにコーティング時、前記硬化剤は、粘着バインダーの反応基と常温または30〜50℃の温度で反応して架橋を形成することができる。また、前記硬化剤に含まれる所定の反応基が未反応状態で残留し、ピックアップ前にUV照射により追加の架橋が進行して粘着層の粘着力を低下させることができる。
前記硬化剤は、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、および金属キレート系化合物からなる群より選択された1種以上を含んでもよい。
前記硬化剤の使用量は、製造される粘着層の物性および特性と使用される粘着バインダーの種類および特性などを考慮して決定可能であり、例えば、前記実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物は、前記粘着バインダー100重量部対比、前記硬化剤0.1〜30重量部を含んでもよい。
一方、発明の他の実施形態によれば、基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一面上に形成された粘着層とを含み、前記粘着層は、上述した一実施形態のダイシングフィルム粘着層形成用組成物を含む、ダイシングフィルムが提供される。
前記基材フィルムの種類は特に制限されず、例えば、この分野で公知のプラスチックフィルムまたは金属箔などが用いられる。例えば、前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン、線状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレンのランダム共重合体、ポリプロピレンのブロック共重合体、ホモポリプロピレン、ポリメチルペンテン(polymethylpentene)、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−アイオノマー共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、スチレンの共重合体、またはこれら2種以上の混合物が挙げられる。上記で2種以上の高分子の混合物が含まれる基材フィルムの意味は、前述した高分子をそれぞれ含むフィルムが2層以上積層された構造のフィルム、または前述した高分子が2以上含まれている単一層のフィルムを全て含む。
前記基材フィルムの厚さは特に限定されず、通常10μm〜200μm、好ましくは50μm〜180μmの厚さに形成される。前記厚さが10μm未満であれば、ダイシング工程で切断深さ(cut depth)の調節が不安になる恐れがあり、200μmを超えると、ダイシング工程でバリ(burr)が多量発生したり、延伸率が低下してエキスパンディング工程が正確に行われない恐れがある。
前記基材フィルムには、必要に応じて、マット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、または架橋処理などの慣用的な物理的または化学的処理を加えることができる。
前記粘着層の厚さは、0.5μm〜50μm、または5μm〜30μmであってもよい。
前記粘着層に含まれるダイシングフィルム粘着層形成用組成物に関する内容は、前記一実施形態に関して上述した内容を全て含む。
一方、発明のさらに他の実施形態によれば、前記ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの少なくとも一面に形成された接着層とを含む、ダイシングダイボンディングフィルムが提供される。
前記ダイシングフィルムに関する具体的な内容は、上述した内容を全て含む。
前記接着剤層は、エポキシ樹脂、低炭性高分子量樹脂、および接着剤層用硬化剤を含んでもよい。前記エポキシ樹脂には、この分野で公知の一般的な接着剤用エポキシ樹脂が含まれてもよいし、例えば、分子内に2個以上のエポキシ基を含有し、重量平均分子量が100〜5,000のエポキシ樹脂が用いられる。
前記エポキシ樹脂は、硬化工程によりハードな架橋構造を形成して、優れた接着性、耐熱性および機械的強度を示すことができる。
より具体的には、前記エポキシ樹脂としては、特に平均エポキシ当量が100〜1,000のエポキシ樹脂を使用することが好ましい。前記エポキシ樹脂のエポキシ当量が100未満であれば、架橋密度が過度に高くなって、接着フィルムが全体的に硬い性質を示す恐れがあり、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量が1,000を超えると、耐熱性が低下する恐れがある。
前記エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールAエポキシ樹脂またはビスフェノールFエポキシ樹脂などの二官能性エポキシ樹脂;またはクレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、四官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、またはジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂などの3個以上の官能基を有する多官能性エポキシ樹脂の1種または2種以上が挙げられるが、これらに制限されるわけではない。
前記エポキシ樹脂として、二官能性エポキシ樹脂および多官能性エポキシ樹脂の混合樹脂を使用することが好ましい。
前記『多官能性エポキシ樹脂』とは、3個以上の官能基を有するエポキシ樹脂を意味する。つまり、一般に二官能性エポキシ樹脂は、柔軟性および高温での流れ性などは優れているものの、耐熱性および硬化速度が低下するのに対し、官能基が3個以上の多官能性エポキシ樹脂は、硬化速度が速く、高い架橋密度によって優れた耐熱性を示すものの、柔軟性および流れ性が低下する。したがって、前記2種類の樹脂を適切に混合、使用することによって、接着層の弾性率およびタック(tack)特性を制御しながらも、ダイシング工程時にチップの飛散やバリの発生を抑制することができる。
前記低炭性高分子量樹脂は、接着剤内でソフトセグメントをなして高温での応力緩和特性を付与する役割を果たすことができる。前記高分子量樹脂として、前記エポキシ樹脂とブレンディングされてフィルム形成時に壊れるのを誘発せず、架橋構造の形成後に粘弾性を示すことができ、他の成分との相溶性および保管安定性に優れているものであれば、いかなる樹脂成分も使用可能である。
前記低炭性高分子量樹脂の具体的な種類は、前述した特性を満足する限り、特に制限はないが、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性アクリロニトリルブタジエンゴム、または(メタ)アクリレート系樹脂などの1種または2種以上の組み合わせが用いられる。
前記(メタ)アクリレート系樹脂の具体例としては、(メタ)アクリル酸およびその誘導体を含むアクリル系共重合体が挙げられ、この時、(メタ)アクリル酸およびその誘導体の例としては、(メタ)アクリル酸;メチル(メタ)アクリレートまたはエチル(メタ)アクリレートなどの炭素数1〜12のアルキル基を含有するアルキル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリロニトリルまたは(メタ)アクリルアミド;およびその他共重合性単量体が含まれる。
前記(メタ)アクリレート系樹脂はさらに、グリシジル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、およびアミン基などの1種または2種以上の官能基を含んでもよく、このような官能基は、グリシジル(メタ)アクリレート、ヒドロキシ(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、またはカルボキシ(メタ)アクリレートなどの単量体を共重合させることによって導入することができる。
前記接着剤組成物に含まれる硬化剤は、前記エポキシ樹脂および/または低炭性高分子量樹脂と反応して、架橋構造を形成できるものであれば特に制限はない。例えば、前記2つの成分と同時に反応して架橋構造を形成できる硬化剤が用いられるが、このような硬化剤は、接着剤内のソフトセグメントおよびハードセグメントとそれぞれ架橋構造をなして耐熱性を向上させると同時に、両者の界面で2つのセグメントの架橋剤として作用して半導体パッケージの信頼性を向上させることができる。
前記接着層の厚さが大きく限定されるものではないが、例えば、1μm〜100μm、または3μm〜50μmの範囲であってもよい。
一方、発明のさらに他の実施形態によれば、前記ダイシングダイボンディングフィルムと、前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハとを含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、前記前処理段階の後、半導体ウエハをエキスパンディングする段階と、前記エキスパンディングした半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法が提供される。
前記ダイシングダイボンディングフィルムに関する内容は、上述した内容を全て含む。
前記ダイシング方法の細部段階に関する内容を除いて、通常知られた半導体ウエハのダイシング方法に使用される装置、方法などを格別な制限なく使用可能である。
前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムを用いることにより、半導体ウエハのダイシング工程中に発生し得るバリ(burr)現象を最小化して半導体チップの汚染を防止し、半導体チップの信頼度および寿命を向上させることができる。
本発明の具体的な実施形態を下記の実施例でより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は発明の具体的な実施形態を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例によって限定されるものではない。
実施例1
光硬化型粘着バインダー樹脂100重量部対比、イソシアネート系硬化剤(多官能イソシアネートオリゴマー)2重量部、BYK−Silclean3700(BYK社)0.2重量部、および光開始剤としてダロカーTPO1重量部を混合して、UV硬化型粘着組成物を製造した。前記光硬化型粘着バインダー樹脂としては、アクリル系ベース樹脂の主鎖に、アクリレート官能基を側鎖として20wt%付加した高分子樹脂(Mw300,000)を使用した。
前記UV硬化型粘着組成物を100umのポリオレフィンフィルムの一方の面にコーティングし、乾燥して、10umの粘着層が含まれているダイシングフィルムを製造した。
実施例2
光硬化型粘着バインダー樹脂100重量部対比、イソシアネート系硬化剤(多官能イソシアネートオリゴマー)2重量部、BYK−Silclean394(BYK社)0.2重量部、および光開始剤としてダロカーTPO1重量部を混合して、UV硬化型粘着組成物を製造した。前記光硬化型粘着バインダー樹脂としては、アクリル系ベース樹脂の主鎖に、アクリレート官能基を側鎖として20wt%付加した高分子樹脂(Mw300,000)を使用した。
前記UV硬化型粘着組成物を100umのポリオレフィンフィルムの一方の面にコーティングし、乾燥して、10umの粘着層が含まれているダイシングフィルムを製造した。
比較例1
光硬化型粘着バインダー樹脂100重量部対比、イソシアネート系硬化剤(多官能イソシアネートオリゴマー)2重量部、および光開始剤としてダロカーTPO1重量部を混合して、UV硬化型粘着組成物を製造した。前記光硬化型粘着バインダー樹脂としては、アクリル系ベース樹脂の主鎖に、アクリレート官能基を側鎖として20wt%付加した高分子樹脂(Mw300,000)を使用した。
前記UV硬化型粘着組成物を100umのポリオレフィンフィルムの一方の面にコーティングし、乾燥して、10umの粘着層が含まれているダイシングフィルムを製造した。
比較例2
光硬化型粘着バインダー樹脂100重量部対比、イソシアネート系硬化剤(多官能イソシアネートオリゴマー)2重量部、BYK−Silclean3700(BYK社)5重量部、および光開始剤としてダロカーTPO1重量部を混合して、UV硬化型粘着組成物を製造した。前記光硬化型粘着バインダー樹脂としては、アクリル系ベース樹脂の主鎖に、アクリレート官能基を側鎖として20wt%付加した高分子樹脂(Mw300,000)を使用した。
前記UV硬化型粘着組成物を100umのポリオレフィンフィルムの一方の面にコーティングし、乾燥して、10umの粘着層が含まれているダイシングフィルムを製造した。
比較例3
光硬化型粘着バインダー樹脂100重量部対比、イソシアネート系硬化剤(多官能イソシアネートオリゴマー)2重量部、シリコン化合物オイルL−7500(Silwet社)0.5重量部、および光開始剤としてダロカーTPO1重量部を混合して、UV硬化型粘着組成物を製造した。前記光硬化型粘着バインダー樹脂としては、アクリル系ベース樹脂の主鎖に、アクリレート官能基を側鎖として20wt%付加した高分子樹脂(Mw300,000)を使用した。
前記UV硬化型粘着組成物を100umのポリオレフィンフィルムの一方の面にコーティングし、乾燥して、10umの粘着層が含まれているダイシングフィルムを製造した。
試験例
前記実施例1〜2および比較例1〜3により製造されたダイシングフィルムの剥離力、タック試験、およびピックアップ成功率を下記のように測定し、結果を下記表1および2に示した。
1.ダイボンディングフィルム/ダイシングフィルム間の180度剥離力の測定(UV硬化前後)
ダイボンディングフィルムとPSA層との間の剥離力測定のために、接着フィルムを常温でダイシングフィルムと貼り合わせた後、1時間放置し、その後、幅25mmのサンプルを作製して、300mm/minの速度で180度ピール強度を測定し、追加的にUV照射後の値も測定した。前記測定は1サンプルあたり3回以上行って、その平均値を記載した。
2.SUS/ダイシングフィルム間の90度剥離力の測定(UV硬化前)
25mm幅のダイシングフィルムを準備して、SUS304を被着体にして付着させた。付着して1時間硬化後に、300mm/minの速度で90度ピール強度を測定した。前記測定は1サンプルあたり3回以上行って、その平均値を記載した。
3.タック試験(UV硬化前後)
プレート上にダイシングフィルムの粘着層を上に向かせて載せ、直径1インチのボールタイプのプローブ(probe)を用いてタック強度を測定した。この時、プローブに印加される力は800gf、接触時間は0.01秒、プローブを引き離す測定速度は1mm/sであり、測定に使用された機器はTexture Analyzerであった。
4.ピックアップ成功率の測定
前記実施例および比較例により製造されたダイシングフィルムから製造されたダイシングダイボンディングフィルムおよびウエハを70℃の条件でラミネーションさせた。次に、ダイシング装備(NEON社製造)を用いて下記条件でダイシング工程を行った後、ダイシングフィルム面に下記条件で紫外線照射を行った。その後、各チップをダイボンダ(Shinkawa社)で200個ピックアップし、ピックアップされなかった個数を測定してパーセントで表記した。
[ダイシング条件]
ブレード:27HEDD
ブレード回転速度:40,000rpm
速度:30mm/s
チップサイズ:10mmx10mm
cut depth:70um
[紫外線照射条件]
ランプ:metal halide type
照度:70mW/cm2(照度測定:UV meter)
照射量:200mJ/cm2以上(照射量測定:UV meter)
[ピックアップ条件]
エキスパンディング:4mm
ピン高さ:0.15mm
ピックアップ強度:100gf
5.ダイシェア強度(Die Shear Strength)
二酸化膜でコーティングされた厚さ500umのウエハを用いて5mmx5mmの大きさに切断した後、ダイシングダイボンディングフィルムと共に60℃の条件でラミネーションし、UVを照射してダイシングフィルムを除去後、チップサイズの接着フィルムだけを残して切断した。10mmx10mmの大きさの下部チップに5mmx5mmの大きさの上部チップを載せた後、130℃のホットプレート上で2kgfの力で2秒間押して付着させた後、125℃で1時間硬化した。このように作製された試験片を175℃で2時間硬化後、250度で上部チップのダイシェア強度を測定した。
Figure 2017509768
Figure 2017509768
前記表1および表2に示されているように、前記実施例1〜2で製造されたダイシングフィルムは、比較例1で製造されたダイシングフィルムに比べて、UV照射前後における180度剥離力およびタック強度が相対的に低く、SUS剥離力も相対的に低く、高いピックアップ成功率を示す点が確認された。
これと共に、前記実施例1〜2で製造されたダイシングフィルムは、比較例2〜3で製造されたダイシングフィルムに比べて、相対的に高いダイシェア強度を示して接着力の低下による剥離現象を防止することができ、これによってリフロークラックを抑制することができ、半導体製造過程の信頼性を向上させることができる点が確認された。

Claims (18)

  1. (メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子、および反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子からなる群より選択された1種以上の高分子を含む高分子添加剤と、
    粘着バインダーと、
    光開始剤とを含み、
    前記粘着バインダー対比、前記高分子添加剤の重量比が0.01%〜4.5%である、ダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  2. 前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子は、下記化学式1の繰り返し単位を含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物:
    Figure 2017509768
    前記化学式1において、R1は水素、炭素数1〜20のアルキル基であり、
    2は水素、炭素数1〜20のアルキル基、ポリエステル基、またはポリエーテル基であり、nは1〜300の整数である。
  3. 前記フッ素を1以上含む(メタ)アクリレート系高分子は、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、または炭素数1〜10のフッ素化アルケニル基が置換された(メタ)アクリレート系高分子を含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  4. 前記反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜10のアルキレンアルコール、エポキシ、アミノ基、チオール基、またはカルボキシル基からなる群より選択された1種以上の反応性官能基が1以上置換されたシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子を含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  5. 前記高分子添加剤は、アルコール類、エーテル類、アセテート類、およびケトン類からなる群より選択された1種以上の有機溶媒をさらに含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  6. 前記(メタ)アクリレート系官能基および非極性官能基を含む高分子、および前記反応性官能基を含むシリコン変性(メタ)アクリレート系高分子それぞれが、1重量%〜50重量%の有機溶液を基準として10mgKOH/g〜50mgKOH/gの酸価を有する、請求項5に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  7. 前記粘着バインダーは、ヒドロキシ基、イソシアネート基、ビニル基、および(メタ)アクリレート基からなる群より選択された1種以上の官能基が1以上置換もしくは非置換の(メタ)アクリレート系重合体または(メタ)アクリレート系共重合体を含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  8. 前記粘着バインダーは、(メタ)アクリレート樹脂の側鎖に、炭素−炭素二重結合を有するアクリレートを付加させた内在型粘着バインダーを含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  9. 前記粘着バインダーは、100,000〜1,500,000の重量平均分子量を有する高分子樹脂を含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  10. 前記光開始剤は、ベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類、α−アミノアセトフェノン類、アシルホスフィンオキシド類、およびオキシムエステル類からなる群より選択された1種以上を含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  11. 前記粘着バインダー100重量部対比、前記光開始剤0.01〜8重量部を含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  12. 硬化剤をさらに含む、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  13. 前記硬化剤は、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、および金属キレート系化合物からなる群より選択された1種以上を含む、請求項12に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  14. 前記粘着バインダー100重量部対比、前記硬化剤0.1〜30重量部を含む、請求項12に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物。
  15. 基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一面上に形成された粘着層とを含み、
    前記粘着層は、請求項1に記載のダイシングフィルム粘着層形成用組成物を含む、ダイシングフィルム。
  16. 前記基材フィルムの厚さは、10μm〜200μmであり、
    前記粘着層の厚さは、0.5μm〜50μmである、請求項15に記載のダイシングフィルム。
  17. 請求項15に記載のダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの少なくとも一面に形成された接着層とを含む、ダイシングダイボンディングフィルム。
  18. 請求項17に記載のダイシングダイボンディングフィルムと、前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハとを含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、
    前記前処理段階の後、半導体ウエハをエキスパンディングする段階と、
    前記エキスパンディングした半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法。
JP2016560325A 2013-12-19 2014-12-12 ダイシングフィルム粘着層形成用組成物およびダイシングフィルム Active JP6393779B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130159583 2013-12-19
KR10-2013-0159583 2013-12-19
KR10-2014-0178602 2014-12-11
KR1020140178602A KR101709689B1 (ko) 2013-12-19 2014-12-11 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
PCT/KR2014/012284 WO2015093794A1 (ko) 2013-12-19 2014-12-12 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017509768A true JP2017509768A (ja) 2017-04-06
JP6393779B2 JP6393779B2 (ja) 2018-09-19

Family

ID=53518373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016560325A Active JP6393779B2 (ja) 2013-12-19 2014-12-12 ダイシングフィルム粘着層形成用組成物およびダイシングフィルム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10526513B2 (ja)
JP (1) JP6393779B2 (ja)
KR (1) KR101709689B1 (ja)
CN (1) CN105143382B (ja)
TW (1) TWI534227B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019235487A1 (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 積水化学工業株式会社 粘着テープ
WO2021065515A1 (ja) * 2019-10-01 2021-04-08 積水化学工業株式会社 粘着テープ

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102218830B1 (ko) * 2018-12-28 2021-02-24 주식회사 케이씨씨 반도체용 비자외선형 점착제 조성물
JP7287797B2 (ja) * 2019-03-11 2023-06-06 日東電工株式会社 接着フィルム付きダイシングテープ
KR102426260B1 (ko) * 2019-09-26 2022-07-29 주식회사 엘지화학 다이싱 테이프용 점착조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
KR102504363B1 (ko) * 2019-10-24 2023-02-24 주식회사 엘지화학 실리콘계 이형제 조성물, 이로부터 경화된 이형층을 구비하는 이형필름
JP2022057808A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 搬送装置及び画像形成装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008001817A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
WO2009050785A1 (ja) * 2007-10-16 2009-04-23 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 粘着剤、粘着シート、多層粘着シート及び電子部品の製造方法
JP2010163518A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いたガラス部品の製造方法
WO2011065252A1 (ja) * 2009-11-30 2011-06-03 電気化学工業株式会社 粘着シート及び電子部品
JP2011210832A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012039053A (ja) * 2010-07-14 2012-02-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 多層粘着シート及び電子部品の製造方法
WO2012036209A1 (ja) * 2010-09-16 2012-03-22 積水化学工業株式会社 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法
JP2012084758A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品の製造方法
JP2013170200A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Emulsion Technology Co Ltd 粘着剤組成物およびこれを用いた粘着シート

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4395527A (en) 1978-05-17 1983-07-26 M & T Chemicals Inc. Siloxane-containing polymers
JP5863157B2 (ja) * 2006-12-18 2016-02-16 日東電工株式会社 粘着シート
US8008124B2 (en) 2007-02-28 2011-08-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the adhesive film
KR101413380B1 (ko) 2007-08-28 2014-06-30 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 반도체 다이의 제조방법, 상기 방법으로 제조된 반도체다이를 포함하는 반도체 소자
KR100922684B1 (ko) * 2007-08-31 2009-10-19 제일모직주식회사 점착층용 광경화 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
JP2009111340A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法
KR100945638B1 (ko) 2007-12-17 2010-03-04 제일모직주식회사 광경화성 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩필름
KR100945635B1 (ko) 2007-12-18 2010-03-04 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름
JP4717086B2 (ja) 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4553400B2 (ja) 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR20090121254A (ko) 2008-05-20 2009-11-25 주식회사 엘지화학 점착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 웨이퍼
JPWO2009151050A1 (ja) 2008-06-10 2011-11-17 日本化薬株式会社 中空パッケージ用感光性樹脂組成物、その硬化物及び該樹脂組成物を用いた積層体並びにマイクロデバイス
JP4939574B2 (ja) 2008-08-28 2012-05-30 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP4810565B2 (ja) * 2008-11-26 2011-11-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
SG173526A1 (en) 2009-02-12 2011-09-29 Sumitomo Bakelite Co Dicing sheet-attached film for forming semiconductor protection film, method for producing semiconductor device using the same, and semiconductor device
KR101202044B1 (ko) 2009-11-04 2012-11-16 제일모직주식회사 반도체 소자용 액상 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
CN102714186A (zh) 2010-01-20 2012-10-03 住友电木株式会社 半导体保护膜形成用膜及半导体装置
TWI461501B (zh) 2010-12-20 2014-11-21 Henkel IP & Holding GmbH 光可固化切割黏晶膠帶
JPWO2012173110A1 (ja) 2011-06-16 2015-02-23 凸版印刷株式会社 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池の作成方法
KR101318198B1 (ko) 2012-09-07 2013-10-16 충남대학교산학협력단 실록산 변성 아크릴레이트를 포함한 광가교형 점착제 제조방법 및 이의 조성물
WO2015088282A1 (ko) 2013-12-13 2015-06-18 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008001817A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
WO2009050785A1 (ja) * 2007-10-16 2009-04-23 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 粘着剤、粘着シート、多層粘着シート及び電子部品の製造方法
JP2010163518A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いたガラス部品の製造方法
WO2011065252A1 (ja) * 2009-11-30 2011-06-03 電気化学工業株式会社 粘着シート及び電子部品
JP2011210832A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012039053A (ja) * 2010-07-14 2012-02-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 多層粘着シート及び電子部品の製造方法
WO2012036209A1 (ja) * 2010-09-16 2012-03-22 積水化学工業株式会社 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法
JP2012084758A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品の製造方法
JP2013170200A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Emulsion Technology Co Ltd 粘着剤組成物およびこれを用いた粘着シート

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019235487A1 (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 積水化学工業株式会社 粘着テープ
JPWO2019235487A1 (ja) * 2018-06-05 2021-04-30 積水化学工業株式会社 粘着テープ
JP7348838B2 (ja) 2018-06-05 2023-09-21 積水化学工業株式会社 粘着テープ
WO2021065515A1 (ja) * 2019-10-01 2021-04-08 積水化学工業株式会社 粘着テープ

Also Published As

Publication number Publication date
JP6393779B2 (ja) 2018-09-19
US20160040043A1 (en) 2016-02-11
TWI534227B (zh) 2016-05-21
US10526513B2 (en) 2020-01-07
TW201529780A (zh) 2015-08-01
CN105143382B (zh) 2018-05-18
KR20150072343A (ko) 2015-06-29
CN105143382A (zh) 2015-12-09
KR101709689B1 (ko) 2017-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6393779B2 (ja) ダイシングフィルム粘着層形成用組成物およびダイシングフィルム
JP6348986B2 (ja) ダイシングフィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム
JP4717085B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4628479B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6309108B2 (ja) ダイシングフィルム粘着層形成用組成物およびダイシングフィルム
JP2010166091A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6389456B2 (ja) 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法
JPWO2011004825A1 (ja) ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法
JP5889892B2 (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
JP6393449B2 (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP4025223B2 (ja) ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR101635265B1 (ko) 점착 필름
KR101565515B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법
WO2015093794A1 (ko) 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
WO2015088282A1 (ko) 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
JP4718640B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
KR101604822B1 (ko) 반도체 웨이퍼 다이싱 필름, 및 다이싱 다이본딩 필름
KR101659057B1 (ko) 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
TW202223024A (zh) 黏著帶及加工方法
JP2021061347A (ja) 半導体加工用テープ及び半導体パッケージの製造方法
TW202225363A (zh) 黏著帶及加工方法
WO2019235805A1 (ko) 백 그라인딩 테이프

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180402

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180712

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20180719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180816

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6393779

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250