JP2017222015A - 加工装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】加工屑が装置内に固体化することを防止して、被加工物を連続的に加工すること。
【解決手段】加工装置(1)は、中心を軸に自転可能なターンテーブル(40)と、ターンテーブルの中心を中心に均等角度で配設し被加工物(W)を保持する保持テーブル(41)と、保持テーブルに保持された被加工物を加工する加工手段(51)と、ターンテーブルを露出する開口を有しターンテーブルを収容しターンテーブルから流下する被加工物を加工した加工屑を含む加工廃液を受け止めて排水口(48)から排水するウォータケース(46)と、を備え、ターンテーブルは、側面にウォータケースの底板(47)に毛先を向けたブラシ(70)を備え、ターンテーブルが回転することでウォータケースの底板に滞留する加工屑をかき回し加工廃液とともに排水口から排水する構成とした。
【選択図】図1

Description

本発明は、被加工物を加工する加工装置に関する。
加工装置として、被加工物としてのウエーハを研削して薄化する研削装置や、研削後のウエーハを研磨する研磨装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。研削装置としては、上面に一対の保持テーブルが備えられたターンテーブルによって、搬送位置と研削位置に保持テーブル上のウエーハを位置付けるものが知られている。研削装置は、研削加工時にウエーハと研削ホイールとの間に研削水を供給しながらウエーハを研削しており、加工屑を含む廃液は、ターンテーブルの周囲のウォータケースを介して排出される。また、研磨装置は、研磨パッドにスラリーを定着させながら、ウエーハをCMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨しており、スラリーの廃液はターンテーブルの周囲のウォータケースを介して排出される。
特開2014−50932号公報
しかしながら、ウォータケース内の研削水には加工屑が含まれ、スラリーには遊離砥粒が含まれているため、これらの加工屑やスラリーはウォータケースの底板に滞留する。底板に加工屑やスラリーが放置されると、ターンテーブルの周囲で固体化して、ターンテーブルが回転できなくなる場合がある。また、固体化した加工屑やスラリーを清掃するために頻繁に装置を停止させる必要があり、連続的にウエーハを加工することができない問題がある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、加工屑が装置内で固体化することを防止して、被加工物を連続的に加工することができる加工装置を提供することを目的の1つとする。
本発明の一態様の加工装置は、中心を軸に自転可能なターンテーブルと、該ターンテーブルの中心を中心に均等角度で配設し被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、該ターンテーブルを露出する開口を有し該ターンテーブルを収容し該ターンテーブルから流下する被加工物を加工した加工屑を含む加工廃液を受け止めて排水口から排水するウォータケースと、を備え、該ターンテーブルは、側面に該ウォータケースの底板に毛先を向けたブラシを備え、該ターンテーブルが回転することで該ウォータケースの底板に滞留する加工屑をかき回し加工廃液とともに該排水口から排水する。
この構成によれば、ターンテーブルの側面に備えられたブラシによって、ターンテーブルが回転する度にウォータケースの底板がかき回される。ウォータケースの周囲で加工屑が掃き出されるため、ターンテーブルの外周に加工屑が滞留して固体化することがなく、ターンテーブルの回転が阻害されることがない。また、ターンテーブルの周囲の加工屑を清掃する頻度を減らすことができ、被加工物を連続加工することができる。
本発明によれば、加工屑が装置内で固体化することを防止して、被加工物を連続的に加工することができる。
本実施の形態に係るCMP研磨装置の斜視図である。 比較例に係るウォータケースの外周にスラリーが固体化した状態を示す図である。 本実施の形態に係るブラシのターンテーブルへの取付け位置を説明するための図である。 図3におけるブラシと底板との位置関係を示す図である。 本実施の形態に係るブラシにおけるスラリーの掃出しを説明するための図である。 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。 本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るCMP研磨装置について説明する。図1は、本実施の形態に係るCMP研磨装置の斜視図である。図2は、比較例に係るウォータケースの外周にスラリーが固体化した状態を示す図である。なお、本実施の形態に係るCMP研磨装置は、図1に示すように研磨加工専用の装置構成に限定されず、例えば、研削加工、研磨加工、洗浄加工等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。また、本実施の形態では、加工装置としてCMP研磨装置を例示するが、加工装置はターンテーブルの側面にブラシを備えたものであればよく、例えば、研削装置でもよい。
図1に示すように、CMP研磨装置1は、フルオートタイプの加工装置であり、被加工物であるウエーハWに対して搬入処理、研磨加工、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウエーハWは、略円板状に形成されており、カセットCに収容された状態でCMP研磨装置1に搬入される。なお、ウエーハWは、半導体基板にIC、LSI等の半導体デバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、無機材料基板にLED等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。また、ウエーハWは、デバイス形成後の半導体基板や無機材料基板でもよい。
CMP研磨装置1の基台11の前側には、複数のウエーハWが収容された一対のカセットCが載置されている。一対のカセットCの後方には、カセットCに対してウエーハWを出し入れするカセットロボット16が設けられている。カセットロボット16の両斜め後方には、加工前のウエーハWを位置決めする位置決め機構21と、加工済みのウエーハWを洗浄する洗浄機構26とが設けられている。位置決め機構21と洗浄機構26の間には、加工前のウエーハWを保持テーブル41に搬入する搬入手段31と、保持テーブル41から加工済みのウエーハWを搬出する搬出手段36とが設けられている。
カセットロボット16は、多節リンクからなるロボットアーム17の先端にハンド部18を設けて構成されている。カセットロボット16では、カセットCから位置決め機構21に加工前のウエーハWが搬送される他、洗浄機構26からカセットCに加工済みのウエーハWが搬送される。
位置決め機構21は、仮置きテーブル22の周囲に、仮置きテーブル22の中心に対して進退可能な複数の位置決めピン23を配置して構成される。位置決め機構21では、仮置きテーブル22上に載置されたウエーハWの外周縁に複数の位置決めピン23が突き当てられることで、ウエーハWの中心が仮置きテーブル22の中心に位置決めされる。
搬入手段31では、搬入パッド33によって仮置きテーブル22からウエーハWが持ち上げられ、搬入アーム32によって搬入パッド33が旋回されることで保持テーブル41にウエーハWが搬入される。搬出手段36では、搬出パッド38によって保持テーブル41からウエーハWが持ち上げられ、搬出アーム37によって搬出パッド38が旋回されることで保持テーブル41からウエーハWが搬出される。
洗浄機構26は、スピンナーテーブル27に向けて洗浄水及び乾燥エアーを噴射する各種ノズル(不図示)を設けて構成される。洗浄機構26では、ウエーハWを保持したスピンナーテーブル27が基台11内に降下され、基台11内で洗浄水が噴射されてウエーハWがスピンナー洗浄された後、乾燥エアーが吹き付けられてウエーハWが乾燥される。
搬入手段31及び搬出手段36の後方には、ターンテーブル40から流下するスラリーや加工屑を含む加工廃液を受け止めるウォータケース46が設けられている。ウォータケース46は基台11に開口を形成することにより設けられ、ウォータケース46内にはターンテーブル40が収容されている。ウォータケース46の搬入手段31及び搬出手段36側はウエーハWが搬送される搬送エリア(図3参照)になっており、後述する加工手段51側にはウエーハWが研磨加工される加工エリア(図3参照)になっている。ターンテーブル40の上面は、一対の保持テーブル41の間でターンテーブル40を二分するように設置された仕切板45で仕切られている。加工エリアはケースカバー76(図3参照)で覆われることにより加工室76a(図1では不図示、図3参照)が形成されており、搬送エリアはケースカバー76から外部に露出している。
ウォータケース46の底板47は、加工エリア側が低くなるように傾斜しており、加工エリア側に加工廃液を排水する排水口48が形成されている。なお、加工エリアでは、排水口48が最も低い位置に形成されて、排水口48からスムーズに加工廃液が排水される。
ウォータケース46の底板47には、一対の保持テーブル41が周方向に均等間隔で備えられたターンテーブル40が配設されている。ターンテーブル40の下方にはターンテーブル40を回転させる回転手段49(図3参照)が設けられ、ターンテーブル40は中心を軸に自転可能となっている。ターンテーブル40が半回転する度に、保持テーブル41に保持されたウエーハWが搬送エリア及び加工エリアに交互に位置付けられる。
保持テーブル41は、ターンテーブル40の中心を中心に均等角度でターンテーブル40に配設されている。各保持テーブル41の下方には保持テーブルを回転させる回転手段(不図示)が設けられている。各保持テーブル41の上面には、ウエーハWの下面を保持する保持面42が形成されている。保持テーブル41の周囲には、環状の周壁43が形成され、周壁43の内側には、保持テーブル41の隣にエア供給源(不図示)に接続された噴出口44が形成されている。この周壁43の内側には、研磨加工中に保持テーブル41から流れ落ちたスラリーが溜められ、噴出口44からエアが噴出されることで、研磨パッド53にスラリーが供給されて再利用される。また、噴出口44はターンテーブル40内の流路を通じてウォータケース46に連通しており、ウエーハWの研磨が終了すると周壁43内に溜められたスラリーは噴出口44を通ってウォータケース46に排出される。
また、ウォータケース46の後側には、コラム12が立設されている。コラム12には、加工手段51をZ軸方向に加工送りする加工送り手段61が設けられている。加工送り手段61は、コラム12の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール62と、一対のガイドレール62にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル63とを有している。
Z軸テーブル63の前面には、ハウジング64を介して加工手段51が支持されている。Z軸テーブル63の背面側にはナット部(不図示)が形成され、このナット部にボールネジ(不図示)が螺合されており、ボールネジ(不図示)の一端には駆動モータ66が連結されている。駆動モータ66によってボールネジ(不図示)が回転駆動され、加工手段51がガイドレール62に沿ってZ軸方向に移動される。
加工手段51は、ハウジング64を介してZ軸テーブル63の前面に取り付けられており、スピンドル54の下部に研磨パッド53を設けて構成されている。加工手段51は、保持テーブル41に保持されたウエーハWを研磨加工する。スピンドル54にはフランジ55が設けられ、フランジ55を介してハウジング64に加工手段51が支持される。スピンドル54の下部には、研磨パッド53が装着されるプラテン52が取り付けられている。研磨パッド53の研磨面にはスラリーSを定着させる多数の孔が形成されている。
また、スピンドル54の上部には、ウエーハWの上面と研磨パッド53の研磨面との間にスラリーSを供給するスラリー供給源59が接続されている。スラリー供給源59からスラリーSが供給されることで、スピンドル54内の流路を通じて研磨面にスラリーSが定着される。スラリーSは、砥粒を含むアルカリ性水溶液又は酸性水溶液であり、例えば、グリーンカーボランダム、ダイヤモンド、アルミナ、酸化セリウム、CBN(立方晶窒化ホウ素)の砥粒が含有される。
CMP研磨装置1には、装置各部を統括制御する制御部(不図示)が設けられている。制御部は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。このようなCMP研磨装置1では、カセットC内からウエーハWが位置決め機構21に搬送されて、位置決め機構21でウエーハWがセンタリングされる。次に、保持テーブル41上にウエーハWが搬入され、ターンテーブル40の回転によって、保持テーブル41に保持されたウエーハWがCMP研磨位置に位置づけられる。CMP研磨位置1ではウエーハWが研磨加工される。そして、洗浄機構26でウエーハWが洗浄され、洗浄機構26からカセットCへウエーハWが搬出される。
ところで、図2の比較例に示す一般的なCMP研磨装置90では、上記の通りウエーハWを加工する際、研磨に用いられたスラリーSや研磨加工により生じた加工屑は、保持テーブル101の周囲に設けられた周壁103の内側に溜められる。ウエーハWの周壁103内に溜められたスラリーSは、研磨が終了するとウォータケース106に連通している噴出口104からウォータケース106の加工エリアの底板107に流れ落ちる。そして、スラリーSは底板107に設けられた排水口108から排出される。
底板107上の加工屑やスラリーSの一部は、排水口108から排水されずにターンテーブル100に連れ回りされる。加工エリア106はケースカバー116で覆われており湿気が高くなっているため、スラリーSの乾燥が防止されて、底板107にスラリーSが固体化され難くなっている。しかしながら、搬送エリアはケースカバー116から外部に露出しており湿気が低い状態になっているため、ターンテーブル100に連れ回されて搬送エリアに運ばれたスラリーSが乾燥してターンテーブル100の外周に固体化されやすい。スラリーSの固体化によってターンテーブル100の回転が停止することを防止するためにはウォータケース106の頻繁な清掃が必要とされ、CMP研磨装置90の連続的な稼働ができず生産性が低下してしまう問題がある。そこで本実施の形態においては、ターンテーブルの側面にブラシを設け、ターンテーブルの外周で固体化するスラリーSを掃き出すこととした。
以下、図3から図5を参照して本実施の形態に係るターンテーブルにおけるブラシの構成について説明する。図3は、本実施の形態に係るブラシのターンテーブルへの取付け位置を説明するための図であり、図4は、図3におけるブラシと底板との位置関係を示す図であり、図5は、本実施の形態に係るブラシにおけるスラリーの掃出しを説明するための図である。
図3に示すように、本実施の形態に係るターンテーブル40の側面には、ブラシ台71の下面に多数のブラシ毛72を設けたブラシ70を備えている。ブラシ70は、仕切板45の延長方向でターンテーブル40の側面に設けられており、ウォータケース46の底板47にブラシ毛72の毛先を向けて配置されている。ターンテーブル40の回転に伴って、ブラシ70が加工エリアと搬送エリアを間欠回転してウォータケース46の底板47をかき回す。なお、図3において加工手段51については省略している。
図4に示すように、ターンテーブル40によって搬送エリアと加工エリアの境界の停止位置にブラシが位置付けられると、ブラシ毛72の長さaは、ブラシ台70と底板47との距離bと略等しくなる。このため、ターンテーブル40の停止位置ではブラシ毛72の毛先がウォータケース46の底板47に接している。
ターンテーブル40によって搬送エリアにブラシ70が移動されると、底板47の傾斜によりブラシ台71と底板47との距離bが近づけられる。このとき、ブラシ毛72の長さaが距離bよりも大きくなるため、ブラシ毛72が底板47に押し付けられる。よって、搬送エリアではターンテーブル40の回転に伴いブラシ70が回転すると、ブラシ70はウォータケース46の底板47で固体化するスラリーSをかき回し、スラリーSが加工エリア側に掃き出される。
ターンテーブル40によって加工エリアにブラシが移動されると、底板47の傾斜によりブラシ台71と底板47との距離bが遠ざけられる。このとき、ブラシ毛72の長さaは距離bよりも小さくなるため、ブラシ毛72が底板47に届かない。よって、加工エリアではターンテーブル40が回転しても底板47をかき回さず、加工エリア内のスラリーが搬送エリアに連れ回されない。
図5に示すように、ケースカバー76の外部に露出されて乾燥しやすい搬送エリアで、ターンテーブル40の側面に備えられているブラシ70が、ターンテーブル40が回転する度にターンテーブル40の周囲の底板47をかき回す。搬送エリアに滞留するスラリーSは、ブラシ70により搬送エリアから加工エリアに掃き出される。これにより、ターンテーブル40の外周でスラリーSが固体化することが防止され、ターンテーブル40の回転が阻害されないため、ウエーハWを連続加工することができる。また、停止位置でブラシ毛72がたわむことがないため、ブラシ毛72に癖を付き難くすることができる。
次に、ブラシ70がウォータケース46の底板47をかき回す際の掃き出し動作について詳細に説明する。図6は、本実施の形態に係るブラシの掃き出し動作の一例を示す図である。説明の便宜上、周壁43は省略している。
図6Aは、停止位置におけるブラシ70の位置を示している。一対の保持テーブル41はそれぞれ加工エリアと搬送エリアに位置付けられ、それぞれの保持テーブル41の上面にはウエーハWが保持されている。ターンテーブル40の一対の保持テーブル41の間に設けられた仕切板45は、加工エリアと搬送エリアを仕切っており、仕切板45の側方に設けられたブラシ70が加工エリアと搬送エリアの境界に位置付けられている。このとき、ブラシ毛72はウォータケース46の底板47に毛先が接している。この停止位置でターンテーブル40が停止された状態で、スラリーSが供給されながらウエーハWが研磨され、研磨後のスラリーSが噴出口44(図3参照)を通って底板47に排出される。
図6Bは、ターンテーブル40が停止位置から45°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70がケースカバー76の外部に露出された搬送エリアに移動する。このとき、搬送エリアにおいては、ブラシ毛72が底板47に押し付けられる。これにより、ブラシ70が搬送エリアの底板47をかき回し、底板47で固体化しているスラリーSをターンテーブル40の回転に伴って掃き出す。スラリーSが乾燥しやすい搬送エリアにおいてブラシ70でターンテーブル40の周囲をかき回すことにより、スラリーSがターンテーブル40の外周で固体化することを防止することができる。
図6Cは、ターンテーブル40が停止位置から90°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70が停止位置よりもブラシ台71と底板47の距離がより短い搬送エリアの位置に移動する。このとき、ブラシ毛72が底板47に強く押し付けられながら底板47をかき回し、スラリーSを掃き出す。
図6Dは、ターンテーブル40が停止位置から180°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70が加工エリアと搬送エリアの境界の停止位置に位置付けられる。上記したように、停止位置ではスラリーSが供給されながらウエーハWが研磨される。
図6Eは、ターンテーブル40が停止位置から270°回転したブラシ70の位置を示している。ターンテーブル40の回転に伴い、ブラシ70がケースカバー76に覆われた加工エリアに移動する。このとき、加工エリアにおいては、ブラシ毛72が底板47に届かない。これにより、加工エリアではターンテーブル40が回転してもブラシ70が底板47をかき回すことがないため、加工エリア内のスラリーSがブラシ70によって搬送エリアに連れ回りされない。
以上のように、本実施の形態に係る加工装置としてのCMP研磨装置1は、ターンテーブル40の側面に備えられたブラシ70によって、ターンテーブル40が回転する度にウォータケース46の底板47がかき回される。ウォータケース46の周囲で加工屑が掃き出されるため、ターンテーブル40の外周に加工屑が滞留して固体化することがなく、ターンテーブル40の回転が阻害されることがない。また、ターンテーブル40の周囲の加工屑を清掃する頻度を減らすことができ、被加工物としてのウエーハWを連続加工することができる。
上記実施の形態においては、ブラシ70をターンテーブル40の側面の仕切板45の一端の延長方向に1つ設ける構成としたが、ブラシ70は搬送エリアの底板47をかき回すことができれば、ターンテーブル40の側面のどの位置に設けられていてもよい。
上記実施の形態においては、排水口48を1つ設ける構成としたが、排水口48は2つ以上設けられていてもよい。
上記実施の形態においては、ターンテーブル40は円形に形成されたが、多角に形成されていてもよい。
本実施の形態においては、スラリーSの掃き出しにブラシ70を用いる構成としたが、スラリーSを掃き出せれば特に構成は限定されない。
また、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
本実施の形態では、本発明をウエーハWを加工する加工装置に適用した構成について説明したが、加工屑が固体化されることが防止できる他の加工装置に適用することも可能である。
以上説明したように、本発明は、加工屑が装置内に固着することを防止して、被加工物を連続的に加工することができるという効果を有し、特に、被加工物を加工する加工装置に有用である。
1 CMP研磨装置(加工装置)
40 ターンテーブル
41 保持テーブル
46 ウォータケース
47 (ウォータケースの)底板
48 排水口
51 加工手段
70 ブラシ
S スラリー
W ウエーハ(被加工物)

Claims (1)

  1. 中心を軸に自転可能なターンテーブルと、該ターンテーブルの中心を中心に均等角度で配設し被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、該ターンテーブルを露出する開口を有し該ターンテーブルを収容し該ターンテーブルから流下する被加工物を加工した加工屑を含む加工廃液を受け止めて排水口から排水するウォータケースと、を備え、
    該ターンテーブルは、側面に該ウォータケースの底板に毛先を向けたブラシを備え、
    該ターンテーブルが回転することで該ウォータケースの底板に滞留する加工屑をかき回し加工廃液とともに該排水口から排水する加工装置。
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