JP2017201835A - 弾性波装置および回路基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】 基板と保護カバーとの間に剥離が生じにくく信頼性に優れた弾性波装置を提供する。【解決手段】 弾性波を伝搬させる基板3と、基板3の主面3a上に配置された複数の励振電極6と、基板3の主面3a上に配置された、励振電極6の振動空間を複数構成するとともに、励振電極6に電気的に接続された第1の柱状電極15を有する保護カバー9と、を有し、保護カバー9は、前記振動空間を構成する内壁面が、励振電極6に対向する天井部21aに対して湾曲した湾曲部19aを有している。【選択図】 図2

Description

本発明は、弾性表面波(SAW:surface acoustic wave)装置や圧電薄膜共振器(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)等の弾性波装置および回路基板に関する。
小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている。この弾性波装置では、素子基板の主面上に配置された励振電極が、振動空間内に収容されている。振動空間は保護カバーに設けた中空部によって形成されている。また、励振電極に接続される柱状の端子が素子基板の主面に設けた電極パッド上に立設される。柱状の端子は、先端側部分(素子基板の主面とは反対側の部分)が保護カバーから露出しており、この露出部分が回路基板に半田付けされて弾性波装置が回路基板に実装されることとなる(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−208665号公報
ところで上述した構造からなる弾性波装置では、基板と保護カバーとの線膨張係数の違い等に起因して基板と保護カバーの間に剥離が生じることがある。このように基板と保護カバーの間に剥離が生じると、そこを起点として剥離が振動空間まで到達しやすくなる。剥離が振動空間まで到達すると、振動空間の気密性が悪化し、励振電極が腐食等する結果、弾性波装置の信頼性の低下を招くこととなる。
本発明は、上記問題に対応すべく発明されたものであり、基板と保護カバーとの間に剥離が生じにくく、信頼性に優れた弾性波装置を提供するものである。
本発明の弾性波装置は、弾性波を伝搬させる基板と、該基板の主面上に配置された複数の励振電極と、前記基板の主面上に配置された、前記励振電極の振動空間を複数構成するとともに、前記励振電極に電気的に接続された第1の柱状電極を有する保護カバーと、を有し、該保護カバーは、前記振動空間を構成する内壁面が、前記励振電極に対向する天井部に対して湾曲した湾曲部を有している。
本発明の回路基板は、上述の弾性波装置と、前記弾性波装置が実装された第2の基板と、を有する回路基板。
本発明によれば、基板と保護カバーとの剥離が起きにくくなり、振動空間の気密性を良好な状態に保持して信頼性の高い弾性波装置を提供することができる。
(a)は本発明の実施形態に係る弾性表面波装置を示す平面図であり、(b)は図1(a)に示す弾性表面波装置の保護カバーを外した状態の平面図である。 (a)は図1(a)のIa−Ia線における断面図、(b)は図1(a)のIb−Ib線における断面図である。 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の変形例を示す断面図である。 図6に示した弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。
図1(a)は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置1を示す平面図である。図1(b)は、図1(a)に示す弾性表面波装置1の保護カバーを外した状態の平面図である。また、図2(a)は、図1(a)のIa−Ia線における断面図であり、図2(b)は、図1(a)のIb−Ib線における断面図である。なお、図1、図2は、弾性表面波装置1の理解を容易にするために弾性表面波装置1を模式的に示したものであり、実施にあたっては、弾性表面波装置1の各部の大きさ、数、形状等は適宜に設定されてよい。
弾性表面波装置1は、圧電基板3、圧電基板3上に配置された弾性表面波素子5、弾性表面波素子5を保護するための保護層7及び保護カバー9、電極パッド13a〜13k(以下、なお、電極パッド13a〜13kをまとめて電極パッド13と称することがある。)、第1の柱状導体15、および第2の柱状導体16を有している。図1(b)では、絶縁膜18の下に位置している第1の柱状導体15および第2の柱状導体16を点線で示している。
圧電基板3は、例えばタンタル酸リチウム単結晶,ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。圧電基板3は、第1主面3aと、その背面側の第2主面3bとを有している。なお、図1、図2では、第1主面3aにのみ電極等が配置されている場合を例示しているが、第2主面3bにも電極等が配置されてよい。
弾性表面波素子5は、圧電基板3の第1主面3aに形成された励振電極として複数対の櫛歯状電極(IDT電極)6を有している。櫛歯状電極6は、圧電基板3における弾性表面波の伝搬方向(図1の紙面上下方向)と直交する方向に伸びる複数の電極指を有している。一対の櫛歯状電極6は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように形成されている。
なお、図1は模式図であり、実際には図示したよりも多数の電極指を有する櫛歯状電極が複数対設けられている。また、複数の弾性表面波素子5が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型弾性表面波フィルタや2重モード型弾性表面波フィルタ等が構成されてもよい。弾性表面波素子5の両端には、櫛歯状電極を有する反射器(弾性表面波素子5の一部と捉えられてもよい。)が設けられている。弾性表面波素子5は、例えばAl−Cu合金等のAl合金によって形成される。
保護層7は、図2に示すように接続用導体11、弾性表面波素子5などを覆っており、弾性表面波素子5の酸化防止等に寄与する。保護層7は、例えば、絶縁性を有するとともに、弾性表面波の伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成され、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。
保護カバー9は、弾性表面波素子5を保護層7の上から覆っている。この保護カバー9は、弾性表面波素子5上に、弾性表面波を伝播しやすくするための振動空間17を構成するものである。換言すれば、保護カバー9は、振動空間17の内壁19aを構成する壁部19と、振動空間17の天井21aを構成する蓋部21とを有している。
壁部19を構成する層の厚さや蓋部21の厚さは、適宜に設定されてよい。例えば、当該厚さは、数μm〜30μmである。壁部19及び蓋部21は、概ね同等の厚さに形成されている。
壁部19と蓋部21とは、異なる材料によって形成することもできるが、壁部19と蓋部21との接着強度を高めるために同一材料で形成することが好ましい。壁部19及び蓋部21は、例えば、紫外線や可視光線等の光が照射されることによって硬化する光硬化性材料、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されている。光硬化性材料は、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する樹脂を用いることができ、より具体的には、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂を用いることができる。
振動空間17は、図2(a)に示すように、断面が概ね矩形状に形成され、蓋部21側の角部が丸みを帯びるように形成されている。換言すれば、振動空間17を構成する内壁19a及び天井21aは、アーチ状に形成されている。これにより蓋部21が撓むのを抑制することができる。その結果、例えば、振動空間17の高さを小さくして弾性波表面波装置1の小型化を図ることができる。振動空間17の平面形状(第1主面3aの平面視における形状)は、適宜に設定されてよい。図1(b)に振動空間17の外周に相当する内壁19aを破線で示す。
接続用導体11は、弾性表面波素子5と所定の電極パッドとを接続するためのものである。接続用導体11は、例えば、弾性表面波素子5と同様に、圧電基板3の第1主面3a上に形成されている。接続用導体11は、図1(b)に示すように第1主面3a上において適宜なパターンで形成され、弾性表面波素子5に接続されている。また、図1(b)において複数の電極パッド13のうち、上辺側の中央に位置する電極パッド13cに接続されている接続用導体11は、他の接続用導体11と絶縁部材8を介して交差している。このように絶縁部材8を用いて接続用導体11同士を立体的に交差させることによって電極パッドの配置場所の自由度が向上し、弾性波装置の小型化に寄与することができる。絶縁部材8は例えばポリイミド樹脂などからなる。
電極パッド13は複数設けられており、図1(b)において、上辺側中央、下辺側中央、および左下に配された3個の電極パッド13c、13i、13jはグランド用の電極パッドであり、左上および右上に配された電極パッド13a、13eは、入出力信号用の電極パッドである。それ以外の電極パッド13b、13d、13f、13h、13kは、電気的に浮き状態となっている。
これらの電極パッド13、接続用導体11、および弾性表面波素子5は、例えば、同一の材料を用いて同一工程により作製することができ、それらの厚みは、例えば、0.1μm〜1.0μmである。
第1の柱状導体15は、弾性表面波素子5と電気的に接続されている電極パッド13a、13c、13e、13g、13i、13j上に設けられている。すなわち第1の柱状導体15は、電極パッド及び接続用導体11を介して弾性表面波素子5に電気的に接続されており、弾性表面波素子5を外部の電気回路またはグランドに接続するための端子として機能するものである。
また第2の柱状導体16は、弾性表面波素子5と電気的に接続されていない電極パッド13b、13d、13f、13h、13k上に設けられている。すなわち第2の柱状導体16は、弾性表面波素子5とは電気的に接続されていない。このように通常形成される第1の柱状導体15に加えて第2の柱状導体16を設けることによって保護カバー9が圧電基板3から剥離するのを抑制することができる。これは圧電基板3と保護カバー9との線膨脹係数の差などに起因して発生する保護カバー9の収縮応力が、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16に伝わることで歪み緩和が生じ、その結果、剥離しようとする力が小さく抑えられるためと考えられる。特に隣接する第1の柱状導体15の間のスペースにおいて保護カバー9の剥離が生じやすいため、隣接する第1の柱状導体15の間に第2の柱状導体16を設けておけば剥離防止の効果をより高めることができる。また第2の柱状導体16を保護カバー9の各辺それぞれに対応させて設けておけば、各辺において剥離を抑制できるため、振動空間17の気密性をより長期にわたって良好な状態に保持することができる。なお、第2の柱状導体16の配置場所はこれに限られない。例えば、図1(b)において、保護カバー9の右側の振動空間17と左側の振動空間17を仕切っている部分にも第2の柱状導体16を設けるようにすれば、保護カバー9の剥がれをよりいっそう抑制することができる。
電極パッド13と第1の柱状導体15との間および電極パッド13と第2の柱状導体16との間には、それぞれ電極パッド13と端子との接続を強化するために、クロム、ニッケル、金からなる接続強化層を介在させてもよい。また、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16は、柱状に形成されており、第1主面3aに対して立設されている。第1の柱状導体15の先端側部分は、不図示の回路基板等に接続可能とするために保護カバー9から露出している。一方、第2の柱状導体16の先端部分は、図2(b)に示すように絶縁膜18により覆われている。このように第2の柱状導体16の先端部分を絶縁膜18で覆うことによって、弾性表面波装置1を回路基板へ実装した際などに第1の柱状導体15と第2の柱状導体16とが実装用の半田などで短絡するのを防止することができる。絶縁膜18は、例えば、フェノール系、フッ素系の感光性樹脂からなる。なお、絶縁膜18を設けずに第2の柱状導体16の先端部が蓋部21内に位置するように、すなわち第2の柱状導体16が保護カバー9の内部に埋設されるようにしてもよい。この場合も第1の柱状導体15と柱状導体8との短絡を防止することができる。
第1の柱状導体15および第2の柱状導体16は、例えば、はんだ,Cu,Au,Niにより形成されている。第1、第2の柱状導体15,16は、同一の金属材料により形成することが好ましい。両端子を同一の金属材料により形成することによって同一工程で作製することができ生産効率が良い。第1の柱状導体15および第2の柱状導体16は例えば概ね円柱状であるが、形状はそれに限らず四角柱などでもよい。
第1の柱状導体15は、断面視における形状が、例えば、第1主面3a側が第1主面3aとは反対側よりも拡径するテーパ状となっている。より詳細には、壁部19側の第1のテーパ部と蓋部21側の第2のテーパ部との2段テーパ構造となっており、第1のテーパ部の第2のテーパ部側の径は、第2のテーパ部の第1のテーパ部側の径より小さい。弾性波装置を回路基板に実装した後などに端子とて機能する第1の柱状導体15に対し、引き抜かれる方向の力が働くことがあるが、第1の柱状導体15を本実施形態のように2段テーパ構造としておくことで、そのような引き抜きの発生を抑えることができる。なお本実施形態では、第2の柱状導体16も第1の柱状導体15と同様に、第1主面3a側が第1主面3aとは反対側よりも拡径するテーパ状に形成されている。
本実施形態では、第1の柱状導体15および柱状導体15はメッキ法により2段階にわけて形成されており、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16の厚み方向の途中には2段階目のメッキを施す際の下地用メッキ65が形成されている。
また第1の柱状導体15の先端部にはランド27が設けられている。ランド27は、例えば、第1の柱状導体15の第1主面3aとは反対側の端面よりも面積が広く形成されており、外周部は保護カバー9上に積層されている。
図3〜図5は、弾性表面波装置1の製造方法の一例を説明する断面図であり、図1(a)のIb−Ib線における断面に相当する部分を示している。
弾性表面波装置1の第1の製造方法は、概観すると、弾性表面波素子5の形成工程と、保護カバー9の形成工程と、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16の形成工程とを含んでいる。具体的には、以下のとおりである。
図3(a)に示すように、まず、圧電基板3の第1主面3a上には、接続用導体11、電極パッド13、および弾性表面波素子5(図には現れていない)が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法により、圧電基板3の第1主面3a上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機(ステッパー)とRIE(Reactive Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、接続用導体11、電極パッド13、および弾性表面波素子5が形成される。
次に、図3(b)に示すように保護層7を形成する。まず、保護層7となる薄膜が、弾性表面波素子5、接続用導体11および電極パッド13の上を覆うように、CVD法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。次に、電極パッド13が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層7が形成される。なお、保護層7を形成した後、また形成する前に、蒸着法等により電極パッド13の上にクロム、ニッケル、金を順に積層することにより接続強化層14が形成されている。
次に、図3(c)〜図3(d)に示すように、壁部19を形成する。具体的には、まず、図3(c)に示すように、保護層7上に、壁部19となる壁部構成層31が形成される。壁部構成層31は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。
次に、図3(d)に示すように、フォトマスク33を介して紫外線等の光Lが壁部構成層31に照射されることにより露光処理が行われる。フォトマスク33は、例えば、透明基板35上に遮光層37が形成されることにより構成されている。遮光層37は、壁部構成層31を除去すべき位置に対応する位置に配されている。具体的には、振動空間17の形成位置、第1の柱状導体15、および第2の柱状導体16の形成位置に対応する場所に配されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
その後、図4(a)に示すように、現像処理を行い、壁部構成層31のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、壁部構成層31には、振動空間17となる開口部(図示せず)と、第1の柱状導体15が配置される第1孔部41と、第2の柱状導体16が配置される第2孔部42とが形成され、壁部19が完成する。
ここで、壁部構成層31の光が照射される領域の縁部においては、照射された光が、壁部構成層31の光が照射されない領域へ発散されてしまうことから、第1主面3a側まで十分に光が到達しない。従って、壁部構成層31の光が照射される領域の縁部は、第1主面3a側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第1孔部41および第2孔部42は、第1主面3a側ほど拡径するテーパ状(順テーパ状)に形成される。
次に蓋部21を形成する。具体的には、まず、図4(b)に示すように、壁部19上に蓋部21を構成する蓋部構成層43が形成される。蓋部構成層43は、例えば、ネガ型のフォトレジストにより形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。蓋部構成層43が形成されることにより、壁部19の開口部が塞がれて、振動空間17が形成される。壁部構成層31と蓋部構成層43とは加熱されることによって接合される。
次に、図4(c)に示すように、フォトマスク45を介して紫外線等の光Lが蓋部構成層43に照射されることにより露光処理が行われる。フォトマスク45は、フォトマスク33と同様に、透明基板47上に遮光層49が形成されることにより構成されている。遮光層49は、蓋部構成層43を除去すべき位置に対応する位置に配されている。すなわち、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16の形成位置に対応する場所に配されている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
その後、図4(d)に示すように、現像処理を行い、蓋部構成層43のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、第1孔部41の上には、第3孔部51が形成され、第1孔部41と第3孔部51とからなる第1の柱状導体形成用孔部61が形成される。また、第2孔部42の上には第4孔部52が形成され、第2孔部42と第4孔部52とからなる第2の柱状導体形成用孔部62が形成される。このようにして蓋部21が完成する。蓋部21が形成されることにより、壁部19と蓋部21とからなる保護カバー9が完成する。
保護カバー9が形成されると、図5に示すように、第1の柱状導体15および第2の柱状導体16が形成される。具体的には、まず、図5(a)に示すように、メッキ用下地層55及びメッキ用レジスト層57が形成される。
メッキ用下地層55は、保護カバー9を覆うように形成される。また、メッキ用下地層55は、第1の柱状導体形成用孔部61の底面、第2の柱状導体形成用孔部62の底面、及び、その内周面にも形成される。メッキ用下地層55は、例えばフラッシュメッキ法により、Ti−Cu合金等で形成するのが好適な一例である。
メッキ用レジスト層57は、メッキ用下地層55上に形成される。メッキ用レジスト層57は、例えば、スピンコート等の手法で基板に形成される。
次に、図5(b)に示すように、露出するメッキ用下地層55に対してメッキ法を施す。これにより、第1、第2の柱状導体形成用孔部61,62に金属が充填されることになる。そして、第1の柱状導体形成用孔部61および第2の柱状導体形成用孔部62に金属が充填されることにより第1の柱状導体15および第2の柱状導体16が完成する。
次にメッキ用レジスト層57を除去した後、図5(c)に示すように、第1の柱状導体15の先端部が露出するようにランド用孔部69が形成されたメッキ用レジスト層67を形成する。このとき第2の柱状導体16の先端部は、メッキ用レジスト層67で覆われている。その状態でランド用孔部69の底面にメッキ用下地層65を形成し、続いてランド用孔部69にメッキにより金属を充填することによりランド27が形成される。なお、ランド用孔部69においては、メッキ用レジスト層67の表面まで金属が充填される必要はなく、ランド用孔部69の適宜な深さまで金属が充填されればよい。メッキ法は、適宜に選択されてよいが、電気メッキ法が好適である。
その後、メッキ用レジスト層67を除去する。最後にフェノール系樹脂、フッ素系樹脂などの感光性樹脂をスクリーン印刷やスピンコート法により保護カバー上に塗布し、塗布された樹脂膜をランド27が露出するようにフォトリソグラフィなどによりパターニングすることによって、図1、図2に示した弾性表面波装置1が完成する。
なお上述したメッキ用レジスト層57、67は、例えば、アセトンやIPA等の有機溶剤やジメチルスルフォキシド等のアルカリ性有機溶剤により除去が可能である。またメッキ用下地層としてCuを用いた場合、メッキ用下地層は、例えば、塩化第2鉄や燐酸と過酸化水素水の混合液により除去が可能である。また、メッキ用下地層としてTiを用いた場合は、例えば、希フッ酸やアンモニアと過酸化水素水の混合液で除去が可能である。
(変形例)
図6は、上述した弾性表面波装置1の変形例としての弾性表面波装置2の断面図であり、図2(b)と同じ部分の断面に相当する。弾性表面波装置1では、第2の柱状導体16の先端部を絶縁膜18で覆っていたのに対し、図6に示す弾性表面波装置2では第2の柱状導体16の先端部をそのまま露出させている。このように第2の柱状導体16の先端部を露出させておけば、弾性表面波装置2を回路基板などに実装する際に第2の柱状導体16もダミーの端子として利用することができる。例えば回路基板のグランドパッドと第2の柱状導体16とを半田などで接合するようにすれば、弾性表面波装置2の回路基板への接続強度を強固にすることができる。
また弾性表面波装置2の場合、製造プロセスを簡略化することもできる。図7は、弾性表面波装置2の製造プロセスの一例を示す断面図である。図7は、図5(a)に相当する段階のものである。図5(a)に示した状態と異なる点は、この段階でメッキ用レジスト層57にランド用孔部69を設けていることである。この状態で第1の柱状導体形成用孔部61、第2の柱状導体形成用孔部62、ランド用孔部69にメッキ処理を施すことにより、第1の柱状導体15とランド27とを連続的に形成することができる。すなわち、図5(c)、図5(d)で示したように、第1の柱状導体15を形成した後に別途ランド27を形成するためのプロセスを省略することができるため、製造プロセスが簡略化され生産効率がよい。
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。 弾性波装置は、弾性表面波装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。また弾性波装置において、保護層(7)や接続強化層(13)は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。また第1の柱状導体15は、テーパ状のものに限定されず柱状のものであれば任意の形状が可能である。
1・・・弾性表面波装置(弾性波装置)
3・・・圧電基板(基板)
3a・・・第1主面(主面)
6・・・櫛歯状電極(励振電極)
7・・・保護層
8・・・絶縁部材
9・・・保護カバー
11・・・接続用導体
15・・・第1の柱状導体
16・・・第2の柱状導体
17・・・振動空間
18・・・絶縁膜

Claims (12)

  1. 弾性波を伝搬させる基板と、
    該基板の主面上に配置された複数の励振電極と、
    前記基板の主面上に配置された、前記励振電極の振動空間を複数構成するとともに、前記励振電極に電気的に接続された第1の柱状電極を有する保護カバーと、を有し、
    該保護カバーは、前記振動空間を構成する内壁面が、前記励振電極に対向する天井部に対して湾曲した湾曲部を有している弾性波装置。
  2. 前記保護カバーは、前記湾曲部が、前記振動空間の前記内壁面のうち、隣接する他の前記振動空間側に配置されている請求項1に記載の弾性波装置。
  3. 前記振動空間は、前記内壁面全体が、アーチ状に形成されている請求項1または2に記載の弾性波装置。
  4. 前記湾曲部は、平面視において、前記振動空間の外周全体に形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の弾性波装置。
  5. 前記保護カバー上に配置された、前記第1の柱状電極の上面が開口した絶縁膜をさらに有する請求項1〜4のいずれかに記載の弾性波装置。
  6. 前記第1の柱状電極は、前記主面側が拡径となったテーパ部を有する請求項1〜5のいずれかに記載の弾性波装置。
  7. 前記基板の主面に配置されるとともに前記保護カバー内に位置し、電気的に浮き状態となった第2の柱状電極をさらに有する請求項1〜6のいずれかに記載の弾性波装置。
  8. 前記第2の柱状電極は、平面視において、前記湾曲部よりも前記圧電基板の外周側に配置されている請求項7に記載の弾性波装置。
  9. 前記第2の柱状電極は、前記主面側が拡径となったテーパ部を有する請求項7または8に記載の弾性波装置。
  10. 前記絶縁膜は、前記第2の柱状電極の上面を覆っている請求項5を引用する請求項7〜9のいずれかに記載の弾性波装置。
  11. 前記励振電極に電気的に接続される配線を複数有するとともに、該配線が絶縁部材を介して立体配線された立体配線部を有し、
    該立体配線部が前記振動空間内に配置されている請求項1〜10のいずれかに記載の弾性波装置。
  12. 請求項1〜11のいずれかに記載の弾性波装置と、
    前記弾性波装置が実装された第2の基板と、を有する回路基板。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004328553A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Daishinku Corp 電子部品用パッケージおよび当該パッケージを用いた圧電振動デバイス
JP2005183868A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその実装構造
WO2006106831A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2007288038A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Casio Comput Co Ltd 半導体装置
JP2008085620A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kyocera Corp 弾性表面波装置、フィルタ装置および通信装置
JP2008101980A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Denso Corp 容量式半導体センサ装置
JP2008182292A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス
WO2009057195A1 (ja) * 2007-10-30 2009-05-07 Fujitsu Limited 弾性波素子、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
WO2009096563A1 (ja) * 2008-01-30 2009-08-06 Kyocera Corporation 弾性波装置およびその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004328553A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Daishinku Corp 電子部品用パッケージおよび当該パッケージを用いた圧電振動デバイス
JP2005183868A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその実装構造
WO2006106831A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2007288038A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Casio Comput Co Ltd 半導体装置
JP2008085620A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kyocera Corp 弾性表面波装置、フィルタ装置および通信装置
JP2008101980A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Denso Corp 容量式半導体センサ装置
JP2008182292A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス
WO2009057195A1 (ja) * 2007-10-30 2009-05-07 Fujitsu Limited 弾性波素子、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
WO2009096563A1 (ja) * 2008-01-30 2009-08-06 Kyocera Corporation 弾性波装置およびその製造方法

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