JP2017198978A - 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 - Google Patents
表示装置、表示モジュール、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017198978A JP2017198978A JP2017073565A JP2017073565A JP2017198978A JP 2017198978 A JP2017198978 A JP 2017198978A JP 2017073565 A JP2017073565 A JP 2017073565A JP 2017073565 A JP2017073565 A JP 2017073565A JP 2017198978 A JP2017198978 A JP 2017198978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- display
- circuit
- transistor
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 106
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 95
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 376
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 336
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 110
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 description 88
- 230000006870 function Effects 0.000 description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 description 63
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 54
- GKJZMAHZJGSBKD-NMMTYZSQSA-N (10E,12Z)-octadecadienoic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C=C/CCCCCCCCC(O)=O GKJZMAHZJGSBKD-NMMTYZSQSA-N 0.000 description 53
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 37
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 35
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 12
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 101100437484 Arabidopsis thaliana BGLU18 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100342633 Bos taurus LLGL1 gene Proteins 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100065855 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) EXG1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100058298 Saccharomycopsis fibuligera BGL1 gene Proteins 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150100570 bglA gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150010989 VCATH gene Proteins 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007610 Zn—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2230/00—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0456—Pixel structures with a reflective area and a transmissive area combined in one pixel, such as in transflectance pixels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
本実施の形態では、ゲートドライバの有する選択回路が、第1の表示素子を有する画素回路、または第2の表示素子を有する画素回路を選択する走査信号を生成する機能を有する表示装置について、図1乃至図6を用いて説明する。
本実施の形態では、画素回路710Cを有する高精細な表示を行う表示装置において、ゲートドライバを、奇数行と偶数行とに構成を分けて制御する方法について、図7乃至図9を用いて説明する。
本実施の形態では、高精細な表示を行う表示装置において、液晶表示領域121および発光表示領域122を、異なる更新頻度で制御するゲートドライバの駆動方法について、図10乃至図14を用いて説明する。
本実施の形態では、第1の表示素子を有する画素回路および第2の表示素子を有する画素回路に、電気的に接続される信号線から階調信号を与える機能を有する表示装置について、図15乃至図19を用いて説明する。
本実施の形態では、画素回路720Cを有する高精細な表示を行う表示装置において、ゲートドライバを、奇数行と偶数行とに構成を分けて制御する方法について、図20および図21を用いて説明する。
本実施の形態では、画素回路720Cを有する高精細な表示を行う表示装置において、液晶表示領域121および発光表示領域122を、異なる更新頻度で制御するゲートドライバの駆動方法について、図22乃至図26を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置700の構成について、図27乃至図31を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示装置700は、信号線S1(i)と、画素回路710C(i,j)と、を有する(図28(A−1)および図28(A−2)参照)。
本発明の一態様の表示装置700は、基板670、基板770、構造体KB1封止材705または接合層605、を有する。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板670等に用いることができる。具体的には厚さ0.7mmの無アルカリガラスを用いることができる。
例えば、透光性を備える材料を基板770に用いることができる。具体的には、基板670に用いることができる材料から選択された材料を基板770に用いることができる。具体的には厚さ0.7mmまたは厚さ0.1mm程度まで研磨した無アルカリガラスを用いることができる。
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体KB1等に用いることができる。これにより、構造体KB1等を挟む構成の間に所定の間隔を設けることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705等に用いることができる。
例えば、封止材705に用いることができる材料を接合層605に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜621等に用いることができる。
例えば、絶縁膜621に用いることができる材料を絶縁膜628等に用いることができる。具体的には、厚さ1μmのポリイミドを含む膜を絶縁膜628に用いることができる。
例えば、絶縁膜621に用いることができる材料を第2の絶縁膜601Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を第2の絶縁膜601Cに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線S1(i)、第1の走査線G1(j)、第2の走査線G2(j)、配線CSCOM、配線ANO、端子619B、端子619C、導電膜611Bまたは導電膜611C等に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を第1の導電膜または第2の導電膜に用いることができる。
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタSW1、トランジスタSW2、トランジスタM等に用いることができる。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子750(i,j)等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示装置の消費電力を抑制することができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子750に用いることができる。
例えば、配線等に用いる材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。具体的には、反射膜を第1の電極751(i,j)に用いることができる。
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
非開口部の総面積に対する開口部751Hの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子750(i,j)を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部751Hの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子650(i,j)を用いた表示が暗くなってしまう。
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を備える材料を、第2の電極752に用いることができる。
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜AF1または配向膜AF2に用いることができる。具体的には、所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
所定の色の光を透過する材料を着色膜CF1に用いることができる。これにより、着色膜CF1を例えばカラーフィルターに用いることができる。
光の透過を妨げる材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、遮光膜BMを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜771に用いることができる。
例えば、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止膜または集光フィルム等を機能膜770Pに用いることができる。または、2色性色素を含む偏光板を機能膜770Pに用いることができる。
例えば、発光素子を表示素子650(i,j)に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子650(i,j)に用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路GDに用いることができる。例えば、トランジスタMD、容量素子等を駆動回路GDに用いることができる。具体的には、トランジスタMと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
例えば、集積回路を駆動回路SDに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路SDに用いることができる。
図31は本発明の一態様の表示装置700Bの構成を説明する図である。図31(A)は図27(A)の切断線X1−X2、X3−X4、X5−X6、X7−X8、X9−X10、X11−X12における断面図である。図31(B)は表示装置の一部の構成を説明する断面図である。
トランジスタSW1Bに用いることができるトランジスタ、トランジスタMBおよびトランジスタMDBは、絶縁膜601Cと重なる領域を備える導電膜604と、絶縁膜601Cおよび導電膜604の間に配設される領域を備える半導体膜608と、を備える。なお、導電膜604はゲート電極の機能を備える(図31(B)参照)。
酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法について説明する。
本実施の形態では、半導体装置の一例として、ICチップ、電子部品、電子機器等について説明する。
図32(A)は、電子部品の作製方法例を示すフローチャートである。電子部品は、半導体パッケージ、またはIC用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
本実施の形態では、酸化物半導体トランジスタ等について説明する。
図33(A)はOSトランジスタの構成例を示す上面図である。図33(B)は、図33(A)のX1−X2線断面図であり、図33(C)はY1−Y2線断面図である。ここでは、X1−X2線の方向をチャネル長方向と、Y1−Y2線方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。図33(B)は、OSトランジスタのチャネル長方向の断面構造を示す図であり、図33(C)は、OSトランジスタのチャネル幅方向の断面構造を示す図である。なお、デバイス構造を明確にするため、図33(A)では、一部の構成要素が省略されている。
導電層550―553に用いられる導電材料には、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイド等のシリサイド、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属、または上述した金属を成分とする金属窒化物(窒化タンタル、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン)等がある。また、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を用いることができる。
絶縁層521−529に用いられる絶縁材料には、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどがある。絶縁層521−529はこれらの絶縁材料でなる単層、または積層して構成される。絶縁層521−529を構成する層は、複数の絶縁材料を含んでいてもよい。
金属酸化物層511―513の各厚さは3nm以上500nm以下であり、3nm以上100nm以下が好ましく、3nm以上60nm以下がさらに好ましい。
図35を参照して、金属酸化物層511―513の積層によって得られる効果を説明する。図35は、OSトランジスタ501のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造の模式図である。ここでは、OSトランジスタ501を例に説明するが、金属酸化物層511―513の積層による効果は、後述するOSトランジスタ502でも同様である。
図34(A)−図34(C)に示すOSトランジスタ502は、OSトランジスタ501の変形例である。OSトランジスタ502の導電層550は、導電層550a、導電層550b、導電層550cを有する。
次いで上記実施の形態に示す表示パネルを用いた表示モジュールの応用例について、図36を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器および照明装置について、図面を用いて説明する。
AF2 配向膜
C1 容量素子
C2 容量素子
CF1 着色膜
F1 フレーム
F2 フレーム
F3 フレーム
F21 タイミングチャート
F22 タイミングチャート
G1 走査線
G2 走査線
G3 走査線
KB1 構造体
M_1 トランジスタ
M_2 トランジスタ
M_3 トランジスタ
S1 信号線
S2 信号線
SW1 トランジスタ
SW1_1 トランジスタ
SW1_2 トランジスタ
SW1B トランジスタ
SW2 トランジスタ
SW2_1 トランジスタ
SW2_2 トランジスタ
SW3 トランジスタ
20 選択回路
21 判定回路
22 判定回路
25 回路
26 バッファ回路
30 選択信号出力回路
110 ゲートドライバ
110A ゲートドライバ
110B ゲートドライバ
110C ゲートドライバ
110D ゲートドライバ
111 シフトレジスタ回路
111A シフトレジスタ回路
111B シフトレジスタ回路
111C シフトレジスタ回路
111D シフトレジスタ回路
120 表示部
121 液晶表示領域
122 発光表示領域
122A 発光表示領域
501 OSトランジスタ
502 OSトランジスタ
510 酸化物層
511 金属酸化物層
512 金属酸化物層
513 金属酸化物層
521 絶縁層
522 絶縁層
523 絶縁層
524 絶縁層
525 絶縁層
526 絶縁層
527 絶縁層
528 絶縁層
529 絶縁層
550 導電層
550a 導電層
550b 導電層
550c 導電層
551 導電層
552 導電層
553 導電層
553a 導電層
553b 導電層
601C 絶縁膜
604 導電膜
605 接合層
606 絶縁膜
608 半導体膜
608A 領域
608B 領域
608C 領域
611B 導電膜
611C 導電膜
612A 導電膜
612B 導電膜
616 絶縁膜
618 絶縁膜
619B 端子
619C 端子
620 機能層
621 絶縁膜
622 接続部
624 導電膜
628 絶縁膜
650 表示素子
650C 画素回路
651 電極
652 電極
653 層
670 基板
691A 開口部
691B 開口部
691C 開口部
700 表示装置
700B 表示装置
701 表示装置
702 表示装置
705 封止材
710C 画素回路
720C 画素回路
750 表示素子
750C 画素回路
751 電極
751H 開口部
752 電極
753 層
770 基板
770P 機能膜
771 絶縁膜
800 表示モジュール
801 上部カバー
802 下部カバー
803 FPC
804 タッチパネル
805 FPC
806 表示パネル
809 フレーム
810 プリント基板
811 バッテリ
850 IC
851 駆動回路
852 検出回路
854 容量素子
6000 電子部品
6001 リード
6002 プリント基板
6004 回路基板
6100 半導体ウエハ
6102 回路領域
6104 分離領域
6106 分離線
6110 チップ
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7304 情報
7305 情報
7306 情報
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7410 照明装置
7412 発光部
7420 照明装置
7422 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 フロントガラス
9710 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
9801 筐体
9802 筐体
9803 表示部
9804 表示部
9805 マイクロフォン
9806 スピーカ
9807 操作キー
9808 スタイラス
9821 筐体
9822 表示部
9823 キーボード
9824 ポインティングデバイス
Claims (12)
- ゲートドライバと、表示部と、選択信号出力回路と、を有する表示装置であって、
前記表示部は、第1の領域と第2の領域と、を有し、
前記第1の領域および前記第2の領域は、それぞれ画素回路と、走査線と、を有し、
前記画素回路は、表示素子を有し、
前記ゲートドライバは、前記走査線と電気的に接続され、
前記走査線は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記走査線は、第1の走査信号が与えられる機能を有し、
前記選択信号出力回路は、前記第1の走査信号が与えられる走査線を選択する第1の選択信号を出力する機能を有し、
前記第1の選択信号は、選択された前記走査線に前記第1の走査信号を与える機能を有し、
前記表示素子は、前記第1の走査信号によって表示が更新される機能を有し、
前記第1の領域に含まれる前記表示素子の表示が更新される頻度は、前記第2の領域に含まれる表示素子と異なることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記表示素子は、液晶素子を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記表示素子は、自発光素子を有することを特徴とする表示装置。 - ゲートドライバと、表示部と、選択信号出力回路と、を有する表示装置であって、
前記表示部は、画素回路と、第1の走査線と、第2の走査線と、を有し、
前記画素回路は、第1の表示素子および第2の表示素子を有し、
前記第1の走査線は、第1の走査信号が与えられる機能を有し、
前記第2の走査線は、第2の走査信号が与えられる機能を有し、
前記ゲートドライバは、シフトレジスタ回路と、選択回路とを有し、
前記シフトレジスタ回路は、出力信号を出力する機能を有し、
前記選択信号出力回路は、第1の選択信号および第2の選択信号を出力する機能を有し、
前記選択回路は、前記出力信号、前記第1の選択信号および前記第2の選択信号により、前記第1の走査信号および前記第2の走査信号を生成する機能を有する表示装置。 - 請求項4において、
前記表示部は、第1の信号線と、第2の信号線を有し、
前記第1の信号線は、第1の階調信号が与えられる機能を有し、
前記第2の信号線は、第2の階調信号が与えられる機能を有し、
前記第1の走査信号の電圧振幅は、前記第1の階調信号の電圧振幅より大きく、
前記選択回路は、前記出力信号および前記第2の選択信号により、前記第2の走査信号を生成し、
前記第2の走査信号の電圧振幅は、前記第2の階調信号の電圧振幅より大きく、
前記第1の走査信号は、前記第2の走査信号とは異なる電圧振幅を有する表示装置。 - 請求項4または請求項5において、
前記選択信号出力回路は、前記第1の選択信号と、前記第2の選択信号を切り替えて出力する機能を有する表示装置。 - 信号線と、第1の走査線と、第2の走査線と、画素回路とを有する表示装置であって、
前記画素回路は、第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、第1の表示素子を有し、
前記第2の回路は、第2の表示素子を有し、
前記信号線は、前記第1の回路に第1の階調信号を与える機能を有し、
前記信号線は、前記第2の回路に第2の階調信号を与える機能を有し、
前記第1の表示素子は、第1の階調を表示する機能を有し、
前記第2の表示素子は、第2の階調を表示する機能を有し、
前記第1の走査線は、第1の電圧および前記第1の電圧より小さい第2の電圧を出力する機能を有し、
前記第2の走査線は、第3の電圧および前記第3の電圧より小さい第4の電圧を出力する機能を有し、
前記第1の階調信号により生成された最大電圧は、前記第1の電圧よりも小さい電圧であり、
前記第1の階調信号により生成された最小電圧は、前記第2の電圧よりも大きい電圧であり、
前記第2の階調信号により生成された最大電圧は、前記第3の電圧よりも小さい電圧であり、
前記第2の階調信号により生成された最小電圧は、前記第4の電圧よりも大きい電圧であり、
前記第1の階調信号により生成された最大電圧は、前記第2の階調信号により生成された最大電圧よりも大きい電圧であり、
前記第1の階調信号により生成された最小電圧は、前記第2の階調信号により生成された最小電圧よりも小さい電圧である表示装置。 - 請求項7において
第1の電源線を有し、
前記第1の回路は、前記第1の表示素子と、第1のトランジスタと、第1の容量素子とを有し、
前記第2の回路は、前記第2の表示素子と、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
前記第1の表示素子は、第1の画素電極と、第1の対向電極とを有し、
前記第2の表示素子は、第2の画素電極と、第2の対向電極とを有し、
前記信号線は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第1の画素電極に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第1の容量素子の電極の一方に電気的に接続され、
前記第1の容量素子の電極の他方は、前記第1の電源線に電気的に接続され、
前記第1の走査線は、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記信号線は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2の画素電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2の走査線は、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1の電源線は、前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続され、
前記第1の階調信号を、前記第1のトランジスタを介して、前記第1の容量素子の電極の一方に与えている期間に、
前記第1の電源線に与えられる電圧が、前記第4のトランジスタを介して、前記第2の画素電極に与えられる表示装置。 - 請求項4または請求項7において、
前記第1の表示素子は、液晶素子を有し、
前記第2の表示素子は、自発光素子を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項8において、
前記第1乃至第4のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至10のいずれか一の表示装置と、
タッチセンサと、
を有することを特徴とする表示モジュール。 - 請求項1乃至10のいずれか一の表示装置、または請求項9の表示モジュールと、
操作キーまたはバッテリと、
を有することを特徴とする電子機器。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016074956 | 2016-04-04 | ||
JP2016074956 | 2016-04-04 | ||
JP2016087359 | 2016-04-25 | ||
JP2016087359 | 2016-04-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017198978A true JP2017198978A (ja) | 2017-11-02 |
JP2017198978A5 JP2017198978A5 (ja) | 2020-05-21 |
JP6903469B2 JP6903469B2 (ja) | 2021-07-14 |
Family
ID=59960944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017073565A Active JP6903469B2 (ja) | 2016-04-04 | 2017-04-03 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10528165B2 (ja) |
JP (1) | JP6903469B2 (ja) |
KR (2) | KR102344594B1 (ja) |
CN (2) | CN107293264B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017009725A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
US10489627B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-11-26 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Acoustic biometric touch scanner |
US10846501B2 (en) | 2017-04-28 | 2020-11-24 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Acoustic biometric touch scanner |
WO2018211352A1 (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN115578983A (zh) * | 2018-01-19 | 2023-01-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
US11355082B2 (en) * | 2018-02-01 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
WO2019155320A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の駆動方法 |
WO2020053701A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7383623B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フリップ・フロップ回路、駆動回路、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
CN109192124B (zh) * | 2018-10-09 | 2022-06-21 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示面板的控制方法、驱动电路板及显示装置 |
CN109584770B (zh) * | 2018-12-17 | 2022-02-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US10983482B2 (en) * | 2019-01-03 | 2021-04-20 | Apple Inc. | Electronic devices with display burn-in mitigation |
CN110164355B (zh) * | 2019-06-05 | 2022-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 控制信号输出电路及方法、阵列基板、显示装置 |
CN110517633B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-08-31 | 上海中航光电子有限公司 | 显示面板、显示装置和驱动方法 |
JP7354735B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | 駆動回路、表示モジュール、及び移動体 |
CN111564135B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-12-02 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板的驱动方法、显示面板及显示装置 |
CN115328607B (zh) * | 2022-10-13 | 2023-03-10 | 广州镭晨智能装备科技有限公司 | 一种半导体器件渲染方法、装置、设备及存储介质 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003157026A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-05-30 | Sharp Corp | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2003241733A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 表示制御回路、半導体装置、及び携帯装置 |
JP2007129504A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 画像表示装置 |
JP2012521017A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-10 | ピクセル チー コーポレイション | 液晶ディスプレイの駆動 |
US20160042708A1 (en) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Apple Inc. | Concurrently refreshing multiple areas of a display device using multiple different refresh rates |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001051293A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-23 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜トランジスタ、液晶表示パネル、薄膜トランジスタの製造方法 |
US6995753B2 (en) | 2000-06-06 | 2006-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP2002196688A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sony Corp | 画像表示装置 |
KR100630475B1 (ko) * | 2001-09-06 | 2006-10-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시장치, 그의 제조방법 및 그의 구동방법 |
US7248235B2 (en) | 2001-09-14 | 2007-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same |
TW544944B (en) | 2002-04-16 | 2003-08-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel element structure of sunlight-readable display |
US20060072047A1 (en) | 2002-12-06 | 2006-04-06 | Kanetaka Sekiguchi | Liquid crystal display |
KR100515351B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2005-09-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시 패널, 이를 이용한 발광 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR100637458B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광 표시 패널 |
US20090146913A1 (en) | 2005-07-14 | 2009-06-11 | Pioneer Corporation | Display device |
KR20070036409A (ko) * | 2005-09-29 | 2007-04-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
US20070075935A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Ralph Mesmer | Flat-panel display with hybrid imaging technology |
US9165505B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electoric device having the same |
JP4915841B2 (ja) | 2006-04-20 | 2012-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 階調電圧発生回路、ドライバic、及び液晶表示装置 |
JP4929891B2 (ja) | 2006-07-19 | 2012-05-09 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
KR101014899B1 (ko) | 2006-09-05 | 2011-02-16 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 발광 표시 디바이스 |
TW200823522A (en) * | 2006-11-24 | 2008-06-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Transflect liquid crystal display panel, liquid crystal display module, and liquid crystal display thereof |
JP2008225381A (ja) | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
KR101448904B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2014-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP2009223070A (ja) | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Eastman Kodak Co | ドライバicおよび有機elパネル |
KR20100031001A (ko) * | 2008-09-11 | 2010-03-19 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
JP2010181452A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置の駆動方法 |
KR101534150B1 (ko) | 2009-02-13 | 2015-07-07 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 디지털/아날로그 컨버터, 소스 드라이버 및 액정 표시 장치 |
JP5299777B2 (ja) | 2009-07-01 | 2013-09-25 | Nltテクノロジー株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
MY166003A (en) * | 2009-10-21 | 2018-05-21 | Semiconductor Energy Lab | Display device and electronic device including display device |
WO2011081011A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
KR101814222B1 (ko) | 2010-02-12 | 2018-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 장치 |
JP5825895B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2014112213A (ja) | 2012-10-30 | 2014-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
KR102074718B1 (ko) * | 2013-09-25 | 2020-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102354883B1 (ko) | 2013-11-18 | 2022-01-25 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제어 방법 |
US10380933B2 (en) * | 2014-02-07 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Company, Ltd. | Display with high transparency |
US10354574B2 (en) | 2015-09-25 | 2019-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver IC and electronic device |
-
2017
- 2017-03-29 CN CN201710195990.2A patent/CN107293264B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2017-03-29 CN CN202110769027.7A patent/CN113470589B/zh active Active
- 2017-03-29 US US15/472,490 patent/US10528165B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-03-30 KR KR1020170040415A patent/KR102344594B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-03 JP JP2017073565A patent/JP6903469B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-03 US US16/733,538 patent/US11455050B2/en active Active
-
2021
- 2021-12-23 KR KR1020210186030A patent/KR20210158845A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003157026A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-05-30 | Sharp Corp | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2003241733A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 表示制御回路、半導体装置、及び携帯装置 |
JP2007129504A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 画像表示装置 |
JP2012521017A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-10 | ピクセル チー コーポレイション | 液晶ディスプレイの駆動 |
US20160042708A1 (en) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Apple Inc. | Concurrently refreshing multiple areas of a display device using multiple different refresh rates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102344594B1 (ko) | 2021-12-29 |
CN107293264B (zh) | 2021-07-20 |
JP6903469B2 (ja) | 2021-07-14 |
US11455050B2 (en) | 2022-09-27 |
KR20170114941A (ko) | 2017-10-16 |
CN113470589A (zh) | 2021-10-01 |
US10528165B2 (en) | 2020-01-07 |
KR20210158845A (ko) | 2021-12-31 |
CN113470589B (zh) | 2022-12-30 |
CN107293264A (zh) | 2017-10-24 |
US20200150808A1 (en) | 2020-05-14 |
US20170285817A1 (en) | 2017-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102344594B1 (ko) | 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 | |
JP7005198B2 (ja) | 表示装置、表示モジュールおよび電子機器 | |
JP7174790B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI731882B (zh) | 顯示裝置及其驅動方法 | |
JP2023174828A (ja) | 表示装置 | |
JP6976703B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20160140430A (ko) | 터치 패널 | |
JP6978233B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2017219839A (ja) | 表示装置、表示モジュール、電子機器、および駆動方法 | |
TW201710754A (zh) | 顯示面板、資訊處理裝置以及顯示面板的驅動方法 | |
JP2022136090A (ja) | 蓄電装置 | |
US11852937B2 (en) | Display device and method for manufacturing the display device | |
JP2021180335A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017201394A (ja) | 表示装置およびその作製方法 | |
TW201732388A (zh) | 資訊處理裝置 | |
JP7062422B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2017223881A (ja) | 表示装置、表示モジュール、および電子機器 | |
JP2018049226A (ja) | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
JP2017207697A (ja) | 表示装置、表示モジュール、および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200401 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6903469 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |