JP2017223881A - 表示装置、表示モジュール、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】２値表示により、視認性の向上と、消費電力を低減する。【解決手段】制御回路と、表示回路とを有する表示装置であって、制御回路は、ガンマ制御回路と、デジタルアナログ変換回路と、バッファ回路と、電圧制御回路とを有し、表示回路は、表示部と、ゲートドライバとを有する表示装置であって、表示部は第１の表示領域と、第２の表示領域とを有し、第１の表示領域は、表示の階調を最大階調と最小階調の２値で表示する機能を有し、２値のデータの一方は、最大階調と最少階調とに対応する出力電圧の範囲より大きな電圧で制御される機能を有し、２値のデータの他方は、最大階調と最少階調とに対応する出力電圧の範囲より小さな電圧で制御される機能を有し、出力電圧は、電圧制御回路から、デジタルアナログ変換回路と、バッファ回路に電圧を与える機能により制御されることを特徴とする表示装置。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、および電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法に関する。

電子ブック、タブレット、スマートフォン等のモバイル機器が普及している。モバイル機器は、屋外環境や室内環境など利用する環境の明るさに適した表示をすることが求められている。

自然光や室内照明光など、十分な明るさの外光がある環境では反射光を利用した表示を行い、十分な明るさを得られない環境では発光素子を利用した表示を行う表示装置が提案されている。

電子ブック、タブレットなどで、電子書籍を読む場合、長時間使用できることが求められている。

例えば特許文献１では、１つの画素に、液晶素子を制御する画素回路と、発光素子を制御する画素回路とが設けられている、ハイブリッド（複合型）表示装置が開示されている。

例えば特許文献２では、液晶ディスプレイの電圧透過特性を制御し、デジタルデータを適切に表示に反映させる方法としてガンマ補正による階調の線形性を確保する方法が開示されている。

例えば特許文献３では、白黒もしくはカラーの表示において、中間調や半透過の画像表示をするために白と黒の２値で表現する方法が開示されている。

また、酸化物半導体トランジスタ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒトランジスタ、以下、ＯＳトランジスタと呼称する）を、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイなどの表示装置に用いる技術が注目されている。

ＯＳトランジスタはオフ電流が非常に小さい。そのことを利用して、静止画像を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの消費電力を低減する技術が開示されている（特許文献４）。なお、本明細書において、上述の表示装置の消費電力を減らす技術を、アイドリングストップと呼称する。

国際公開第２００７／０４１１５０号 特開２０００−０２００３７号公報 特開２００９−１１０４２７号公報 特開２０１１−１４１５２２号公報

外光を利用して表示を行う方法として、反射型液晶表示装置がある。反射型液晶表示装置ではバックライトを必要としないため低消費電力であるが、明るい外光が得られる場所でないと良好な表示を行えない。ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は自発光素子であるため、発光表示装置は暗い場所で良好な表示ができる一方、明るい場所では、外光に対して輝度が固定されるため、視認性が低下してしまう。特許文献１で開示されるハイブリッド表示装置は、反射型液晶表示装置と発光表示装置の特長が生かされており、使用場所の明るさによらず使用することができる。

教科書や書籍などの電子化が進み、電子ブックや、タブレットが使用されることが多くなってきた。そのため、電子ブックや、タブレットなど、電子化された書籍を読むために使用されるモバイル機器は、長時間の使用に耐えられるようにバッテリの容量を大きくする必要がある。ただしバッテリの容量を大きくすると、モバイル機器が重くなる。しかし消費電力を低減することで、バッテリを大きくしなくても長時間使用することができるようになる。

電子ブックや、タブレットで長時間の使用をするとき、消費電力を小さくする必要がある。消費電力を制御する代表的な方法としてパワーゲーティングやクロックゲーティングなどの制御方法がある。表示装置の場合は、表示の更新回数を減らすなどの方法が提案されている。しかしながら表示の更新間隔が長くなると、データを保持するスイッチトランジスタで電荷のリークが発生する。電荷のリークによって保持されているデータが劣化しちらつきが発生することで、視認性が低下する。

上記問題に鑑み、本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、表示の視認性を向上させる表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力を低減させる表示装置を提供することを課題の一とする。

なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。

本発明の一態様は、表示回路と、制御回路とを有し、表示回路は、画素と、ゲートドライバとを有し、制御回路は、ガンマ制御回路と、タイミング制御回路と、デジタルアナログ変換回路と、バッファ回路と、電圧制御回路と、選択切り替え回路と、ＣＰＵとを有し、画素は、第１の表示領域と、第２の表示領域とを有し、第１の表示領域または前記第２の表示領域は、液晶素子を有し、ガンマ制御回路は、第１のデジタル映像信号をガンマ補正して第２のデジタル映像信号を出力する機能を有し、デジタルアナログ変換回路は、第２のデジタル映像信号をアナログ映像信号に変換する機能を有し、バッファ回路は、アナログ映像信号を増幅する機能を有し、電圧制御回路は、アナログ映像信号の出力電圧の範囲をデジタルアナログ変換回路に与える機能を有し、ＣＰＵは、ガンマ制御回路に与えられた第１のデジタル映像信号を用いて、出力座標と出力電圧とを再計算する機能を有し、タイミング制御回路は、ゲートドライバを制御する機能を有し、ゲートドライバは、選択切り替え回路により、第１の表示領域と、第２の表示領域の更新を選択する機能を有する表示装置である。

上記各構成において、第１の表示領域は、液晶素子に交流の電圧を与えることで表示する機能を有し、第２の表示領域は、有機化合物を有する発光素子に直流電流を与えることで表示する機能を特徴とする表示装置が好ましい。

上記各構成において、第１の表示領域は、表示の階調を最大階調と最小階調の２値で表示する機能を有し、２値のデータの一方は、電圧制御回路により最大階調と最少階調とに対応する出力電圧の範囲より大きな電圧で制御される機能を有し、２値のデータの他方は、電圧制御回路により最大階調と最少階調とに対応する出力電圧の範囲より小さな電圧で制御される機能を特徴とする表示装置が好ましい。

上記各構成において、第１の表示領域は、表示の階調を最大階調と最小階調の２値で表示する機能を有し、２値のデータに対応する出力電圧は、電圧制御回路から、デジタルアナログ変換回路と、バッファ回路に電圧を与えることで制御されることを特徴とする表示装置が好ましい。

上記各構成のいずれか一に記載の表示回路の表示部およびゲートドライバはトランジスタを有し、トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有する表示装置が好ましい。

本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供するこができる。または、本発明の一態様は、表示の視認性を向上させる表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、消費電力を低減させる表示装置を抑制することができる。

なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書または図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、および／または他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。したがって本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

表示装置の構成を説明する図。 （Ａ）：液晶素子の電気特性の一例を示す図。（Ｂ）：動作点を説明する図。 液晶素子の電気特性の一例を示す図。 表示例を説明する図。 画素の構成を説明するための図。 表示装置の構成を説明するための図。 （Ａ）：選択回路のブロック図。（Ｂ）：（Ａ）のタイミングチャートタイミングチャート。 （Ａ）：図２のタイミングチャート。（Ｂ）：動作を説明するための図。 （Ａ）：画素の構成を説明するための図。（Ｂ）：（Ａ）のタイミングチャート。（Ｃ）：（Ａ）信号の電圧関係を説明する図 画素の構成を説明するための図。 表示パネルの構成を説明する図。 画素の構成を説明する図。 表示パネルの構成を説明する図。 画素の開口部を説明する図。 表示パネルの構成を説明する図。 表示モジュールの例を示す図。 タッチパネルの構成例を示す模式図。 電子機器および照明装置の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。

また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。

また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。

トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。したがって、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。

一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１３Ａであり、Ｖｇｓが‐０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１９Ａであり、Ｖｇｓがー０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、または、Ｖｇｓが−０．５Ｖ以上−０．８Ｖ以下の範囲において、１×１０^−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０^−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−２２Ａ以下である、と言う場合がある。

また、本明細書等では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。

トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、または１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃以上３５℃以下の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃以上３５℃以下の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ，２．５Ｖ，３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、または２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ，２．５Ｖ，３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。

また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。

なお、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。ただし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。

（実施の形態１）
本実施の形態では、２値の階調により中間調画像を表示することで視認性を向上させることができる液晶素子を有する表示装置について、図１乃至図４を用いて説明する。

図１に、表示装置１０のブロック図を示す。表示装置１０は制御回路１００と表示回路７００とを有する。制御回路１００は、ガンマ制御回路１１０と、デジタルアナログ変換回路１２０と、バッファ回路１３０と、電圧制御回路１４０と、タイミング制御回路１５０と、ＣＰＵ１６０と、選択切り替え回路１７０とを有する。表示回路７００は、表示部２２０と、ゲートドライバ２１０とを有する。表示部２２０は、第１の表示領域２２１と、第２の表示領域２２２とを有する。ガンマ制御回路１１０は、ガンマ補正回路１１１と、メモリ１１２とを有する。

ガンマ制御回路１１０は、デジタルアナログ変換回路１２０と電気的に接続され、デジタルアナログ変換回路１２０は、バッファ回路１３０と電気的に接続され、バッファ回路１３０は、表示部２２０と電気的に接続され、電圧制御回路１４０は、デジタルアナログ変換回路１２０と、バッファ回路１３０と電気的に接続される。

タイミング制御回路１５０は、ガンマ制御回路１１０と、選択切り替え回路１７０と、ゲートドライバ２１０と電気的に接続され、選択切り替え回路１７０は、ゲートドライバ２１０と電気的に接続される。ゲートドライバ２１０は、表示部２２０と電気的に接続される。ＣＰＵ１６０は、ガンマ制御回路１１０と、電圧制御回路１４０と電気的に接続される。

表示部２２０は二つの表示領域を有し、第１の表示領域２２１は液晶素子により表示を行う複数の画素を有し、第２の表示領域２２２はＥＬ素子により表示を行う複数の画素を有している。第１の表示領域２２１の画素は、画素電極に反射率の高い金属膜を有し、画素電極で外光を反射させることで階調を制御して表示する。画素が有する液晶素子が反射光を用いて表示される構造を反射型液晶構造とする。また画素が有する液晶素子が透過光を用いて表示される構造を透過型液晶構造とする。

第１のデジタル映像信号は、ガンマ制御回路１１０に与えられる。与えられた第１のデジタル映像信号は、ガンマ補正回路１１１にて、メモリ１１２に保存されているガンマ補正用のルックアップテーブルを参照し、ガンマ補正することで第２のデジタル映像信号に変換される。第２のデジタル映像信号は、デジタルアナログ変換回路１２０によって、アナログ映像信号の階調信号に変換される。アナログ映像信号の階調信号は電圧で表される。表示部２２０は、デジタルアナログ変換回路１２０から、バッファ回路１３０を介して、階調信号が与えられることで表示が更新される。

クロック信号はタイミング制御回路１５０に与えられる。タイミング制御回路１５０は制御回路１００および表示回路７００を制御するタイミングを生成する。タイミング制御回路１５０によって、表示部のゲートドライバは制御され、かつ選択切り替え回路１７０によって第１の表示領域２２１を表示する画素回路、または第２の表示領域２２２を表示する画素回路のいずれかを選択し、ガンマ制御回路１１０によって表示部２２０にアナログ映像信号の書き込みをする。

なお、ガンマ制御回路１１０が有するガンマ補正の機能とは、第１のデジタル映像信号の入力に応じて、０％の黒から１００％の白までリニアに明るさが変化するように行う補正のことである。

第２のデジタル信号は、デジタルアナログ変換回路１２０に与えられる基準電圧によって、それぞれの階調に応じた階調信号に変換される。デジタルアナログ変換回路１２０に与えられる基準電圧は、電圧制御回路１４０によって与えられる。バッファ回路１３０の電源電圧も、電圧制御回路１４０によって与えられる。ただし、バッファ回路１３０の電源電圧は、階調信号として出力することが可能な最少電圧より小さな電圧で、かつ最大電圧より大きな電圧で固定されていてもよい。電圧制御回路１４０は、ＣＰＵ１６０によって制御される。

図２（Ａ）は反射型液晶構造において、液晶素子への印加電圧と光の反射率の関係（特性ＶＲ）を示す。図２（Ａ）の特性ＶＲは三つの領域に分けることができる。第１の範囲Ａは電圧に対して急峻な変化を伴う。第２の範囲Ｂ１もしくは第３の範囲Ｂ２は電圧の変化に対して変化量がとても小さい。液晶素子を用いた表示装置では、第１の範囲Ａに対してガンマ補正を行い、理想特性Ｉｄｅａｌ１になるように補正をする。

ガンマ補正を行う範囲を、第１の範囲Ａに加えて、第２の範囲Ｂ１と、第３の範囲Ｂ２とを含めると、第２の範囲Ｂ１と、第３の範囲Ｂ２とは電圧に対して反射率の変化が少ないため、ガンマ補正の分解能を高くしなければならない。ガンマ補正による反射率の分解能は、電圧の分解能と置き換えられることができる。したがって素子のばらつきや、ノイズの影響を受けやすくなるため、ガンマ補正は、第１の範囲Ａに対して行うことが望ましい。

階調信号は画素回路が有する容量素子Ｃ１に書き込まれる。容量素子Ｃ１には階調信号が電荷として保持されることで電圧を生成する。生成された電圧が液晶素子に与えられることで階調が制御されている。画素回路の詳細な説明は図５にて行うが、第１の表示領域２２１を表示する画素回路は、トランジスタＳＷ１、容量素子Ｃ１、および第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。

しかしながら、容量素子Ｃ１に保持された電荷は、トランジスタＳＷ１のオフ電流や、液晶素子の抵抗性によるリーク（以降、リークと記す）などにより、液晶素子に与える電圧が変動することで階調も変動する。表示が更新される間隔内で容量素子Ｃ１の電圧が変動すると階調も変動し、フリッカと呼ばれるちらつきが発生する。

なお、リークを小さくする方法として、オフ電流が著しく小さいトランジスタを用いることができる。オフ電流が著しく小さいトランジスタとして、シリコンよりも広いバンドギャップを有する半導体でなるトランジスタを用いることができる。シリコンよりも広いバンドギャップを有する半導体としては化合物半導体があり、例えば、酸化物半導体、窒化物半導体などがある。

例えば、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを用いることで、トランジスタＳＷ１のオフ電流を小さくすることができ、先述のアイドリングストップが可能になる。トランジスタＳＷ１のオフリークを小さく抑えることができる。

例えば、チャネルが形成される半導体層に結晶性シリコンを用いたトランジスタ（「結晶性Ｓｉトランジスタ」ともいう。）は、ＯＳトランジスタよりも比較的高い移動度を得やすい。一方で、結晶性Ｓｉトランジスタは、ＯＳトランジスタのように極めて少ないオフ電流の実現が困難である。よって、半導体層に用いる半導体材料は、目的や用途に応じて適宜使い分けることが肝要である。

容量素子Ｃ１に保持される電荷のリークなどによる電圧の変動が小さければ、階調の変動量も小さいため、視認性の影響を小さく抑えられる。したがって、表示が更新される間隔が短い場合は、リークなどによる電圧の変動は小さく抑えられるので表示の品質は保たれる。しかし、消費電力を小さくするために表示の更新間隔を長くしたときは、リークによる電圧の変動量が大きくなり、フリッカなどが発生する。

フリッカの発生は、容量素子Ｃ１に保持される電荷のリークに起因する電圧の変動を抑えることで改善することができる。トランジスタのオフ電流は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを用いることで低減することができる。しかしながら、液晶素子の抵抗性によるリークなど、その他のリークに対しては改善が必要になる。

図２（Ｂ）は、第２の範囲Ｂ１と、第３の範囲Ｂ２とを用いて表示を行うことでフリッカの発生を低減させる方法について示す。

電圧ｄから電圧ｇの範囲が、図２（Ａ）で示した範囲に相当する。第１の範囲Ａは、電圧ｅから電圧ｆの範囲に相当し、ガンマ補正を用いて理想特性Ｉｄｅａｌ１に変換し、リニアな階調を表示する。第２の範囲Ｂ１は、電圧ｄから電圧ｅの範囲に相当し、最大階調で飽和している領域を示す。第３の範囲Ｂ２は、電圧ｆから電圧ｇの範囲に相当し、最小階調で飽和している領域を示す。電圧ａから電圧ｄの範囲には、電圧ｄを中心に電圧ｄから電圧ｇの範囲を、反転した電圧が与えることで、液晶素子の焼き付き等が低減させられている。

第２の範囲Ｂ１と、第３の範囲Ｂ２とは、電圧の変動に対し、特性ＶＲの変動が少ないため、リークにより容量素子Ｃ１の電圧が変動しても、表示階調が影響を受けにくい。したがって、第１の表示領域２２１の表示は第２の範囲Ｂ１と、第３の範囲Ｂ２とによって、２値データ（２値とは最小階調と最大階調を示す）で表示することが望ましい。図２（Ｂ）の縦軸には、表示階調を８ｂｉｔの分解能で表したときと、１２ｂｉｔの分解能で表したときを示した。１２ｂｉｔの表示階調の場合、８ｂｉｔの表示階調に比べ１６倍の階調の変化が生じるため、よりフリッカが発生しやすい。

第１の表示領域２２１は、動画を表示するときは、常に異なるデータで表示が更新されるため、第１の範囲Ａの電圧範囲で、ガンマ補正を用いて理想特性Ｉｄｅａｌ１に変換した階調信号で表示することが好ましい。

静止画を表示するときは、第２の範囲Ｂ１と、第３の範囲Ｂ２との電圧を用いることで、リークが発生してもフリッカを低減できる表示装置を提供することができる。

第２の範囲Ｂ１の電圧ｄから電圧ｅの範囲においては、電圧ｄの電圧を用いることで、リークによる電圧の変動量に対して広いマージンを確保することができる。第３の範囲Ｂ２の電圧ｆから電圧ｇの範囲においては、電圧ｇの電圧を用いることで、リークによる電圧の変動量に対して広いマージンを確保することができる。２値データで使用する電圧は、第２の範囲Ｂ１、または第３の範囲Ｂ２の、それぞれの範囲内で、適宜選択することができる。

動画もしくは静止画を表示するとき、表示の内容に応じてデジタルアナログ変換回路１２０の基準電圧を変えることで、出力信号の電圧範囲を切り替えることができる。基準電圧は、電圧制御回路１４０を用いて制御することができる。

第２の範囲Ｂ１と、第３の範囲Ｂ２とを用いて２値データのみで表示すると、中間調を表示することが難しい。そこで２値データを用いて中間階調を表示する方法として、ディザ法に代表される方法がある。ディザ法には誤差拡散法や、組織的ディザ法などがある。

ディザ法は一定の面積を一つの単位として、この面積の中を２値データで表示する画素数の割合を変えることで、階調を表現することができる。ガンマ制御回路１１０に入力される表示データは表示アドレスの情報も含んでいるため、ディザ法を用いると表示アドレスを再計算する必要がある。ＣＰＵは、ガンマ補正回路１１１から表示データを受け取り、ディザ法を用いて中間階調の表示データを再計算したのち、ガンマ補正回路にデータを戻すことで、２値データによる中間階調を含む静止画を表示することができる。

図３で示した特性ＶＴは、第１の表示領域２２１の画素に透過型液晶構造を用いたときの、液晶素子の印加電圧と透過率の関係である。液晶素子は、図２（Ａ）と同じ材料（メルク製 ＭＬＣ３０１９）を使用している。図２で示した特性ＶＲまたは図３で示した特性ＶＴにおいても、第２の範囲Ｂ１と第２の範囲Ｂ２を有するため、２値データを用いることでフリッカを低減し視認性を向上させることができる。さらに表示の更新頻度を少なくすることにより消費電力を小さくすることができる。図１の表示部２２０が、第１の表示領域２２１のみで構成されてもよい。

図４は、表示部２２０に表示した一例を示す。文字列２２３の表示には、第１の表示領域２２１を用い、２値データで表示している。中間調の画像２２４はディザ法を用いて第１の表示領域２２１を用いて２値データで表示している。カラーの表示（カラーの動画を含む）２２５については、第２の表示領域２２２を用いて表示している。第１の表示領域は２値データで表示され、さらに表示の更新間隔は、第２の表示領域２２２の更新間隔よりも長くすることができる。第１の表示領域２２１と第２の表示領域２２２は異なる駆動で制御できる。

文字列２２３の場合は２値データを用いることでフリッカを抑制することができ、視認性を向上させることができる。さらに、更新間隔を長くすることで表示の更新に係る消費電力を小さくすることができる。中間調の画像２２４の領域は、ディザ法を用いることで２値データを用いて表示することができ、リークの影響を受けても視認性の高い中間調の画像を表示することができる。

以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、表示部の有する第１の領域と、第２の領域について、図５乃至図１０を用いて説明する。

図５に、画素回路７１０Ｃの構成例を示す。図６の表示回路７００の表示部２２０の、画素の一つを、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）として説明する。表示部２２０は、行方向にｍ個（ｍは１以上の整数）、列方向にｎ個（ｎは１以上の整数）、合計ｍ×ｎ個の画素がマトリクス状に配置されている。なおｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数である。

画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有し、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、一例として焼き付きを防止するために電圧により交流駆動される液晶素子が好ましい。

画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有し、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を有する。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、一例として直流駆動される発光素子が好ましい。

画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の階調は、電圧または電流に応じた階調信号によって制御される。

表示部２２０の第１の表示領域２２１は、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）によって表示が制御される。また第２の表示領域２２２は、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）によって表示さ制御される。

画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＳＷ１、容量素子Ｃ１、および第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の画素電極と、有機化合物層と、第１の対向電極を有する。第１の画素電極は、陽極または陰極のいずれか一方であり、第１の対向電極は、陽極または陰極のいずれか他方である。液晶素子は有機化合物層として用いられる一つの例である。

画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ１のゲートは、第１の走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続される。トランジスタＳＷ１のソースまたはドレインの一方は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

トランジスタＳＷ１のソースまたはドレインの他方は、容量素子Ｃ１の一方の電極および第１の画素電極に電気的に接続される。第１の画素電極は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を介して、第１の対向電極に電気的に接続される。

容量素子Ｃ１の他方の電極には、容量素子Ｃ１の基準電圧がＣＳＣＯＭ端子を介して与えられる。第１の対向電極には、コモン電圧がＶＣＯＭ端子を介して与えられる。

信号線Ｓ１（ｊ）から与えられる第１の階調信号により、第１の画素電極と、第１の対向電極との間に生成された電圧により、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の階調が制御される機能を有している。

画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、および第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を有する。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、第２の画素電極と、有機化合物層と、第２の対向電極を有する。第２の画素電極は、陽極または陰極のいずれか一方であり、第２の対向電極は、陽極または陰極のいずれか他方である。

画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ２のゲートは、第２の走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続される。トランジスタＳＷ２のソースまたはドレインの一方が信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

トランジスタＳＷ２のソースまたはドレインの他方は、容量素子Ｃ２の一方の電極およびトランジスタＭのゲートと電気的に接続される。トランジスタＭのドレインには、ＡＮＯ端子および容量素子Ｃ２の他方の電極が電気的に接続される。トランジスタＭのソースは、第２の画素電極が電気的に接続される。第２の画素電極は、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を介して第２の対向電極に接続される。

トランジスタＭのドレインには、ＡＮＯ端子を介してアノード電圧が与えられる。第２の対向電極には、ＶＣａｔｈ端子を介してカソード電圧が与えられる。

容量素子Ｃ２の電極の他方がトランジスタＭのドレインと電気的に接続された例を示したが、ソースと電気的に接続してもよいし、他の電圧が与えられる配線または電極と電気的に接続してもよい。

信号線Ｓ１（ｊ）から与えられる第２の階調信号によって制御されるトランジスタＭにより、駆動電流は制御される。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）に流れる駆動電流により、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の階調が制御される機能を有している。

図６は、表示回路７００の構成を示すブロック図である。表示回路７００はゲートドライバ２１０と、表示部２２０とを有する。ゲートドライバ２１０は、シフトレジスタ回路２１１および選択回路１８０を有する。選択回路１８０は、判定回路１８１および判定回路１８２を有する。表示部２２０は、画素回路７１０Ｃ（１，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｎ）を有する。画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）および画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）を有する。選択切り替え回路１７０は、制御回路１００に含まれるが、表示回路７００の動作と合わせて説明する。

本実施の形態で説明する表示部２２０は、画素回路７１０Ｃ（１，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｎ）と、第１の走査線Ｇ１（１）乃至Ｇ１（ｍ）と、第２の走査線Ｇ２（１）乃至Ｇ２（ｍ）と、信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｎ）とを有する。

図７（Ａ）に選択回路１８０の構成を示す。選択回路１８０は、判定回路１８１および判定回路１８２を有する。判定回路１８１は、入力信号の条件を判定する論理回路１８５およびバッファ回路１８６Ａを有する。判定回路１８２は、入力信号の条件を判定する論理回路１８５およびバッファ回路１８６Ｂを有する。

論理回路１８５の入力端子の一方には、選択回路１８０を選択するためのシフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲが入力される。判定回路１８１の論理回路１８５の入力端子の他方には、選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｌが入力される。判定回路１８２の論理回路１８５の入力端子の他方には、選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｅが入力される。

図７（Ｂ）に選択回路１８０が有する判定回路１８１の動作をタイミングチャートＦ２１で示す。シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲおよび選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈのとき、第１の走査線Ｇ１にＨｉｇｈの信号を出力する。それ以外の入力条件の時は、第１の走査線Ｇ１にＬｏｗの信号が出力する。

図７（Ｂ）に選択回路１８０が有する判定回路１８２の動作をタイミングチャートＦ２２で示す。シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲおよび選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈのとき、第２の走査線Ｇ２にＨｉｇｈの信号を出力する。それ以外の入力条件の時は、第２の走査線Ｇ２にＬｏｗの信号を出力する。

判定回路１８１のバッファ回路１８６Ａの出力がＨｉｇｈのときは、第１の表示素子７５０の階調信号により生成された電圧より大きな電圧の信号を、第１の走査線Ｇ１に出力する。バッファ回路１８６Ａの出力がＬｏｗのときは、第１の表示素子７５０の階調信号により生成された電圧より小さな電圧の信号を、第１の走査線Ｇ１に出力する。

判定回路１８２のバッファ回路１８６Ｂの出力がＨｉｇｈのときは、第２の表示素子６５０の駆動電流を制御するトランジスタＭのゲートに与える階調信号により生成された電圧より大きな電圧の信号を、第２の走査線Ｇ２に出力する。バッファ回路１８６Ｂの出力がＬｏｗのときは、第２の表示素子６５０の駆動電流を制御するトランジスタＭのゲートに与える階調信号により生成された電圧より小さな電圧の信号を、第２の走査線Ｇ２に出力する。

第１の階調信号により生成された最大電圧は、第２の階調信号により生成された最大電圧よりも大きい電圧であり、第１の階調信号により生成された最小電圧は、第２の階調信号により生成された最小電圧よりも小さい電圧である。

第１の表示素子７５０の階調信号の電圧と、第２の表示素子６５０の駆動電流を制御するトランジスタＭのゲートに与える階調信号の電圧は異なるため、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは、異なる電圧を出力してもよいし、同じ電圧を出力してもよい。

なお、図７（Ｂ）の動作条件を満足する場合であれば、本発明の一様態は、図７（Ａ）の選択回路１８０の回路構成に限らない。

図８（Ａ）は、図６の表示回路７００の動作についてタイミングチャートを示す。図６のゲートドライバ２１０は、シフトレジスタ回路２１１から出力信号ＳＲ（１）乃至ＳＲ（ｍ）が順次出力される。

画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の走査線Ｇ１（ｉ）に出力する走査信号は、シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（ｉ）および選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｌから、選択回路１８０の判定回路１８１により生成される。

画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第２の走査線Ｇ２（ｉ）に出力する走査信号は、シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（ｉ）および選択信号出力回路３０の選択信号ＭＤ＿Ｅから、選択回路１８０の判定回路１８２により生成される。

一例として、図８（Ａ）に示すタイミングチャートを用いて、出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間における、ゲートドライバ２１０の動作について説明する。

シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路７５０Ｃ（１，ｊ）と電気的に接続された信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｎ）により、画素回路７５０Ｃ（１，ｊ）へ階調信号を書き込むことができる。

シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間において、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に、第２の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（１，ｊ）と電気的に接続された信号線Ｓ１（１）乃至Ｓ１（ｎ）により、画素回路６５０Ｃ（１，ｊ）へ階調信号を書き込みができる。

図８（Ｂ）は、表示部２２０の駆動状態を模式的に示す。画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）により表示された領域を液晶表示領域１２１とし、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）により表示された領域を発光表示領域１２２とする。

シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（１）乃至ＳＲ（ｍ）、選択信号ＭＤ＿Ｌ、選択信号ＭＤ＿Ｅ、および選択回路１８０によって、第１の走査線Ｇ１（ｉ）に走査信号を出力することで、液晶表示領域１２１の表示内容が更新され、さらに第２の走査線Ｇ２（ｉ）に走査信号を出力することで発光表示領域１２２の表示内容が更新された順番は、図８（Ａ）のタイミングチャートと対応している。

図８（Ｂ）は、図６のシフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間について説明する。選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、選択回路１８０によって第１の走査線Ｇ１（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。したがって、画素回路７５０Ｃ（１，１）乃至画素回路７５０Ｃ（１，ｎ）の表示内容は、階調信号によって更新される。

シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間、かつ選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に、選択回路１８０によって第１の走査線Ｇ２（１）の走査信号がＨｉｇｈになる。したがって、画素回路６５０Ｃ（１，１）乃至画素回路６５０Ｃ（１，ｎ）の表示内容は、階調信号によって更新される。

図８（Ａ）では、シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（１）がＨｉｇｈの期間に、先に選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈになり、続いて選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈになる。図８（Ｂ）では、選択信号ＭＤ＿ＬがＨｉｇｈの期間に、液晶表示領域１２１の表示が先に更新されたことを示す。続いて、選択信号ＭＤ＿ＥがＨｉｇｈの期間に発光表示領域１２２の表示が更新されたことを示す。

図６に示す回路では、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは異なるタイミングで走査信号がＨｉｇｈになることで、信号線に与えられる第１の階調信号と、第２の階調信号とは、お互いに影響を及ぼさない。

画素回路７５０Ｃ（１，ｊ）のトランジスタＳＷ１のゲートと電気的に接続する第１の走査線Ｇ１（１）、および画素回路６５０Ｃ（１，ｊ）のトランジスタＳＷ２のゲートと電気的に接続する第２の走査線Ｇ２（１）は、シフトレジスタ回路２１１、選択信号ＭＤ＿Ｌ、選択信号ＭＤ＿Ｅ、および選択回路１８０を有するゲートドライバ２１０で、走査線の選択を制御することができる。

信号線Ｓ１（ｊ）には、画素回路７５０Ｃ（１，ｊ）の階調信号と、画素回路６５０Ｃ（１，ｊ）の階調信号を与えることができる。

図６の例では、選択信号ＭＤ＿Ｌおよび選択信号ＭＤ＿Ｅの信号を用いるために、判定回路１８１および判定回路１８２はｎチャンネル型トランジスタを有している。判定回路１８１および判定回路１８２は、相補型ＭＯＳスイッチ（ＣＭＯＳスイッチ、アナログスイッチ）で構成することも可能である。相補型ＭＯＳスイッチで構成することで、選択条件を正論理および負論理で判定できるようになり、選択信号の数を減らすことができる。

図５に示す画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）では、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分がばらつくと、トランジスタＭのドレインとソース間の電圧が追従してばらつく。トランジスタＭのドレインはアノード電圧で固定され、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の対向電極はカソード電圧で固定されているため、トランジスタＭのソース電圧にばらつきが生じる。トランジスタＭのソース電圧にばらつきが生じると、トランジスタＭのソースとゲート間にかかる電圧がばらつくため、駆動電流がばらつき、階調は正しく制御されない。

表示素子６５０（ｉ，ｊ）を正しい階調で制御するためには、トランジスタＭのソース電圧を基準として、トランジスタＭのゲートに第２の階調信号によって生成された電圧を与える必要がある。

図９（Ａ）乃至図９（Ｃ）を用いて、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けずに、駆動電流を制御する動作について説明する。図９（Ａ）が図５と異なる点を示す。図９（Ａ）では画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が、トランジスタＳＷ３を有している。

トランジスタＳＷ３のソースまたはドレインの一方は、トランジスタＭのソースと電気的に接続されている。トランジスタＳＷ３のソースまたはドレインの他方はＣＳＣＯＭ端子に電気的に接続されている。トランジスタＳＷ３のゲートには、第３の走査線Ｇ３（ｉ）が電気的に接続されている。

第３の走査線は、シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲが第３の走査信号として与えられている。

図９（Ｂ）を用いて、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けずに、駆動電流を制御する動作についてタイミングチャートを用いて説明する。第１の走査信号がＨｉｇｈの期間、第３の走査線Ｇ３にはシフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（ｉ）が第３の走査信号として与えられる。トランジスタＳＷ３のゲートがＨｉｇｈとなり、トランジスタＭのソースはＣＳＣＯＭ端子を介してコモン電圧が与えられる。

トランジスタＭのソースと、第２の画素電極とは電気的に接続されているため、第２の画素電極と、第２の対向電極との間には第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）を介して電流が流れる。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の発光に寄与しない大きさの電流になるように、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の電気的特性からコモン電圧を決めることが望ましい。

シフトレジスタ回路２１１の出力信号ＳＲ（ｉ）がＨｉｇｈの期間、トランジスタＭのソースにコモン電圧が与えられる。画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が、第１の階調信号により階調が変化する期間、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は発光に必要な電流が与えられないため、消灯している。

第２の走査信号がＨｉｇｈになり、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）に階調信号を書き込む期間も、トランジスタＭのソースはコモン電圧で固定されている。そのため画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）にはコモン電圧を基準とした階調信号が正しく与えられる。

図９（Ｃ）に、図９（Ａ）の信号の電圧関係を示す。まず、走査信号について説明をする。第１の走査信号のＨｉｇｈの期間に与えられる高い電圧をＧ１＿Ｈとし、Ｌｏｗの期間に与えられる低い電圧をＧ１＿Ｌとする。第２の走査信号のＨｉｇｈの期間に与えられる高い電圧をＧ２＿Ｈとし、Ｌｏｗの期間に与えられる低い電圧をＧ２＿Ｌとする。一例としてＧ１＿ＨとＧ２＿Ｈ、およびＧ１＿ＬとＧ２＿Ｌが異なる電圧の例を示したが、それぞれを同じ電圧にすると電源の数を減らすことができるので回路規模を小さくできる。

階調信号について説明をする。一例として第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反転駆動を行う液晶素子について示す。第１の画素電極と、第１の対向電極が、ともにコモン電圧の時に表示が黒の階調を示すとき、第１の階調信号から生成されるもっとも大きな電圧を７５０＿Ｈ１とし、反転駆動時の第１の階調信号から生成されるもっとも小さな電圧を７５０＿Ｈ２とする。７５０＿Ｌは、コモン電圧とする。第２の階調信号から生成されるもっとも大きな電圧を６５０＿Ｈとし、第２の階調信号から生成されるもっとも小さな電圧を６５０＿Ｌとする。７５０＿Ｈ１と７５０＿Ｌとの間もしくは、７５０＿Ｈ２と７５０＿Ｌとの間には、第１の範囲Ａ、第２の範囲Ｂ１、第３の範囲Ｂ２を含む。

図９（Ｃ）では、６５０＿Ｌには、７５０＿Ｌと同じコモン電圧を与えたが、６５０＿Ｌはカソード端子に流れる電流が、第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の発光に寄与しない大きさの電圧が与えられることが好ましい。第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の電気的特性から６５０＿Ｌに与えるコモン電圧が求められることが好ましい。

図９（Ｃ）に示していない信号の電圧について示す。ＡＮＯ端子に与えられるアノード電圧は、６５０＿Ｈよりも大きな電圧が与えられ、ＶＣａｔｈ端子に与えられるカソード電圧は、６５０＿Ｌよりも小さな電圧が与えられる。

図９（Ａ）で示した回路では、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）の有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けずに、駆動電流を制御する回路を追加しても、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する容量素子Ｃ１の基準電圧であるコモン電圧を利用することで、新規な配線を追加せずに、表示品質を改善することができる。

図９（Ａ）で示した回路では、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）の抵抗成分のばらつきに影響を受けずに、駆動電流を制御する回路を追加しても、第１の走査線Ｇ１と、第２の走査線Ｇ２とは異なるタイミングで走査信号がＨｉｇｈになることで、信号線に与えられる第１の階調信号と、第２の階調信号とは、お互いに影響を及ぼさない。

なお本発明の一様態は図５の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成に限らない。図５とは異なる画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成の一例について図１０（Ａ）乃至（Ｄ）に図示する。

図１０（Ａ）乃至（Ｄ）は、トランジスタがバックゲートを有する画素を図示している。トランジスタ以外の構成については図５に示す回路と同様である。

図１０（Ａ）が、図５と異なる点を示す。図１０（Ａ）では画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）が有するトランジスタは、バックゲートを有するトランジスタを図示している。トランジスタＳＷ１＿１のゲートはトランジスタＳＷ１＿１のバックゲートと電気的に接続されている。トランジスタＳＷ２＿１のゲートはトランジスタＳＷ２＿１のバックゲートと電気的に接続されている。トランジスタＭ１のバックゲートのゲートも同様にバックゲートと電気的に接続されている。上記一対のゲートは、チャネル形成領域を間に介して、互いに重なる領域を有することが好ましい。

トランジスタＳＷ１＿１のゲート電圧と同じ電圧が、トランジスタＳＷ１＿１のバックゲートに与えられている。トランジスタＳＷ２＿１およびトランジスタＭ１もそれぞれのゲート電圧と同じ電圧が、それぞれのバックゲートに与えられている。

図１０（Ｂ）が、図１０（Ａ）と異なる点を示す。図１０（Ｂ）のトランジスタＭ２は、バックゲートがトランジスタＭ２のソースと接続されている。Ｍ２のソース電圧と同じ電圧が、Ｍ２のバックゲートに与えられる。

図１０（Ｃ）が、図１０（Ａ）と異なる点を示す。図１０（Ｃ）のトランジスタＭ３のバックゲートは、ＢＧＬ端子と接続されている。バックゲートの電圧をＢＧＬ端子から与えることができる。

図１０（Ｄ）が、図１０（Ｃ）と異なる点を示す。図１０（Ｄ）のトランジスタＳＷ１＿２のバックゲートと、トランジスタＳＷ２＿２のバックゲートは、ＢＧＬ１端子と接続されている。バックゲートの電圧をＢＧＬ１端子から与えることができる。ＢＧＬ１端子に与える電圧は、ＢＧＬ端子に与える電圧と同じでもよいし、異なる電圧でもよい。

なお本発明の一様態は図１０の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）の回路構成に限らない。他の信号をバックゲートと電気的に接続もできるし、接続の方法を組み合わせることもできる。

なお本発明の一様態は、ゲートドライバ２１０に用いるトランジスタのバックゲートにも組み合わせることができる。

トランジスタは、ゲート電極（第１のゲート電極）およびバックゲート電極（第２のゲート電極）の電界により、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜を電気的に取り囲むトランジスタのデバイス構造とすることができる。このようなデバイス構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶ。

以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示回路７００の構成について、図１１乃至図１５を参照しながら説明する。

図１１は本発明の一態様の表示回路７００の構成を説明する図である。図１１（Ａ）は本発明の一態様の表示回路７００の上面図である。図１２（Ａ−１）は図１１（Ａ）の表示回路７００の一部を説明する下面図であり、図１２（Ａ−２）は図１２（Ａ−１）に図示する一部の構成を省略して説明する下面図である。図１２（Ｂ−１）は、図１２（Ａ−１）と異なる開口位置について示した下面図である。

図１３は本発明の一態様の表示回路７００の構成を説明する図である。図１３（Ａ）は図１１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６、Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。図１３（Ｂ）は表示回路７００の一部の構成を説明する断面図であり、図１３（Ｃ）は表示回路７００の他の一部の構成を説明する断面図である。

図１４（Ａ−１）および図１４（Ａ−２）は本発明の一態様の表示回路７００に用いることができる開口部７５１Ｈの配置を説明する模式図である。

＜表示装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示回路７００は、信号線Ｓ１（ｊ）と、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と、を有する（図１２（Ａ−１）および図１２（Ａ−２）参照）。

画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）と、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）有し、画素回路７５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第２の絶縁膜６０１Ｃと、画素回路６５０Ｃ（ｉ，ｊ）が有する表示素子６５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図１３（Ａ）参照）。

第１の導電膜は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図１３（Ａ）参照）。例えば、第１の導電膜を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。例えば、第２の導電膜を、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタのソースまたはドレインとして機能する導電膜６１２Ｂに用いることができる。

第２の絶縁膜６０１Ｃは、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える。

画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、第２の導電膜と電気的に接続される。例えば、第２の導電膜をソースまたはドレインとして機能する導電膜６１２Ｂに用いたトランジスタを、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）のトランジスタＳＷ１に用いることができる（図１３（Ａ）および図２参照）。

第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ａを備える（図１３（Ａ）参照）。

第２の導電膜は、開口部６９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜６１２Ｂは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図２参照）。なお、導電膜６１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１３（Ａ）および図２参照）。

第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、第２の絶縁膜６０１Ｃに埋め込まれた側端部を備える。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＳＷ１を備える。トランジスタＳＷ１は、酸化物半導体を含む。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向と同一の方向に表示をする機能を備える。例えば、外光を反射する強度を制御して表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、破線の矢印で図中に示す。また、表示素子６５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、実線の矢印で図中に示す（図１３（Ａ）参照）。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を備える（図１４（Ａ−１）または図１４（Ａ−２）参照）。なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域に表示をし、表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈと重なる領域に表示をする。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、入射する光を反射する機能を備える反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を有する。そして、反射膜は、開口部７５１Ｈを備える。なお、例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の反射膜に、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を用いることができる。

また、表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈに向けて光を射出する機能を有する。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と、一群の画素回路７１０Ｃ（ｉ，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｎ）と、他の一群の画素回路７１０Ｃ（１，ｊ）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｊ）と、第１の走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図１参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、第２の走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、配線ＡＮＯと、を有する。

一群の画素回路７１０Ｃ（ｉ，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｎ）は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒで示す方向）に配設される。

また、他の一群の画素回路７１０Ｃ（１，ｊ）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｊ）は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃで示す方向）に配設される。

第１の走査線Ｇ１（ｉ）は、行方向に配設される一群の画素回路７１０Ｃ（ｉ，１）乃至画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

列方向に配設される他の一群の画素回路７１０Ｃ（１，ｊ）乃至画素回路７１０Ｃ（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

例えば、図１４（Ａ−１）および図１４（Ａ−２）に示すように、画素内に設けられる開口部の位置は、隣接する画素において異なることが好ましい。ここでいう隣接する画素とは、行方向および列方向のいずれか、または行方向および列方向の双方を含むものとする。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いることができる。

図１４（Ｂ−１）乃至図１４（Ｂ−３）は本発明の一態様の表示回路７００に用いることができる開口部７５１Ｈの配置例を示した模式図である。

図１４（Ｂ−１）は図１２（Ｂ−１）で下面図を示したが、図１２（Ａ−１）と比べるとＣＳＣＯＭの配線を減らすことができ、高精細化に対応した表示装置を提供することができる。

図１４（Ｂ−２）および図１４（Ｂ−３）では第２の表示素子の開口位置が形成する面積が、図１４（Ａ−１）または図１４（Ｂ−１）で示す配置よりおおきくなることで、第２の表示素子のように小さな開口でも、表示の品質を改善することができる。

上記本発明の一態様の表示回路７００は、表示素子７５０と、表示素子７５０と電気的に接続される第１の導電膜と、第１の導電膜と重なる領域を備える第２の導電膜と、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える絶縁膜と、第２の導電膜と電気的に接続される画素回路と、画素回路と電気的に接続される表示素子６５０と、を含み、第２の絶縁膜は開口部を備え、第２の導電膜は第１の導電膜と開口部で電気的に接続される。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、表示素子７５０と、表示素子７５０とは異なる方法を用いて表示をする表示素子６５０と、を駆動することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、端子６１９Ｂと、導電膜６１１Ｂと、を有する（図１３（Ａ）参照）。

第２の絶縁膜６０１Ｃは、端子６１９Ｂおよび導電膜６１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。また、第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ｂを備える。

端子６１９Ｂは、開口部６９１Ｂにおいて導電膜６１１Ｂと電気的に接続される。また、導電膜６１１Ｂは、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または第１の導電膜を反射膜に用いる場合、端子６１９Ｂの接点として機能する面は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に入射する光に向いている面と同じ方向を向いている。

これにより、端子を介して電力または信号を、画素回路に供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む層７５３と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２と、を備える。なお、第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟むように配設される。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００の表示素子６５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極６５２と、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）と、を備える。

第４の電極６５２は、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）は、第３の電極６５１および第４の電極６５２の間に配設される。そして、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）は、接続部６２２において、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００の画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）は、着色膜ＣＦ１と、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、を有する。

着色膜ＣＦ１は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に配設される。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、基板６７０と、基板７７０と、機能層６２０と、を有する。

基板７７０は、基板６７０と重なる領域を備える。機能層６２０は、基板６７０および基板７７０の間に配設される。

機能層６２０は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と、絶縁膜６２１と、絶縁膜６２８と、を含む。また、機能層６２０は、絶縁膜６１８および絶縁膜６１６を含む。

絶縁膜６２１は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子６５０（ｉ，ｊ）の間に配設される。

絶縁膜６２８は、絶縁膜６２１および基板６７０の間に配設され、表示素子６５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。第３の電極６５１の周縁に沿って形成される絶縁膜６２８は、第３の電極６５１および第４の電極の短絡を防止することができる。

絶縁膜６１８は、絶縁膜６２１および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に配設される領域を備え、絶縁膜６１６は、絶縁膜６１８および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に配設される領域を備える。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、接合層６０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。

接合層６０５は、機能層６２０および基板６７０の間に配設され、機能層６２０および基板６７０を貼り合せる機能を備える。

封止材７０５は、機能層６２０および基板７７０の間に配設され、機能層６２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層６２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、端子６１９Ｃと、導電膜６１１Ｃと、導電体ＣＰと、を有する。

第２の絶縁膜６０１Ｃは、端子６１９Ｃおよび導電膜６１１Ｃの間に挟まれる領域を備える。また、第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ｃを備える。

端子６１９Ｃは、開口部６９１Ｃにおいて導電膜６１１Ｃと電気的に接続される。また、導電膜６１１Ｃは、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

導電体ＣＰは、端子６１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子６１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する。例えば、導電性の粒子を導電体ＣＰに用いることができる。

また、本実施の形態で説明する表示回路７００は、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する（図１１（Ａ）参照）。

駆動回路ＧＤは、第１の走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例えばトランジスタＭＤを備える。具体的には、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる半導体膜を含むトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図１３（Ａ）および図１３（Ｃ）参照）。

駆動回路ＳＤは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。駆動回路ＳＤは、例えば端子６１９Ｂまたは端子６１９Ｃと同一の工程で形成することができる端子に導電材料を用いて電気的に接続される。

以下に、表示装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば第１の導電膜を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、第１の導電膜を、反射膜に用いることができる。

また、第２の導電膜を、トランジスタのソースまたはドレインの機能を備える導電膜６１２Ｂに用いることができる。

《構成例１．》
本発明の一態様の表示回路７００は、基板６７０、基板７７０、構造体ＫＢ１封止材７０５または接合層６０５、を有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、機能層６２０、絶縁膜６２１、絶縁膜６２８、を有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、第１の走査線Ｇ１（ｉ）、第２の走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯを有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、端子６１９Ｂ、端子６１９Ｃ、導電膜６１１Ｂまたは導電膜６１１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）、トランジスタＳＷ１、を有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部７５１Ｈ、液晶材料を含む層７５３、第２の電極７５２、を有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐを有する。

表示回路７００では、着色膜ＣＦ１は絶縁膜６２１と、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に、表示素子６５０（ｉ，ｊ）の光が通過する開口部７５１Ｈと重なる位置に配置されてもよい。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、表示素子６５０（ｉ，ｊ）、３の電極６５１（ｉ，ｊ）、第４の電極６５２または発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）を有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、第２の絶縁膜６０１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示回路７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

《基板６７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板６７０等に用いることができる。具体的には厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスを用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板６７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板６７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板６７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、石英またはサファイア等を、基板６７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板６７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、アルミナ膜等を、基板６７０等に用いることができる。ＳＵＳまたはアルミニウム等を、基板６７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板６７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板６７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板６７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板６７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板６７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板６７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板６７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板６７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基板６７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板６７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板６７０等に用いることができる。

また、紙または木材などを基板６７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板６７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板６７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板６７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には厚さ０．７ｍｍまたは厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した無アルカリガラスを用いることができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に所定の間隔を設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。

《接合層６０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層６０５に用いることができる。

《絶縁膜６２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜６２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜６２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜６２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜６２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜６２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

《絶縁膜６２８》
例えば、絶縁膜６２１に用いることができる材料を絶縁膜６２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜６２８に用いることができる。

《第２の絶縁膜６０１Ｃ》
例えば、絶縁膜６２１に用いることができる材料を第２の絶縁膜６０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を第２の絶縁膜６０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を第２の絶縁膜６０１Ｃに用いることができる。

なお、第２の絶縁膜６０１Ｃは、開口部６９１Ａ、開口部６９１Ｂまたは開口部６９１Ｃを有する。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備ええる材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、第１の走査線Ｇ１（ｉ）、第２の走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯ、端子６１９Ｂ、端子６１９Ｃ、導電膜６１１Ｂまたは導電膜６１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。

また、第１の電極６７１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。

また、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタの導電膜６１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。

《トランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ》
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ等に用いることができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。なお、酸化物半導体の一例については、実施の形態４にて詳細に説明する。

一例を挙げれば、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタと比較して、オフ状態におけるリーク電流が小さいトランジスタをトランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ等に用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜６０８に用いたトランジスタをトランジスタＳＷ１、トランジスタＳＷ２、トランジスタＭ等に用いることができる。

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタは、半導体膜６０８および半導体膜６０８と重なる領域を備える導電膜６０４を備える（図１３（Ｂ）参照）。また、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタは、導電膜６１２Ａおよび導電膜６１２Ｂを備える。

なお、導電膜６０４はゲートの機能を備え、絶縁膜６０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜６１２Ａはソースの機能またはドレインの機能の一方を備え、導電膜６１２Ｂはソースの機能またはドレインの機能の他方を備える。

また、導電膜６０４との間に半導体膜６０８を挟むように設けられた導電膜６２４を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる（図１３（Ｃ）参照）。

タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を導電膜６０４に用いることができる。

シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜６０６に用いることができる。

インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜６０８に用いることができる。

タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜６１２Ａまたは導電膜６１２Ｂに用いることができる。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示装置の消費電力を抑制することができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０に用いることができる。

ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。実施の形態１で用いたメルク製 ＭＬＣ３０１９は、ＴＮモードの液晶素子である。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

なお、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を反射膜に用いる構成に限られない。例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に反射膜を配設する構成を用いることができる。または、反射膜と液晶材料を含む層７５３の間に透光性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を配置する構成を用いることができる。

《開口部７５１Ｈ》
非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子６５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

また、反射膜に設ける開口部７５１Ｈの面積が小さすぎると、表示素子６５０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。

多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部７５１Ｈの形状に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈの形状に用いることができる。また、開口部７５１Ｈを隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部７５１Ｈを同じ色を表示する機能を備える他の画素に寄せて配置する。これにより、表示素子６５０が射出する光が隣接する画素に配置された着色膜に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制できる。

《第２の電極７５２》
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。または、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、所定の方向に配向するようにラビンング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。

《着色膜ＣＦ１》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。

例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料、赤色の光を透過する材料、黄色の光を透過する材料または白色の光を透過する材料などを着色膜ＣＦ１に用いることができる。

《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ》
例えば、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止膜または集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。または、２色性色素を含む偏光板を機能膜７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

《表示素子６５０（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を第２の表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子６５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層体、緑色の光を射出するように積層された積層体または赤色の光を射出するように積層された積層体等を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ１（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）に用いることができる。また、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）とは異なる色の光を射出する信号線Ｓ１（ｊ＋１）に沿って列方向に長い帯状の積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ＋１）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）および発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ＋１）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の有機化合物を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層体を、発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ）および発光性の有機化合物を含む層６５３（ｊ＋１）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極６５１（ｉ，ｊ）または第４の電極６５２に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極６５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極６５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された可視光について反射性を有する材料を、第４の電極６５２に用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、トランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

または、トランジスタＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜６２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図１３（Ｃ）参照）。

導電膜６０４との間に半導体膜６０８を挟むように、導電膜６２４を配設し、導電膜６２４および半導体膜６０８の間に絶縁膜６１６を配設し、半導体膜６０８および導電膜６０４の間に絶縁膜６０６を配設する。例えば、導電膜６０４と同じ電圧を供給する配線に導電膜６２４を電気的に接続する。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

《駆動回路ＳＤ》
例えば、集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法を用いて、画素回路７１０Ｃ（ｉ，ｊ）と電気的に接続されるパッドに駆動回路ＳＤを実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、パッドに集積回路を実装できる。

なお、パッドは、端子６１９Ｂまたは端子６１９Ｃと同一の工程で形成することができる。

＜表示装置の構成例２．＞
図１５は本発明の一態様の表示回路７００Ｂの構成を説明する図である。図１５（Ａ）は図１１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６、Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。図１５（Ｂ）は表示装置の一部の構成を説明する断面図である。

なお、表示回路７００Ｂは、ボトムゲート型のトランジスタに換えてトップゲート型のトランジスタを有する点が、図１３を参照しながら説明する表示回路７００とは異なる。ここでは、上記の説明と同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用し、異なる部分について詳細に説明する。

《トランジスタＳＷ１Ｂ、トランジスタＭＢ、トランジスタＭＤＢ》
トランジスタＳＷ１Ｂに用いることができるトランジスタ、トランジスタＭＢおよびトランジスタＭＤＢは、絶縁膜６０１Ｃと重なる領域を備える導電膜６０４と、絶縁膜６０１Ｃおよび導電膜６０４の間に配設される領域を備える半導体膜６０８と、を備える。なお、導電膜６０４はゲート電極の機能を備える図１５（Ｂ）。

半導体膜６０８は、導電膜６０４と重ならない第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂと、第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂの間に導電膜６０４と重なる第３の領域６０８Ｃと、を備える。

トランジスタＭＤＢは絶縁膜６０６を、第３の領域６０８Ｃおよび導電膜６０４の間に備える。なお、絶縁膜６０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂは、第３の領域６０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。

なお、例えば本実施の形態の最後において詳細に説明する酸化物半導体の抵抗率を制御する方法を用いて、第１の領域６０８Ａおよび第２の領域６０８Ｂを半導体膜６０８に形成することができる。具体的には、希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を適用することができる。

また、例えば、導電膜６０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域６０８Ｃの一部の形状を、導電膜６０４の端部の形状に自己整合させることができる。

トランジスタＭＤＢは、第１の領域６０８Ａと接する導電膜６１２Ａと、第２の領域６０８Ｂと接する導電膜６１２Ｂと、を備える。導電膜６１２Ａおよび導電膜６１２Ｂは、ソースまたはドレインの機能を備える。

トランジスタＭＤＢと同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭＢに用いることができる。

＜酸化物半導体の抵抗率の制御方法＞
酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法について説明する。

所定の抵抗率を備える酸化物半導体膜を、半導体膜６０８または導電膜６２４等に用いることができる。

例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素、水等の不純物の濃度および／または膜中の酸素欠損を制御する方法を、酸化物半導体の抵抗率を制御する方法に用いることができる。

具体的には、プラズマ処理を水素、水等の不純物濃度および／または膜中の酸素欠損を増加または低減する方法に用いることができる。

具体的には、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リンおよび窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。例えば、Ａｒ雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、アンモニア雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、または窒素雰囲気下でのプラズマ処理などを適用できる。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

または、イオン注入法、イオンドーピング法またはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リンまたは窒素を酸化物半導体膜に注入して、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

または、水素を含む絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に水素を拡散させる方法を用いることができる。これにより、酸化物半導体膜のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

例えば、膜中の含有水素濃度が１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成することで、効果的に水素を酸化物半導体膜に含有させることができる。具体的には、窒化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して形成する絶縁膜に用いることができる。

酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは５×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である酸化物半導体を導電膜６２４に好適に用いることができる。

一方、抵抗率の高い酸化物半導体をトランジスタのチャネルが形成される半導体膜に用いることができる。具体的には半導体膜６０８に好適に用いることができる。

例えば、酸素を含む絶縁膜、別言すると、酸素を放出することが可能な絶縁膜を酸化物半導体に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に酸素を供給させて、膜中または界面の酸素欠損を補填することができる。これにより、抵抗率が高い酸化物半導体膜にすることができる。

例えば、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を、酸素を放出することが可能な絶縁膜に用いることができる。

酸素欠損が補填され、水素濃度が低減された酸化物半導体膜は、高純度真性化、または実質的に高純度真性化された酸化物半導体膜といえる。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体膜のキャリア密度が、８×１０^１１個／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１１／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１０個／ｃｍ^３未満であることを指す。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度を低減することができる。

また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜を備えるトランジスタは、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅が１×１０^６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソースとドレイン間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０^−１３Ａ以下という特性を備えることができる。

上述した高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。

具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、２×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を、トランジスタのチャネルが形成される半導体に好適に用いることができる。

なお、半導体膜６０８よりも水素濃度および／または酸素欠損量が多く、抵抗率が低い酸化物半導体膜を、導電膜６２４に用いる。

また、半導体膜６０８に含まれる水素濃度の２倍以上、好ましくは１０倍以上の濃度の水素を含む膜を、導電膜６２４に用いることができる。

また、半導体膜６０８の抵抗率の１×１０^−８倍以上１×１０^−１倍未満の抵抗率を備える膜を、導電膜６２４に用いることができる。

具体的には、１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^４Ωｃｍ未満、好ましくは、１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−１Ωｃｍ未満である膜を、導電膜６２４に用いることができる。

（実施の形態４）
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）−ＯＳの構成について説明する。

ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。したがって、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。したがって、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。したがって、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

したがって、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。したがって、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
次いで上記実施の形態に示す表示パネルを用いた表示モジュールの応用例について、図１６を用いて説明を行う。

図１６に示す表示モジュール８００は、上部カバー８０１と下部カバー８０２との間に、ＦＰＣ８０３に接続されたタッチパネル８０４、ＦＰＣ８０５に接続された表示パネル８０６、フレーム８０９、プリント基板８１０、バッテリ８１１を有する。なお、バッテリ８１１、タッチパネル８０４などは、設けられない場合もある。

上記実施の形態で説明した表示パネルは、図１６における表示パネル８０６に用いることができる。

上部カバー８０１および下部カバー８０２は、タッチパネル８０４および表示パネル８０６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチパネル８０４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８０６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８０６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、表示パネル８０６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。または、表示パネル８０６の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッチパネルとすることも可能である。この場合、タッチパネル８０４を省略することも可能である。

上部カバー８０１は光路を有してもよい。プリント基板８１０に実装された光源から照射された光が、上部カバー８０１の光路を通り、上部カバーの１辺より照射され、光を照射する１辺とは異なる他の一辺の光路に入射される光の有無をプリント基板８１０に実装された光センサによって判断することで、指やペンなどのタッチなどにより、画面タッチの有無を検出することも可能である。この場合、表示パネル８０６または表示パネル８０６の対向基板にタッチパネル機能を持たせなくてもよく、さらにタッチパネル８０４を省略することも可能である。

図１７（Ａ）は、タッチパネル８０４の一例として相互容量方式のタッチセンサを用いた場合の構成例を示す模式図である。なお図１７（Ａ）では、一例として、パルス電圧が与えられる配線ＣＬｘをＸ１−Ｘ６の６本の配線、電流の変化を検知する配線ＣＬｙをＹ１−Ｙ６の６本の配線として示している。なお、配線の数は、これに限定されない。また図１７（Ａ）は、配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙが重畳すること、または、配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙが近接して配置されることで形成される容量素子８５４を図示している。

配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙはＩＣ８５０に電気的に接続されている。ＩＣ８５０は、駆動回路８５１および検出回路８５２を含む。

駆動回路８５１は、一例としては、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量素子８５４を形成する配線ＣＬｘおよび配線ＣＬｙの間に電界が生じる。そしてパルス電圧によって容量素子８５４に電流が流れる。この電極間に生じる電界が、指やペンなどのタッチによる遮蔽等により変化する。つまり、指やペンなどのタッチなどにより、容量素子８５４の容量値が変化する。このように、指やペンなどのタッチなどにより、容量値に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。

検出回路８５２は、容量素子８５４での容量値の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接または接触により容量値が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、電流量の総和を検出してもよい。その場合には、積分回路等を用いて検出を行えばよい。または、電流のピーク値を検出してもよい。その場合には、電流を電圧に変換して、電圧値のピーク値を検出してもよい。

図１７（Ａ）において、駆動回路８５１と検出回路８５２は同一のＩＣで形成されているが、それぞれの回路を異なるＩＣに形成してもよい。検出回路８５２は、ノイズの影響を受けて誤動作し易い。一方で、駆動回路８５１はノイズの発生源になり得る。駆動回路８５１と検出回路８５２を異なるＩＣで形成することで、検出回路８５２の誤動作を防ぐことができる。

また、駆動回路８５１、検出回路８５２および表示パネル８０６の駆動回路を１つのＩＣで形成してもよい。その場合、表示モジュール全体に占めるＩＣのコストを低減させることができる。

図１７（Ａ）においてＩＣ８５０はタッチパネル８０４に配置されているが、ＩＣ８５０はＦＰＣ８０３に配置されてもよい。その場合の模式図を図１７（Ｂ）に示す。

再び、図１６に戻る。

フレーム８０９は、表示パネル８０６の保護機能の他、プリント基板８１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８０９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。さらに、タッチ検出のための光源および光センサを有してもよい。光源の波長域は、７８０ｎｍより大きい波長域が望ましく、１．６ｕｍより大きな波長域がより望ましい。光センサは、特定の範囲の波長域の光を検出する機能を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８１１による電源であってもよい。バッテリ８１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュール８００には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器および表示装置について、図面を用いて説明する。

本発明の一態様のサブ画素をもつ高精細な表示部を用いて、薄型である、軽量である、曲面を有する、もしくは可撓性を有する、発光装置、表示装置、または半導体装置等を作製できる。これら本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または半導体装置等を用いて、薄型である、軽量である、曲面を有する、もしくは可撓性を有する、電子機器または表示装置を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器または表示装置は可撓性を有するため、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像または情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナおよび二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。表示部７０００は可撓性を有していてもよい。図１の表示装置１０を用いることで、視認性に優れ、消費電力を小さくした電子機器を提供することができる。

表示部７０００は、本発明の一態様のサブ画素をもつ高精細な表示部を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有する。

本発明の一態様により、湾曲した表示部を備える電子機器を提供できる。

図１８（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。

図１８（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指またはスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、または表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

図１８（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７２０１を支持した構成を示している。

図１８（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作トランジスタ、または別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネルまたは音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７２００は、受信機およびモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図１８（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体７３０１および表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指またはスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

図１８（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図１８（Ｃ２）は携帯情報端末７３００の上面図である。図１８（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。図１８（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。

本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧および作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０および携帯情報端末７３２０は、文字および画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、図１８（Ｃ１）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面に表示することができる。図１８（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図１８（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図１８（Ｅ）では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。

なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールまたは電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。

例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末７３００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図１９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）〜（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様のサブ画素をもつ高精細な表示部を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有する。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置、表示装置、または入出力装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。

本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備える電子機器を提供できる。図１の表示装置１０を用いることで、視認性に優れ、消費電力を小さくした電子機器を提供することができる。さらに静止画を表示することが多い電子機器では好ましい。

図１９（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図１９（Ａ２）は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。

携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。引き出し部材７５０２を用いて表示部７００１を引き出すことができる。

また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクタを接続する端子部を備え、映像信号および電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、または表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図１９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）または裏面に配置してもよい。

図１９（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図１９（Ａ１）の状態と表示部７００１を引き出した図１９（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図１９（Ａ１）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。

なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。

図１９（Ｃ）〜（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図１９（Ｃ）では、展開した状態、図１９（Ｄ）では、展開した状態または折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図１９（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。

表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。

図１９（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図１９（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図１９（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１および非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れおよび傷つきを抑制できる。

図１９（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１および表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。

筐体７７０１、表示部７００１、およびバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させること、および携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側または外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１および表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、または意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。

また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、または、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。

図１９（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、およびバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行および解除、省電力モードの実行および解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図２０（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図２０（Ｂ）に自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、フロントガラス９７０３等を有する。本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または入出力装置等は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図２０（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様が適用された発光装置等を設けることができる。

表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。さらに図１の表示装置１０を用いることで、ちらつきを抑えることで視認性に優れた表示装置は好ましい。

また、図２０（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面または背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。

表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目およびレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１２または表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１３乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。

平面な表示部が、本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された発光装置、表示装置、または入出力装置を有していてもよい。

図２０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９８０１、筐体９８０２、表示部９８０３、表示部９８０４、マイクロフォン９８０５、スピーカ９８０６、操作キー９８０７、スタイラス９８０８等を有する。

図２０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９８０３と表示部９８０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様が適用された発光装置、表示装置、または入出力装置等を有する。

図２０（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９８２１、表示部９８２２、キーボード９８２３、ポインティングデバイス９８２４等を有する。

以上、本実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングは、他の実施の形態で示す構成、方法、駆動タイミングと適宜組み合わせて用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、トランジスタ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、トランジスタ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、トランジスタ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、トランジスタは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、トランジスタは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、トランジスタは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電圧レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電圧レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１を介して（または介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２を介して（または介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（または第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（または第１の端子など）とドレイン（または第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（または第１の端子など）、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（または第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（または第１の端子など）とトランジスタのドレイン（または第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（または第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（または第１の端子など）からトランジスタのドレイン（または第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（または第２の端子など）からトランジスタのソース（または第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（または第１の端子など）と、ドレイン（または第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、および電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１ 容量素子
Ｃ２ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
Ｇ１ 走査線
Ｇ２ 走査線
Ｇ３ 走査線
ＫＢ１ 構造体
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
Ｓ１ 信号線
ＳＷ１ トランジスタ
ＳＷ１＿１ トランジスタ
ＳＷ１＿２ トランジスタ
ＳＷ１Ｂ トランジスタ
ＳＷ２ トランジスタ
ＳＷ２＿１ トランジスタ
ＳＷ２＿２ トランジスタ
ＳＷ３ トランジスタ
１０ 表示装置
３０ 選択信号出力回路
１００ 制御回路
１１０ ガンマ制御回路
１１１ ガンマ補正回路
１１２ メモリ
１２０ デジタルアナログ変換回路
１２１ 液晶表示領域
１２２ 発光表示領域
１３０ バッファ回路
１４０ 電圧制御回路
１５０ タイミング制御回路
１６０ ＣＰＵ
１７０ 回路
１８０ 選択回路
１８１ 判定回路
１８２ 判定回路
１８５ 論理回路
１８６Ａ バッファ回路
１８６Ｂ バッファ回路
２１０ ゲートドライバ
２１１ シフトレジスタ回路
２２０ 表示部
２２１ 表示領域
２２２ 表示領域
２２３ 文字列
２２４ 画像
６０１Ｃ 絶縁膜
６０４ 導電膜
６０５ 接合層
６０６ 絶縁膜
６０８ 半導体膜
６０８Ａ 領域
６０８Ｂ 領域
６０８Ｃ 領域
６１１Ｂ 導電膜
６１１Ｃ 導電膜
６１２Ａ 導電膜
６１２Ｂ 導電膜
６１６ 絶縁膜
６１８ 絶縁膜
６１９Ｂ 端子
６１９Ｃ 端子
６２０ 機能層
６２１ 絶縁膜
６２２ 接続部
６２４ 導電膜
６２８ 絶縁膜
６５０ 表示素子
６５０Ｃ 画素回路
６５１ 電極
６５２ 電極
６５３ 層
６７０ 基板
６７１ 電極
６９１Ａ 開口部
６９１Ｂ 開口部
６９１Ｃ 開口部
７００ 表示回路
７００Ｂ 表示回路
７０５ 封止材
７１０Ｃ 画素回路
７５０ 表示素子
７５０Ｃ 画素回路
７５１ 電極
７５１Ｈ 開口部
７５２ 電極
７５３ 層
７７０ 基板
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
８００ 表示モジュール
８０１ 上部カバー
８０２ 下部カバー
８０３ ＦＰＣ
８０４ タッチパネル
８０５ ＦＰＣ
８０６ 表示パネル
８０９ フレーム
８１０ プリント基板
８１１ バッテリ
８５０ ＩＣ
８５１ 駆動回路
８５２ 検出回路
８５４ 容量素子
３０１９ ＭＬＣ
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７２００ テレビジョン装置
７２０１ 筐体
７２０３ スタンド
７２１１ リモコン操作機
７３００ 携帯情報端末
７３０１ 筐体
７３０２ 操作ボタン
７３０３ 情報
７３０４ 情報
７３０５ 情報
７３０６ 情報
７３１０ 携帯情報端末
７３２０ 携帯情報端末
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
９７００ 自動車
９７０１ 車体
９７０２ 車輪
９７０３ フロントガラス
９７１０ 表示部
９７１２ 表示部
９７１３ 表示部
９７１４ 表示部
９７１５ 表示部
９７２１ 表示部
９７２２ 表示部
９７２３ 表示部
９８０１ 筐体
９８０２ 筐体
９８０３ 表示部
９８０４ 表示部
９８０５ マイクロフォン
９８０６ スピーカ
９８０７ 操作キー
９８０８ スタイラス
９８２１ 筐体
９８２２ 表示部
９８２３ キーボード
９８２４ ポインティングデバイス

Claims (7)

1. 表示回路と、制御回路と、を有し、
   前記表示回路は、画素と、ゲートドライバと、を有し、
   前記制御回路は、ガンマ制御回路と、タイミング制御回路と、デジタルアナログ変換回路と、バッファ回路と、電圧制御回路と、選択切り替え回路と、ＣＰＵと、を有し、
   前記画素は、第１の表示領域と、第２の表示領域と、を有し、
   前記第１の表示領域または前記第２の表示領域は、液晶素子を有し、
   前記ガンマ制御回路は、第１のデジタル映像信号をガンマ補正して第２のデジタル映像信号を出力する機能を有し、
   前記デジタルアナログ変換回路は、前記第２のデジタル映像信号をアナログ映像信号に変換する機能を有し、
   前記バッファ回路は、前記アナログ映像信号を増幅する機能を有し、
   前記電圧制御回路は、前記アナログ映像信号の出力電圧の範囲を前記デジタルアナログ変換回路に与える機能を有し、
   前記ＣＰＵは、前記ガンマ制御回路に与えられた前記第１のデジタル映像信号を用いて、出力座標と、出力電圧と、を再計算する機能を有し、
   前記タイミング制御回路は、前記ゲートドライバを制御する機能を有し、
   前記ゲートドライバは、前記選択切り替え回路により、前記第１の表示領域と、前記第２の表示領域の更新を選択する機能を有する表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の表示領域は、前記液晶素子に交流の電圧を与えることで表示する機能を有し、
   前記第２の表示領域は、有機化合物を有する発光素子に直流電流を与えることで表示する機能を特徴とする表示装置。
3. 請求項１または２のいずれか一項において、
   前記第１の表示領域は、表示の階調を最大階調と最小階調の２値で表示する機能を有し、
   前記２値のデータの一方は、前記電圧制御回路により前記最大階調と前記最少階調とに対応する出力電圧の範囲より大きな電圧で制御される機能を有し、
   前記２値のデータの他方は、前記電圧制御回路により前記最大階調と前記最少階調とに対応する出力電圧の範囲より小さな電圧で制御される機能を特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の表示領域は、表示の階調を前記最大階調と前記最小階調の２値で表示する機能を有し、
   前記２値のデータに対応する前記出力電圧は、前記電圧制御回路から、前記デジタルアナログ変換回路と、前記バッファ回路に電圧を与えることで制御されることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一に記載の表示回路の表示部および、ゲートドライバはトランジスタを有し、前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一に記載の表示装置と、
   タッチセンサと、
   を有することを特徴とする表示モジュール。
7. 請求項１乃至５のいずれか一に記載の表示装置、または請求項６に記載の表示モジュールと、
   操作キーまたはバッテリと、
   を有することを特徴とする電子機器。