JP2017195296A - 有機膜の形成方法及び半導体装置用基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体装置等の製造工程において、基板上の凹凸のパターンを埋め込んで、低コストで基板を高度に平坦化することができる有機膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】凹凸のパターンを有する基板上に有機膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を有機溶剤に対して不溶化処理することで有機膜を形成する方法であって、前記塗布膜を形成した後、前記不溶化処理の前又は前記不溶化処理と同時に前記基板に振動を加える処理を行うことを特徴とする有機膜の形成方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置等の微細加工工程で用いることができる極めて平坦な有機膜の形成方法及び該有機膜の形成方法を用いた半導体装置用基板の製造方法に関する。
半導体装置の処理性能の高性能化は、リソグラフィー技術における光源の短波長化によるパターン寸法の微細化がけん引してきた。しかし、ＡｒＦ光源以降の短波長化の速度が鈍化し、微細化に代わる高性能化が必要となっている。そこで、半導体装置の構造を３次元化し、より高密度にトランジスタを配置することで半導体装置を高性能化できる技術の開発が進められている。このような３次元化した構造をもつ半導体装置の基板では、これまでの基板に比べて、回路パターンとしてより深くより細い構造が形成されるため、これまでの平面的な構造形成に最適化されたリソグラフィー技術では実用的なプロセス裕度を持つことができない。そこで、３次元構造が形成された基板を平坦化できる材料を適用して平坦面を形成したのち、その平坦面上にリソグラフィー技術でパターニングすることでプロセス裕度を確保する必要がある。
このような平坦面を形成できる技術として、回転塗布型の有機膜による平坦化膜の形成技術がすでに多数知られているが（特許文献１−５）、このような材料で形成した有機膜で全ての半導体装置製造用基板のパターンに対して対応できる訳ではない。さらにポリエーテルポリオール、ポリアセタール等の液状添加剤の添加なども提案されているが（特許文献６−７）、通常このような添加物はドライエッチング耐性に劣るため、これが塗布膜中に残留すると、基板加工時のドライエッチング耐性が不足し基板加工用の有機膜としてのドライエッチング耐性能が不足する可能性がある。また、平坦化の一つの方法として、基板上の凹凸を埋め込んだ後、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで平坦化する方法（特許文献８）も実用されているが、ＣＭＰは高コストプロセスである。このような状況下、半導体装置製造用基板を、有機膜を用いて低コストで高度に平坦化する方法が求められている。
特開２００５−２９２５２８号公報 特開２００８−６５０８１号公報 特開２００８−２４２４９２号公報 特開２０１４−２４８３１号公報 特開２０１４−２１９５５９号公報 国際公開第ＷＯ２００８／０２６４６８号パンフレット 特開２０１３−２５３２２７号公報 特開２００４−３３５８７３号公報
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、半導体装置等の製造工程において、基板上の凹凸のパターンを埋め込んで、低コストで基板を高度に平坦化することができる有機膜の形成方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明では、凹凸のパターンを有する基板上に有機膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を有機溶剤に対して不溶化処理することで有機膜を形成する方法であって、前記塗布膜を形成した後、前記不溶化処理の前又は前記不溶化処理と同時に前記基板に振動を加える処理を行う有機膜の形成方法を提供する。
このような方法であれば、半導体装置等の製造工程において、基板上の凹凸のパターンを埋め込んで、低コストで基板を高度に平坦化する有機膜を形成することができる。
また、前記振動を加える処理において、振動数が０．０１Ｈｚから１０ＧＨｚの振動を加えることが好ましい。
このような振動数の振動を加える処理を行うことで、効率よく塗布膜を流動させることが可能であり、最も表面積の少ない状態、即ち極めて平坦な有機膜を形成することができる。
また、前記不溶化処理が、５０℃以上５００℃以下の熱処理、波長が４００ｎｍ以下の紫外線照射処理、及び電子線照射処理のいずれか、又はこれらの組み合わせであることが好ましい。
このような手段で不溶化処理を行うことで、平坦な状態を保持している有機膜を形成することができる。
また、前記有機膜形成用組成物として、芳香環を含む樹脂が含まれるものを用いることが好ましい。
本発明の有機膜の形成方法では、例えば芳香環を含む樹脂が含まれる有機膜形成用組成物を好適に用いることができる。
また、本発明では、半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に上記の方法で有機膜を形成し、該有機膜上にケイ素を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成し、該ケイ素含有レジスト下層膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記ケイ素含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
また、本発明では、半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に上記の方法で有機膜を形成し、該有機膜上にケイ素を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成し、該ケイ素含有レジスト下層膜上に有機反射防止膜を形成し、該有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成して４層レジスト膜とし、前記レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記ケイ素含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された有機反射防止膜とケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
また、本発明では、半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に上記の方法で有機膜を形成し、該有機膜上に酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、及び窒化チタン膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスク上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスクにドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
また、本発明では、半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に上記の方法で有機膜を形成し、該有機膜上に酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、及び窒化チタン膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスク上に有機膜とケイ素含有レジスト下層膜からなる多層レジスト膜又は有機反射防止膜を形成し、該多層レジスト膜又は有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記多層レジスト膜又は前記有機反射防止膜へのパターン転写を経由して前記無機ハードマスクに前記パターンをドライエッチングで転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして前記基板上に形成された有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
上記のように、本発明の方法で形成された有機膜は、優れた平坦化特性を有するため、この有機膜を、例えば、２層レジストプロセス、ケイ素含有レジスト下層膜を用いた３層レジストプロセス、又はケイ素含有レジスト下層膜及び有機反射防止膜を用いた４層レジストプロセスといった多層レジストプロセスにおける種々の膜材料と組み合わせて用いることで、上層フォトレジスト（レジスト上層膜）のパターンを高精度で基板に転写し、基板にパターンを形成することができる。つまり、本発明の半導体装置用基板の製造方法であれば、高精度な半導体装置用基板の製造が可能となる。
この場合、前記無機ハードマスクの形成を、化学蒸着（ＣＶＤ）法又は原子層堆積（ＡＬＤ）法によって行うことが好ましい。
本発明の半導体装置用基板の製造方法では、例えばこのような方法で無機ハードマスクを形成することができる。
また、前記回路パターンの形成において、波長が１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の高エネルギー線によるリソグラフィー、電子線による直接描画、及びナノインプリンティングのいずれか、又はこれらの組み合わせによって回路パターンを形成することが好ましい。
また、前記回路パターンの形成において、アルカリ現像又は有機溶剤による現像で回路パターンを現像することが好ましい。
本発明の半導体装置用基板の製造方法では、このような回路パターンの形成手段及び現像手段を好適に用いることができる。
また、前記基板が、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、又は金属酸化窒化膜を含むものであることが好ましい。
また、前記基板を構成する金属が、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、モリブデン、又はこれらの合金であることが好ましい。
本発明の半導体装置用基板の製造方法であれば、上記のような基板を加工して半導体装置用基板を製造することができる。
以上説明したように、本発明であれば、基板上の凹凸のパターンを埋め込んで、基板を高度に平坦化可能な有機膜を形成できる。また、高コストプロセスであるＣＭＰを用いなくとも基板を高度に平坦化することができるため、低コストで基板の平坦化を行うことができる。また、本発明の方法で形成された有機膜は優れた平坦化特性を有するため、半導体装置製造に極めて有用である。この有機膜を、例えば、２層レジストプロセス、ケイ素含有レジスト下層膜を用いた３層レジストプロセス又はケイ素含有レジスト下層膜及び有機反射防止膜を用いた４層レジストプロセスといった多層レジストプロセスにおける種々の膜材料と組み合わせて用いることで、上層フォトレジスト（レジスト上層膜）のパターンを高精度で基板に転写し、基板にパターンを形成することができる。つまり、本発明の半導体装置用基板の製造方法であれば、高精度な半導体装置用基板の製造が可能となる。
本発明の有機膜の形成方法でスペースパターンを有する基板上に有機膜を形成する一例のフロー図である。 本発明の有機膜の形成方法でラインパターンを有する基板上に有機膜を形成する一例のフロー図である。 本発明の有機膜の形成方法における振動を加える処理の一例を示す説明図である。
上述のように、半導体装置等の製造工程において、基板上の凹凸のパターンを埋め込んで、低コストで基板を高度に平坦化することができる有機膜の形成方法の開発が求められていた。
従来、例えば半導体回路の一部又は全部が形成されている基板などの凹凸のパターンを有する基板を平坦にする方法として、基板上に有機膜形成用組成物を回転塗布し、続いて焼成することにより基板表面の凹凸のパターンを有機膜で埋め込んで平坦な表面を形成していた。しかしながら、この方法では表面の微小な凹凸を埋めることは可能であるが、基板表面全体においては埋めなければいけないパターンの密度が高いところと、パターンの密度が低いところとの間で均一に平坦な表面を形成することが困難である。一般的に、塗布された組成物は基板に形成されている凹凸のパターンに追従した形で凹凸のある塗布膜を形成する。通常、半導体回路を形成するプロセスでは、このような塗布膜を不溶化処理して次の膜を形成する工程に進む。本発明者らは基板の平坦化について鋭意検討を重ねた結果、有機膜形成用組成物を塗布後、不溶化処理の前又は不溶化処理と同時に、塗布膜に振動エネルギーを与えて塗布膜を流動させることで、最も表面積の少ない状態、即ち極めて平坦な有機膜を形成できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、凹凸のパターンを有する基板上に有機膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を有機溶剤に対して不溶化処理することで有機膜を形成する方法であって、前記塗布膜を形成した後、前記不溶化処理の前又は前記不溶化処理と同時に前記基板に振動を加える処理を行う有機膜の形成方法である。
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜有機膜の形成方法＞
以下、図面を参照しながら、本発明を説明する。
図１は本発明の有機膜の形成方法でスペースパターンを有する基板上に有機膜を形成する一例のフロー図である。図１の方法では、まず、基板１上に有機膜形成用組成物を回転塗布（スピンコート）し、塗布膜２を形成する。このとき、基板１上の凹凸のパターンの影響で基板形状に追従した形で凹凸のある塗布膜２が形成される（図１（Ａ））。この塗布膜２は、回転塗布時に揮発することができずに残ってしまった溶剤と樹脂等からなっている。この塗布膜が形成された基板に振動を加える処理を行う。基板１を振動させることで、この塗布膜２に振動を与えると、塗布膜２の液状化が起こり、塗布膜２（主に塗布膜２中の樹脂）が流動する（図１（Ｂ））。結果として凹凸が解消され、平坦な塗布膜２が形成される（図１（Ｃ））。最後に、この平坦な塗布膜２を熱、光、又は両方の処理により不溶化して平坦な有機膜３を形成することができる（図１（Ｄ））。そして、この不溶化された有機膜３上には、例えば後述のケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物などの塗布膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成することができる。なお、図１の方法では、塗布膜２を形成した後、塗布膜２の不溶化処理前に、基板１に振動を加える処理を行っているが、基板１に振動を加える処理は、塗布膜２の形成後、不溶化処理と同時に行ってもよい。
図２は本発明の有機膜の形成方法でラインパターンを有する基板上の広い範囲に微細なパターンを有する部分に有機膜を形成する一例のフロー図である。まず、図２の方法では、まず基板１上に有機膜形成用組成物を回転塗布し塗布膜２を形成する。このとき、パターンのピッチが大きい場合は、図１に示されているように、基板上の凹凸のパターンの影響で基板形状に追従した形で凹凸のある塗布膜２が形成されるが、微細なパターン、例えばハーフピッチが２００ｎｍより微細なパターンでは、個々のパターンに追従するのではなく、平均的にパターンの中心部が凹形状の（パターンを有する部分全体が緩やかな凹形状の）塗布膜２が形成される（図２（Ａ））。この塗布膜が形成された基板に振動を加える処理を行う。上記と同様に基板１を振動させることで、塗布膜２に振動を与えると、凹凸が解消され、平坦な塗布膜２が形成される（図２（Ｂ）、図２（Ｃ））。最後に、この平坦な塗布膜２を熱、光、又は両方の処理により不溶化して平坦な有機膜３を形成することができる（図２（Ｄ））。そして、この不溶化された有機膜３上には、例えば後述のケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物などの塗布膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成することができる。なお、図２の方法では、塗布膜２を形成した後、塗布膜２の不溶化処理前に、基板１に振動を加える処理を行っているが、基板１に振動を加える処理は、塗布膜２の形成後、不溶化処理と同時に行ってもよい。
以下、本発明の有機膜の形成方法の各工程についてさらに詳しく説明する。
［塗布膜の形成］
本発明の有機膜の形成方法では、まず凹凸のパターンを有する基板上に有機膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成する。凹凸のパターンを有する基板としては、特に限定されず、例えばスペースパターンやラインパターンを有する基板などを用いることができる。また、本発明で用いる有機膜形成用組成物は、特に限定されないが、芳香環を含む樹脂が含まれる有機膜形成用組成物を用いることが好ましい。なお、回転塗布は、特に限定されず、スピンコーター等を用いて公知の方法で行えばよい。
［基板に振動を加える処理］
本発明の有機膜の形成方法では、塗布膜を形成した後、前記不溶化処理の前又は前記不溶化処理と同時に前記基板に振動を加える処理を行う。図３は振動を加える処理の一例を示す説明図である。基板に振動を加える方法としては、例えば、基板上に塗布膜を形成後、振動発生装置５の振動面６を塗布膜形成後の基板４に密着させ、空圧や電動で塗布膜形成後の基板４を振動させる方法を例示できる。例えば、超音波発振器による超音波を振動子を介して、基板に伝播させるようにすることができる。
また、振動を加える処理において、振動数が０．０１Ｈｚから１０ＧＨｚの振動を加えることが好ましい。このような振動数の振動を加える処理を行うことで、効率よく塗布膜を流動させることが可能であり、最も表面積の少ない状態、即ち極めて平坦な有機膜を形成することができる。
［不溶化処理］
本発明の有機膜の形成方法では、塗布膜を形成した後、該塗布膜を有機溶剤に対して不溶化処理する。不溶化処理は、５０℃以上５００℃以下の熱処理、波長が４００ｎｍ以下の紫外線照射処理、及び電子線照射処理のいずれか、又はこれらの組み合わせであることが好ましい。このような手段で不溶化処理を行うことで、平坦な状態を保持している有機膜を形成することができる。
上記のような工程を経て、凹凸のパターンを有する基板上に、不溶化された有機膜を形成することができる。ここで、この有機膜の厚さはパターンの深さに応じて適宜選定されるが、１０〜２０，０００ｎｍ、特に２０〜１５，０００ｎｍとすることが好ましい。
このようにして形成した有機膜を多層レジストプロセスに適用する場合には、その上にケイ素を含有するレジスト下層膜、ケイ素を含まないレジスト上層膜（単層レジスト膜）、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜又は窒化チタン膜などの無機ハードマスクを形成することができる。また、高コストプロセスであるＣＭＰを用いなくとも基板を高度に平坦化することができるため、低コストで基板の平坦化を行うことができる。
＜半導体装置用基板の製造方法＞
本発明では、凹凸のパターンを有する基板上に上述の本発明の有機膜の形成方法で有機膜を形成し、該有機膜上にケイ素を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成し、該ケイ素含有レジスト下層膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記ケイ素含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
本発明の半導体装置用基板の製造方法に用いられる基板は、前記基板が、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、又は金属酸化窒化膜を含むものであることが好ましい。
また、基板を構成する金属は、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、モリブデン、又はこれらの合金であることが好ましい。
上記半導体装置用基板の製造方法において、上記有機膜は犠牲膜として適用することもできる。
有機膜形成用組成物としては、上記のように芳香環を含む樹脂が含まれる組成物を用いることが好ましい。１９３ｎｍ露光用では、芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、ｋ値が高くなり、基板反射が高くなる場合があるが、ケイ素含有レジスト下層膜で反射を抑えることによって基板反射を０．５％以下にすることができる。また、極端紫外線（ＥＵＶ）露光では、芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い有機膜材料を用いると、微細なパターンを形成することが可能である。
ケイ素含有レジスト下層膜としては、ポリシロキサンベースの塗布膜が好ましく用いられる。このケイ素含有レジスト下層膜に反射防止膜としての効果を持たせることによって、反射を抑えることができる。具体的には、特開２００４−３１００１９号公報、同２００７−３０２８７３号公報、同２００９−１２６９４０号公報などに示される組成物から得られるケイ素含有レジスト下層膜を挙げることができる。
また、レジスト上層膜を形成するためのフォトレジスト組成物は、ポジ型でもネガ型でもどちらでもよく、通常用いられているフォトレジスト組成物と同じものを用いることができる。上記フォトレジスト組成物によりレジスト上層膜を形成する場合、上記有機膜を形成する場合と同様に、スピンコート法が好ましく用いられる。フォトレジスト組成物をスピンコート後、プリベークを行うが、上記プリベークは、６０〜１８０℃で１０〜３００秒の範囲で行うことが好ましい。その後常法に従い、露光を行い、ポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）、現像を行い、レジストパターン（回路パターン）を得ることができる。なお、レジスト上層膜の厚さは特に制限されないが、３０〜５００ｎｍ、特に５０〜４００ｎｍが好ましい。
また、回路パターンの形成において、波長が１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の高エネルギー線によるリソグラフィー、電子線による直接描画、及びナノインプリンティングのいずれか、又はこれらの組み合わせによって回路パターンを形成することが好ましい。
露光光としては、波長３００ｎｍ以下の高エネルギー線、具体的には２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのエキシマレーザー、３〜２０ｎｍの軟Ｘ線、所謂ＥＵＶ光、電子ビーム、Ｘ線等を挙げることができる。
また、回路パターンの形成において、アルカリ現像又は有機溶剤による現像で回路パターンを現像することが好ましい。
次に、得られたレジストパターンをマスクにしてエッチングを行う。ケイ素含有レジスト下層膜のドライエッチング加工は、例えばフロン系のガスを用いて上記のレジストパターンをマスクにして行うことができる。次いでケイ素含有レジスト下層膜パターン（パターンが転写されたケイ素含有レジスト下層膜）をマスクにして例えば酸素ガス又は水素ガスを用いて有機膜のドライエッチング加工を行うことができる。
次の基板のエッチングも、常法によって行うことができ、例えば基板がＳｉＯ２、ＳｉＮ、シリカ系低誘電率絶縁膜であればフロン系ガスを主体としたエッチング、基板がｐ−ＳｉやＡｌ、Ｗであれば塩素系、臭素系ガスを主体としたエッチングを行うことで基板にパターンを転写することができる。
上記ケイ素含レジスト下層膜上に、有機反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成して、その上にレジスト上層膜を形成してもよい。つまり、本発明では、半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に上述の本発明の有機膜の形成方法で有機膜を形成し、該有機膜上にケイ素を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成し、該ケイ素含有レジスト下層膜上に有機反射防止膜を形成し、該有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成して４層レジスト膜とし、前記レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記ケイ素含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された有機反射防止膜とケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
なお、この方法は、ケイ素含有レジスト下層膜の上に有機反射防止膜を形成する以外は、上記のケイ素含有レジスト下層膜を用いた半導体装置用基板の製造方法と同様にして行うことができる。有機反射防止膜としては、特に限定されず、公知のものを用いることができ、スピンコート等公知の方法で形成することができる。
また、上記有機膜上に、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、又は窒化チタン膜などの無機ハードマスクを形成することもできる。つまり、本発明では、半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に上述の本発明の有機膜の形成方法で有機膜を形成し、該有機膜上に酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、及び窒化チタン膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスク上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスクにドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
また、無機ハードマスクの形成は、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によって行うことが好ましい。
無機ハードマスクのエッチングは、例えばフロン系のガスを用いてレジストパターンをマスクにして行うことができる。次いで、無機ハードマスクパターンをマスクにして酸素ガス又は水素ガスを用いて有機膜のドライエッチング加工を行うことができる。有機膜の上にケイ素含有レジスト下層膜の代わりに無機ハードマスクを形成する以外は、上記のケイ素含有レジスト下層膜を用いた半導体装置用基板の製造方法と同様にして行うことができる。
また、無機ハードマスク上に有機膜とケイ素含有レジスト下層膜からなる多層レジスト膜又は有機反射防止膜を形成してもよい。つまり、本発明では、半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に上述の本発明の有機膜の形成方法で有機膜を形成し、該有機膜上に酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、及び窒化チタン膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスク上に有機膜とケイ素含有レジスト下層膜からなる多層レジスト膜又は有機反射防止膜を形成し、該多層レジスト膜又は有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記多層レジスト膜又は前記有機反射防止膜へのパターン転写を経由して前記無機ハードマスクに前記パターンをドライエッチングで転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして前記基板上に形成された有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写する半導体装置用基板の製造方法を提供する。
酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、又は窒化チタン膜などの無機ハードマスクを用いた場合、無機ハードマスクとＢＡＲＣの組合せで１．０を超える高ＮＡの液浸露光においても反射を抑えることが可能となる。ＢＡＲＣを形成するもう一つのメリットは、無機ハードマスク直上でのプロセス裕度が広くなる効果が得られることである。
なお、この方法は、無機ハードマスク上に、有機膜とケイ素含有レジスト下層膜からなる多層レジスト膜又は有機反射防止膜を形成する以外は、上記無機ハードマスクを用いた半導体装置用基板の製造方法と同様にして行うことができる。
上記のように、本発明の方法で形成された有機膜は、優れた平坦化特性を有するため、この有機膜を、例えば、２層レジストプロセス、ケイ素含有レジスト下層膜を用いた３層レジストプロセス、又はケイ素含有レジスト下層膜及び有機反射防止膜を用いた４層レジストプロセスといった多層レジストプロセスにおける種々の膜材料と組み合わせて用いることで、上層フォトレジスト（レジスト上層膜）のパターンを高精度で基板に転写し、基板にパターンを形成することができる。つまり、本発明の半導体装置用基板の製造方法であれば、高精度な半導体装置用基板の製造が可能となる。
以下、合成例、調製例、実施例、及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。なお、分子量として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）を求め、それらから分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を導いた。
［合成例１］
３００ｍｌのフラスコにフルオレンビスフェノール２００ｇ、３７％ホルマリン水溶液７５ｇ、シュウ酸５ｇを入れ、撹拌しながら１００℃で２４時間反応させた。反応後、メチルイソブチルケトン５００ｍｌに溶解させ、十分な水洗により触媒と金属不純物を除去した。次いで、溶媒を減圧除去し、１５０℃、２ｍｍＨｇまで減圧し、水分、未反応モノマーを除いて１３５ｇの下記に示すポリマー１を得た。ＧＰＣにより分子量（Ｍｗ）、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
分子量（Ｍｗ）６，５００
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝５．２０
Figure 2017195296
［調製例１］
１０質量部の上記ポリマー１を、ＦＣ−４３０（住友スリーエム社製）０．１質量％を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下ＰＧＭＥＡ）１００質量部に溶解させ、０．１μｍのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって有機膜形成用組成物溶液（ＳＯＬ−１）を調製した。
［実施例１］
二酸化ケイ素で高さ０．１μｍ、幅１ｍｍの凹凸のパターンが形成されているシリコン基板Ａを準備した。この基板Ａ上に、ＳＯＬ−１を回転塗布して塗布膜を形成後、基板に３８ｋＨｚの発信周波数の振動を５分間与えた（振動処理）後、３００℃で６０秒間ベークし有機膜を形成した。パターンのある部分とない部分を接触式段差計αステップ（ＫＬＡ社製）で平坦度を測定した。結果を表１に示す。
［実施例２］
二酸化ケイ素で高さ０．１μｍ、ハーフピッチ５０ｎｍのパターンと５０ｎｍのスペースからなる繰り返しパターンが１ｍｍの範囲で繰り返し形成されている基板Ｂを準備した。基板Ｂを用いる以外は実施例１と同様にして有機膜を形成し、平坦度を測定した。結果を表１に示す。
［比較例１］
基板Ａを用いて、実施例１と同様に塗布膜を形成後、上記振動処理を行わず３００℃で６０秒間ベークし有機膜を形成した。実施例１と同様にして、平坦度を測定した。結果を表１に示す。
［比較例２］
基板Ａのかわりに基板Ｂを用いる以外は比較例１と同様にして有機膜を形成し、平坦度を測定した。結果を表１に示す。
Figure 2017195296
表１に示されるように、塗布膜を形成後、ベーク（不溶化処理）前に基板に振動を加える処理を行った実施例１及び実施例２では、有機膜によって基板上の凹凸のパターンを埋め込み、基板を高度に平坦化できていた。一方、基板に振動を加える処理を行わなかった比較例１及び比較例２では、基板を高度に平坦化できていなかった。
以上により、本発明の有機膜の形成方法であれば、基板を高度に平坦化できる有機膜を形成できることが明らかとなった。また、高コストプロセスであるＣＭＰを用いなくとも基板を高度に平坦化することができるため、低コストで基板の平坦化を行うことができることが示唆された
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１…基板、 ２…塗布膜、 ３…有機膜、 ４…塗布膜形成後の基板、
５…振動発生装置、 ６…振動面

Claims (13)

  1. 凹凸のパターンを有する基板上に有機膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を有機溶剤に対して不溶化処理することで有機膜を形成する方法であって、前記塗布膜を形成した後、前記不溶化処理の前又は前記不溶化処理と同時に前記基板に振動を加える処理を行うことを特徴とする有機膜の形成方法。
  2. 前記振動を加える処理において、振動数が０．０１Ｈｚから１０ＧＨｚの振動を加えることを特徴とする請求項１に記載の有機膜の形成方法。
  3. 前記不溶化処理が、５０℃以上５００℃以下の熱処理、波長が４００ｎｍ以下の紫外線照射処理、及び電子線照射処理のいずれか、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機膜の形成方法。
  4. 前記有機膜形成用組成物として、芳香環を含む樹脂が含まれるものを用いることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機膜の形成方法。
  5. 半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法で有機膜を形成し、該有機膜上にケイ素を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成し、該ケイ素含有レジスト下層膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記ケイ素含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
  6. 半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法で有機膜を形成し、該有機膜上にケイ素を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成し、該ケイ素含有レジスト下層膜上に有機反射防止膜を形成し、該有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成して４層レジスト膜とし、前記レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記ケイ素含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された有機反射防止膜とケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
  7. 半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法で有機膜を形成し、該有機膜上に酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、及び窒化チタン膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスク上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスクにドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
  8. 半導体装置用基板の製造方法であって、凹凸のパターンを有する基板上に請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法で有機膜を形成し、該有機膜上に酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜、及び窒化チタン膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスク上に有機膜とケイ素含有レジスト下層膜からなる多層レジスト膜又は有機反射防止膜を形成し、該多層レジスト膜又は有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記多層レジスト膜又は前記有機反射防止膜へのパターン転写を経由して前記無機ハードマスクに前記パターンをドライエッチングで転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして前記基板上に形成された有機膜にドライエッチングでパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記基板にドライエッチングでパターンを転写することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
  9. 前記無機ハードマスクの形成を、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によって行うことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の半導体装置用基板の製造方法。
  10. 前記回路パターンの形成において、波長が１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の高エネルギー線によるリソグラフィー、電子線による直接描画、及びナノインプリンティングのいずれか、又はこれらの組み合わせによって回路パターンを形成することを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。
  11. 前記回路パターンの形成において、アルカリ現像又は有機溶剤による現像で回路パターンを現像することを特徴とする請求項５から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。
  12. 前記基板が、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、又は金属酸化窒化膜を含むものであることを特徴とする請求項５から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。
  13. 前記基板を構成する金属が、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、モリブデン、又はこれらの合金であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置用基板の製造方法。
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