JP2017194714A - リソグラフィ装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱膨張／熱収縮の影響が生じるのを低減する装置を提供する。具体的には、基板および／または基板テーブルの局部領域に液浸流体を供給する供給システムを使用する液浸システムにおける熱膨張／熱収縮の影響を低減するように構成されたシステムを提供する。【解決手段】基板サポート領域上に基板を支持し、基板サポート領域に隣接する表面上にヒータおよび／または温度センサを支持するように構成された基板テーブルを含むリソグラフィ装置が開示される。【選択図】図９

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置および局部的熱負荷変動を補償する方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常、基板のターゲット部分上に、所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造で使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用してＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に形成された放射感応性材料（レジスト）の層上への結像により行われる。一般に、単一の基板は、連続的にパターニングされる、網状の隣接するターゲット部分を含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、放射ビームにより所与の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンし、一方、同期してこの方向と平行または反平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を充填するために、リソグラフィ投影装置内の基板を屈折率が比較的大きい液体、例えば水に浸すことが提案されている。一実施形態では、この液体は、他の液体を使用することも可能であるが蒸留水である。本発明の一実施形態について、液体を参照して説明する。しかしながら、他の流体、とりわけ湿潤流体、非圧縮性流体および／または屈折率が空気より大きい流体、望ましくは屈折率が水より大きい流体も好適なものとすることができる。ガスを排除する流体はとりわけ望ましい。これの要点は、露光放射は液体中では波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを結像させることができることである。（液体の効果は、システムの実効開口数（NA）を大きくすることであり、また、同じく焦点深度を深くすることであると見なすことも可能である。）固体粒子（例えば石英）が懸濁した水、あるいは微小粒子（例えば最大寸法が１０ｎｍまでの粒子）が懸濁した液体を始めとする他の液浸液も提案されている。懸濁した粒子は、それらが懸濁している液体の屈折率と同様の屈折率または同じ屈折率を有していても、あるいは有していなくてもよい。好適とすることができる他の液体には、芳香族系などの炭化水素、フッ化炭化水素および／または水溶液が含まれている。

[0004] 基板または基板と基板テーブルの両方を液体の槽に浸すことは（例えば米国特許第ＵＳ４５０９８５２号を参照されたい）、スキャン露光中に加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味している。これは、追加の、またはより強力なモータを必要とすることになり、液体中の撹乱によって、望ましくない、予測不可能な影響がもたらされるおそれがある。

[0005] 提案されている機構の１つは、液体供給システムにて液体閉じ込めシステムを使用し、液体を、基板の局部領域だけ、および投影システムの最終エレメントと基板との間に供給することである（一般に、基板は投影システムの最終エレメントより大きな表面積を有する）。これを構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２および図３に示されるように、液体は、少なくとも１つの入口ＩＮにより、基板に対して、好ましくは最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通った後に少なくとも１つの出口によって除去される。すなわち、基板がエレメントの下を−Ｘ方向にスキャンされるとき、液体はエレメントの＋Ｘ側に供給されて−Ｘ側に吸収される。図２は、液体が、入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によってエレメントのもう一方の側に吸収される機構を概略的に示す。図２の説明では、液体は最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもこの通りでなくてよい。様々な、方向ならびに最終エレメントのまわりに配置される入口および出口の数が可能であり、図３に示された一実施例では、入口の両側に出口がある組の４つが最終エレメントのまわりに規則的パターンで設けられている。液体の供給および回収のデバイスにおける矢印は、液体の流れの方向を示している。

[0006] 図４は、局部液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝入口によって供給され、入口の外側に半径方向に配置された複数の個別の出口によって除去される。入口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレートの中に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝入口によって供給され、かつ、投影システムＰＳのもう一方の側の複数の個別の出口によって除去され、したがって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Ｗが移動する方向によって決定することができる（入口および出口の他の組合せは使用されない）。図４の断面図において、矢印は、入口に入って出口から出る液体の流れの方向を示している。

[0007] 欧州特許出願第ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願第ＵＳ２００４−０１３６４９４号に、ツインすなわちデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのテーブルを備えている。液浸液がない第１の位置のテーブルを使用して水準測定が実行され、液浸液が存在している第２の位置のテーブルを使用して露光が実行される。別法としては、装置はテーブルを１つだけ有している。

[0008] ＰＣＴ特許出願第ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構造を開示している。このようなシステムの場合、基板の上面全体が液体で覆われる。その場合、基板の上面全体が実質的に同じ条件にさらされるため、これは場合によっては有利である。これは、基板の温度制御および処理のための利点を有している。ＷＯ２００５／０６４４０５では、液体供給システムは、投影システムの最終エレメントと基板との間の隙間に液体を供給している。その液体は、基板の残りの部分に漏れ出すことができる。基板テーブルの上面から制御された方法で除去することができるよう、基板テーブルの縁端部の障壁が液体の漏洩を防止している。このようなシステムは基板の温度制御および処理を改善しているが、液浸液が蒸発する可能性は依然として残っている。米国特許出願第ＵＳ２００６／０１１９８０９号に、この問題の軽減を促進する方法の１つが記載されている。すべての位置において基板Ｗを覆う部材が提供され、この部材は、この部材と基板の上面との間および／または基板を保持している基板テーブルとの間に液浸液を延在させるようになされている。

[0009] 液浸リソグラフィ装置の基板上に液体が存在するために、液浸液と接触する１つまたは複数のコンポーネント（例えば基板および／または基板テーブル）に対して気化熱負荷がもたらされることがある。これらの熱負荷が、熱膨張および／または熱収縮をもたらすことがある。このような熱膨張および／または熱収縮が、結像誤差、具体的にはオーバーレイエラーをもたらすおそれがある。

[0010] 例えば、熱膨張／熱収縮の影響が生じるのを低減する装置を提供することが望ましい。具体的には、基板および／または基板テーブルの局部領域に液浸流体を供給する供給システムを使用する液浸システムにおける熱膨張／熱収縮の影響を低減するように構成されたシステムを提供することが望ましい。

[0011] 本発明の一態様によれば、表面上にヒータおよび／または温度センサを備えたリソグラフィ装置が提供される。

[0012] 本発明の一態様によれば、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブルが提供され、この基板テーブルは、基板サポート領域の中央部分に隣接する複数のヒータおよび／または温度センサを備え、これらの複数のヒータおよび／またはセンサは細長いものである。

[0013] 本発明の一態様によれば、基板サポート領域上に基板を支持するように構成され、ヒータおよび／または１つの縁端部から反対側の縁端部まで基板サポート領域にわたって延在する温度センサを備えた基板テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0014] 本発明の一態様によれば、該表面が、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブル上の表面であり、基板サポート領域、センサ、または交換ブリッジに隣接するリソグラフィ装置が提供される。

[0015] 本発明の一態様によれば、基板サポート領域上に基板を支持し、基板サポート領域に隣接する表面上にヒータおよび／または温度センサを支持するように構成された基板テーブルが提供される。

[0016] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ投影装置における局部的熱負荷を補償する方法が提供され、この方法は、局部的熱負荷を補償するために、ヒータを制御するかまたは温度センサからの信号を用いる工程であって、ヒータおよび／または温度センサが表面上に存在する工程を含む。

[0017] 本発明の一態様によれば、表面上の導電性コーティング、ならびに同コーティングに接続されたヒータおよび／または温度センサを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0018] 次に、本発明の諸実施形態を、ほんの一例として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して説明する。

[0019]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0020]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0021]リソグラフィ投影装置で使用するさらなる液体供給システムを示す図である。 [0022]本発明の一実施形態で液体供給システムとして使用することができる障壁部材を示す断面図である。 [0023]本発明の一実施形態で使用することができる別の障壁部材を示す断面図である。 [0024]基板の縁端部を囲む基板テーブルの部分を示す断面図である。 [0025]基板テーブルの中央部分を示す上面図である。 [0026]ヒータおよび／または温度センサの位置を示すバールプレートの断面図である。 [0027]ヒータおよび／または基板サポート領域の中央部分の温度センサおよび基板サポート領域の縁端部の様々な部分に隣接した縁端部ヒータを示す上面図である。 [0028]縁端部ヒータのない一実施形態を示し、かつ基板サポートが投影システムの下で採用し得る蛇行経路も示す上面図である。 [0029]ヒータおよび温度センサの構成を示す概略上面図である。 [0030]ヒータおよび／または温度センサの構成を示す概略上面図である。 [0031]ヒータおよび／または温度センサの構成を示す概略上面図である。 [0032]ヒータおよび温度センサの構成を示す概略上面図である。 [0033]微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）のヒータ／センサの構成を示す概略断面図である。 [0034]図１６の詳細であってセンサの動作を示す図である。 [0035]ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータに関して、Ｘ軸の温度に対するＹ軸の抵抗変化を示すグラフである。 [0036]ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータの構成を示す概略断面図である。 [0037]ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータの機構の斜視図である。 [0038]ヒータおよび／または温度センサが基板テーブル上に配置され得る場所を示す概略上面図である。 [0039]ヒータおよび／または温度センサが配置され得る場所を示す概略断面図である。 [0040]温度センサを示す概略側面図である。 [0041]温度センサを示す概略側面図である。 [0042]図２４の温度センサを示す概略上面図である。 [0043]ヒータおよび／または温度センサが配置され得る場所を示す概略断面図である。 [0044]薄膜のヒータおよび／または温度センサの有効性を示すグラフである。 [0045]薄膜のヒータおよび／または温度センサを堆積するのに使用され得るマスクを示す概略上面図である。 [0046]ヒータおよび／または温度センサが配置され得る場所を示す概略断面図である。 [0047]ヒータおよび／または温度センサが配置され得る場所を示す概略断面図である。 [0048]ヒータおよび／または温度センサが配置され得る場所を示す概略上面図である。

[0049] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、

[0050] − 放射ビームＢ（例えばUV放射またはDUV放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、

[0051] − パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴであって、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、

[0052] − 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴであって、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、

[0053] − パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイが含まれている）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えている。

[0054] この照明システムは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。

[0055] サポート構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるか否かなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされてよい。

[0056] 本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生み出すなどためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。

[0057] パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。

[0058] 本明細書に用いられる用語「投影システム」は、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含し、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとして、広義に解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。

[0059] 本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でよい。

[0060] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または２以上のパターニングデバイステーブル）を有したタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、あるいは１つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、１つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。

[0061] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ渡される。それ以外の、例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部品とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。

[0062] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれている）は調節が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど様々な他のコンポーネントを備えることができる。このイルミネータを使用して、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射ビームを調節することができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部分を形成するものと、見なされても見なさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部品でよく、もしくはリソグラフィ装置から別個の構成要素でもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータＩＬが実装され得るように構成することができる。任意選択で、イルミネータＩＬは取り外し可能であって、（例えばリソグラフィ装置製造業者または別の供給者によって）別個に設けることができる。

[0063] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的に取り出した後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。

[0064] 図示された装置は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用され得る。

[0065] １．ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

[0066] ２．スキャンモードでは、サポート構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向に）を制限するが、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向に）を決定する。

[0067] ３．別のモードでは、サポート構造ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後に、またはスキャン中の連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0068] 前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も用いられてよい。

[0069] 投影システムＰＳの最終エレメントと基板との間に液体を供給するための機構は、２つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは、基板Ｗの全体および任意選択で基板テーブルＷＴの一部分が液体の槽に沈められる槽タイプの機構、ならびに基板の局部領域にのみ液体が供給される液体供給システムを使用するいわゆる局部液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体で満たされた空間が、上面図では基板の上面より小さく、液体で満たされた領域は、この領域の下で基板Ｗが移動している間中、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。本発明の一実施形態が対象とするさらなる機構に、液体が閉じ込められないオールウェットの解決策がある。この機構では、基板上面の実質的な全体および基板テーブルの全体または一部分が液浸液で覆われている。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜でよい。図２〜図５の給液デバイスのうち任意のものも、そのようなシステムで使用することができるが、シーリング機構が存在しないもの、作動しないもの、液体を局部領域だけに封止するのに通常ほど効率的でないもの、またはその他、液体を局部領域だけに封止するのに効果がないものである。図２〜図５に、４つの様々なタイプの局部液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示されている液体供給システムは前述のものである。

[0070] 提案されている別の機構に、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部分に沿って広がる液体閉じ込め部材を、液体供給システムに設けるものがある。そのような機構が図５に示されている。液体閉じ込め部材は、Ｚ方向（光学軸の方向）のいくらかの相対運動はあり得るが、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に静止している。液体閉じ込め部と基板の表面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め構造体と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでよい。そのようなシステムが、米国特許出願第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0071] 図５は、障壁部材１２、ＩＨを備えた局部液体供給システムを概略的に示したものである。障壁部材は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。（以下のテキストにおける基板Wの表面の参照は、特に明確に言及されていない限り、追加または別法として基板テーブルの表面を同じく意味していることにどうか留意されたい。）障壁部材１２は、Ｚ方向（光軸の方向）の若干の相対移動が存在する可能性はあるが、投影システムに対してＸＹ平面内に実質的に静止している。一実施形態では、障壁部材と基板Ｗの表面との間に、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールであってもよいシールが形成される。

[0072] 障壁部材１２の少なくとも一部は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１に液体を含有している。基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間に液体が閉じ込められるよう、投影システムのイメージフィールドの周りに基板Ｗに対する非接触シール１６を形成することができる。この空間は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終エレメント下方に、投影システムＰＳの最終エレメントを取り囲んで配置された障壁部材１２によって形成されている。液体は、障壁部材１２の内側の投影システムの下方の空間に、液体入口１３によってもたらされる。この液体は、液体出口１３によって除去することができる。障壁部材１２は、投影システムの最終エレメントの少し上まで延在させることができる。液体のレベルは、液体のバッファが提供されるよう、最終エレメントの上まで上昇している。一実施形態では、障壁部材１２は、その上端部分の形状が投影システムまたは投影システムの最終エレメントの形状と緊密に合致する、例えば丸い形状であってもよい内側周囲を有している。内側周囲の底部は、イメージフィールドの形状と緊密に合致しており、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形である。

[0073] 一実施形態では、液体は、使用中、障壁部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１の中に含有される。このガスシールは、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではＮ２または別の不活性ガスである。ガスシール中のガスは、入口１５を介して加圧下で障壁部材１２と基板Ｗとの間の隙間に供給される。このガスは、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５部分の超過圧力、出口１４部分の真空レベルおよび隙間の幾何構造は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流１６が存在するようになされている。障壁部材１２と基板Ｗとの間の液体に対するガスの力によって、空間１１の中に液体が含有される。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れ１６は、液体を空間１１の中に含有するのに有効である。米国特許出願第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に、このようなシステムが開示されている。

[0074] 他の諸機構が可能であり、また、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態は任意のタイプの局部液体供給システムを使用することができる。本発明の一実施形態は、液体供給システムとして任意の局部液体供給システムとともに使用するのに特に適切である。

[0075] 図６は、液体供給システムの一部分である障壁部材１２を示す。障壁部材１２は、障壁部材（シール部材と称されることがある）の全体的な形状が例えば実質的に環状となるように、投影システムＰＳの最終エレメントの周辺のまわり（例えば周囲）に延在する。投影システムＰＳは円形でなくてよく、また、障壁部材１２の外側縁端部も円形でなくてよく、その結果、障壁部材が輪状である必要はない。障壁は開口を有し、これによって、投影システムＰＳの最終エレメントから投影ビームが外へ通過することができる。したがって、露光の期間中、投影ビームが、障壁部材の開口に含まれている液体を基板Ｗ上へと通過することができる。

[0076] 障壁部材１２の機能は、投影ビームが液体を通過することができるように、少なくとも部分的に投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間に液体を維持するかまたは閉じ込めることである。液体の最高レベルは、障壁部材１２が存在することによって、そのまま閉じ込められている。

[0077] 液浸液は、障壁部材１２によって空間１１に供給される（したがって、障壁部材は流体ハンドリング構造体であると考えることができる）。液浸液に対する通路すなわち流路は、障壁部材１２を通過する。流路の一部分は、チャンバ２６によって構成される。チャンバ２６は、２つの側壁２８、２２を有する。液体は、チャンバまたは出口２４からチャンバ２６の中へ第１の側壁２８を通過し、次いで空間１１内へと第２の側壁２２通過する。複数の出口２０が、空間１１に液体を供給する。液体は、側壁２８、２２のそれぞれの貫通孔２９、２０を通過して空間１１に入る。貫通孔２０、２９の位置は無作為なものでよい。

[0078] 障壁部材１２の底部と基板Ｗとの間にシールが設けられる。図６で、シールデバイスは、非接触シールをもたらすように構成され、いくつかのコンポーネントで構成されている。投影システムＰＳの光学軸から半径方向外側に、空間内へ（しかし投影ビームの経路には入らずに）延在する（任意選択の）流量制御プレート５０が設けられ、これが、出口２０からの液浸液の空間にわたって実質的に平行な流れを維持するのを支援する。流量制御プレート５０は、投影システムＰＳおよび／または基板Ｗに対して障壁部材１２の光学軸方向の移動に対する抵抗を低減するために貫通孔５５を有する。

[0079] 障壁部材１２の底面上の流量制御プレート５０の半径方向外側に、障壁部材１２と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間から液体を抽出するための抽出器アセンブリ７０があってよい。この抽出器は、単相または２相の抽出器として動作することができる。

[0080] 抽出器アセンブリ７０の半径方向外側に、凹部８０があってよい。この凹部は、入口８２を介して大気に接続される。この凹部は、出口８４を介して低圧源に接続される。凹部８０の半径方向外側に、ガスナイフ９０があってよい。抽出器、凹部およびガスナイフの機構は、米国特許出願第ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。

[0081] 抽出器アセンブリ７０は、米国特許出願第２００６−００３８９６８号に開示されているものなどの液体除去デバイスすなわち抽出器または入口を備える。任意のタイプの液体抽出器を使用することができる。一実施形態では、抽出器アセンブリすなわち液体除去デバイス７０は、ガスから液体を分離して単一液相の液体抽出法を可能にするのに用いられる多孔性材料７５で覆われた入口を備える。多孔性材料７５の下流のチャンバ７８は、わずかな負圧に保たれ、液体で満たされている。チャンバ７８内の負圧は、多孔性材料の穴の中に形成されたメニスカスが、周囲のガスが抽出器アセンブリ７０のチャンバ７８内へ引き込まれるのを防止するようなものである。しかし、多孔性の表面７５が液体と接触するとき、流れを制限するメニスカスはなく、液体は、抽出器アセンブリ７０のチャンバ７８へ自由に流れ込むことができる。

[0082] 使用中（例えば基板が障壁部材１２および投影システムＰＳの下を移動する間）、基板Ｗと障壁部材１２との間に延在するメニスカス３２０がもたらされる。

[0083] 図６には具体的に示されていないが、液体供給システムは、液体のレベルの変動に対処する機構を有する。これは、投影システムＰＳと障壁部材１２との間に蓄積する液体を扱うことができてこぼれないようにするためである。

[0084] 基板Ｗは、通常、基板テーブルＷＴの凹部（例えば基板サポート領域）に位置決めされる。基板Ｗの幅（例えば直径）のばらつきを計上するために、凹部は、通常、基板Ｗの見込まれる最大サイズより少し大きく作製され、したがって、基板の縁端部と基板テーブルＷとの間に隙間が存在する。液体を設けるためのすべての機構に関して、基板と基板テーブルとの間の隙間５の手当てが困難である可能性がある。これは、この隙間５に液体が入る可能性があるためである。液体が基板の下に入り込むのを防止するために、隙間５から液体を除去するのが望ましい。ガスの気泡が隙間５から液浸液に入るのを防止することも望ましい。このために、基板と基板テーブルの縁端部との間の隙間の下に、入口が設けられてよい。入口は負圧源に接続され、その結果、隙間５から液体および／またはガスを除去することができる。

[0085] 図７は、基板テーブルＷＴおよび基板Ｗを通る概略断面図である。基板Ｗの縁端部と基板テーブルＷＴの縁端部との間に隙間５が存在する。隙間５は、結像の期間中基板が配置される凹部の外側領域または縁端部に存在する。基板Ｗは、基板テーブルＷＴの基板サポート領域上に支持され得る。

[0086] 隙間への液体の侵入に対処するために基板Ｗの縁端部に少なくとも１つのドレイン１０、１７を設けてよく、隙間５に侵入するあらゆる液体を除去する。図７の実施形態では２つのドレイン１０、１７が示されているが、ドレインは、１つだけでも、２つより多くてもよい。

[0087] 第１のドレイン１０の主要な役割は、ガスの気泡が液体供給システム１２の液体１１に入るのを防止することである。いかなるこのような気泡も、基板Ｗの結像に悪影響を及ぼす可能性がある。何らかの液体が隙間５から基板Ｗの下へ通って、結像後に基板テーブルＷＴから基板Ｗを効率的に解放するのを妨げるのを防止するために、第２のドレイン１７が設けられてよい。通常、基板Ｗは、バールと称される複数の突出部３２を備える突起テーブルすなわちバールプレート３０によって保持される。突起テーブル３０によって基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に与えられる負圧が、基板Ｗをしっかりと所定の位置に保持することを保証する。突起テーブル３０の下の第２のドレイン１７の備えは、基板Ｗの下を通る液体によって生じる可能性がある問題を低減するかまたは解消する。

[0088] 第１のドレイン１０は、負圧によって液体を除去する。すなわち、第１のドレイン１０は、出口１４２を介して負圧源に接続される。この負圧源が、ドレインに入るあらゆる液体を効果的に除去する。

[0089] 第１のドレイン１０の正確な寸法形状は重要ではない。一般に、第１のドレイン１０は入口１１０を備え、これによってチャンバ１４０が隙間５と流体連絡する。チャンバ１４０は、例えば環状でよい。（諸）出口１４２は、チャンバ１４０と流体連絡する。

[0090] 次に、第２のドレイン１７を説明する。第２のドレイン１７の出口９５は、突起テーブル３０の負圧（例えば０．５バール）より少し高い負圧（例えば０．６バール）に保たれる。これは、隙間５ならびに突起テーブル３０から出口９５へのガスの流れの存在を保証する。代替実施形態では、第２のドレイン１７は正圧に保つことができる。この場合、出口９５から隙間５へガスの流れがある。これは、毛管圧と組み合わせて、突起テーブル３０に液浸液が入るのを低減するかまたは防止するために用いることができる。

[0091] わかるように、基板Ｗの下に２つの突出部９１および９２が設けられる。半径方向外側の突出部９１は、いわゆる「ウェットシール」であり、これと基板Ｗの底面との間を液浸液が通過しやすい。半径方向内側の突出部９２はドライシールであり、これと基板Ｗとの間を通過しやすいのはガスだけである。

[0092] ２つの突出部９１と９２との間に流路９３があり、チャンバ９４に通じている。チャンバ９４は、負圧源に接続された出口９５と流体連絡している。この第２のドレイン１７および第１のドレイン１０のより詳しい内容は、米国特許出願第ＵＳ２００８−０２９７７４４号に見いだすことができる。

[0093] ガスが隙間を通って除去されると、次いでこれは隙間５内の何らかの液体の望ましくない蒸発をもたらす可能性がある。これは、その結果として局部冷却をもたらす可能性がある。局部冷却は、基板テーブルの熱収縮をもたらし、それによってオーバーレイエラーをもたらす可能性があるので望ましくない。

[0094] この現象に対処することができるやり方の１つに、基板テーブルＷＴに熱伝導流体用の流路を設けるものがある。このようにして、基板テーブルの温度を一定に維持することができる。さらに、米国特許第ＵＳ２００８−０１３７０５５号に開示されているように、入口の近傍で加熱するためにさらなるヒータが使用されてよい。したがって、その箇所で生成される追加の熱負荷を、そのさらなるヒータを使用することによって補償することができる。

[0095] 図８は、このような機構の１つを示す。図８は、基板テーブルＷＴの基板サポート領域の上面図である。入口１１０が示されている。熱伝導流体用の中央流路２００が設けられている。中央流路２００は、基板Ｗの位置の下の経路をたどる。中央流路２００の経路は、加熱流体が流路２００を通ることにより均一な加熱を与えることができるようなものである。流路２００に入る熱伝導流体の温度は、第１の温度センサ２１０によって検出される。流路２００を出る熱伝導流体の温度は、第２の温度センサ２２０によって検出されることになる。局部箇所における温度を検出するために、流路２００に第３の温度センサ２３０が設けられてもよい。コントローラには、温度センサ２１０、２２０、２３０からデータが供給され得て、熱伝導流体が流路２００に入るのに先立って熱伝導流体を加熱するのに使用されるヒータ２４０を使用して熱伝導流体の温度を制御することができる。

[0096] ドレイン１０によって起こり得る過度の冷却に対処するために、加熱エレメント２５０を設けることができる。加熱エレメント２５０は入口１１０に隣接する単独加熱エレメントであり、入口１１０の周辺のまわり（例えば周囲）に延在する。

[0097] 図７に示されるように、加熱エレメント２５０は、チャンバ１４０の下またはチャンバ１４０の両側に配置することができる。ヒータ２５０のための他の適切な位置がある可能性がある。

[0098] 第４の温度センサ２６０が設けられる。第４の温度センサ２６０は、入口１１０の近傍に設けられる。コントローラは、加熱エレメント２５０に与えられる電力を制御するのに、第４の温度センサ２６０から得られた情報を用いることができる。

[0099] 図８に示されたシステムは、特に局部領域の液体供給システムが使用されるときのいくつかの問題を緩和するが、入口１１０の周辺のまわりの冷却は必ずしも均一にならない。したがって、第４の温度センサ２６０の位置は重要である。第４の温度センサ２６０が大量の局部冷却を経験した位置にある場合、次いでその冷却は補償され得るが、入口１１０の他の領域が過熱するおそれがある。センサ２６０に関する問題は、加熱エレメント２５０を、第２の温度センサ２２０と第３の温度センサ２３０との間の温度差に基づいて制御した方がよいことを意味する。コントローラは、この差を、基板テーブルの縁端部に対する熱負荷の測度として用いる。基板テーブルの周辺全体の一部分に熱負荷が与えられる場合、周辺全体にわたって平衡を保つ熱負荷が与えられる。その結果、加熱エレメントが負荷を与える領域は補償不足であり、負荷を与えられない領域は乱れる。例えば、基板テーブル縁端部の１／３にわたって１Ｗであると、これは、縁端部全体にわたって１Ｗで補償される。このため、その局部負荷が補償されるのはわずかに０．３３Ｗであり、その他の０．６６Ｗは縁端部の残りを乱している。入口１１０のまわりにさらなる温度センサを備えてさえ、この問題は緩和されない可能性がある。

[00100] 図８の解決策には以下の欠点がある。１）ヒータとセンサとの組合せの反応時間が非常に遅い（時定数が大きい）。ヒータおよびセンサが基板テーブルＷＴに貼り付けられており、比較的高い接触抵抗をもたらす。２）ヒータおよびセンサは、基板テーブルの縁端部に与えられるのみであってその中心部（中央部分）には与えられず、もたらされるのは部分的解決である。３）水の調節は、不均一な温度分布をもたらす最大の流れに限定されている。水路の断面が小さく、しかもかなり長いので、流れ抵抗が大きい。大流量に関しては、圧力降下が大きくなりすぎて、ウェーハテーブル自体の不均一な機械的変形がもたらされる。大流量は、高速度および大きな動的力をもたらし、また、これが回復できない擾乱力をもたらす。（最大流だけでなく）あらゆる流れが不均一な温度分布をもたらす。水は入口から出口へと冷たくなる。この温度差が不均一性をもたらす。より流量が大きければ大きいほど、当然ｄＴが低下する。４）水の調節は、圧力パルスのために、回復できない動的擾乱をもたらすことがある。５）水の調節は、「厚い」（１０ｍｍの）、それ故に重い基板テーブルＷＴを含んでおり、したがってスキャンアップ−スキャンダウン問題の原因となる。

[00101] 一実施形態では、ヒータ４００および／または温度センサ５００が基板テーブ
ルＷＴの表面上にある。ヒータ４００および／または温度センサ５００は、基板サポート領域に隣接した（例えば同領域の下の）表面上にあってよい。このような表面の１つはバールプレート６００の表面である。

[00102] 一実施形態のバールプレート６００が図９に示されている。バールプレート６００は、上部面および下部面に突出部があるプレートから成る。上部面上の突出部はバール３２であり、使用するとき、この上に基板Ｗが支持される。下側のバール３４は、基板テーブルＷＴの表面上にバールプレート６００を支持するためのものである。

[00103] 図７で、バールプレート３０は、基板テーブルＷＴの一体部品として示されており、バール３４または図９と同等なバールは存在しない。

[00104] 図９では、ヒータ４００および／または温度センサ５００が、バールプレート６００の表面上でバール３２とバール３４との間に形成されている。ヒータ４００および／または温度センサ５００は、バールプレート６００の上向きの表面および／または下向きの表面にあってよい。

[00105] 一実施形態では、ヒータ４００および／または温度センサ５００は薄膜として形成される。したがって、ヒータ４００および／または温度センサ５００は、のりまたははんだなどの接着剤を使用せずに、表面に直接取り付けられる。したがって、ヒータ４００および／または温度センサ５００は、例えば表面上に堆積されて表面に直接結合される。一実施形態では、ヒータ４００および／または温度センサ５００は白金から形成される。バールプレート６００が導電材料（ＳｉＳｉＣなど）で作製される場合、白金ヒータ４００および／または温度センサ５００が堆積される前に、絶縁層および／または結合層が堆積されてよい。一旦ヒータ４００および／または温度センサ５００が堆積されてから、ヒータ４００および／または温度センサ５００の電気的絶縁を保証し、かつ湿ったガスから保護するために（別の誘電体層で）さらにコーティングする必要があり得て、そうしないと湿ったガスで短絡が生じることになる。一実施形態では、ヒータ４００および／または温度センサ５００の上にさらなる絶縁層が設けられ、このため熱が表面に入る。これは、本体（例えばバールプレート６００）の中へ、なおいっそうの熱を導くことになる。

[00106] 通常、薄膜は合計で４つの層を有する。基板テーブルの頂部（例えばバールプレート６００）には結合層があり、次いで絶縁誘電体層、次いで白金層、そして短絡を防止するために再び誘電体層が頂部にある。白金ラインの電磁障害を防止するために、２つの追加のシールド層があってもよい。ヒータおよび／または温度センサの厚さは、例えば１００μｍ未満、好ましくは１０μｍ未満、さらには１μｍ未満の薄いものである。

[00107] ヒータ４００および／または温度センサ５００は、基板サポート領域に隣接して配置される。これらが表面に直接結合されるので、表面の背後の材料とヒータ４００および／または温度センサ５００との間で、熱が迅速に伝導される。ヒータ４００および／または温度センサ５００が与えられる表面がバールプレートであると、それらが基板Ｗに近いので、基板Ｗとの間の熱の伝導が非常に迅速である。

[00108] 図１０は、複数のヒータ４００および／または温度センサ５００の機構の一実施形態を示す上面図である。複数のヒータ４００Ａ〜４００Ｆおよび／または温度センサ５００Ａ〜５００Ｆは、細長いものである。これらは、細長くなっている方向で実質的に平行であり、１つの縁端部から反対側の縁端部まで、基板サポート領域にわたって延在する。この機構の利益は、図１１を参照しながら以下で説明される。

[00109] 複数の縁端部ヒータ４１０Ａ〜４１０Ｌおよび／または温度センサ５１０Ａ〜５１０Ｌが、ヒータ４００Ａ〜４００Ｆおよび／または温度センサ５００Ａ〜５００Ｆが配置されている基板サポート領域の中央部分を取り囲む。縁端部ヒータ４１０Ａ〜４１０Ｌおよび／または温度センサ５１０Ａ〜５１０Ｌは、基板サポート領域の縁端部のまわりの、様々なサイズのものである。これらのサイズは、中央部分のヒータ４００Ａ〜４００Ｆおよび／または温度センサ５００Ａ〜５００Ｆの、この方向における寸法と一致するようになっている。

[00110] 複数の縁端部ヒータは、図８の加熱エレメント２５０の役目をするように設計されている。すなわち、これらは、図７に関連して説明されたような基板Ｗの縁端部のまわりの大きな気化熱負荷を補償するように設計されている。縁端部ヒータ４１０Ａ〜４１０Ｌおよび／または温度センサ５１０Ａ〜５１０Ｌは、バールプレート６００の表面上または異なる表面上に配置される。

[00111] 本発明の一実施形態は、それ自体で、あるいは、図８に示されるような縁端部ヒータ２５０および／または図８に示されるような、熱調節流体を通過させるための、基板サポート領域に隣接した通路２３０と組み合わせて用いることができる。さらに、本発明の一実施形態のヒータおよび／または温度センサは、２相流体によって調節された基板テーブルＷＴと組み合わせて使用することができる。このような実施形態では、チャンバが、基板テーブルＷＴの本体の中に設けられ、気相および液相の両方の流体で満たされる。このような基板テーブル調節システムは、参照によってそれらの全体が本明細書に組み込まれる、２００９年９月２８日出願の米国特許出願第ＵＳ６１／２４６，２７６号、および２００９年９月２８日出願の米国特許出願第ＵＳ６１／２４６，２６８号に説明されている。

[00112] 本発明の一実施形態の利点は、ヒータおよび温度センサの両方に関して存在する。基板テーブルＷＴは、一方または他方あるいは両方を備えることができる。ヒータおよび温度センサの両方が、薄膜のヒータおよび／または温度センサの高速の熱応答を利用する。

[00113] 具体的には、図１０および図１１に示されたヒータおよび／またはセンサの機構は、必ずしも薄膜でない他のタイプのヒータおよび／または温度センサにも適切である。

[00114] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは、表面上ではなく基板テーブルＷＴのコンポーネントの中に密封される。ヒータおよび／または温度センサは、基板テーブルＷＴの天板（例えば水晶板）に組み込まれてよい。天板は、２つの部分を備えることができ、その間にヒータおよび／またはセンサが組み込まれる。

[00115] 図１１は、一実施形態を示す上面図である。図１１で、縁端部ヒータ４１０Ａ〜４１０Ｌおよび／または温度センサ５１０Ａ〜５１０Ｌは存在しない。基板テーブルＷＴの設計次第で、基板Ｗの縁端部に縁端部ヒータを含む必要がないことがある。このような実施形態が図１１に示されている。

[00116] 図１１には、投影システムＰＳの下における基板テーブルＷＴの蛇行経路７００も示されている。蛇行経路の一般的な全体的移動が、ライン８００によって示されている。

[00117] ライン７００とライン８００とを比較することによって理解することができるように、全体的経路８００をたどる間に、Ｘ方向の前後運動が起こる。Ｙ方向のスキャンは非常に高速である。その結果、基板テーブルＷＴは、（図示の）基板の頂部から基板の底部まで、Ｙ方向に沿ってかなりゆっくり移動することが理解され得る。このために、ヒータ４００Ａ〜４００Ｆおよび／または温度センサ５００Ａ〜５００Ｆ（ならびに縁端部ヒータおよび／または温度センサ）はＸ方向に細長くなっている。ヒータおよび／または温度センサは、第１の方向に細長い。第１の方向は、所与のヒータ４００および／または温度センサ５００が基板Ｗの結像の期間中投影システムの下にとどまる期間が、ヒータおよび／またはセンサのその細長い方向が第１の方向に対して垂直に配向された場合（その場合には、基板全体の結像を通じて何回かに分けてヒータおよび／またはセンサを通ることになる）より長くなるように配向される。具体的には、所与のヒータおよび／または温度センサが基板の結像の期間中投影システムの下にある時間が、実質的に最小化される。一実施形態では、これは、ヒータおよび／または温度センサの細長い方向がスキャン方向と平行になるのを保証することにより行われる。しかし、様々なスキャンパターンに対して、他の幾何形状の方がより適切なことがある。したがって、結像の期間中、基板は、Ｙ方向にスキャンしながら、１番目のヒータ４００Ａ／温度センサ５００Ａに沿ってＸ方向へステップして進む。これによって、基板の１番目の領域が熱負荷を受け、これが、１番目のヒータ４００Ａ／温度センサ５００Ａの組合せによって検知され、かつ補償される。次いで、基板は、第２のヒータ４００Ｂ／温度センサ５００Ｂの組合せを投影システムの下へ移動するようにＹ方向に移動し、かつＹ方向にスキャンする。そのＹ位置に熱負荷が集中し、したがってセンサ４００Ｂ／ヒータ５００Ｂの組合せによって補償される。Ｘ方向にステップして進むとき、あらゆる熱負荷がそのＸ方向に集中する。投影システムからＹ軸に沿って遠ざかった位置では、熱負荷は小さい。

[00118] 細長いヒータおよび／または温度センサを有することの利点は、ヒータおよび／または温度センサの縦横比が実質的に１（すなわちＸおよびＹの両方向で同一の寸法）に作製されている場合より、ヒータおよび／または温度センサの数を減少できることである。数が減少すると制御が容易になり、システムの複雑さが低下し、とりわけヒータおよび／または温度センサを接続する困難さが緩和する。図１２を参照しながら説明されるように、図１０および図１１の実施形態に関して、ヒータおよび／または温度センサは、バールプレート６００の縁端部にあるコントローラに比較的容易に接続することができる。

[00119] 複数のヒータおよび／または温度センサは実質的に平行な方向に細長くなっている。

[00120] 図１２は、単一の一体化されたヒータおよび対応する温度センサを示す上面図である。類似の方式が、ヒータまたは温度センサのいずれか一方だけに用いられてもよい。ヒータおよび温度センサは、同一領域の温度を加熱しかつ検知するという意味で一体化されている。

[00121] 図１２に示されるように、ヒータおよび温度センサは、ラインまたはワイヤのように形成される。ラインまたはワイヤは、全体的なヒータおよび／または温度センサの領域を覆う。これは、ラインが、屈折した経路をたどることにより行われる。図示の実施形態では、ラインは、バール３２の間の屈折した経路をたどるが、必ずしもそうである必要はない。図１２に示されるように、ヒータのラインは、温度センサのラインと実質的に平行な経路をたどる。２つのラインは、交差せず、ヒータ全体のできるだけ大きな領域を覆うように、バールからバールへと縫うように進む。ラインは電極で終結し、制御システムへの接続が可能になる。

[00122] コントローラが設けられる。コントローラは、測定される温度を所与の設定値に維持しようとする。応答が高速であればあるほど、期待される性能は、より優れたものになる。熱時定数が小さければ小さいほど、熱負荷の印加によって生じることになる正味の最大の温度変化は、より小さいものになる。コントローラは、センサからのフィードバックに基づいてヒータを制御することができる。基板テーブルＷＴに対する液体ハンドリングシステム１２の位置に基づいて、フィードフォワード制御が可能である。

[00123] 図２６に示されるように、本発明の一実施形態は、基板テーブルＷＴの頂部または底部に１つまたは複数の薄膜白金のセンサおよび／またはヒータを与えるものである。一実施形態では、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間にバールプレート６００が配置される。一実施形態では、バールプレート６００の頂部に薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００が与えられる。一実施形態では、バールプレート６００の底面に薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００が与えられる。一実施形態では、基板テーブルＷＴの底面に薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００が与えられる。

[00124] 薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００は、基板テーブルＷＴ上に配置されたセンサの上部面または下部面に与えられてもよい。図２６は、基板テーブルＷＴの表面上のセンサ２６１を示す。センサ２６１は、例えば、露光量センサ、収差センサ、照度センサ、均一性センサまたはエアリアル画像センサでよい。センサ２６１は、基板テーブルＷＴの位置を制御するためにエンコーダ格子プレートを備えることができる。センサ２６１は、上部面に保護プレート２６２を備えることができる。保護プレート２６２は、ガラスから形成されてよい。保護プレート２６２の上部面および／または下部面に、１つまたは複数の薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００を与えることができる。

[00125] 図２９は、基板テーブルＷＴ、基準フレームＲＦ、格子５０およびセンサ２０を備えたリソグラフィ装置を示す。格子５０は、基板テーブルＷＴまたは基準フレームＲＦに取り付けられる。センサ２０は、基板テーブルＷＴおよび基準フレームＲＦの他方に取り付けられる。図２９は、格子５０が基板テーブルＷＴに取り付けられ、センサ２０が基準フレームＲＦに取り付けられる場合を示す。

[00126] センサ２０は、格子５０によって回折され、および／または反射された放射を検出し、それによって基板テーブルＷＴと基準フレームＲＦとの間の相対位置を測定するためのものである。これはリソグラフィ装置で用いられる一種の位置測定デバイスであり、互いに対して移動可能であってその相対位置の測定が望まれる様々な対象物上に格子５０およびセンサ２０が実装される。

[00127] 格子５０および／またはセンサ２０の上部面または下部面に、薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００を与えることができる。格子５０は、例えば水晶またはガラスセラミックなどの光学的透明材料のプレート上に形成されてよい。このプレートは、エンコーダ格子プレートと称することができる。この説明では、格子５０という用語は、その上に格子パターンが形成されているエンコーダ格子プレートを意味するものと理解される。

[00128] 薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００は、エンコーダ格子プレートの表面に直接与えられてよい。一実施形態では、薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００は、液浸液に露出されるエンコーダ格子プレートの表面に直接与えられる。これは、水晶またはガラスセラミックなどのプレートの材料が、比較的低い熱伝導率を有し得るからである。したがって、熱負荷による局部温度変化は、格子５０の後面上に薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００を配置するよりも、格子５０の露出した表面上に薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００を配置することにより、より迅速に補正することができる。

[00129] これは、格子５０および／またはセンサ２０の温度を制御する。格子５０および／またはセンサ２０の温度の制御は、そうしなければオーバーレイエラーをもたらす位置誤差を低減するのに役立つ。位置誤差は、格子５０および／またはセンサ２０の表面の熱変形によってもたらされる。このような熱変形は、表面上の熱負荷によって引き起こされる。表面と同一の温度ではない液体が表面と接触すると、表面に熱負荷が与えられる可能性がある。例えば、液体が、蒸発するかまたは熱的に表面と平衡する可能性がある。これは、格子５０が基板テーブルＷＴの上部面上に配置され、その上に流体閉じ込め構造体１２が配置されるので、図２９に示されたような格子５０に対して問題になることがある。流体閉じ込め構造体１２は、リソグラフィ装置の通常動作の期間中、格子５０の一部分またはすべての上に配置されるようになり得る。流体閉じ込め構造体１２から液浸液が漏れて、小滴として格子５０の上にふりかかるかまたは残ることがある。もちろん、センサ２０が基板テーブルＷＴの上面上に配置され、格子５０が基準フレームＲＦ上に配置される場合、同じ問題が生じるおそれがある。

[00130] 格子５０は、グリッドプレートならびにグリッドプレートの上および下側に形成された格子表面を備えることができる。この目的は、格子表面自体が液浸液と接触するのを防止することである。

[00131] 上記では、本発明の一実施形態が格子５０に関して説明されてきたが、同じ利点およびメカニズムをセンサ２０の温度制御に適用することができる。例えば、図３０は、格子５０が基準フレームＲＦに取り付けられ、センサ２０が基板テーブルＷＴに取り付けられる実施形態を示す。薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００が、センサ２０の上部面または下部面に与えられてよい。

[00132] 図３１は、リソグラフィ装置が、薄膜温度センサ５００に加えて、もしくはその代わりに、非接触温度センサ３１１を備えることができる実施形態を示す。非接触温度センサ３１１は、赤外線温度センサを備えることができる。一実施形態では、非接触温度センサ３１１は、赤外線センサの配列を備える。センサは、格子５０に対面してよい。例えば、格子５０が基板テーブルＷＴの上部面上に配置される一実施形態では、非接触温度センサ３１１は、下方へ格子５０と対面してよい。

[00133] 非接触温度センサ３１１は、図２９および図３０に示されるように、基準フレームＲＦに取り付けられてよく、あるいは、接触型温度センサ３１１は、基準フレームＲＦとは別の測定フレームに取り付けられてもよい。

[00134] 非接触温度センサ３１１は、基板テーブルＷＴの上に配置された赤外線センサのラインを備えることができる。非接触温度センサ３１１は、基板テーブルが非接触温度センサ３１１の下を通過するとき格子５０の温度を測定する。この測定は、例えば、アライメント／焦点の測定段階、露光段階または基板／基板テーブルの交換段階の期間中に実行することができる。

[00135] 一実施形態では、薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００は測定テーブルの表面に与えられる。

[00136] 薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００がバールプレート６００、基板テーブルＷＴまたはセンサ２６１の表面に与えられる場合、ヒータ４００および／または温度センサ５００は複数の様々な方法によって与えることができる。

[00137] ヒータ４００および／または温度センサ５００は、適切な表面上に貼り付けることができる。ヒータ４００および／または温度センサ５００の間の、のりの層は、接触抵抗を低減するためにできるだけ薄くするべきである。のりはポリマーを含んでよい。のりは、少なくとも１つの金属および／またはカーボンファイバをさらに含んでよい。この目的は、のりを、導電性にすることおよび／またはより熱伝導性にすることである。のりは、圧力感応性接着剤でもよい。これは、のりに圧力が印加されたとき、のりの層がより薄くなることを意味する。のりは接着剤と称されてもよい。

[00138] 薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００を表面に与える代わりのやり方に、表面上にコーティングとして網状のヒータ４００および／またはセンサ５０を形成するものがある。コーティングは、ポジ型フォトレジストまたはネガ型フォトレジストのいずれかを用いることにより形成することができる。

[00139] ポジ型フォトレジストを用いる場合には、ポジ型フォトレジストのコーティングが表面上に与えられる（例えば噴霧される）。ポジ型フォトレジストのコーティングと表面との間に絶縁層があるように、ポジ型フォトレジストのコーティングに先立ってＳｉＯ_２で作製され得る絶縁層が与えられてよい。

[00140] 一旦、ポジ型フォトレジストのコーティングが表面に与えられると、網状のヒータ４００および／または温度センサ５００が与えられないことになっている位置ではコーティングが露光され、それによってそれらの位置でポジ型フォトレジストが硬化する。フォトレジストの残りの部分が除去され、それによって、薄膜が与えられることになっている場所の隙間が開く。例えば白金あるいはチタンと白金との合金で作製され得る薄膜が、表面およびフォトレジストに与えられる。薄膜の望ましくない部分を除去するために、表面上に残っているフォトレジストが、例えば超音波ストリッピング技法によって取り除かれる。結果として、所望の場所に網状の薄膜が得られる。

[00141] フォトレジストの２つの層が与えられる２段階フォトレジスト法が用いられてもよい。フォトレジストの最上層は、薄膜が与えられないことになっている位置では硬化するように露光される。硬化していないフォトレジストの部分を除去することによりフォトレジストが成長するとき、フォトレジストの上部層は、フォトレジストの最上層が基板Ｗの表面に接触しないようにフォトレジストの下部層の上に覆いかぶさる。これによって、フォトレジストの欠陥が低減する。

[00142] ネガ型フォトレジストが用いられる場合、ネガ型フォトレジストの層は表面上にコーティングされる。これは噴霧することによって行われてよい。ネガ型フォトレジスト層より先に絶縁層を与えてもよい。フォトレジストは、薄膜が与えられることになっている領域では露光される。次いで、フォトレジストのこれらの部分が除去される。薄膜材料が表面上に配置される。フォトレジストの残りの部分が取り除かれ、それによって所望のパターンの薄膜材料が残る。

[00143] 表面に薄膜を与えるさらなるやり方に、薄膜材料の片側面にあらかじめ接着剤を与えるものがある。１つの表面にあらかじめ接着剤が与えられた薄膜は、ステッカーと称されてもよい。次いで、ステッカーが表面に与えられてよい。ステッカーの場合には、薄膜材料がポリイミドなどの絶縁材料の中に収容されてよい。具体的には、絶縁材料としてＫａｐｔｏｎ（登録商標）をステッカーに用いることができる。

[00144] 薄膜と表面との間の熱抵抗を低減するために、薄膜が表面に直接結合されるのが望ましい。しかし、表面に薄膜を与えるために、望ましくは熱伝導性の接着剤が用いられてもよい。

[00145] 薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００の材料は、白金または白金合金でよい。薄膜材料は、銅、アルミニウム、銀、金、ならびに金属酸化物および／またはシリコンを含み得る半導体材料のうち少なくとも１つを含んでよい。ステッカー（すなわち、絶縁ハウジングの内部のあらかじめ接着剤を与えられた薄膜）の場合には、とりわけ銅が用いられ得る。薄膜用の材料は、時間が経つにつれて安定するものにするべきである。

[00146] コーティングとして薄膜が表面に与えられる場合、薄膜材料を表面の所望の部分に与える準備をするためにマスクを使用することができる。具体的には、１つまたは複数の薄膜のヒータ４００および／または温度センサ５００がバールプレート６００の表面に与えられるとき、マスクが使用され得る。図２８は、使用され得るマスクを示す。図２８では、太い線が薄膜ヒータ４００の位置を示し、細い線が温度センサ５００の位置を示す。バール３２上に薄膜材料が望ましからず堆積するのを防止するためにマスクが使用される。

[00147] 図２７は、１つまたは複数の薄膜のヒータ４００および／またはセンサ５００を使用することの有効性を示すグラフである。このグラフは、フィンガープリントサイズが、システムの温度を制御するのに使用される調節のタイプに依存して時間の関数として変化する様子を示す４本の線を含んでいる。長い破線のラインは、温度調節が適用されない状況を示す。実線は、温度調節を実行するために（図８に示されるように）熱伝導流体の流路２００が使用される状況を示す。一点鎖線は、図９に示されたような構成を使用した薄膜調節を示す。短い破線のラインは、理想的調節を示す。

[00148] 基板テーブルＷＴの基板サポート領域の下の熱伝導流体の流路２００に流れる熱伝導流体による調節より、薄膜調節の結果の方が、理論的な理想調節にはるかに近いことが明らかである。

[00149] 薄膜技術を使用することの利点は、検知および加熱のラインが表面にうまく接続されることであり、非常に低い接触熱抵抗にもたらす。別の利点に、センサおよびヒータの両方が同一材料から作製され、複数のセンサおよびヒータのまとまったレイアウトを１つのプロセスステップで取り付けることができることがある。

[00150] 熱抵抗が非常に低いので、薄膜センサおよびヒータを有する基板テーブルの熱的シミュレーションは、基板テーブル温度が数ミリケルビンにとどまり得ることを示しており、ほぼ理想的なテーブル調節の概念になっている。熱負荷に対処するために、一実施形態では、基板テーブルは、図１０および図１１に関連して前述されたように上部にヒータおよびセンサを有し、中央に水調節を有する。一実施形態では、基板テーブルＷＴに水調節がない。液浸マシンは冷却負荷が支配的であるため、これが可能である。制御されるセンサおよびヒータの数を最小限にするために、それぞれが１つのセンサとヒータとの組合せから成る１８または２２の領域を有する図１０の以下のレイアウトが適切である。

[00151] もちろん、領域がより多い、もしくはより少ない他のレイアウトが用いられてもよい。１つの行に対するＸ方向のスキャンにかかるのが一般に２秒未満であるので、基板Ｗの全幅にわたって１つのヒータとセンサとの組合せで十分である。Ｙ方向では、一般に１０〜２０秒のより長い時間スケールに対処するのに、より多くの組合せが必要とされる可能性がある。蛇行は、Ｙ方向に動くのに、より長く時間がかかる。センサとヒータとの組合せが反応することができるのは０．５秒以内であり、このため、Ｙ方向のフィールドサイズが制限されることになる。追加の隙間５の蒸発負荷に対処するために、複数の縁端部のヒータとセンサとの組合せ（それぞれ１２または１６の領域）が設けられる。これらの隙間５の気化熱負荷が大幅に低減すれば、縁端部の組合せを省略することができる。次いで、レイアウトは、図１１のようになる。

[00152] １つの領域内のヒータおよびセンサは、例えば図１２に示されるように、その領域の表面全体にわたって均一に分配されるべきである。

[00153] 熱的冷却負荷が、局部的に、かつ短い時間スケールで測定して補正されるので、オーバーレイ性能が向上する。

[00154] 水調節を廃止すると、このとき水ホースおよび流体力学上の圧力パルスが存在しないので有利であり、これによって、より薄い基板テーブルが可能になり、スキャンアップ−スキャンダウン問題がより低減される。

[00155] １つまたは複数の薄膜のヒータ４００および／または温度センサ４００を用いることのさらなる利点に、それらが他のタイプのヒータまたは温度センサより質量が小さいことがある。これは、そうでない場合より小さい質量を有する基板テーブルＷＴをもたらす。

[00156] 本発明の一実施形態は、直径３００ｍｍの基板Ｗおよび直径４５０ｍｍの基板Ｗのどちらにも適用可能である。直径４５０ｍｍの基板については、センサ４００／ヒータ５００の数が増加することになる。中央のセンサ４００／ヒータ５００は、Ｘが４５０ｍｍであってＹが引き続き５０ｍｍということになり、Ｙ方向で９組のセンサ４００／ヒータ５００が存在することになり、一方、直径３００ｍｍの基板については、Ｙ方向で６組のセンサ４００／ヒータ４００が存在する。縁端部のセンサ４１０／ヒータ５１０は、直径３００ｍｍの基板と類似のパターンを有することになり、２１組または２５組のセンサ４１０／ヒータ５１０になる（すなわち、直径３００ｍｍの基板は１８組または２２組のセンサ／ヒータを有する可能性がある）。

[00157] 基板サポート領域の中央部分内のヒータおよび／または温度センサの数は、一実施形態では、全体的な温度補正に対して（例えば多くの領域を対象にして）１つだけでよい。別の実施形態では、ヒータおよび／または温度センサである多くのセンサ４００／ヒータ５００（例えばダイサイズ２６ｍｍ×３２ｍｍにつき１組のセンサ４００／ヒータ５００）を有する「チェックボード」が、局部補正のために存在し得る。

[00158] １つのダイ内の温度センサおよびヒータのラインは、必ずしもダイの方向と整列しない。ラインの長さ、ラインの幅、バールパターンおよびワイヤ接続ポイントが、レイアウトを決定することになる。

[00159] 縁端部のヒータおよび／またはセンサは、バールプレート６００のバール内もしくはバール外、または側縁部上、または基板テーブルリング上にあってよい。

[00160] 以下は本発明の諸態様である。

[00161] ａ）一体型のヒータおよび／または温度センサの帯が最適化されており、標準的な液浸フードの経路が変化する場合、ヒータおよび／または温度センサの最適な機構を変えることができる。

[00162] ｂ）テーブル表面の端から端までヒータを有する。

[00163] ｃ）テーブル表面の端から端までセンサを有する。

[00164] ｄ）テーブルの表面にわたって、互いに一体化されたセンサおよびヒータを有する。

[00165] ｅ）バールと一体化されたセンサおよび／またはヒータを有する。

[00166] ｆ）センサおよび／またはヒータを薄膜として有する。

[00167] ｇ）既存のウェーハ縁端部ヒータ、２相テーブル制御、および／または内部流体調節システムを有する一体化されたセンサ／ヒータを使用する。

[00168] ｉ）基板サポートの片側または両側にシステムが存在する。

[00169] ｊ）センサおよびヒータを一体化するための最適な機構である。

[00170] ヒータ４００および／または温度センサ５００は、上面図において任意の形状であり得る。図１３は、ヒータ４００および／またはセンサ５００が、蛇行した経路を形成するラインを備える一実施例を示す。ヒータ４００およびセンサ５００は、（例えば図１２のように）互いに関連付けられ得る。ヒータ４００およびセンサ５００の上面図における形状は、実質的に同一であっても同一でなくてもよい。

[00171] 図１４は、センサ５００および／またはヒータ４００のさらなる形状を示す上面図である。図１４の場合、上面図におけるセンサ５００および／またはヒータ４００の全体的形状は、回路を形成するために互いに結合された同心円の形状になっている。

[00172] 図１３および図１４のヒータ４００／センサ５００の実施形態は、特に図１９を参照しながら以下で説明されるような、あるいは図１６および図１７を参照しながら以下で説明される微小電気機械的システム（ＭＥＭＳ）としての、自動調整の熱システムの形式で、ヒータ４００および関連するセンサ５００を形成する１つのラインから形成することができる。

[00173] 図１５の実施形態は、ヒータ４００およびセンサ５００が分離したラインであって、両方が同心の混ざり合った円板として形成される実施形態である。

[00174] 自動調整システムは、温度の局部変化によってヒータを作動させるかまたは停止させるデバイスである。このヒータは、温度の局部変化から離れたところにはいかなる外部入力もなく、適切な場所へ、適切な時間に所望の熱補償をもたらす。一般に、自動調整のデバイスを作製するのに、（ｉ）ＭＥＭＳスイッチを有するヒータと、（ｉｉ）その電磁（ＥＭ）特性と温度との間に強い非線形の関係を有する自動調整材料で作製されたヒータとの２つのやり方がある。

[00175] これらのデバイスはわずか数マイクロメートルの厚さであり、その製造は、とりわけ、高度な直接描画あるいは金属および誘導体の堆積、フォトリソグラフィ、湿式エッチングおよび乾式エッチング、電気めっきおよび非電着性めっき、拡散およびイオン注入などの薄膜技術によって行うことができる。自動調整デバイスの寸法が縮小したために、自動調整デバイスを、任意の構成、数（数千程度）、幾何形状、または任意の表面に対して容易に配置することができる。

[00176] このシステムは、とりわけ、レーザ調節を用いて材料を除去する、アクチュエータを作り変える、あるいは（可能であれば）その材料の結晶度を変化させることにより調節することができる。複雑な表面の場合には、自動調整システムは、最初に薄いフラットフィルム上で組み立て、次いで最終面に転写することができる。

[00177] ヒータ４００および／または温度センサ５００は、自動調整の熱システムを形成することができる。すなわち、遠隔制御器によって、ヒータ４００に制御信号を供給する必要はなく、温度センサ５００から信号を受け取る必要もない。代わりに、ヒータ４００および／または温度センサ５００に電圧が印加され、次いで個別のコントローラを必要とすることなく局部温度変化を補償する。

[00178] 自動調整熱システムの形式の１つに、図１６および図１７を参照しながら以下で説明されるＭＥＭＳベースの自動調整ヒータがある。さらなる形式の１つに、図１８、図１９および図２０を参照しながら説明されるＥＭ温度ベースの自動調整ヒータがある。

[00179] ＭＥＭＳヒータ４００は、ＭＥＭＳセンサ５００によって作動および／または停止するヒータである。一実施形態では、センサ５００はスイッチである。スイッチは、正の熱膨張率の材料、または負の熱膨張率の材料、またはバイメタル材料で作製することができる。図１６は、ＭＥＭＳベースの自動調整ヒータ４００およびセンサ５００を示す断面図である。図１７は、図１６の温度センサ５００の詳細を示す。

[00180] 図１６で、ヒータ４００は温度センサ５００と直列に接続される。温度センサ５００は、自動調整スイッチの形式である。正もしくは負の熱膨張率の材料６００またはバイメタル材料が、スイッチを作動させる。センサを構成するのに有用な材料は、シリコン、ポリシリコンまたは窒化シリコンなどのシリコン化合物または金などの金属を含む。材料６００の熱膨張および／または熱収縮によって、特定の温度より高いかまたは低いとスイッチが開き（図１７の上部の図）、あるいはその特定の温度より低いかまたは高いと、反対にスイッチが閉じる。スイッチが閉じると、電流がヒータ４００を通って流れる。一実施形態では、例えば冷却の期間中、ヒータ４００が電源に接続され、温度の変化が生じるとき、ＭＥＭＳスイッチは回路を閉じる。次いで、電流がヒータ４００を通って流れ、ヒータ４００が形成されている表面を暖める。温度が上昇すると、スイッチの材料６００は、スイッチが開いて電流がヒータ４００を流れなくなり加熱が停止するまで、変形（膨張、収縮または選択された材料に左右される曲げ）し始める。

[00181] ＭＥＭＳ構造体の寸法形状は、機能（例えば過熱保護およびスイッチの生産性の改善を含む）次第で変化し得る。望ましくは、ＭＥＭＳスイッチは、ヒータ４００によってもたらされた温度変化に迅速に反応するために、ヒータ４００のレイアウトに隣接するかまたはその内部にある。図１４の実施形態は、図１４の実施形態がＭＥＭＳベースの自動調整ヒータであるとき、ＭＥＭＳのセンサ／スイッチを配置するのに適切であり得る位置７００を示す。

[00182] 一実施形態では、自動調整ヒータはＥＭ温度ベースの自動調整ヒータでよい。この実施形態には、表面上にラインを１つだけ配置すればよいという利点がある（ＭＥＭＳの実施形態にもこの利点がある）。

[00183] 自動調整材料（例えば半導電性ポリマー）で作製されたヒータ４００は、周囲温度に応答してそのＥＭ特性が変化するとき停止するかまたは作動するので、センサ５００およびスイッチとしても働くことができる。図１８は、自動調整ヒータの抵抗（Ｙ軸）が（Ｘ軸に沿った）温度の関数として変化する一実施例を示す。したがって、電気的ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータが電源（例えば一定電圧のもの）に接続される場合、次いで、例えば冷却の期間中、温度変化の下で自動調整材料の電気抵抗はかなり低下する。このプロセスによって電流がヒータを通って流れることが可能になり、表面を暖める。熱によってヒータおよびその周囲の温度が上昇し、それによって、所与の温度で電流が完全に停止するまで電気抵抗が増加する。この状況は、加熱プロセスを停止させる。

[00184] 図１９に示されるように、表面上に熱伝導性かつ導電性の層８００を配置し、次いで自動調整材料の膜８１０および最上部の導電性であるが同様に絶縁する層８２０を配置することにより、ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータを構成することができる。

[00185] ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータは、上面図において任意の形状を有することができる。実際、ヒータは、ライン形式である必要性はなく、図２０の斜視図に示されるようにブロック形式であり得る。図２０に、ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータ４２０から成るヒータ／温度センサが示されている。中央の電気的接続４５０は、すべてのＥＭ温度自動調整ヒータ４２０に共通であり、また、電気回路を完成するために、ＥＭ温度ベースの自動調整ヒータ４２０の両側の２つの電極４６０を使用することができる。

[00186] 自動調整の基板テーブルＷＴにより、液体の蒸発による基板Ｗ上の不均一な温度を補正することができる。バールプレート６００の上部面または下部面に、自己加熱デバイスを配置することができる。例えば小滴であるコールドスポットの存在下で、それらの区域により近い電気的ヒータ４００は、バールを介した熱伝導によって基板を熱的に補償するために自己作動する。基板テーブルＷＴに電力を供給するのに必要とされるのは２本のワイヤだけである。このシステムは、基板テーブルＷＴの重さをかなり低減することができ、一方、複数の自動調整ヒータ４００がその上に配置されていることにより信頼性が向上する。

[00187] ヒータ４００および／または温度センサ５００は、上記では、基板テーブルＷＴの表面に、基板Ｗのサポート領域に隣接して与えられるものと説明されている。しかし、本発明の一実施形態は、リソグラフィ装置、詳細には投影装置、より詳細には液浸リソグラフィ投影装置の任意の表面に対して適用することができる。図２１および図２２は、ヒータ４００および／または温度センサ５００がリソグラフィ装置内に配置され得る様々な異なる位置を示す。

[00188] 図２１は、基板テーブルＷＴの上面図である。基板サポート領域に隣接したヒータ４００および温度センサ５００の位置は、すでに論じられている。他の場所には、任意のセンサ１０００のまわり、特に任意のセンサ１０００の縁端部のまわりがあり得る。これは、センサ１０００の縁端部と基板テーブルＷＴの縁端部との間に隙間があり得て、この隙間が、ここから液体を除去するために負圧に保たれ、それによって大きな蒸発損失があり得るからである。例えば、センサ１００は、透過画像センサ（ＴＩＳ）またはＩＬＩＡＳセンサでよい。別の領域は、ダミー基板１１００のまわりのドレインであり得る。ダミー基板１１００は、例えば基板交換の期間中、投影システムＰＳの下にダミー基板１１００を配置することにより、流体ハンドリングシステム１２の底を閉じるように使用される。それによって、流体ハンドリングシステム１２を、例えば基板交換の期間中オン状態に維持することができ、このことは、投影システムＰＳの最終エレメント上の汚れを乾燥させないようにする点で有利である。例えば基板交換の期間中、流体ハンドリングシステム１２を稼動状態に維持することが可能な別のやり方に、基板テーブルＷＴ上に交換ブリッジ１２００を設けるものがある。交換ブリッジ１２００は、例えば、新規の第２の基板テーブルＷＴが第１の基板テーブルＷＴに取って代わる期間中、基板テーブルＷＴから（任意選択で伸縮自在に）延びて流体ハンドリングシステム１２の下に移動することができる表面をもたらす表面である。基板テーブルＷＴの上面と交換ブリッジ１２００の上面との間の隙間には、隙間に入ってくるいかなる液体も除去する負圧源が備わっていてよい。この領域には、本明細書で説明したヒータおよび／またはセンサ、ならびに基板テーブルＷＴ自体の上面が交換ブリッジ１２００に隣接して備わっていてよい。例えば基板交換の期間中、交換ブリッジ１２００は、第２の基板テーブルＷＴと係合する。交換ブリッジ１２００が基板テーブルＷＴと係合することになるさらなる領域１３００にも、交換ブリッジ１２００と基板テーブルＷＴとの間の隙間の間にある液体を除去するための負圧源が備わっている。この領域１３００には、本明細書で説明されたヒータおよび／または温度センサが備わっていてよい。

[00189] 図２２は、前述のそれらの領域ならびに流体ハンドリングシステム１２および投影システムＰＳ示す。本明細書で説明されたヒータおよび／または温度センサを利用することができる流体ハンドリングシステム１２の表面は、使用中に液浸液と接触する任意の表面を含む。これらは、流体ハンドリングシステム１２の下面４０、使用するとき投影システムＰＳの最終端と基板Ｗとの間に液体が保持される空間を画定する内側の面４２、ならびに上面４４を含む。上面４４は、液浸液および具体的には流体ハンドリングシステム１２と投影システムＰＳの最終エレメントとの間に延在する液体のメニスカスに接触することができる。上面４４上のメニスカスの位置が移動するとき、気化熱負荷が上面４４に加えられることがあり、その結果、ヒータおよび／または温度センサが有用にそこに配置され得る。類似の理由で、投影システムＰＳと流体ハンドリングシステム１２との間にメニスカスが配置され得る投影システムＰＳの縁端部のまわり、あるいは、はねが生じる可能性がある場所にヒータおよび／または温度センサを設置してよい。例えば、ヒータおよび／または温度センサは、投影システムＰＳの最終エレメントの外側縁端部のまわりに配置することができる。

[00190] 前述の薄膜ヒータ４００は、表面上の一部分にわたって温度の平均をとるのではなく表面上の単一ポイントの温度を測定する温度センサと組み合わせることができる。例えば、図２３、図２４および図２５は、本発明の一実施形態によって使用することができる、表面上の単一ポイントの温度を測定するように構成された温度センサを示す。

[00191] 図２３は、本発明の一実施形態を示す。図２３は、温度センサ５００が、流路２００または基板テーブルＷＴに取り付けられ得る様子を示す。温度センサ５００が取り付けられている部分には、参照数字１３１が与えられている。温度センサ５００は、部分１３１の温度を測定するように構成されている。部分１３１は、例えば流路２００または基板テーブルＷＴでもよい。しかし、部分１３１は、リソグラフィ装置の任意の表面でよい。温度センサ５００は、部分１３１の表面上にある。温度センサ５００は、熱伝導性ペースト１３２によって表面に取り付けられている。

[00192] 温度センサ５００は、サーミスタまたは他の温度計機器を備えてよい。図２３に示された構成によれば、温度センサ５００は、部分１３１に対して直接押しつけられる。温度センサ５００と部分１３１との中間に熱伝導性ペースト１３２を与えることができる。このペーストは熱伝導性のりでよい。温度センサ５００は、少なくとも１つのリード１３３によって電気アセンブリ１３４に接続される。電気アセンブリ１３４は、温度センサ５００から温度の読取値を得る。電気アセンブリ１３４はＰＣＢでよい。一実施形態では、温度センサ５００は、リード１３３を必要とすることなく電気アセンブリ１３４上に直接実装される。

[00193] 図２３に示された構成の欠点は、温度の測定が望まれる正確な位置に温度センサ５００を位置決めするのが困難であり得ることである。これは、部分的には、温度センサ５００が実装される電気アセンブリ１３４の存在、または温度センサ５００を電気アセンブリ１３４に接続するリード１３３の存在のためである。リード１３３が温度センサ５００に対して圧力をかけるといった、さらなる欠点がある。これは、温度センサによって行われる温度測定に悪影響を及ぼすおそれがある。

[00194] 温度センサ５００は、半導体材料で作製することができる。温度センサ５００は、１つの位置の温度を測定するように構成される。

[00195] 図２４および図２５は、部分１３１に温度センサ５００を取り付けるための図２３の構成の代替案を示す。図２４は、この構成の側面図である。図２５は、この構成の上面図である。

[00196] サーミスタであり得る温度センサ５００が、温度が測定されることになっている位置で部分１３１に取り付けられている。この位置では、部分１３１は、導電性コーティング１４１でコーティングされている。温度センサ５００は、コーティング１４１を介して電気アセンブリ１３４に接続される。温度センサ５００は、部分１３１の表面上にある。温度センサ５００は、コーティング１４１を介して表面に接続される。一実施形態では、温度センサ５００は、コーティング１４１およびのりの層１３２を介して表面に接続される。

[00197] 望ましくは、導電性コーティングは熱伝導性である。図２５で最も明白に見られるように、導電性コーティング１４１はパターンの形をとる。コーティング１４１のパターンの目的は、導電性コーティング１４１が適切な位置で電気アセンブリ１３４に接続されるのを可能にすることである。例えば、適切な位置は、電気アセンブリ１３４または電気アセンブリ１３４に接続するべきリード１３３のために、より大きな空間がある場所であり得る。このために、コーティング１４１は、少なくとも１つの細長い部分を備えることができる。

[00198] 導電性コーティング１４１は、部分１３１および／または温度センサ５００に対して電気的シールドをもたらす。このようにして、さらなる製造ステップなしで電気的シールドを設けることができる。温度センサ５００からの測定信号は、電気アセンブリ１３４によって読み取られ、同アセンブリは、コーティング１４１に直接接続されるかまたはリード１３３を介して間接的に接続されてよい。

[00199] 温度センサ５００は、コーティング１４１に直接取り付けることができる。温度センサ５００は、コーティング１４１の中に埋め込まれてもよい。一実施形態では、温度センサ５００は、結合層１３２を介してコーティング１４１に接続される。結合層１３２は、熱伝導性接着剤（すなわちのり）で形成することができる。結合層１３２は、はんだ付け用の材料で形成することができる。望ましくは、結合層１３２の厚さは１０μｍ未満である。

[00200] 温度センサ５００とコーティング１４１との間に隙間１４２を設けることができる。隙間１４２の目的は、短絡を防止することである。コーティング１４１は、２つのコーティング部分で形成される。それぞれの部分が、温度センサ５００に電力を供給し、および／または温度センサ５００から信号を受け取るための電極として働く。隙間１４２は、２つのコーティング部分を互いに分離する。隙間１４２は、電気的絶縁材料を充填されてよい。

[00201] コーティングの厚さは、１０μｍ未満、５μｍ未満、３μｍ未満、または０．２μｍと２．０μｍとの間である。

[00202] 導電性コーティング１４１は、白金、もしくはより優位には、例えば白金合金で作製することができる。コーティング１４１は、銅、アルミニウム、銀および金のうち少なくとも１つを含んでよい。

[00203] 電気アセンブリ１３４と温度センサ５００との間の仲介物としてコーティング１４１を使用する同じ方式を、温度センサ５００の代わりにヒータ４００がある状況で用いることができる。

[00204] 一実施形態では、結合層１３２が存在しない。温度センサ５００は、コーティングとして堆積されてよい。一実施形態では、コーティング１４１と温度センサ５００とは、前述の位置から位置を交替され得る。温度センサ５００は、部分１３１に直接取り付けられてよい。

[00205] 本発明の一実施形態が液浸リソグラフィ装置を参照しながら説明されてきたが、必ずしもそうである必要はない。他のタイプのリソグラフィ装置は、基板の縁端部のまわりの冷却（または加熱）が不均一となるおそれがある。例えば、ＥＵＶ装置（極端紫外線装置）では、投影ビームの衝突による加熱が起こる可能性がある。これは、どちらかと言えば、局部的液体供給システムの下の基板の縁端部の通路が冷却効果を与えることがあるのと同様に、基板に局部的加熱を与えることがある。流路２００内の熱伝導流体が正常運転条件における所望の温度に対して小さなマイナスの温度オフセットを与えられた場合、すべてのヒータが、所望の温度を得るためにオンになり得る。次いで、ヒータのスイッチを切ることにより局部冷却負荷を与えることができる。この状況では、基板の縁端部にある諸ヒータのみの局部化も限定されてよく、諸ヒータは、それに加えて、もしくはその代わりに、基板サポート領域の中心から様々な半径方向距離に配置されてもよい。しかし、この場合にも前述の同じ方式が適用される。

[00206] したがって、理解され得るように、本発明の一実施形態は多くのタイプの液浸リソグラフィ装置において実施することができる。例えば、本発明の一実施形態は、Ｉラインのリソグラフィ装置において実施することができる。

[00207] 一態様では、表面上にヒータおよび／または温度センサを備えたリソグラフィ装置が提供される。

[00208] 一実施形態では、該表面は、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブル、流体ハンドリングシステム、投影システム、位置測定デバイスの格子もしくはセンサの表面、および／または交換ブリッジから選択された少なくとも１つのものの表面である。

[00209] 一実施形態では、該表面は、基板サポート領域、センサ、または交換ブリッジに隣接する、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブル上の表面である。

[00210] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板を支持するためのバールプレートをさらに備え、ヒータおよび／または温度センサが形成される該表面がバールプレートの表面である。

[00211] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは、バールプレート上でバール間に形成される。

[00212] 一実施形態では、該表面は、投影システムの最終エレメントの表面である。

[00213] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは、薄膜のヒータおよび／または温度センサである。

[00214] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは、接着剤を使用せずに表面へ直接結合される。

[00215] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは、上面図において屈折した経路をたどるラインとして形成される。

[00216] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは白金で形成される。

[00217] 一実施形態では、温度センサは、温度センサが与えられているコンポーネント上の導電性コーティングを介して流路の温度センサからの測定値を間接的に読み取るための電気アセンブリに接続される。

[00218] 一態様では、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブルを備えるリソグラフィ投影装置が提供され、この基板テーブルは、基板サポート領域の中央部分に隣接する複数のヒータおよび／または温度センサを備え、これら複数のヒータおよび／またはセンサは細長いものである。

[00219] 一実施形態では、複数のヒータおよび／またはセンサは、実質的に平行な方向に細長くなっている。

[00220] 一実施形態では、複数のヒータおよび／またはセンサは、１つの縁端部から反対側の縁端部まで、基板サポート領域にわたって延在する。

[00221] 一実施形態では、複数のヒータは、所与のヒータおよび／または温度センサが基板の結像の期間中投影システムの下にある時間が、ヒータおよび／またはセンサのその細長い方向が第１の方向に対して垂直に配向された場合より短くなるような第１の方向に細長くなっている。

[00222] 一実施形態では、第１の方向は、時間が最短になる方向である。

[00223] 一実施形態では、複数のヒータおよび／または温度センサは薄膜から成る。

[00224] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板を支持するためのバールプレートをさらに備え、バールプレートの表面上に複数のヒータおよび／または温度センサが形成される。

[00225] 一実施形態では、複数のヒータおよび／または温度センサは、バールプレート上でバール間に形成される。

[00226] 一実施形態では、複数のヒータおよび／または温度センサは、バールプレートの上部および／または下部に配置される。

[00227] 一実施形態では、複数のヒータおよび／または温度センサは、上面図において材料のラインから成り、これは上面図において屈折した経路の中で蛇行する。

[00228] 一実施形態では、基板テーブルは、基板サポート領域の縁端部の様々な部分に隣接した複数の縁端部ヒータ、および／または気相および液相の両方の流体を含む基板テーブル内のチャンバ、および／または基板サポート領域に隣接した、熱調節流体を通すための通路をさらに備える。

[00229] 一実施形態では、基板テーブルは、基板上の１つのダイにつき１つのヒータおよび／または温度センサを備える。

[00230] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、複数のヒータおよび複数の温度センサを備える。

[00231] 一実施形態では、複数のヒータおよび複数の温度センサは、上面図において、２次元のグリッドにレイアウトされる。

[00232] 一実施形態では、各ヒータは、対応する温度センサと一体化される。

[00233] 一実施形態では、複数のヒータのそれぞれは、複数の温度センサのうちの対応する１つに関連付けられる。

[00234] 一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサは、自動調整の熱システムを形成する。

[00235] 一実施形態では、自動調整の熱システムは、温度の局部変化によってヒータを作動させるかまたは停止させるように構成される。

[00236] 一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサは、微小電気機械システムを形成する。

[00237] 一実施形態では、関連するセンサは、熱的に作動するスイッチを備える。

[00238] 一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサは、一定の印加電圧において温度の変化が熱出力の変化をもたらすように、温度の関数として変化する電磁特性を有する自動調整のヒータである。

[00239] 一態様では、基板サポート領域上に基板を支持するように構成され、ヒータおよび／または１つの縁端部から反対側の縁端部まで基板サポート領域にわたって延在する温度センサを備えた基板テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[00240] 一態様では、互いに一体化されたヒータおよび温度センサを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[00241] 一実施形態では、ヒータおよび温度センサは表面上に形成される。

[00242] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、基板を支持するためのバールプレートをさらに備える、ヒータおよび温度センサが形成される該表面がバールプレートの表面である。

[00243] 一態様では、基板サポート領域上に基板を支持し、基板サポート領域に隣接する表面上にヒータおよび／または温度センサを支持するように構成された基板テーブルが提供される。

[00244] 一態様では、液浸リソグラフィ投影装置における局部的熱負荷を補償する方法が提供され、この方法は、局部的熱負荷を補償するための、ヒータを制御するかまたは温度センサからの信号を用いる工程であって、ヒータおよび／または温度センサが表面上に存在する工程を含む。

[00245] 一実施形態では、ヒータおよび関連するセンサが、自動調整の熱システムを形成する。

[00246] 一態様では、表面上の導電性コーティング、ならびに同コーティングに接続されたヒータおよび／または温度センサを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[00247] 一実施形態では、電気アセンブリが、コーティングを介してヒータおよび／または温度センサに電気的に接続される。

[00248] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは、結合層によってコーティングに接続される。

[00249] 一実施形態では、結合層は接着剤を含む。

[00250] 一実施形態では、結合層は、はんだ付け用の材料を含む。

[00251] 一実施形態では、表面とヒータおよび／または温度センサとの間に電気的絶縁の隙間が設けられる。

[00252] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサはコーティングに埋め込まれている。

[00253] 一実施形態では、コーティングは、白金、銅、アルミニウム、銀、金および半導体材料の少なくとも１つを含む。

[00254] 一実施形態では、ヒータおよび／または温度センサは、上面図では全体として実質的にコーティングの中にある。

[00255] 一実施形態では、コーティングはパターニングされる。

[00256] 一実施形態では、コーティングは少なくとも１つの細長い部分を含む。

[00257] 一実施形態では、コーティングは、少なくとも２つの別個のコーティング部分から形成される。

[00258] 一実施形態では、コーティングは電極である。

[00259] 一実施形態では、コーティングは、ヒータおよび／または温度センサに電力を供給するか、もしくはヒータおよび／または温度センサから電気信号を受け取るように構成される。

[00260] 一実施形態では、コーティングの厚さは、１０μｍ未満、５μｍ未満、３μｍ未満、または１μｍ未満である。

[00261] 本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケールのフィーチャ、またはナノスケールのフィーチャさえ、コンポーネントの製造における他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあれば、それは、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、例えば、トラック（一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。

[00262] 本明細書において使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。

[00263] 用語「レンズ」は、背景が許す場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか１つまたは組合せを意味することができる。

[00264] 以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明されている方法以外の方法で実践することも可能であることが理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することができる。これらの複数のコンピュータプログラムは、１つまたは複数の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体上に記憶することができる。

[00265] 前述の諸コントローラは、信号を受け取り、処理し、かつ、送信するのに適した任意の構成を有している。例えば、コントローラの各々は、前述の方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含むことができる。これらのコントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体、および／またはこのような媒体を受け入れるためのハードウェアも含むことができる。

[00266] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局部表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板および／または基板テーブル上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および／または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび／または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸流体を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。

[00267] 本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または１つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができ、この空間に液体を供給する。一実施形態では、この空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および／または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択で、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための１つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。

[00268] 前述の説明は、例示であり、限定しないように意図されている。したがって、当業者には明らかなことであろうが、以下で明らかにされる特許請求の範囲から逸脱することなしに、説明された本発明に修正が加えることができる。

[0097] 図８に示されるように、加熱エレメント２５０は、チャンバ１４０の下またはチャンバ１４０の両側に配置することができる。ヒータ２５０のための他の適切な位置がある可能性がある。

[00200] 温度センサ５００とコーティング１４１との間に隙間１４３を設けることができる。隙間１４３の目的は、短絡を防止することである。コーティング１４１は、２つのコーティング部分で形成される。それぞれの部分が、温度センサ５００に電力を供給し、および／または温度センサ５００から信号を受け取るための電極として働く。隙間１４３は、２つのコーティング部分を互いに分離する。隙間１４３は、電気的絶縁材料を充填されてよい。

Claims (24)

1. 表面上にヒータおよび／または温度センサを備えるリソグラフィ装置。
2. 前記表面が、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブル、流体ハンドリングシステム、投影システム、位置測定デバイスの格子もしくはセンサの表面、および／または交換ブリッジから選択された少なくとも１つのものの表面である請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記表面が、基板サポート領域上に基板を支持するように構成された基板テーブル上の表面であり、前記基板サポート領域、センサ、または交換ブリッジに隣接する請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記基板を支持するためのバールプレートをさらに備え、前記ヒータおよび／または温度センサが形成される前記表面が前記バールプレートの表面である請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記ヒータおよび／または温度センサが、バール間の前記バールプレート上に形成される請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記表面が、投影システムの最終エレメントの表面である請求項２に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記ヒータおよび／または温度センサが、薄膜のヒータおよび／または温度センサである請求項１から６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記ヒータおよび／または温度センサが、接着剤を使用していない表面に直接結合される請求項１から７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記ヒータおよび／または温度センサが、平面で、屈折した経路をたどるラインとして形成される請求項１から８のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記ヒータおよび／または温度センサが白金で形成される請求項１から９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記温度センサが、前記温度センサが与えられているコンポーネント上の導電性コーティングを介して流路の温度センサからの測定値を間接的に読み取るための電気アセンブリに接続される請求項１から１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記基板テーブルは、基板サポート領域の縁端部の様々な部分に隣接した複数の縁端部ヒータ、および／または気相および液相の両方の流体を含む基板テーブル内のチャンバ、および／または基板サポート領域に隣接した、熱調節流体を通すための通路をさらに備える請求項１から１１のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
13. 前記基板テーブルは、基板上の１つのダイにつき１つのヒータおよび／または温度センサを備える請求項１から１２のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
14. 複数のヒータおよび複数の温度センサを備える請求項１から１３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
15. 前記複数のヒータおよび複数の温度センサは、面内において、２次元のグリッドにレイアウトされる請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記各ヒータは、対応する温度センサと一体化される請求項１４または１５に記載のリソグラフィ装置。
17. 前記複数のヒータのそれぞれは、複数の温度センサのうちの対応する１つに関連付けられる請求項１４から１６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記ヒータおよび関連するセンサは、自動調整の熱システムを形成する請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
19. 前記自動調整の熱システムは、温度の局部変化によってヒータを作動させるかまたは停止させるように構成される請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
20. 前記ヒータおよび関連するセンサは、微小電気機械システムを形成する請求項１８または１９に記載のリソグラフィ装置。
21. 前記関連するセンサは、熱的に作動するスイッチを備える請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
22. 前記ヒータおよび関連するセンサは、一定の印加電圧において温度の変化が熱出力の変化をもたらすように、温度の関数として変化する電磁特性を有する自動調整のヒータである請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
23. 液浸リソグラフィ投影装置における局部的熱負荷を補償する方法であって、
    局部的熱負荷を補償するための、ヒータを制御するかまたは温度センサからの信号を用いることを含み、前記ヒータおよび／または温度センサが表面上に存在する方法。
24. 前記ヒータおよび関連するセンサが、自動調整の熱システムを形成する請求項２３に記載の方法。