CN104614951B - 曝光装置和曝光方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种曝光装置和曝光方法，该曝光装置包括：承载基台，其中承载基台用于承载待曝光基板，承载基台包括：若干个承载单元，待曝光基板被划分为与承载单元一一对应的若干个调节区域，承载单元中设置有温度调节模块，温度调节模块用于调节待曝光基板上对应的调节区域的温度，以使待曝光基板上对应的调节区域产生相应的热膨胀。本发明的技术方案通过调节待曝光基板上各调节区域的温度，以使得待曝光基板上各调节区域产生相应的热膨胀，从而对各调节区域的上表面的光强进行调节，从而能有效的保证待曝光基板的上表面的光强的均匀分布。

Description

曝光装置和曝光方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种曝光装置和曝光方法。

背景技术

在显示面板的制备过程中，光刻工艺是一项十分重要的工艺。目前的光刻工艺通常包括：涂敷光刻胶、前烘、曝光、显影以及后烘。其中，涂敷光刻胶是在前工序成膜后的基板上涂敷光刻胶；前烘是预热光刻胶，以及去除光刻胶的水分，增加光刻胶与基板之间的附着力；曝光是采用曝光光线通过掩膜板照射在光刻胶上，将光刻胶感光；显影是通过显影液将感光部分的光刻胶去除掉，从而形成所需要的图案；后烘是将图案中未感光的光刻胶固化，同时增加与基板之间的附着力。

其中，在进行曝光时需要使用到曝光装置。现有的曝光装置一般包括：光源和承载基台，其中光源用于提供平行的曝光光线，承载基台用于承载待曝光基板，平行的曝光光线通过与待曝光基板相匹配的掩模板后均匀照射至待曝光基板，并在待曝光基板上形成与掩模板一致的图形。然而，在实际曝光过程中，由于环境等因素的干扰，使得到达至待曝光基板的上表面的光强不是均匀的。

为解决上述技术问题，现有技术中往往采用如下两种方案。其一，调整掩模板局部的弯曲度；其二，在曝光光线的光路中增光路调整单元。

然而，当对掩模板局部的弯曲度进行调整时，由于要对掩模板进行精细的调整，因此调整过程十分复杂和缓慢；当在曝光光线的光路中增光路调整单元时，会造成曝光装置的复杂度以及成本的上升。

发明内容

本发明提供一种曝光装置和曝光方法，可有效的保证到达至待曝光基板的上表面的光强是均匀。

为实现上述目的，本发明提供了一种曝光装置，包括：承载基台，所述承载基台用于承载待曝光基板，所述承载基台包括：若干个承载单元，所述待曝光基板被划分为与所述承载单元一一对应的若干个调节区域，所述承载单元中设置有温度调节模块，所述温度调节模块用于调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度，以使所述待曝光基板上对应的所述调节区域产生相应的热膨胀。

可选地，所述承载单元的数量为16个，全部所述承载单元呈4×4矩阵排布。

可选地，还包括：光强检测单元，所述光强检测单元用于检测所述待曝光基板中各所述调节区域的上表面的光强。

可选地，还包括：光强比较单元，所述光强比较单元用于比较所述调节区域的上表面的光强是否大于预设光强；

若比较出所述调节区域的上表面的光强大于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调低；

若比较出所述调节区域的上表面的光强小于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调高；

若比较出所述调节区域的上表面的光强等于预设光强时，则所述温度调节模块维持所述调节区域的温度不变。

为实现上述目的，本发明还提供了一种曝光方法，所述曝光方法基于曝光装置，所述曝光装置包括：承载基台，所述承载基台用于承载待曝光基板，所述承载基台包括：若干个承载单元，所述待曝光基板被划分为与所述承载单元一一对应的若干个调节区域，所述承载单元中设置有温度调节模块；

所述曝光方法包括：

所述温度调节模块调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度，以使所述待曝光基板上对应的所述调节区域产生相应的热膨胀。

可选地，所述承载单元的数量为16个，全部所述承载单元呈4×4矩阵排布。

可选地，所述曝光装置还包括：光强检测单元；

所述温度调节模块调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度的步骤之前还包括：

所述光强检测单元检测所述待曝光基板中各所述调节区域的上表面的光强。

可选地，所述曝光装置还包括：光强比较单元；

所述光强检测单元检测所述待曝光基板中各所述调节区域的上表面的光强的步骤之后还包括：

光强比较单元比较所述调节区域的上表面的光强是否大于预设光强；

所述温度调节模块调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度的步骤具体包括：

当所述光强比较单元比较出所述调节区域的上表面的光强大于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调低；

当所述光强比较单元比较出所述调节区域的上表面的光强小于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调高；

当所述光强比较单元比较出某一调节区域的上表面的光强等于预设光强时，与调节区域相对应的所述温度调节模块维持所述调节区域的温度不变。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种曝光装置和曝光方法，该曝光装置包括：承载基台，其中承载基台用于承载待曝光基板，承载基台包括：若干个承载单元，待曝光基板被划分为与承载单元一一对应的若干个调节区域，承载单元中设置有温度调节模块，温度调节模块用于调节待曝光基板上对应的调节区域的温度，以使待曝光基板上对应的调节区域产生相应的热膨胀。本发明的技术方案通过调节待曝光基板上各调节区域的温度，以使得待曝光基板上各调节区域产生相应的热膨胀，从而对各调节区域的上表面的光强进行调节，从而能有效的保证待曝光基板的上表面的光强的均匀分布。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的曝光装置的结构示意图；

图2为图1中曝光基台的俯视图；

图3为本发明实施例二提供的曝光方法的流程图；

图4为本发明实施例三提供的曝光方法的流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的曝光装置和曝光方法进行详细描述。

图1为本发明实施例一提供的曝光装置的结构示意图，图2为图1中曝光基台的俯视图，如图1和图2所示，该曝光装置包括：光源4和承载基台1，其中，光源4用于提供平行的曝光光线，承载基台1用于承载待曝光基板2，承载基台1包括：若干个承载单元7，待曝光基板2被划分为与承载单元7一一对应的若干个调节区域3，承载单元7中设置有温度调节模块8，温度调节模块8用于调节待曝光基板2上对应的调节区域3的温度，以使待曝光基板2上对应的调节区域3产生相应的热膨胀。

下面将以承载基台1包括16个承载单元7，且全部16个承载单元7呈4×4矩阵排布的情况为例，对本发明的发明原理进行详细说明。

假定到达至待曝光基板2的左上角的调节区域3中的光强较弱(小于预设光强)时，可调节与该左上角的调节区域3相对应的承载单元7(位于承载基台的左上角的承载单元)内的温度调节模块8，以使得待曝光基板2上该左上角的调节区域3的温度上升，此时待曝光基板2上该左上角的调节区域3的热膨胀的形变量变大，该左上角的调节区域3与光源4的之间的距离缩小，此时到达至该调节区域3的光强变强。

假定到达至待曝光基板2上左下角的调节区域3中的光强较强(大于预设光强)时，可调节与该左下角调节区域3相对应的承载单元7(位于承载基台的左下角的承载单元)内的温度调节模块8，以使得待曝光基板2上该左下角的调节区域3的温度下降，此时待曝光基板2上该左下角的调节区域3的热膨胀的形变量变小，该左下角的调节区域3与光源4的之间的距离增大，因此到达至该调节区域3的光强变弱。

通过上述调节过程，可使得待曝光基板2上各个调节区域3中的光强均相同，即到达至待曝光基板2的上表面的光强是均匀的。

作为一种可选的实施方案，该温度调节模块8具体可以为循环水管道，通过控制循环水管道内的水温，从而可对曝光基板上对应的调节区域3的温度进行控制。当然，本实施例中的温度调节模块8还可以为其他具有温度调节功能的结构。

可选地，该曝光装置还包括：光强检测单元5，光强检测单元5用于检测待曝光基板2中各调节区域3的上表面的光强。通过该光强检测单元5可实现对待曝光基板2中各调节区域3的上表面的光强进行自动检测，以为各调节区域3下方对应的温度调节模块8的调节提供参考。

进一步地，该曝光装置还包括：光强比较单元6，光强比较单元6与各温度调节模块8连接，光强比较单元6用于比较调节区域3的上表面的光强是否大于预设光强，若比较出调节区域3的上表面的光强大于预设光强，则与调节区域3相对应的温度调节模块8将调节区域3的温度调低；若比较出调节区域3的上表面的光强小于预设光强，则与调节区域3相对应的温度调节模块8将调节区域3的温度调高；若比较出调节区域3的上表面的光强等于预设光强时，则温度调节模块8维持调节区域3的温度不变。

需要说明的是，上述预设光强可通过预先的实验数据进行设定。当各调节区域3上表面的光强均等于预设光强时，则说明到达至待曝光基板2的上表面的光强是均匀的。本实施例中通过设置光强检测单元5和光强比较单元6，可实时地对各调节区域3的温度进行相应的调整，从而实现对各调节区域3上表面的光强进行精确控制。同时，上述调节过程无需人工干预，从而可有效的减小人工成本。

本发明的技术方案通过调节待曝光基板2上各调节区域3的温度，以使得待曝光基板2上各调节区域3产生相应的热膨胀，从而对各调节区域3的上表面的光强进行调节，从而能有效的保证待曝光基板的上表面的光强的均匀分布。

需要说明的是，在本发明中，当承载基台1中的承载单元7越多时，则待曝光基台上对应的调节区域3的数量越多，此时调节待曝光基台上表面的光强均匀分布的精准度也越高。但是，随着承载单元7的数量的增加，设备的复杂度会上升，设备的成本也会相应提升。基于精准度与设备成本的考虑，本实施例中优选地将承载基台1设置为包括16个承载单元7且全部16个承载单元7呈4×4矩阵排布的结构。然而，上述承载基台1的结构仅为本发明的一种优选实施方案，这并不会对本申请的技术方案产生限制，对于承载基台1的其他结构，此处不再一一举例。

图3为本发明实施例二提供的曝光方法的流程图，如图3所示，该曝光方法基于曝光装置，该曝光装置包括：承载基台，承载基台用于承载待曝光基板，承载基台包括：若干个承载单元，待曝光基板被划分为与承载单元一一对应的若干个调节区域，承载单元中设置有温度调节模块，该曝光方法包括：

步骤S1：温度调节模块调节待曝光基板上对应的调节区域的温度，以使待曝光基板上对应的调节区域产生相应的热膨胀。

可选地，承载单元的数量为16个，全部承载单元呈4×4矩阵排布。

步骤S1的具体描述可参见上述实施例一中对本发明的发明原理描述的内容，此处不再赘述。

图4为本发明实施例三提供的曝光方法的流程图，如图4所示，该曝光方法基于曝光装置，该曝光装置不仅包括上述实施例二中的承载基台，还包括光强检测单元和光强比较单元，其中光强检测单元与光强比较单元连接，光强比较单元与各温度调节模块连接，该曝光方法包括：

步骤S11：光强检测单元检测待曝光基板中各调节区域的上表面的光强。

步骤S12：光强比较单元比较调节区域的上表面的光强是否大于预设光强。

在步骤S12中，当光强比较单元比较出某一调节区域的上表面的光强大于预设光强时，则执行步骤S13。

当光强比较单元比较出某一调节区域的上表面的光强小于预设光强时，则执行步骤S14。

当光强比较单元比较出某一调节区域的上表面的光强等于预设光强时，则执行步骤S15。

步骤S13：与调节区域相对应的温度调节模块将调节区域的温度调低。

在步骤S13中，当将待曝光基板上相应的某一调节区域的温度调低之后，待曝光基板上的该调节区域的热膨胀的形变量变小，该调节区域与光源的之间的距离增大，因此到达至该调节区域的光强变弱。

步骤S14:与调节区域相对应的温度调节模块将调节区域的温度调高。

在步骤S14中，当将待曝光基板上相应的某一调节区域的温度调高之后，待曝光基板上的该调节区域的热膨胀的形变量变大，该调节区域与光源的之间的距离减小，因此到达至该调节区域的光强变强。

步骤S15:与调节区域相对应的温度调节模块维持调节区域的温度不变。

在步骤S15中，当将待曝光基板上相应的某一调节区域的温度维持不变时，待曝光基板上的该调节区域的热膨胀的形变量也维持不变，该调节区域与光源的之间的距离不变，因此到达至该调节区域的光强维持不变。

在本发明实施例三提供的曝光方法中，通过设置光强检测单元和光强比较单元，可实时地对各调节区域的温度进行相应的调整，从而实现对各调节区域上表面的光强进行精确控制。同时，上述调节过程无需人工干预，从而可有效的减小人工成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种曝光装置，其特征在于，包括：承载基台，所述承载基台用于承载待曝光基板，所述承载基台包括：若干个承载单元，所述待曝光基板被划分为与所述承载单元一一对应的若干个调节区域，所述承载单元中设置有温度调节模块，所述温度调节模块用于调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度，以使所述待曝光基板上对应的所述调节区域产生相应的热膨胀，以实现所述待曝光基板上各个所述调节区域中的光强均相同。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述承载单元的数量为16个，全部所述承载单元呈4×4矩阵排布。

3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，还包括：光强检测单元，所述光强检测单元用于检测所述待曝光基板中各所述调节区域的上表面的光强。

4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，还包括：光强比较单元，所述光强比较单元用于比较所述调节区域的上表面的光强是否大于预设光强；

若比较出所述调节区域的上表面的光强大于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调低；

若比较出所述调节区域的上表面的光强小于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调高；

若比较出所述调节区域的上表面的光强等于预设光强时，则所述温度调节模块维持所述调节区域的温度不变。

5.一种曝光方法，其特征在于，所述曝光方法基于曝光装置，所述曝光装置包括：承载基台，所述承载基台用于承载待曝光基板，所述承载基台包括：若干个承载单元，所述待曝光基板被划分为与所述承载单元一一对应的若干个调节区域，所述承载单元中设置有温度调节模块；

所述曝光方法包括：

所述温度调节模块调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度，以使所述待曝光基板上对应的所述调节区域产生相应的热膨胀，以实现所述待曝光基板上各个所述调节区域中的光强均相同。

6.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述承载单元的数量为16个，全部所述承载单元呈4×4矩阵排布。

7.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光装置还包括：光强检测单元；

所述温度调节模块调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度的步骤之前还包括：

所述光强检测单元检测所述待曝光基板中各所述调节区域的上表面的光强。

8.根据权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光装置还包括：光强比较单元；

所述光强检测单元检测所述待曝光基板中各所述调节区域的上表面的光强的步骤之后还包括：

光强比较单元比较所述调节区域的上表面的光强是否大于预设光强；

所述温度调节模块调节所述待曝光基板上对应的所述调节区域的温度的步骤具体包括：

当所述光强比较单元比较出所述调节区域的上表面的光强大于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调低；

当所述光强比较单元比较出所述调节区域的上表面的光强小于预设光强，则与所述调节区域相对应的所述温度调节模块将所述调节区域的温度调高；

当所述光强比较单元比较出某一调节区域的上表面的光强等于预设光强时，与调节区域相对应的所述温度调节模块维持所述调节区域的温度不变。