TWI559097B - 微影裝置及方法 - Google Patents

Description

微影裝置及方法

本發明係關於一種微影裝置及一種補償局域熱負荷變化之方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充在投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為適當的，特別為濕潤 流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。

將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。

所提議配置中之一者係使液體供應系統使用液體限制系統僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口IN而供應至基板上(較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在已通過投影系統下方之後藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側供應液體且在-X側吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在元件之另一側藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口的各種定向及數目係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案提供在任一側的入口與出口之四個集 合。在液體供應器件及液體回收器件中之箭頭指示液體流動方向。

圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上的兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口及出口，且將投影光束投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口被移除，從而導致液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。

在歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式載物台或雙載物台浸潤微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸潤液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸潤液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者，該裝置僅具有一個台。

PCT專利申請公開案WO 2005/064405揭示一種全濕潤配置，其中浸潤液體係未受限制的。在此系統中，基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，此係因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至在投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許該液體洩漏遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸潤液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種有助於減輕該問題之方式。提供一部件，該部件在所有位置中覆蓋基板W，且經配置以使浸潤液體延伸於該部 件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。

由於在浸潤微影裝置中之基板上存在液體，故在接觸浸潤液體之一或多個組件(例如，基板及/或基板台)上可產生蒸發熱負荷。此等熱負荷可導致熱膨脹及/或收縮。此熱膨脹及/或收縮可導致成像誤差，尤其是疊對誤差。

舉例而言，需要提供一種裝置，在該裝置中，減少熱膨脹及/或收縮效應之發生。詳言之，需要提供一種系統，該系統經組態以減少浸潤系統中之熱膨脹及/或收縮效應，該浸潤系統使用將浸潤流體提供至基板及/或基板台之局域化區域的供應系統。

根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一加熱器及/或溫度感測器，該加熱器及/或該溫度感測器係在一表面上。

根據本發明之一態樣，提供一種基板台，該基板台經組態以在一基板支撐區域上支撐一基板，該基板台包含鄰近於該基板支撐區域之一中心部分的複數個加熱器及/或溫度感測器，該複數個加熱器及/或該複數個感測器狹長。

根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一基板台，該基板台經組態以在一基板支撐區域上支撐一基板，且包含一加熱器及/或一溫度感測器，該加熱器及/或該溫度感測器橫越該基板支撐區域自一邊緣延伸至一對置邊緣。

根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其中該表面為在經組態以在一基板支撐區域上支撐一基板之一基板台上之一表面，該表面：鄰近於該基板支撐區域，或鄰近於一感測器，或鄰近於一調換橋。

根據本發明之一態樣，提供一種經組態以在一基板支撐區域上 支撐一基板之基板台，及一種在鄰近於該基板支撐區域之一表面上之加熱器及/或溫度感測器。

根據本發明之一態樣，提供一種補償一浸潤微影投影裝置中之一局域熱負荷之方法，該方法包含：控制一加熱器或使用來自一溫度感測器之一信號來補償一局域熱負荷，其中該加熱器及/或該溫度感測器係在一表面上。

根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一導電塗層，該導電塗層係在一表面上；及一加熱器及/或溫度感測器，該加熱器及/或該溫度感測器連接至該塗層。

5‧‧‧間隙

10‧‧‧第一排泄口

11‧‧‧空間/液體

12‧‧‧障壁部件/液體供應系統/液體處置系統/流體限制結構/流體處置系統

13‧‧‧液體入口/液體出口

14‧‧‧出口

15‧‧‧氣體入口

16‧‧‧無接觸密封件/氣體密封件/氣流

17‧‧‧第二排泄口

20‧‧‧出口/通孔

22‧‧‧第二側壁

24‧‧‧出口

26‧‧‧腔室

28‧‧‧第一側壁

29‧‧‧通孔

30‧‧‧小突起台/瘤節板

32‧‧‧突出物/瘤節

34‧‧‧瘤節

40‧‧‧流體處置系統之下表面

42‧‧‧內部表面

44‧‧‧頂部表面

50‧‧‧流動控制板

55‧‧‧通孔

70‧‧‧抽取器總成

75‧‧‧多孔材料/多孔表面

78‧‧‧腔室

80‧‧‧凹座

82‧‧‧入口

84‧‧‧出口

90‧‧‧氣刀

91‧‧‧突出物

92‧‧‧突出物

93‧‧‧通路

94‧‧‧腔室

95‧‧‧出口

110‧‧‧入口

131‧‧‧溫度感測器被附接至之部分

132‧‧‧導熱膏/膠黏劑層/接合層

133‧‧‧引線

134‧‧‧電總成

140‧‧‧腔室

141‧‧‧導電塗層

142‧‧‧出口/間隙

200‧‧‧中心通路/熱轉移流體通路

210‧‧‧第一溫度感測器

220‧‧‧第二溫度感測器

230‧‧‧第三溫度感測器

240‧‧‧加熱器

250‧‧‧加熱元件/加熱器

260‧‧‧第四溫度感測器

261‧‧‧感測器

262‧‧‧保護板

311‧‧‧非接觸溫度感測器

320‧‧‧彎液面

400‧‧‧加熱器

400A‧‧‧加熱器

400B‧‧‧加熱器

400C‧‧‧加熱器

400D‧‧‧加熱器

400E‧‧‧加熱器

400F‧‧‧加熱器

410A‧‧‧邊緣加熱器

410B‧‧‧邊緣加熱器

410C‧‧‧邊緣加熱器

410D‧‧‧邊緣加熱器

410E‧‧‧邊緣加熱器

410F‧‧‧邊緣加熱器

410G‧‧‧邊緣加熱器

410H‧‧‧邊緣加熱器

410I‧‧‧邊緣加熱器

410J‧‧‧邊緣加熱器

410K‧‧‧邊緣加熱器

410L‧‧‧邊緣加熱器

420‧‧‧自我調節加熱器

450‧‧‧中心電連接件

460‧‧‧電極

500‧‧‧溫度感測器

500A‧‧‧溫度感測器

500B‧‧‧溫度感測器

500C‧‧‧溫度感測器

500D‧‧‧溫度感測器

500E‧‧‧溫度感測器

500F‧‧‧溫度感測器

510A‧‧‧溫度感測器

510B‧‧‧溫度感測器

510C‧‧‧溫度感測器

510D‧‧‧溫度感測器

510E‧‧‧溫度感測器

510F‧‧‧溫度感測器

510G‧‧‧溫度感測器

510H‧‧‧溫度感測器

510I‧‧‧溫度感測器

510J‧‧‧溫度感測器

510K‧‧‧溫度感測器

510L‧‧‧溫度感測器

600‧‧‧瘤節板/材料

700‧‧‧進程路徑/線/位置

800‧‧‧線/一般路徑/導熱且導電之層

810‧‧‧自我調節材料膜

820‧‧‧導電但類似地隔離之層

1000‧‧‧感測器

1100‧‧‧虛設基板

1200‧‧‧調換橋

1300‧‧‧調換橋將與基板台嚙合所在之另外區域

AD‧‧‧調整器

B‧‧‧輻射光束

BD‧‧‧光束傳送系統

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧聚光器

IF‧‧‧位置感測器

IH‧‧‧障壁部件

IL‧‧‧照明系統/照明器

IN‧‧‧積光器

M1‧‧‧圖案化器件對準標記

M2‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二定位器

RF‧‧‧參考框架

SO‧‧‧輻射源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2及圖3描繪用於微影投影裝置中之液體供應系統；圖4描繪用於微影投影裝置中之另外液體供應系統；圖5以橫截面描繪可在本發明之一實施例中用作液體供應系統之障壁部件；圖6以橫截面說明可在本發明之一實施例中使用之另一障壁部件；圖7以橫截面說明環繞基板之邊緣的基板台之部分；圖8以平面圖說明基板台之中心區段；圖9以橫截面說明展示加熱器及/或溫度感測器之部位的瘤節板；圖10以平面圖說明在基板支撐區域之中心部分中的加熱器及/或溫度感測器，及鄰近於基板支撐區域之邊緣之不同部分的邊緣加熱器；圖11以平面圖說明無邊緣加熱器之實施例，且亦說明基板支撐件可在投影系統下方採取之進程路徑；圖12為以平面圖說明加熱器及溫度感測器之建構的示意性圖 式；圖13為以平面圖說明加熱器及/或溫度感測器之建構的示意性圖式；圖14為以平面圖說明加熱器及/或溫度感測器之建構的示意性圖式；圖15為以平面圖說明加熱器及溫度感測器之建構的示意性圖式；圖16為以橫截面說明微機電系統(MEMS)加熱器/感測器之建構的示意性圖式；圖17為展示感測器之操作的圖16之細節；圖18為說明對於以EM溫度為基礎之自我調節加熱器而言在Y軸上之電阻相對於在X軸上之溫度之變化的曲線圖；圖19為以橫截面說明以EM溫度為基礎之自我調節加熱器之建構的示意性圖式；圖20為以EM溫度為基礎之自我調節加熱器之配置的透視圖；圖21為以平面圖說明加熱器及/或溫度感測器可置放於基板台上之何處的示意性圖式；圖22為以橫截面說明加熱器及/或溫度感測器可置放於何處的示意性圖式；圖23為說明溫度感測器的示意性側視圖式；圖24為說明溫度感測器的示意性側視圖式；圖25為以平面圖說明圖24之溫度感測器的示意性圖式；圖26為以橫截面說明加熱器及/或溫度感測器可置放於何處的示意性圖式；圖27為說明薄膜加熱器及/或溫度感測器之有效性的曲線圖；圖28為以平面圖說明可用以沈積薄膜加熱器及/或溫度感測器之 光罩的示意性圖式；圖29為以橫截面說明加熱器及/或溫度感測器可置放於何處的示意性圖式；圖30為以橫截面說明加熱器及/或溫度感測器可置放於何處的示意性圖式；及圖31為以平面圖說明溫度感測器可置放於何處的示意性圖式。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構MT以取決於圖案化器件 之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。

本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣 列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一情況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL為可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感 測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)， 而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

可將用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成兩種通用種類。此等種類為：浴類型配置，其中基板W之全部及(視情況)基板台WT之部分被浸漬於液體浴中；及所謂的局域化浸潤系統，局域化浸潤系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。在後一種類中，藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在該區域下方移動。本發明之一實施例所針對之另外配置為全濕潤解決方案，其中液體係未受限制的。在此配置中，基板之實質上整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸潤液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度較小。液體可為在基板上之液體膜(諸如液體薄膜)。圖2至圖5之液體供應器件中的任一者可用於此系統中；然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。上文已描述圖2至圖4所揭示之液體供應系統。

已提議之另一配置係提供具有液體限制部件之液體供應系統， 液體限制部件沿著在投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。液體限制部件在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件形成於液體限制部件與基板之表面之間。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構與基板之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。

圖5示意性地描繪具有障壁部件12(IH)之局域化液體供應系統。障壁部件沿著在投影系統之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台之表面)。障壁部件12在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於障壁部件與基板W之表面之間，且可為無接觸密封件，諸如流體密封件，理想地為氣體密封件。

障壁部件12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統之影像場形成對基板W之無接觸密封件16，使得將液體限制於基板W表面與投影系統PS之最終元件之間的空間內。藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的障壁部件12而至少部分地形成空間。液體係藉由液體入口13被帶入至在投影系統下方及在障壁部件12內之空間中。可藉由液體出口13移除液體。障壁部件12可延伸至略高於投影系統之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，障壁部件12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。

在一實施例中，藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於障壁部件12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，係藉由N₂或另一惰性氣體形成。氣體密封件中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至在障壁部件12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及該間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣流16。氣體對在障壁部件12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣流16對於使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。

其他配置係可能的，且自以下描述將清楚，本發明之一實施例可使用任何類型之局域化液體供應系統。本發明之一實施例尤其係與用於作為液體供應系統之任何局域化液體供應系統有關。

圖6說明為液體供應系統之部分的障壁部件12。障壁部件12圍繞投影系統PS之最終元件之周邊(例如，圓周)延伸，使得該障壁部件(其有時被稱作密封部件)之總體形狀為(例如)實質上環形。投影系統PS可能不為圓形，且障壁部件12之外部邊緣亦可能不為圓形，使得沒有必要使該障壁部件為環狀。障壁具有一開口，投影光束可通過該開口而自投影系統PS之最終元件傳遞出去。因此，在曝光期間，投影光束可傳遞通過在障壁部件之開口中所含有之液體且傳遞至基板W上。

障壁部件12之功能係至少部分地將液體維持或限制於在投影系統PS與基板W之間的空間中，使得投影光束可傳遞通過液體。僅僅因存在障壁部件12而含有頂部液體液位。

藉由障壁部件12將浸潤液體提供至空間11(因此，可認為障壁部件係流體處置結構)。用於浸潤液體之通道或流動路徑穿過障壁部件 12。流動路徑之部分為腔室26所包含。腔室26具有兩個側壁28、22。液體自腔室或出口24通過第一側壁28傳遞至腔室26中，且接著通過第二側壁22傳遞至空間11中。複數個出口20將液體提供至空間11。液體在進入空間11之前分別傳遞通過側壁28中之通孔29及側壁22中之通孔20。通孔20、29之部位可為隨機的。

密封件提供於障壁部件12之底部與基板W之間。在圖6中，密封器件經組態以提供無接觸密封件且係由若干組件組成。自投影系統PS之光軸徑向地向外，提供(選用的)流動控制板50，流動控制板50延伸至空間中(但不延伸至投影光束之路徑中)，此情形有助於維持浸潤液體橫越空間而至出口20外之實質上平行流動。流動控制板50在其中具有通孔55以減少對在障壁部件12之光軸之方向上相對於投影系統PS及/或基板W之移動的阻力。

抽取器總成70可自障壁部件12之底部表面上的流動控制板50徑向地向外，抽取器總成70係用以自障壁部件12與基板W及/或基板台WT之間抽取液體。抽取器可作為單相抽取器或作為雙相抽取器進行操作。

凹座80可自抽取器總成70徑向地向外。凹座80係通過入口82而連接至氛圍。凹座係經由出口84而連接至低壓力源。氣刀90可自凹座80徑向地向外。在美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中詳細地揭示抽取器、凹座及氣刀之配置。

抽取器總成70包含液體移除器件或抽取器或入口，諸如美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示的抽取器總成。可使用任何類型之液體抽取器。在一實施例中，抽取器總成或液體移除器件70包含被覆蓋於多孔材料75中之入口，多孔材料75係用以將液體與氣體分離以實現單液相液體抽取。在多孔材料75下游之腔室78被維持於輕微負壓下且填充有液體。腔室78中之負壓係使得形成於多孔材料之 孔中的彎液面防止周圍氣體被牽引至抽取器總成70之腔室78中。然而，當多孔表面75接觸液體時，不存在用以限制流動之彎液面且液體可自由地流動至抽取器總成70之腔室78中。

在使用期間(例如，在基板於障壁部件12及投影系統PS下方移動之時間期間)，提供延伸於基板W與障壁部件12之間的彎液面320。

儘管圖6中未特定地說明，但液體供應系統具有用以處理液體液位之變化的配置。此情形係使得積聚於投影系統PS與障壁部件12之間的液體可被處理且不會溢出。

基板W通常定位於基板台WT內之凹座(例如，基板支撐區域)中。為了考量基板W之寬度(例如，直徑)之變化，通常將凹座製成略微大於基板W之最大可能大小。因此，在基板之邊緣與基板台WT之間存在間隙。在用於提供液體之所有配置的情況下，在處理基板與基板台之間的間隙5方面可存在困難。此係因為液體可進入此間隙5。需要自間隙5移除液體以防止液體到達基板下方。亦需要防止氣體氣泡自間隙5進入浸潤液體。出於此目的，可在基板之邊緣與基板台之間的間隙下方提供入口。該入口連接至負壓源，使得可自間隙5移除液體及/或氣體。

圖7為穿過基板台WT及基板W之示意性橫截面。在基板W之邊緣與基板台WT之邊緣之間存在間隙5。間隙5處於在成像期間經置放有基板之凹座之外部區域或邊緣。基板W可被支撐於基板台WT之基板支撐區域上。

為了處理進入該間隙之液體，可在基板W之邊緣處提供至少一排泄口10、17以移除進入間隙5之任何液體。在圖7之實施例中，說明兩個排泄口10、17，但可存在僅一個排泄口或可存在兩個以上排泄口。

第一排泄口10之主要功能係防止氣體氣泡進入液體供應系統12之液體11。任何此等氣泡均可有害地影響基板W之成像。可提供第二 排泄口17以防止自間隙5到達基板W下方之任何液體均防止基板W在成像之後自基板台WT之有效釋放。習知地，藉由包含被稱作瘤節(burl)之複數個突出物32的小突起台(pimple table)或瘤節板(burl plate)30來固持基板W。藉由小突起台30施加於基板W與基板台WT之間的負壓確保將基板W穩固地固持於適當位置中。在小突起台30下方提供第二排泄口17會減少或消除可歸因於液體到達基板W下方而發生之問題。

第一排泄口10藉由負壓移除液體。亦即，第一排泄口10係經由出口142而連接至負壓源。此負壓源有效地移除進入該排泄口之任何液體。

第一排泄口10之確切幾何形狀係不重要的。通常，第一排泄口10包含使腔室140與間隙5進行流體連通之入口110。腔室140可為(例如)環形。出口142與腔室140進行流體連通。

現將描述第二排泄口17。將第二排泄口17之出口95固持於負壓(例如，0.6巴)下，該負壓略微大於小突起台30之負壓(例如，0.5巴)。此情形確保存在自小突起台30以及自間隙5至出口95之氣體流動。在一替代實施例中，可將第二排泄口17固持於過壓下。在此情況下，存在離開出口95朝向間隙5之氣體流動。在與毛細管壓力組合之情況下，此情形可用以減少或防止浸潤液體進入小突起台30。

可看出，兩個突出物91及92提供於基板W下方。徑向外部突出物91為所謂的「濕式密封件」(wet seal)，且很可能使浸潤液體通過徑向外部突出物91與基板W之底部表面之間。徑向內部突出物92為乾式密封件(dry seal)，且僅氣體很可能通過徑向內部突出物92與基板W之間。

通向腔室94之通路93係在兩個突出物91、92之間。腔室94與連接至負壓源之出口95進行流體連通。可在美國專利申請公開案第US 2008-0297744號中找到此第二排泄口17及第一排泄口10之更多細節。

若通過間隙移除氣體，則此情形可導致間隙5中之任何液體之不良蒸發。此情形又可導致局域化冷卻。因為局域化冷卻可導致基板台之熱收縮且藉此導致可能疊對誤差，所以局域化冷卻係不良的。

可處理此現象之一方式係提供在基板台WT中用於熱轉移流體之通路。可以此方式使基板台之溫度維持恆定。另外，如美國專利公開案第US 2008-0137055號中所揭示，可使用另外加熱器以在入口附近加熱。因此，可藉由使用該另外加熱器來補償在該點處所產生之額外熱負荷。

圖8說明一種此類配置。圖8為基板台WT之基板支撐區域的平面圖。指示入口110。提供用於熱轉移流體之中心通路200。中心通路200遵循在基板W之位置下方的路徑。中心通路200之路徑係使得可藉由使加熱流體傳遞通過通路200來施加均勻加熱。藉由第一溫度感測器210偵測進入通路200之熱轉移流體之溫度。將藉由第二溫度感測器220偵測離開通路200之熱轉移流體之溫度。可在通路200中提供第三溫度感測器230以偵測在局域點處之溫度。一控制器可具備來自溫度感測器210、220、230之資料，且可使用加熱器240來控制熱轉移流體之溫度，加熱器240係用以在熱轉移流體進入通路200之前加熱熱轉移流體。

為了處理可藉由排泄口10產生之過度冷卻，可提供加熱元件250。加熱元件250為鄰近於入口110且圍繞入口110之周邊(例如，圓周)延伸的單一加熱元件。

加熱元件250可定位於腔室140下方或腔室140之任一側上，如圖7所說明。可存在用於加熱器250之其他適當位置。

提供第四溫度感測器260。第四溫度感測器260提供於入口110附近。一控制器可使用自第四溫度感測器260所獲得之資訊來控制施加 至加熱元件250之電力。

儘管圖8所說明之系統確實減輕一些困難(尤其是當使用局域化區域液體供應系統時)，但圍繞入口110之周邊的冷卻未必均一。因此，第四溫度感測器260之位置係重要的。若第四溫度感測器260處於已經歷大量局域冷卻之位置中，則儘管可補償該冷卻，但入口110之其他區域可被過多地加熱。在感測器260之情況下的困難意謂：可能較好的是基於第二溫度感測器220與第三溫度感測器230之間的溫差來控制加熱元件250。控制器使用此差作為基板台邊緣上之熱負荷之量測。若在基板台之總周邊之一部分上施加熱負荷，則遍及總周邊施加平衡熱負荷。結果，加熱元件欠補償加負荷區域，且干擾未加負荷區域。舉例而言，若1瓦特遍及基板台邊緣之1/3，則此情形係使用1瓦特而遍及總邊緣予以補償。因此，該局域化負荷之僅0.33瓦特被補償，另外0.66瓦特干擾邊緣之其餘部分。即使藉由圍繞入口110提供另外溫度感測器，亦可能未減輕此問題。

圖8之解決方案具有以下缺點：1)加熱器-感測器組合反應時間過慢(長時間恆定)。加熱器及感測器膠黏至基板台WT，從而導致相對高接觸阻力。2)加熱器及感測器僅施加於基板台邊緣處而未施加至其核心(中心部分)，此情形提供部分解決方案。3)水調節限於最大流動，此情形導致非均一溫度分佈。因為水通路之橫截面小且相當長，所以流動阻力高。對於高流動，壓降變得過大，從而導致晶圓台自身之非均一機械變形。高流動亦導致高速度及高動態力，此情形導致不可校正之干擾力。任何流動(不僅是最大流動)均導致非均一溫度分佈。水自入口至出口冷卻。此溫差導致非均一性。當然，流動愈高，則dT愈低。4)由於壓力脈衝，水調節可導致不可校正之動態干擾。5)水調節涉及「厚」(10毫米)且因此重之基板台WT，從而導致向上掃描向下掃描(scan-up-scan-down)問題。

在一實施例中，加熱器400及/或溫度感測器500係在基板台WT之表面上。加熱器400及/或溫度感測器500可在鄰近於基板支撐區域(例如，在基板支撐區域下方)之表面上。一種此類表面為瘤節板600之表面。

圖9中說明一實施例之瘤節板600。瘤節板600包含在上部表面上及在下部表面上具有突出物之板。上部表面上之突出物為瘤節32，基板W在使用中被支撐於瘤節32上。下側上之瘤節34係用於將瘤節板600支撐於基板台WT之表面上。

在圖7中，瘤節板30被展示為基板台WT之整體部分，且不存在等效於瘤節34或圖9之瘤節。

在圖9中，加熱器400及/或溫度感測器500在瘤節板600之表面上形成於瘤節32、34之間。加熱器400及/或溫度感測器500可在瘤節板600之向上對向表面上及/或向下對向表面上。

在一實施例中，加熱器400及/或溫度感測器500被形成為薄膜。因此，加熱器400及/或溫度感測器500直接附接至該表面，而無需使用諸如膠黏劑或焊料等等之黏著劑。因此，加熱器400及/或溫度感測器500直接接合至該表面，例如，沈積於該表面上。在一實施例中，加熱器400及/或溫度感測器500係由鉑形成。若瘤節板600係由導電材料(諸如SiSiC)製成，則可在沈積鉑加熱器400及/或溫度感測器500之前沈積絕緣層及/或接合層。另外，可能有必要的是，一旦已沈積加熱器400及/或溫度感測器500，隨即塗佈加熱器400及/或溫度感測器500(使用另一介電層)，以便確保使加熱器400及/或溫度感測器500電隔離且保護加熱器400及/或溫度感測器500免受潮濕氣體，否則可能會產生短路。在一實施例中，遍及加熱器400及/或溫度感測器500提供一額外絕緣層，因此，熱進入該表面。此情形導致熱被更多地引導至本體(例如，瘤節板600)中。

通常，薄膜總共具有4個層。在基板台(例如，瘤節板600)之頂部上，存在一接合層，接著為一隔離介電層，接著為該鉑層，且接著再次為在頂部上以避免短路之一介電層。為了避免鉑線之電磁干擾，可存在2個額外屏蔽層。加熱器及/或溫度感測器薄，比如低於100微米，較佳地低於10微米或甚至為1微米厚。

加熱器400及/或溫度感測器500經定位成鄰近於基板支撐區域。因為加熱器400及/或溫度感測器500直接接合至該表面，所以熱係自加熱器400及/或溫度感測器500快速地傳導至在該表面後方之材料或自在該表面後方之材料快速地傳導至加熱器400及/或溫度感測器500。若加熱器400及/或溫度感測器500被施加至之表面為瘤節板，則由於加熱器400及/或溫度感測器500至基板W之近接性，熱至/自基板W之轉移極其快速。

圖10以平面圖展示複數個加熱器400及/或溫度感測器500之配置之一實施例。複數個加熱器400A至400F及/或溫度感測器500A至500F狹長。複數個加熱器及/或溫度感測器在一狹長方向上實質上平行，且橫越基板支撐區域自一邊緣延伸至一對置邊緣。下文將參看圖11解釋此配置之益處。

複數個邊緣加熱器410A至410L及/或溫度感測器510A至510L環繞基板支撐區域之中心部分，加熱器400A至400F及/或溫度感測器500A至500F位於基板支撐區域之中心部分處。邊緣加熱器410A至410L及/或溫度感測器510A至510L圍繞基板支撐區域之邊緣具有不同大小。該等大小係匹配於在中心部分中之加熱器400A至400F及/或溫度感測器500A至500F之方向上的尺寸。

複數個邊緣加熱器經設計以進行圖8中之加熱元件250之工作。亦即，如結合圖7所描述，複數個邊緣加熱器經設計以補償圍繞基板W之邊緣的高蒸發負荷。邊緣加熱器410A至410L及/或溫度感測器 510A至510L可定位於瘤節板600之表面上或不同表面上。

本發明之一實施例可單獨地或結合如圖8所說明之邊緣加熱器250及/或鄰近於基板支撐區域以供熱調節流體傳遞通過之通道230(諸如圖8所說明)予以使用。另外，本發明之一實施例的加熱器及/或溫度感測器可結合藉由兩相流體調節之基板台WT予以使用。在此實施例中，在基板台WT之本體中提供一腔室，該腔室填充有呈氣相及液相兩者之流體。在2009年9月28日申請之美國專利申請案第US 61/246,276號及2009年9月28日申請之美國專利申請案第US 61/246,268號中描述此基板台調節系統，該兩案之全文均以引用之方式併入本文中。

本發明之一實施例之一優點針對加熱器及針對溫度感測器兩者均存在。基板台WT可包含一者或另一者或此兩者。加熱器及溫度感測器兩者利用薄膜加熱器及/或溫度感測器之快速熱回應。

詳言之，圖10及圖11所說明之加熱器及/或感測器之配置亦係與未必為薄膜的其他類型之加熱器及/或溫度感測器有關。

在一實施例中，加熱器及/或溫度感測器不在一表面上，但被圍封於基板台WT之組件內。加熱器及/或溫度感測器可埋置於基板台WT之頂板(例如，石英板)中。該頂板可包含兩個區段，其中加熱器及/或感測器埋置於該兩個區段之間。

圖11以平面圖展示一實施例。在圖11中，不存在邊緣加熱器410A至410L及/或溫度感測器510A至510L。取決於在基板W之邊緣處基板台WT之設計，可能沒有必要包括邊緣加熱器。圖11中說明此實施例。

圖11中亦說明基板台WT在投影系統PS下方採取之進程路徑(meander path)700。藉由線800說明進程路徑之一般總體運動。

藉由比較線700與線800可看出，在遵循一般路徑800時，在X方 向上向後及向前移動發生。在Y方向上之掃描極快。結果，可看出，基板台WT沿著Y方向自基板之頂部(如所說明)相當緩慢地向下移動至基板之底部。出於此原因，加熱器400A至400F及/或溫度感測器500A至500F(及邊緣加熱器及/或溫度感測器)在X方向上狹長。加熱器及/或溫度感測器在第一方向上狹長。第一方向經定向成使得給定加熱器400及/或溫度感測器500在基板W之成像期間停留於投影系統下方的時間長度大於在該加熱器及/或該感測器經定向成其狹長方向垂直於該第一方向之情況下的時間長度(在該情況下，該加熱器及/或該感測器在整個基板之成像期間將渡過若干分離時間)。詳言之，給定加熱器及/或溫度感測器在基板之成像期間處於投影系統下方的時間被實質上最大化。在一實施例中，此情形係藉由確保加熱器及/或溫度感測器之狹長方向平行於掃描方向而進行。然而，其他幾何形狀可更適於不同掃描圖案。因此，在成像期間，基板在X方向上沿著頂部加熱器400A/溫度感測器500A步進，同時在Y方向上掃描。此情形導致基板之頂部處之區域接收熱負荷，且藉由頂部加熱器400A及溫度感測器組合500A感測及補償此熱負荷。基板接著在Y方向上移動以在投影系統下方移動第二加熱器400B/溫度感測器組合500B，且在Y方向上掃描。熱負荷集中於該Y位置處，且感測器400B/加熱器500B組合相應地補償。在X方向上步進時，任何熱負荷均集中於該X方向上。在沿著Y軸遠離投影系統之位置中，將存在極少熱負荷。

具有狹長加熱器及/或溫度感測器之優點在於：相較於加熱器及/或溫度感測器經製造成具有實質上為1之縱橫比(亦即，在X方向及在Y方向上尺寸均相同)的情況，加熱器及/或溫度感測器之數目則可減少。數目減少會使控制變得容易且減少系統之複雜性，且尤其減少連接加熱器及/或溫度感測器之困難。如將參看圖12所說明，在圖10及圖11之實施例的情況下，加熱器及/或溫度感測器可相對容易地連接 至瘤節板600之邊緣處之控制器。

複數個加熱器及/或溫度感測器在實質上平行方向上狹長。

圖12以平面圖說明單一整合式加熱器及對應溫度感測器。類似原理可用於僅加熱器或用於僅溫度感測器。加熱器及溫度感測器在加熱及感測同一區域之溫度方面係整合的。

如圖12所說明，加熱器及溫度感測器被形成為線(line)或導線(wire)。該等線或該等導線覆蓋整個加熱器及/或溫度感測器之區域。此情形係藉由使該等線遵循一曲折路徑而進行。在所說明實施例中，該等線遵循在瘤節32之間的曲折路徑，但未必為此情況。如圖12所說明，加熱器之線遵循實質上平行於溫度感測器之線的路徑。該兩條線不交叉且在瘤節中及在瘤節外交織以覆蓋整個加熱器之儘可能多的區域。該等線在電極處終止以允許連接至一控制系統。

提供一控制器。該控制器試圖使量測溫度維持於給定設定點。回應愈快，則可預期之效能愈好。熱時間常數愈低，則在施加熱負荷時將發生之淨最大溫度改變愈小。控制器可基於來自感測器之回饋來控制加熱器。基於液體處置系統12相對於基板台WT之位置，前饋控制係可能的。

如圖26所描繪，本發明之一實施例係將一或多個薄膜鉑感測器及/或加熱器施加於基板台WT之頂部或底部上。在一實施例中，瘤節板600定位於基板台WT與基板W之間。在一實施例中，薄膜加熱器400及/或溫度感測器500施加至瘤節板600之頂部。在一實施例中，薄膜加熱器400及/或溫度感測器500施加至瘤節板600之底部表面。在一實施例中，薄膜加熱器400及/或溫度感測器500施加至基板台WT之底部表面。

薄膜加熱器400及/或溫度感測器500可施加至定位於基板台WT上之感測器之上部表面或下部表面。圖26描繪基板台WT之表面上之感 測器261。舉例而言，感測器261可為劑量感測器、像差感測器、照明感測器、均一性感測器或空中影像感測器。感測器261可包含用以控制基板台WT之位置的編碼器柵格板。感測器261可在其上部表面處包含保護板262。保護板262可由玻璃形成。一或多個薄膜加熱器400及/或溫度感測器500可施加至保護板262之上部表面/下部表面。

圖29描繪一微影裝置，該微影裝置包含基板台WT、參考框架RF、光柵50及感測器20。光柵50附接至基板台WT或參考框架RF。感測器20附接至基板台WT及參考框架RF中之另一者。圖29描繪光柵50附接至基板台WT且感測器20附接至參考框架RF之情況。

感測器20係偵測藉由光柵50繞射及/或反射之輻射，藉此量測在基板台WT與參考框架RF之間的相對位置。此為用於一微影裝置中之位置量測器件的類型，在該微影裝置中，光柵50及感測器20安裝於不同物件上，光柵50及感測器20可相對於彼此移動且需要量測光柵50及感測器20之相對位置。

薄膜加熱器400及/或溫度感測器500可施加至光柵50及/或感測器20之上部表面或下部表面。舉例而言，光柵50可形成於由諸如石英或玻璃陶瓷之光學透明材料製成之板上。此板可被稱作編碼器柵格板。在此描述中，術語光柵50被理解為意謂在上面經形成有光柵圖案之編碼器柵格板。

薄膜加熱器400及/或溫度感測器500可直接施加至編碼器柵格板之表面。在一實施例中，薄膜加熱器400及/或溫度感測器500直接施加至經曝光至浸潤液體的編碼器柵格板之表面。此係因為該板之材料(諸如石英或玻璃陶瓷)可具有相對低熱導率。因此，相較於藉由將薄膜加熱器400及/或溫度感測器500定位於光柵50之後側上，藉由將薄膜加熱器400及/或溫度感測器500定位於光柵50之曝光表面上，可更快速地校正歸因於熱負荷之局域溫度改變。

此情形控制光柵50及/或感測器20之溫度。光柵50及/或感測器20之溫度之控制有助於減少位置誤差，否則會導致疊對誤差。位置誤差係由光柵50及/或感測器20之表面之熱變形引起。此熱變形係由該表面上之熱負荷引起。若溫度與該表面之溫度不相同的液體接觸該表面，則熱負荷將施加至該表面。舉例而言，該液體可蒸發，或在任何情況下，與該表面熱平衡。此情形可為針對如圖29所描繪之光柵50的問題，此係因為光柵50位於基板台WT之上部表面上且流體限制結構12位於光柵50上方。在微影裝置之正常操作期間，流體限制結構12可變得位於光柵50之部分或全部上方。浸潤液體可自流體限制結構12逸出，且濺射至或保留於光柵50上以作為小滴。當然，若感測器20定位於基板台WT之頂部表面上且光柵50定位於參考框架RF上，則可發生相同問題。

光柵50可包含柵格板，及形成於柵格板之下側上的光柵表面。此情形之目的係防止光柵表面自身接觸浸潤液體。

儘管在上文中已關於光柵50而描述本發明之一實施例，但相同優點及機構適用於感測器20之溫度控制。舉例而言，圖30描繪一實施例，在該實施例中，光柵50附接至參考框架RF且感測器20附接至基板台WT。薄膜加熱器400及/或溫度感測器500可施加至感測器20之上部表面或下部表面。

圖31描繪一實施例，在該實施例中，除了薄膜溫度感測器500以外或替代薄膜溫度感測器500，微影裝置亦可包含非接觸溫度感測器311。非接觸溫度感測器311可包含一紅外線溫度感測器。在一實施例中，非接觸溫度感測器311包含一紅外線感測器陣列。該等感測器可面朝光柵50。舉例而言，在光柵50定位於基板台WT之上部表面上的實施例中，非接觸溫度感測器311可向下面向光柵50。

非接觸溫度感測器311可附接至如圖29及圖30所描繪之參考框架 RF，或接觸溫度感測器311可附接至不同於參考框架RF之量測框架。

非接觸溫度感測器311可包含位於基板台WT上方之紅外線感測器線。在基板台通過非接觸溫度感測器311下方時，非接觸溫度感測器311量測光柵50之溫度。舉例而言，可在對準/聚焦量測階段、曝光階段或基板/基板台調換階段執行此量測。

在一實施例中，薄膜加熱器400及/或溫度感測器500施加至量測台之表面。

無論薄膜加熱器400及/或溫度感測器500是施加至瘤節板600之表面、施加至基板台WT之表面或是施加至感測器261之表面，均可藉由許多不同方法施加加熱器400及/或溫度感測器500。

加熱器400及/或溫度感測器500可膠黏至適當表面。在加熱器400及/或溫度感測器500之間的膠黏劑層應儘可能地薄，以便減少接觸阻力。膠黏劑可包含聚合物。膠黏劑可進一步包含至少一金屬及/或碳纖維。此情形之目的係使膠黏劑導電及/或更導熱。膠黏劑可為壓敏性黏著劑。此意謂：當將壓力施加至膠黏劑時，膠黏劑層變得更薄。膠黏劑亦可被稱作黏著劑。

將薄膜加熱器400及/或溫度感測器500施加至一表面之替代方式係在該表面上將加熱器400及/或感測器500之網路形成為一塗層。可藉由使用正性光阻或負性光阻來形成該塗層。

在使用正性光阻之情況下，將正性光阻塗層塗覆(例如，噴射)至表面上。可在正性光阻塗層之前塗覆可由SiO₂製成之隔離層，使得該隔離層處於正性光阻塗層與一表面之間。

一旦正性光阻塗層已塗覆至表面，塗層隨即曝光於將不施加有加熱器400及/或溫度感測器500之網路的位置處，藉此在該等位置處硬化正性光阻。移除光阻之剩餘區段，藉此打開將塗覆有薄膜之間隙。舉例而言，將可由鉑或鈦與鉑之合金製成之薄膜塗覆至表面及光 阻。經由(例如)超音波剝離技術剝離保留於表面上之光阻，以移除薄膜之非想要區段。結果為在所要地點中的薄膜之網路。

可使用兩步式光阻方法，其中塗覆兩個光阻層。曝光頂部光阻層，以便在將不塗覆有薄膜之位置中予以硬化。當藉由移除未硬化的光阻之區段來顯影光阻時，上部光阻層懸於下部光阻層之上，使得頂部光阻層不觸碰基板W之表面。此情形減少光阻中之缺陷。

若使用負性光阻，則將負性光阻層塗佈於表面上。此塗佈可藉由噴射而進行。可在負性光阻層之前塗覆隔離層。在將塗覆有薄膜之區中曝光光阻。接著移除光阻之此等區段。將薄膜材料安置於表面上。剝離光阻之剩餘區段，藉此留下薄膜材料之所要圖案。

將薄膜塗覆至表面之另外方式係將黏著劑預塗覆至薄膜材料之一側。具有預塗覆至一表面之黏著劑的薄膜可被稱作貼紙(sticker)。可接著將該貼紙塗覆至該表面。在貼紙之情況下，薄膜材料可被收容於絕緣材料(諸如聚醯亞胺)內。詳言之，可將Kapton®用作貼紙之絕緣材料。

需要使薄膜直接接合至表面，以便減少在薄膜與表面之間的熱阻力。然而，理想地導熱之黏著劑可用以將薄膜塗覆至表面。

薄膜加熱器400及/或溫度感測器500之材料可為鉑，或鉑合金。薄膜材料可包含銅、鋁、銀、金及半導體材料中之至少一者，半導體材料可包含金屬氧化物及/或矽。在貼紙(亦即，經預塗覆有黏著劑之薄膜，該薄膜係在絕緣外殼內)之情況下，尤其可使用銅。用於薄膜之材料應隨著時間推移而係穩定的。

若將薄膜作為塗層塗覆至表面，則可使用光罩以規定將薄膜材料塗覆至表面之所要區段。詳言之，當一或多個薄膜加熱器400及/或溫度感測器500施加至瘤節板600之表面時，可使用光罩。圖28描繪可使用之光罩。圖28描繪指示用於薄膜加熱器400之位置的粗線，及指 示用於溫度感測器500之位置的細線。使用光罩來避免薄膜材料不良地沈積於瘤節32上。

圖27為說明使用一或多個薄膜加熱器400及/或感測器500之有效性的曲線圖。該曲線圖包括展示指紋大小如何取決於用以控制系統之溫度之調節類型隨時間而變化的四條線。由長虛線區段形成之線表示未施加溫度調節之情形。實線表示使用熱轉移流體通路200(如圖8所描繪)來執行溫度調節之情形。點劃線表示使用如圖9所描繪之組態的薄膜調節。由短虛線區段形成之線表示理想調節。

清楚的是，相較於藉由在基板支撐區域下方基板台WT中之熱轉移流體通路200中流動之熱轉移流體的調節，薄膜調節具有更接近於理論理想調節之結果。

使用薄膜技術之一優點在於：感測及加熱線良好地連接至表面，從而導致極低熱接觸阻力。另一優點在於：感測器及加熱器兩者係由相同材料製成，且可在一個程序步驟中附接多個感測器及加熱器之完整佈局。

因為熱阻力極低，所以具有薄膜感測器及加熱器之基板台的熱模擬展示出，基板台溫度可停留於毫開爾文範圍內，從而使其為幾乎理想之台調節概念。為了應付一實施例中之熱負荷，基板台在頂部上具有加熱器及感測器(如上文關於圖10及圖11所描述)且在中間具有水調節。在一實施例中，基板台WT不具有水調節。此情形對於冷卻負荷占主導的浸潤機器係可能的。為了最小化待控制之感測器及加熱器之數目，圖10之以下佈局係適當的，其具有各自由1個感測器-加熱器組合組成之18個或22個區域。

當然，可使用具有更多或更少區域之其他佈局。因為在X方向上掃描對於一列通常花費小於2秒，所以遍及基板W之全寬度的一個加熱器-感測器組合係足夠的。在Y方向上，可能需要更多組合來應付較 長時間尺度，通常為10秒至20秒。進程花費較長時間在Y方向上移動。感測器-加熱器組合能夠在0.5秒內作出反應，因此，在Y上之場大小應受到限制。提供多個邊緣加熱器-感測器組合(分別為12個或16個區域)來應付額外間隙5蒸發負荷。若很大程度上減少此等間隙5蒸發負荷，則可省去邊緣組合。則佈局變得如圖11所示。

一個區域內之加熱器及感測器應遍及其區域之總表面均勻地分佈，例如，如圖12所說明。

因為局域地且在短時間尺度內量測及校正熱冷卻負荷，所以疊對效能增加。

免除水調節係有利的，此係因為因而不存在水軟管及流體動力壓力脈衝且此情形允許較薄基板台，從而導致較少向上掃描向下掃描問題。

使用一或多個薄膜加熱器400及/或溫度感測器400之一另外優點在於：一或多個薄膜加熱器400及/或溫度感測器400相較於其他類型之加熱器或溫度感測器具有較低質量。此情形導致相較於以其他方式之基板台具有較低質量的基板台WT。

本發明之一實施例適用於300毫米直徑之基板W及450毫米直徑之基板W兩者。對於450毫米直徑之基板，感測器500/加熱器400之數目將增加。中心感測器500/加熱器400在X上將為450毫米且在Y上仍為50毫米，從而導致在Y上之9個感測器500/加熱器400，而對於300毫米直徑之基板，在Y上存在6個感測器400/加熱器400。邊緣感測器510/加熱器410將得到類似於300毫米直徑之基板之圖案的圖案，從而導致21或25個感測器510/加熱器410(亦即，300毫米直徑之基板可具有18個或22個感測器/加熱器)。

在一實施例中，對於全域溫度校正，在基板支撐區域之中心部分中加熱器及/或溫度感測器之數目可為僅一個(例如，覆蓋該區域之 大比例)。在另一實施例中，對於局域校正，可存在加熱器及/或溫度感測器的具有許多感測器500/加熱器400之「棋盤」(check-board)(例如，每晶粒大小26毫米×32毫米有1個感測器500/加熱器400)。

一個晶粒內之溫度感測器及加熱器線未必與晶粒定向對準。線長度、線寬度、瘤節圖案及導線連接點將判定佈局。

邊緣加熱器及/或感測器可在瘤節板600之瘤節內或外部，或在側邊緣上或基板台環上。

以下為本發明之態樣：a)整合式加熱器及/或溫度感測器之最佳化帶：若標準浸潤罩蓋路徑變化，則對加熱器及/或溫度感測器之最佳配置的變化係可能的；b)具有橫越台表面之加熱器；c)具有橫越台表面之感測器；d)具有遍及台之表面的彼此整合之感測器及加熱器；e)具有與瘤節整合之感測器及/或加熱器；f)具有作為薄膜之感測器及/或加熱器；g)與現有晶圓邊緣加熱器、兩相台控制及/或內部流體調節系統一起使用整合式感測器/加熱器；i)在基板支撐件之一側或兩側上存在系統；及j)用於整合感測器與加熱器之最佳配置。

在平面圖中，加熱器400及/或溫度感測器500可具有任何形狀。圖13展示一實例，在該實例中，加熱器400及/或感測器500包含形成進程路徑之線。加熱器400及感測器500可彼此相關聯(如(例如)在圖12中)。加熱器400及感測器500在平面圖中之形狀可能實質上相同或可能不實質上相同。

圖14展示感測器500及/或加熱器400在平面圖中之另外形狀。在 圖14之情況下，在平面圖中，感測器500及/或加熱器400之總體形狀為同心圓，該等同心圓接合在一起以形成一電路。

圖13及圖14之加熱器400/感測器500實施例可由一線形成，以形成呈如下文尤其參看圖19所描述之自我調節熱系統之形式或作為下文參看圖16及圖17所描述之微機電系統(MEMS)的加熱器400及關聯感測器500。

圖15之實施例為如下實施例：其中加熱器400及感測器500為分離線且均被形成為同心交織圓。

自我調節系統為歸因於局域溫度改變而啟動或撤銷啟動加熱器之器件。此加熱器在正確地點及正確時間提供所要熱補償，而無除了局域溫度改變以外之任何外部輸入。一般而言，存在製造自我調節器件之兩種方式：(i)具有MEMS開關之加熱器；(ii)由自我調節材料製成之加熱器，該自我調節材料具有在其電磁(EM)屬性與溫度之間的高非線性關係。

此等器件僅為幾微米厚，且此等器件之製造可藉由進階直接寫入或薄膜技術而進行，諸如尤其為金屬及介電沈積、光微影、濕式蝕刻及乾式蝕刻、電流及無電極電鍍、擴散及離子植入。歸因於自我調節器件之大小減少，該等器件可易於置放於任何組態、數目(大約數千個)、幾何形狀上或任何表面上。

可使用藉由尤其移除材料、重新塑形致動器或改變系統之材料結晶性(若此情形係可能的)之雷射調整來修整該系統。在複雜表面之情況下，自我調節系統可首先組裝於薄平坦膜上且接著轉移至最終表面上。

加熱器400及/或溫度感測器500可形成自我調節熱系統。亦即，無需將控制信號提供至加熱器400，且無需藉由遠端控制器自溫度感測器500接收信號。取而代之，將電壓施加至加熱器400及/或溫度感 測器500，其接著補償局域溫度變化而無需分離控制器。

一種形式之自我調節熱系統為下文參看圖16及圖17所描述的以MEMS為基礎之自我調節加熱器。一另外形式為參看圖18、圖19及圖20所描述的以EM溫度為基礎之自我調節加熱器。

MEMS加熱器400為藉由MEMS感測器500啟動及/或撤銷啟動之加熱器。在一實施例中，感測器500為開關。該開關可由正係數之熱膨脹材料或負係數之熱膨脹材料或雙金屬材料製成。圖16以橫截面展示以MEMS為基礎之自我調節加熱器400及感測器500。圖17展示圖16之溫度感測器500的細節。

在圖16中，加熱器400與溫度感測器500串聯地連接。溫度感測器500呈自我調節開關之形式。具有正係數之熱膨脹材料或負係數之熱膨脹材料或雙金屬材料的材料600操作該開關。用於感測器之建構的有用材料包括矽、多晶矽，或諸如氮化矽之矽化合物，或諸如金之金屬。材料600之熱膨脹及/或收縮導致開關在高於或低於一特定溫度的情況下打開(圖17之頂圖)，且開關在低於或高於該特定溫度的情況下相反地閉合。當開關閉合時，電流穿過加熱器400。在一實施例中，當加熱器400連接至電源供應器且發生溫度改變(例如，在冷卻期間)時，MEMS開關閉合電路。接著，電路流過加熱器400且使經形成有加熱器400之表面變暖。隨著溫度增加，開關之材料600開始變形(取決於選擇性材料之膨脹、收縮或彎曲)，直至開關打開，從而使電流停止傳遞通過加熱器400且藉此停止加熱。

MEMS結構之幾何形狀可取決於功能性(例如，以包括過熱保護且改良開關之可製造性)而變化。理想地，MEMS開關鄰近於加熱器400佈局或在加熱器400佈局內部，以便快速地對藉由加熱器400產生之溫度改變作出反應。圖14之實施例展示位置700，當圖14之實施例為以MEMS為基礎之自我調節加熱器時，位置700將適於定位MEMS 感測器/開關。

在一實施例中，自我調節加熱器可為以EM溫度為基礎之自我調節加熱器。此實施例具有如下優點(亦存在於MEMS實施例中)：僅單一線需要置放於表面上。

由自我調節材料(例如，半導電聚合物)製成之加熱器400亦可充當感測器500及開關，此係因為加熱器400隨著其EM屬性回應於周圍溫度改變而被撤銷啟動或啟動。圖18展示自我調節加熱器之電阻(Y軸)隨溫度(沿著X軸)而變化之實例。因此，若以電EM溫度為基礎之自我調節加熱器連接至電源供應器(例如，具有固定電壓)，則在溫度改變(例如，在冷卻期間)的情況下，自我調節材料之電阻顯著地降低。此程序允許電流流過加熱器，藉此使表面變暖。熱增加加熱器及其周圍環境之溫度，藉此增加電阻，直至電流在一給定溫度下完全地中止。此情形停止加熱程序。

以EM溫度為基礎之自我調節加熱器之建構可藉由如下步驟製造：將導熱且導電之層800置放於表面上，接著將自我調節材料膜810及導電但類似地隔離之層820置放於頂部上，如圖19所說明。

在平面圖中，以EM溫度為基礎之自我調節加熱器可具有任何形狀。實際上，加熱器無需呈線之形式，且可呈區塊之形式，如在圖20中以透視圖所說明。在圖20中，說明包含以EM溫度為基礎之自我調節加熱器420之加熱器/溫度感測器。中心電連接件450為所有EM溫度自我調節加熱器420所共有，且以EM溫度為基礎之自我調節加熱器420之任一側上的兩個電極460可用以完成電路。

可藉由自我調節基板台WT校正歸因於液體蒸發的基板W上之非均一溫度。自我加熱器件可置放於上部或下部瘤節板600表面上。在存在冷點(例如，小滴)之情況下，較接近於該等區之電加熱器400將被自我啟動以藉由通過瘤節之熱傳導來熱補償基板。僅需要兩條導線 以供電給基板台WT。此系統可顯著地減少基板台WT之重量，同時歸因於置放於基板台WT上之多個自我調節加熱器400而增加基板台WT之可靠性。

上文將加熱器400及/或溫度感測器500描述為施加至鄰近於基板W支撐區域的基板台WT之表面。然而，本發明之一實施例可應用於微影裝置(尤其是投影裝置，更尤其是浸潤微影投影裝置)之任何表面。圖21及圖22說明加熱器400及/或溫度感測器500在微影裝置中可能被置放的各種不同部位。

圖21為基板台WT之平面圖。已經論述鄰近於基板支撐區域的加熱器400及溫度感測器500之位置。其他位點可圍繞任何感測器1000，尤其是圍繞任何感測器1000之邊緣。此係因為在感測器1000之邊緣與基板台WT之邊緣之間可存在間隙，該間隙被固持於負壓下以自該間隙移除液體且藉此可經歷高蒸發損失。舉例而言，感測器100可為透射影像感測器(TIS)或ILIAS感測器。另一區域可為圍繞虛設基板1100之排泄口。虛設基板1100用以在(例如)基板調換期間藉由將虛設基板1100定位於投影系統PS下方來閉合流體處置系統12之底部。藉此，流體處置系統12可在(例如)基板調換期間被維持開啟，此情形在避免投影系統PS之最終元件上之乾燥污點方面係有利的。有可能使流體處置系統12在(例如)基板調換期間維持操作的另一方式係在基板台WT上提供調換橋1200。調換橋1200為自基板台WT延伸(視情況，可縮回地)之表面，且提供可在流體處置系統12下方移動之表面，同時(例如)新的第二基板台WT替換第一基板台WT。在基板台WT之頂部表面與調換橋1200之頂部表面之間的間隙可具備負壓源以移除到達該間隙中之任何液體。此區域可具備本文中所描述之加熱器及/或感測器，以及鄰近於調換橋1200的基板台WT自身之頂部表面。在(例如)基板調換期間，調換橋1200與第二基板台WT嚙合。調換橋1200將與基板台 WT嚙合所在之另外區域1300亦具備負壓源以移除在調換橋1200與基板台WT之間的間隙之間的液體。此區域1300可具備本文中所描述之加熱器及/或溫度感測器。

圖22展示上文所提及之該等區域，以及流體處置系統12及投影系統PS。可利用本文中所描述之加熱器及/或溫度感測器的流體處置系統12之表面包括在使用期間接觸浸潤液體之任何表面。此等表面包括流體處置系統12之下表面40、界定在使用中於投影系統PS之最終末端與基板W之間固持液體所在之空間的內部表面42，以及頂部表面44。頂部表面44可接觸浸潤液體，且尤其接觸延伸於流體處置系統12與投影系統PS之最終元件之間的液體彎液面。隨著頂部表面44上該彎液面之位置移動，蒸發負荷可施加至頂部表面44，使得加熱器及/或溫度感測器可有用地置放於頂部表面44處。出於類似原因，加熱器及/或溫度感測器可圍繞投影系統PS之邊緣置放於在投影系統PS與流體處置系統12之間的彎液面可被定位之處，或可發生濺射之處。舉例而言，加熱器及/或溫度感測器可圍繞投影系統PS之最終元件之外部邊緣而置放。

上文所描述之薄膜加熱器400可與溫度感測器組合，該等溫度感測器量測一表面上之單一點之溫度，而非採取遍及該表面之一部分的溫度之平均值。舉例而言，圖23、圖24及圖25描繪可根據本發明之一實施例而使用的溫度感測器，該溫度感測器經組態以量測一表面上之單一點之溫度。

圖23描繪本發明之一實施例。圖23描繪溫度感測器500可如何附接至通路200或附接至基板台WT。向溫度感測器500被附接至之部分給出參考數字131。溫度感測器500經組態以量測部分131之溫度。部分131可為(例如)通路200或基板台WT。然而，部分131可為微影裝置之任何表面。溫度感測器500係在部分131之表面上。溫度感測器500 係藉由導熱膏132附接至該表面。

溫度感測器500可包含熱敏電阻或其他溫度計設備。根據圖23所描繪之建構，溫度感測器500經按壓成直接相抵於部分131。導熱膏132可提供於溫度感測器500與部分131中間。該膏可為導熱膠黏劑。溫度感測器500係經由至少一引線133而連接至電總成134。電總成134採取來自溫度感測器500之溫度讀數。電總成134可為PCB。在一實施例中，溫度感測器500直接安裝至電總成134上而無需引線133。

圖23所描繪之建構之一缺點在於：可能難以將溫度感測器500定位於需要量測溫度之精確部位處。此係部分地歸因於存在經安裝有溫度感測器500之電總成134，或存在將溫度感測器500連接至電總成134之引線133。一另外缺點在於：引線133對溫度感測器500施予壓力。此情形可不良地影響藉由溫度感測器採取之溫度量測。

溫度感測器500可由半導體材料製成。溫度感測器500經組態以量測在單一部位處之溫度。

圖24及圖25描繪用於將溫度感測器500附接至部分131的圖23之建構之替代例。圖24描繪該建構之側視圖。圖25描繪該建構之平面圖。

可為熱敏電阻之溫度感測器500在將量測溫度之部位處附接至部分131。在此部位處，部分131經塗佈有導電塗層141。溫度感測器500係經由塗層141而連接至電總成134。溫度感測器500係在部分131之表面上。溫度感測器500係經由塗層141而連接至該表面。在一實施例中，溫度感測器500係經由塗層141及膠黏劑層132而連接至該表面。

理想地，導電塗層係導熱的。在圖25中可更清楚地看出，導電塗層141採取圖案之形式。塗層141之圖案之目的係允許導電塗層141在適當位置處連接至電總成134。舉例而言，適當位置可為存在更多空間用於電總成134或用於使引線133連接至電總成134之處。出於此 目的，塗層141可包含至少一狹長部分。

導電塗層141亦提供對部分131及/或對溫度感測器500之電屏蔽。以此方式，可在無任何額外生產步驟之情況下提供電屏蔽。可經由電總成134讀出來自溫度感測器500之量測信號，電總成134可直接連接至塗層141，或經由引線133而間接連接至塗層141。

溫度感測器500可直接附接至塗層141。溫度感測器500可埋置於塗層141內。在一實施例中，溫度感測器500係經由接合層132而連接至塗層141。接合層132可由導熱黏著劑(亦即，膠黏劑)形成。接合層132可由用於焊接之材料形成。理想地，接合層132小於10微米厚。

間隙142可提供於溫度感測器500與塗層141之間。間隙142之目的係防止短路。塗層141係由兩個塗層區段形成。每一區段充當用以將電力提供至溫度感測器500及/或自溫度感測器500接收信號之電極。間隙142使該兩個塗層區段彼此分離。間隙142可填充有電絕緣材料。

塗層之厚度小於10微米、小於5微米、小於3微米，或在0.2微米與2.0微米之間。

舉例而言，導電塗層141可由鉑製成，或主要地由鉑合金製成。塗層141可包含銅、鋁、銀及金中之至少一者。

代替溫度感測器500，使用塗層141作為在電總成134與溫度感測器500之間的中間物的相同原理可用於加熱器400之內容背景中。

在一實施例中，不存在接合層132。溫度感測器500可被沈積為一塗層。在一實施例中，塗層141及溫度感測器500可具有與上文所描述之位置互換的位置。溫度感測器500可直接附接至部分131。

儘管上文已參看浸潤微影裝置而描述本發明之一實施例，但未必需要為此情況。其他類型之微影裝置可遭受圍繞基板之邊緣的不均勻冷卻(或加熱)。舉例而言，在EUV裝置(極紫外線裝置)中，可發生 歸因於投影光束之照射的加熱。此情形可向基板給出局域化加熱，其係以與在局域化液體供應系統下方基板之邊緣之通過可給出冷卻效應之方式相當地相同的方式而進行。若在正常操作條件下向通路200中之熱轉移流體給出相對於所要溫度之小負溫度偏移，則所有加熱器均可開啟以獲得所要溫度。可接著藉由斷開一加熱器來施加局域冷卻負荷。在此情境中，可能是，僅在基板之邊緣處之加熱器之局域化過於受到限制，且或者或另外，加熱器可經置放成與基板支撐區域之中心相隔不同徑向距離。然而，與上文所描述之原理相同的原理亦適用於此情況下。

因此，可看出，本發明之一實施例可實施於許多類型之浸潤微影裝置中。舉例而言，本發明之一實施例可實施於I型線微影裝置中。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈 米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。

上文所描述之控制器可具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器亦可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。

本發明之一或多個實施例可適用於任何浸潤微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，無論浸潤液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是在基板及/或基板台上未受限制的。在一未受限制配置中，浸潤液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤系統中，液體供應系統可能不限制浸潤液體或其可能提供浸潤液體限制之比例，但未提供浸潤液體之實質上完全限制。

應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台 之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵的一或多個器件。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

1000‧‧‧感測器

1100‧‧‧虛設基板

1200‧‧‧調換橋

1300‧‧‧調換橋將與基板台嚙合所在之另外區域

Claims (10)

1. 一種微影裝置，其包含：位於一表面上之一加熱器及/或一溫度感測器，其中該表面為下列至少一者：鄰近一感測器或一調換橋之一基板台之一表面、一量測台之一表面、一感測器之一表面或圍繞位於該基板台上之該感測器之一邊緣之一表面、一液體處置系統之一表面及一位置量測器件之一表面，其中該加熱器及/或該溫度感測器包含一薄膜加熱器及或一薄膜溫度感應器。
2. 如請求項1之微影裝置，其中該感測器包含透射影像感測器(TIS)或ILIAS感測器。
3. 如請求項1之微影裝置，其中該表面包含該感測器之一上表面及/或下表面。
4. 如請求項1之微影裝置，其中該感測器包含位於其上表面之一板子，且/或該溫度感測器係施加至該板子之一上表面及/或一下表面。
5. 如請求項1-4任一項之微影裝置，其中該感測器包含一編碼器柵格板(encoder grid plate)以控制該基板台之位置。
6. 如請求項1-4任一項之微影裝置，其中該位置量測器件包含：一光柵(grating)，其附接至該基板台及一參考框架之一者；一額外感測器，其附接至該基板台及該參考框架之另一者，該額外感測器偵測由該光柵繞射及/或反射之輻射，以量測該基板台及該參考框架之間的相對位置，其中該表面包含該光柵及/或該額外感測器之一上表面及/或一下表面。
7. 如請求項6之微影裝置，其中該光柵係形成於一編碼器柵格板上，且其中該加熱器及/或該溫度感測器係直接施加至該編碼器柵格板之一表面。
8. 如請求項6之微影裝置，其中該加熱器及/或該溫度感測器控制該光柵及/或該額外感測器之溫度。
9. 如請求項1-4任一項之微影裝置，其中該薄膜加熱器及/或該薄膜溫度感應器係形成以作為該表面之一塗層。
10. 如請求項1-4任一項之微影裝置，其中該加熱器及該溫度感應器形成一自我調節熱系統。