JP2017183319A - マンガンアルミニウム系磁石 - Google Patents
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Abstract
【課題】高い残留磁化を有するマンガンアルミニウム系磁石を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るマンガンアルミニウム系磁石は、Pt(100)配向層と、前記Pt(100)配向層の(100)面の面直方向に積層した中間層と、τ−MnAl層がこの順に並んだ積層構造を有するマンガンアルミニウム系磁石であって、前記中間層はPt比率が75原子%以上95原子%以下であるPt−Mn−Al相であることを特徴とする。【選択図】図1
Description
本発明は、高い残留磁化を持つマンガンアルミニウム系磁石に関するものである。
希土類を含まない高特性磁石としてマンガンアルミニウム系磁石が注目されている。マンガンアルミニウム系磁石は、鋳造過程の後に押し出し加工や据え込み加工することによって、結晶配向を所定の方向に揃えることができ、高い残留磁化が得られる(特許文献1:特公昭54−31448号公報)。
一方、薄膜としてマンガンアルミニウム系磁石を作製した手法では、MgO基板(特許文献2:特開平4−127508号公報)やGaAs基板(非特許文献1:Applied Physics Letter Vol.102 pp.152405)上に成膜することで、膜面垂直方向に(001)配向したτ−MnAl層が得られて、より高い残留磁化が得られている。さらに、メカニズムは不明であるがMgO基板とτ−MnAl層との間に、Mnリッチなβ−Mn相を中間層として導入することで高い残留磁化が得られることが開示されている(特許文献3:特開平7−21544号公報)。
Applied Physics Letter Vol.102 pp.152405
しかし、β−Mn相の格子定数はτ−MnAl相の格子定数と大きく離れており、格子不整合が大きい。したがって、十分な(001)配向をもつτ−MnAl層が得られず、大きな残留磁束密度が得られない。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、より高い残留磁化を有するマンガンアルミニウム系磁石を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明者らはマンガンアルミニウム系磁石の残留磁化向上のためにより格子不整合が小さくなる構造について鋭意研究をした。まず、様々な材料とτ−MnAl(001)面との不整合を比較検討した結果、Pt(100)面が最も格子不整合が小さい事を見出した。その後、実験を重ねた結果、Pt(100)層にMnとAlを添加することで、さらに不整合が小さくなると着想し、検討を続けた。その結果、Pt(100)配向層と、前記Pt(100)配向層の(100)面の面直方向に積層したPt−Mn−Al中間層と、さらに前記Pt−Mn−Al中間層に積層したτ−MnAl層を有する磁石にて高い残留磁化が得られることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。
本発明のマンガンアルミニウム系磁石は、Pt(100)配向層と、前記Pt(100)配向層の(100)面の面直方向に積層した中間層と、τ−MnAl層がこの順に並んだ積層構造を有するマンガンアルミニウム系磁石であって、前記中間層はPt比率が75原子%以上95原子%以下であるPt−Mn−Al相であることを特徴とする。
本発明に係るマンガンアルミニウム系磁石における中間層は、Pt(100)配向層とτ−MnAl層の間に存在する。これにより、Pt(100)面とτ−MnAl(001)面の格子不整合を緩和し、τ−MnAl(001)の配向度を向上させることができる。ここで、前記中間層は、Pt−Mn−Al相であって、そのPt比率は75原子%以上95原子%以下である。前記Pt−Mn−Al相のPt比率が75原子%未満になると、中間層へのMn、Al添加による格子定数変化が過剰となり、格子不整合を緩和する効果が十分ではなくなる。また、Pt比率が95原子%を超えると、中間層へのMn、Al添加による格子定数変化が不十分となり、格子不整合を緩和する効果が十分ではなくなる。
本発明によれば、より高い残留磁化を有するマンガンアルミニウム系磁石を得ることができる。
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、本発明は以下に記載の実施形態及び実施例の内容により限定されるものではない。また、以下に記載の実施形態及び実施例にて示された構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択してもよい。
本実施に係るマンガンアルミニウム系磁石は、Pt(100)配向層と、前記Pt(100)配向層の(100)面の面直方向に積層した中間層と、τ−MnAl層がこの順に並んだ積層構造を有するマンガンアルミニウム系磁石であって、前記中間層はPt比率が75原子%以上95原子%以下であるPt−Mn−Al相である。
本実施に係るマンガンアルミニウム系磁石におけるPt(100)配向層は、Pt単層である必要はなく、多層構造を持っていてもよい。また、Pt(100)配向層がPt(100)単結晶であってもよい。Ptは面心立法格子構造(fcc構造)を持ち、<110>方向の格子定数がτ−MnAlと近いことから、格子不整合が非常に小さい。
本実施に係るマンガンアルミニウム系磁石における中間層は、Pt(100)配向層とτ−MnAl層の間に存在する。これにより、Pt(100)面とτ−MnAl(001)面の格子不整合を緩和し、τ−MnAl(001)の配向度を向上させることができる。ここで、前記中間層は、Pt−Mn−Al相であって、そのPt比率は75原子%以上95原子%以下である。前記Pt−Mn−Al相のPt比率が75原子%未満になると、中間層へのMn、Al添加による格子定数変化が過剰となり、格子不整合を緩和する効果が十分ではなくなる。また、Pt比率が95原子%を超えると、中間層へのMn、Al添加による格子定数変化が不十分となり、格子不整合を緩和する効果が十分ではなくなる。
また、前記Pt−Mn−Al相はfcc構造を持つことが好ましい。面心立法格子構造のPtの一部がMnもしくはAlで置換されていることにより、Pt(100)配向層とτ−MnAl層の格子不整合を緩和する効果を高くすることができる。
また、前記Pt−Mn−Al相はfcc構造を持つことが好ましい。面心立法格子構造のPtの一部がMnもしくはAlで置換されていることにより、Pt(100)配向層とτ−MnAl層の格子不整合を緩和する効果を高くすることができる。
本実施に係るマンガンアルミニウム系磁石におけるτ−MnAl層は、強磁性相であるτ−MnAl相の単相であることが好ましいが、非磁性層であるγ2相やβ相、アモルファス相を含んでいてもよい。もしくは、τ−MnAlのMnもしくはAlサイトを一部Fe、Cr、Niで置換した多元系τ−MnAlでもよい。また、前記Pt−Mn−Al中間層とτ−MnAl層の間、もしくは前記Pt−Mn−Al中間層とPt(100)配向層の間に拡散相が存在してもよい。
次に、本実施形態に係るマンガンアルミニウム系磁石の製造法について述べる。
本実施形態に係るマンガンアルミニウム系磁石作製の一例として、スパッタリングによる製造法について説明する。
材料として、先ずタ−ゲット材を準備する。タ−ゲット材としては、Mn、AlおよびPtの各単元素タ−ゲット材を使用する。
タ−ゲット材は、保管中に表面から酸化する。そのため、これらのタ−ゲット材の使用前には、スパッタリングを十分に行い、タ−ゲット材の清浄表面を出しておく必要がある。
スパッタリングにて成膜を行う基材は、Pt単結晶である。もしくは、各種の金属、ガラス、シリコン、セラミックスなどの上に積層したPt(100)配向膜でもよい。これらの基材の使用前には、洗浄を十分に行い基材表面に付着したチリや有機物を除去する必要がある。
スパッタリングを行う成膜装置は、O、N、C等の不純物元素を極力低減することが望ましいため、10−6Pa以下、より好ましくは10−8Pa以下となるまで真空槽内が排気されていることが望ましい。高い真空状態を保つため、成膜室と繋がった基材導入室を有することが望ましい。また、タ−ゲット材の使用前には、スパッタリングを十分に行い、タ−ゲット材の清浄表面を出しておく必要があるため、成膜装置は、基材とタ−ゲット材の間に真空状態で操作可能な遮蔽機構を有することが望ましい。スパッタリングの方法は、不純物元素を極力低減するという目的で、より低Ar雰囲気でスパッタリングが可能となるマグネトロン・スパッタリング法が好ましい。スパッタリングの電源は、DC、RFどちらでも使用可能であり、タ−ゲット材に応じて適宜選択できる。
上述したタ−ゲット材および基材を用いて、Pt−Mn−Al中間層を作製するには、PtとMnとAlタ−ゲットを3元同時スパッタリングする。その際、電源のパワ−は、サンプルの組成(Pt:Mn:Al)と成膜速度に応じて調整する。もしくは、MnとAlタ−ゲットを2元同時スパッタリングし、その後基材を加熱し、相互拡散させることで作製してもよい。
スパッタリング中は、基材を300〜500℃で加熱し結晶化させる。
その後、τ−MnAl層を成膜する。τ−MnAl層を作製するには、MnとAlタ−ゲットを2元同時スパッタリングする。その際、電源のパワ−は、サンプルの組成(Mn:Al)と成膜速度に応じて調整する。
スパッタリング中は、基材を300〜500℃で加熱し結晶化させる。
次に、表面酸化防止のためにRuをスパッタリングする。
測定方法の説明
(磁気特性)
まず、本実施例及び比較例における測定方法について説明する。得られた磁石の磁気特性は、振動試料型磁力計(VSM、玉川製作所製)を用いて室温にて、0〜33000Oeの磁場中で測定した。
(相同定及び配向面判定)
また、得られたサンプルについて、XRD(Rigaku製、X線回折測定)を用いて室温にて20°〜80°範囲で回折強度を測定し、相同定及び配向面の判定を行った。通常、粉末回折強度でメインピークとなるbct−τ−MnAl(101)面より、(001)面の強度が大きい場合をτ−MnAl(001)配向とした。
(磁気特性)
まず、本実施例及び比較例における測定方法について説明する。得られた磁石の磁気特性は、振動試料型磁力計(VSM、玉川製作所製)を用いて室温にて、0〜33000Oeの磁場中で測定した。
(相同定及び配向面判定)
また、得られたサンプルについて、XRD(Rigaku製、X線回折測定)を用いて室温にて20°〜80°範囲で回折強度を測定し、相同定及び配向面の判定を行った。通常、粉末回折強度でメインピークとなるbct−τ−MnAl(101)面より、(001)面の強度が大きい場合をτ−MnAl(001)配向とした。
以下、本発明について、実施例・比較例を用いてさらに詳細に説明する。
(実施例1)
タ−ゲット材としては、Mn、AlおよびPtの各単元素タ−ゲット材を使用した。また、成膜を行う基板には、純度99.9%のPt(100)単結晶基板を使用した。成膜装置は10−8Torr以下まで排気可能であり、同一チャンバ−内に複数のスパッタリング機構を有する装置を用いた。この成膜装置に前記タ−ゲット材および保護膜に用いるRuタ−ゲット材を装着した。スパッタリングはマグネトロン・スパッタリング法を用いることによりAr雰囲気で、DC電源にて行った。
タ−ゲット材としては、Mn、AlおよびPtの各単元素タ−ゲット材を使用した。また、成膜を行う基板には、純度99.9%のPt(100)単結晶基板を使用した。成膜装置は10−8Torr以下まで排気可能であり、同一チャンバ−内に複数のスパッタリング機構を有する装置を用いた。この成膜装置に前記タ−ゲット材および保護膜に用いるRuタ−ゲット材を装着した。スパッタリングはマグネトロン・スパッタリング法を用いることによりAr雰囲気で、DC電源にて行った。
まず、Pt(100)単結晶基板上にPt−Mn−Alを成膜した。その際、DC電源のパワ−は、サンプルの組成(Pt:Mn:Al)に応じて調整した。すなわち膜のPt比率が75原子%となり、かつMnとAlとの組成比が55:45なるように、さらに合計の成膜速度が0.2nm/sとなるようにそれぞれのタ−ゲット材に対するDC電源のパワ−を設定し、チャンバ−内のAr雰囲気圧力を6×10−3Torrに調整した。成膜は各種タ−ゲット材を同時にスパッタリングする同時成膜法にて厚みを5nmとした。
成膜中の基板温度は350℃とした。
次に、MnAlの成膜をした。MnとAlとの組成比が55:45になり、かつ合計の成膜速度が0.2nm/sとなるようにそれぞれのタ−ゲット材に対するDC電源のパワ−を設定し、チャンバ−内のAr雰囲気圧力を6×10−3Torrに調整した。成膜は各種タ−ゲット材を同時にスパッタリングする同時成膜法にて厚みを100nmとした。
基板温度は350℃で行い、その後真空中で室温まで冷却した後に、保護膜として、Ruを成膜した。作製したサンプルの作製条件およびその磁気特性を表1に示す。
(実施例2〜5、比較例1,2)
また、表1に示す通り実施例2〜実施例5及び比較例1、比較例2についてはPt−Mn−Al層のPt比率が異なること以外はすべて実施例1と同様に作製した。
また、表1に示す通り実施例2〜実施例5及び比較例1、比較例2についてはPt−Mn−Al層のPt比率が異なること以外はすべて実施例1と同様に作製した。
得られたサンプルのVSMよる残留磁化測定を行った。また、得られたサンプルについて、XRDを用いて相同定及び配向面の判定を行った。
実施例1〜5では、配向面(001)であるτ−MnAl相が観測され、高い残留磁化が得られた。これは、Pt−Mn−Al層上のτ−MnAlが格子不整合の小さい(001)面に配向した結果である。
比較例1では、τ−MnAl相が観測されたが無配向であり、高い残留磁化は得られなかった。これは、Pt−Mn−Al層の格子定数変化により、τ−MnAl(001)面との格子不整合が大きくなった結果だと考えられる。また比較例2では、τ−MnAl(001)配向が観測されたが、実施例と比較し(101)面の回折強度が強く観測されており、高い残留磁化が得られなかった。
実施例1におけるPt(001)単結晶基板、Pt−Mn−Al層及びMnAl層界面の断面TEM観察画像および電子線回折によるPt−Mn−Al層の結晶方位を図1に示す。断面TEMの高角度散乱暗視野(HAADF)像にコントラストが確認されたことから、積層構造を有することがわかった。また、エネルギー分散X線分光法による元素分析によって、上記積層構造がPt(001)単結晶基板、Pt比率75原子%であるPt−Mn−Al層及びMnAl層を有することが確認された。結晶方位の解析から、Pt−Mn−Al層はfcc構造を持つことが分かった。また、Pt基板では消滅則により見られなかった回折像が生じていることからPt−Mn−Al層はfcc−Pt構造にMnとAlが置換している構造であることが推察された。また、実施例2〜5の試料についても同様の構造が観察された。
このように、Pt(100)配向層と、前記Pt(100)配向層の(100)面の面直方向に積層した中間層と、τ−MnAl層がこの順に並んだ積層構造を有するマンガンアルミニウム系磁石であって、その中間層はPt比率が75原子%以上95原子%以下であるPt−Mn−Al相であることを特徴とするマンガンアルミニウム系磁石は、τ−MnAl(001)配向させ、高い残留磁化が得られることがわかった。
Claims (1)
- Pt(100)配向層と、前記Pt(100)配向層の(100)面の面直方向に積層した中間層と、τ−MnAl層がこの順に並んだ積層構造を有するマンガンアルミニウム系磁石であって、前記中間層はPt比率が75原子%以上95原子%以下であるPt−Mn−Al相であることを特徴とするマンガンアルミニウム系磁石。
Priority Applications (1)
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JP2016063482A JP2017183319A (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | マンガンアルミニウム系磁石 |
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