JP2017181147A - 圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】圧力の検出精度を高めることができ、かつ、ダイアフラムの破損の可能性を低減することができる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、前記ダイアフラムの変形を規制する変位規制部と、を有し、前記ダイアフラムが測定可能範囲内の圧力を受けている第1状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが離間し、前記ダイアフラムが前記測定可能範囲よりも高い圧力を受けている第2状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが接触することを特徴とする圧力センサー。【選択図】図1
Description
本発明は、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、圧力を検出可能な圧力センサーとして、特許文献1に記載の構成が知られている。特許文献1の圧力センサーは、凹部を有し、凹部の底部が受圧により撓み変形するダイアフラムとなっているSOI基板と、凹部の開口を塞ぎ、そこに圧力基準室を形成するためにSOI基板に接合されているシリコン基板と、を有している。また、ダイアフラムにはピエゾ抵抗素子が配置されており、このピエゾ抵抗素子からダイアフラムの撓みに応じた検出信号を取り出し、この検出信号に基づいて受けた圧力を検出する構成となっている。
このような圧力センサーにおいて、より高精度に圧力を検出するために、圧力センサーからの出力(検出信号)のSN比(信号雑音比)を高めることが求められている。SN比を高めるための手段としては、例えば、ダイアフラムを薄くして撓み易くすることで、単位圧力当たりのダイアフラムの変形量を大きくし、感度を高めることが考えられる。しかしながら、ダイアフラムを薄くすれば、ダイアフラムの機械的強度が低下して破損し易くなり、それに伴って、耐圧限界(ダイアフラムが機械的に耐えられる限界の圧力)が低下するため、検出可能圧力の上限が低くなる。
本発明の目的は、圧力の検出精度を高めることができ、かつ、ダイアフラムの破損の可能性を低減することができる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムと、
前記ダイアフラムの変形を規制する変位規制部と、を有し、
前記ダイアフラムが測定可能範囲内の圧力を受けている第1状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが離間し、
前記ダイアフラムが前記測定可能範囲よりも高い圧力を受けている第2状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが接触することを特徴とする。
これにより、圧力の検出精度を高めることができ、かつ、ダイアフラムの破損の可能性を低減することができる圧力センサーが得られる。
前記ダイアフラムの変形を規制する変位規制部と、を有し、
前記ダイアフラムが測定可能範囲内の圧力を受けている第1状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが離間し、
前記ダイアフラムが前記測定可能範囲よりも高い圧力を受けている第2状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが接触することを特徴とする。
これにより、圧力の検出精度を高めることができ、かつ、ダイアフラムの破損の可能性を低減することができる圧力センサーが得られる。
本発明の圧力センサーでは、前記ダイアフラムとの間に圧力基準室を形成するように、前記ダイアフラムと対向して配置されている対向部を有し、
前記変位規制部は、前記ダイアフラムに対して前記対向部側に配置されていることが好ましい。
これにより、第2状態の際に、より確実にダイアフラムと変位規制部とが接触する。
前記変位規制部は、前記ダイアフラムに対して前記対向部側に配置されていることが好ましい。
これにより、第2状態の際に、より確実にダイアフラムと変位規制部とが接触する。
本発明の圧力センサーでは、前記対向部は、前記変位規制部を兼ねていることが好ましい。
これにより、圧力センサーの構成が簡単となる。
これにより、圧力センサーの構成が簡単となる。
本発明の圧力センサーでは、前記変位規制部は、前記対向部から前記ダイアフラム側に突出して設けられていることが好ましい。
これにより、ダイアフラムと対向部との離間距離(すなわち、圧力基準室の高さ)を自由に設計することができる。
これにより、ダイアフラムと対向部との離間距離(すなわち、圧力基準室の高さ)を自由に設計することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記第2状態では、前記ダイアフラムの中央部が前記変位規制部に接触することが好ましい。
ダイアフラム全体でその中央部の変位量が最も大きくなるため、第2状態の際に、より確実にダイアフラムと変位規制部とを接触させることができる。
ダイアフラム全体でその中央部の変位量が最も大きくなるため、第2状態の際に、より確実にダイアフラムと変位規制部とを接触させることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記変位規制部は、前記ダイアフラムと前記対向部との間に位置していることが好ましい。
これにより、変位規制部の配置の自由度が増す。
これにより、変位規制部の配置の自由度が増す。
本発明の圧力センサーでは、前記第2状態では、前記ダイアフラムの端部が前記変位規制部と接触することが好ましい。
ダイアフラムの変形時には、ダイアフラムの端部に比較的大きな応力が加わるため、この端部と変位規制部とが接触することで、端部に過度な応力が加わるのを低減することができる。
ダイアフラムの変形時には、ダイアフラムの端部に比較的大きな応力が加わるため、この端部と変位規制部とが接触することで、端部に過度な応力が加わるのを低減することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記変位規制部の前記ダイアフラムと接触し得る部分には、前記ダイアフラムとの接触面積を低減させる接触面積低減処理が施されていることが好ましい。
これにより、ダイアフラムと変位規制部とが接触したまま離れなくなる、所謂「スティッキング」を低減することができる。
これにより、ダイアフラムと変位規制部とが接触したまま離れなくなる、所謂「スティッキング」を低減することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記接触面積低減処理として、前記変位規制部の前記ダイアフラムと接触し得る部分に凹凸が形成されていることが好ましい。
これにより、簡単に接触面積を低減することができる。
これにより、簡単に接触面積を低減することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記ダイアフラムと前記変位規制部との離間距離をDとし、
前記第1状態での前記ダイアフラムの前記変位規制部側への変位量をα1とし、
前記第2状態での前記ダイアフラムの前記変位規制部側への変位量をα2としたとき、
α1<D≦α2
の関係を満足していることが好ましい。
これにより、より確実に、第1状態においてダイアフラムと変位規制部とを離間させ、第2状態においてダイアフラムと変位規制部とを接触させることができる。
前記第1状態での前記ダイアフラムの前記変位規制部側への変位量をα1とし、
前記第2状態での前記ダイアフラムの前記変位規制部側への変位量をα2としたとき、
α1<D≦α2
の関係を満足していることが好ましい。
これにより、より確実に、第1状態においてダイアフラムと変位規制部とを離間させ、第2状態においてダイアフラムと変位規制部とを接触させることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記ダイアフラムは、中央部の厚さが端部の厚さよりも薄いことが好ましい。
これにより、ダイアフラムの機械的強度の低下を抑えつつ、ダイアフラムがより撓み易くなる。
これにより、ダイアフラムの機械的強度の低下を抑えつつ、ダイアフラムがより撓み易くなる。
本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを有していることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを有していることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを有していることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
以下、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
まず、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図2は、図1に示す圧力センサーが第1状態にある場合の断面図である。図3は、図1に示す圧力センサーが第2状態にある場合の断面図である。図4は、図1に示す圧力センサーが有するダイアフラムの拡大断面図である。図5は、図1に示す圧力センサーが有するセンサー部を示す平面図である。図6は、図5に示すセンサー部を含むブリッジ回路を示す図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、基板2の平面視(図1中の上側から見た平面視)を単に「平面視」とも言う。
図1に示す圧力センサー1は、受圧により撓み変形するダイアフラム25と、ダイアフラム25の変形を規制する変位規制部5と、を有している。そして、このような圧力センサー1は、ダイアフラム25が測定可能範囲内の圧力を受けている第1状態では、図2に示すように、ダイアフラム25と変位規制部5とが離間し、ダイアフラム25が測定可能範囲よりも高い圧力を受けている第2状態では、図3に示すように、ダイアフラム25と変位規制部5とが接触するように構成されている。
このような構成によれば、第1状態では、ダイアフラム25の撓み変形が変位規制部5によって制限されず、受けた圧力に応じてダイアフラム25が変形し、圧力を精度よく検出することができる。また、第2状態では、ダイアフラム25が変位規制部5と接触するため、ダイアフラム25の過度な変形が抑制される。そのため、ダイアフラム25の破損(破断限界以上の変形)の可能性を低減することができると共に、耐圧限界(ダイアフラム25が機械的に耐えられる限界の圧力)の低下を抑制しつつ、ダイアフラム25を薄くし、撓み易くすることができる(すなわち、単位圧力当たりのダイアフラムの変形量を大きくすることができる)。その結果、圧力センサー1から出力される検出信号のSN比が高まり、圧力センサー1の感度が向上する。以下、このような圧力センサー1について、詳細に説明する。
このような圧力センサー1は、基板2と、基板2に配置されているセンサー部3と、基板2に接合されているベース基板4と、基板2とベース基板4との間に形成されている圧力基準室S(空洞部)と、を有している。
[基板]
基板2は、SOI基板21(すなわち、第1シリコン層211、酸化シリコン層212および第2シリコン層213がこの順で積層されている基板)と、SOI基板21の上面に配置され、シリコン酸化膜(SiO2膜)で構成されている第1絶縁膜22と、第1絶縁膜22の上面に配置され、シリコン窒化膜(SiN膜)で構成されている第2絶縁膜23と、を有している。第1絶縁膜22は、センサー部3が有する後述するピエゾ抵抗素子31、32、33、34の界面順位を安定化し、第2絶縁膜23は、センサー部3を水分や埃から保護する。
基板2は、SOI基板21(すなわち、第1シリコン層211、酸化シリコン層212および第2シリコン層213がこの順で積層されている基板)と、SOI基板21の上面に配置され、シリコン酸化膜(SiO2膜)で構成されている第1絶縁膜22と、第1絶縁膜22の上面に配置され、シリコン窒化膜(SiN膜)で構成されている第2絶縁膜23と、を有している。第1絶縁膜22は、センサー部3が有する後述するピエゾ抵抗素子31、32、33、34の界面順位を安定化し、第2絶縁膜23は、センサー部3を水分や埃から保護する。
なお、SOI基板21に替えて、例えば、シリコン基板を用いてもよい。また、第1絶縁膜22や第2絶縁膜23は、同様の効果を発揮することができれば、異なる材料(例えば、SiON等)で構成されていてもよい。また、第1絶縁膜22および第2絶縁膜23は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。
また、基板2には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム25が設けられている。SOI基板21には、その下面に開放する有底の凹部26が形成されており、この凹部26の底部にダイアフラム25が形成されている。そして、ダイアフラム25の上面が受圧面251となる。なお、本実施形態では、ダイアフラム25の平面視形状が略正方形であるが、ダイアフラム25の平面視形状としては、特に限定されず、例えば、円形であってもよい。
本実施形態では、凹部26は、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングで形成されている。具体的には、SOI基板21の下面側から等方性エッチング、保護膜成膜および異方向性エッチングという工程を繰り返して、第1シリコン層211を掘ることで凹部26を形成する。この工程を繰り返し、エッチングが酸化シリコン層212まで達すると酸化シリコン層212がエッチングストッパーとなってエッチングが終了し、凹部26が得られる。前述した工程の繰り返しによって、図4に示すように、凹部26の内壁側面には掘り方向に周期的な凹凸が形成される。
そのため、ダイアフラム25は、中央部の厚さが端部の厚さよりも薄い。具体的には、ダイアフラム25は、端部から中央部に向けて厚さが漸減している。ダイアフラム25をこのような形状とすることで、ダイアフラム25の平均厚さを薄くすることができる。そのため、単位圧力当たりのダイアフラム25の撓み量が増し、その分、圧力検出感度が向上する。また、ダイアフラム25の端部の機械的強度の低下を低減することができる。受圧によりダイアフラム25が撓み変形すると、ダイアフラム25の中央部よりも端部に大きな応力が加わるため、ダイアフラム25の端部を厚くしておくことで、ダイアフラム25の破損の可能性を低減することができる。
なお、ダイアフラム25の形成方法としては、上記の方法に限定されず、例えば、ウェットエッチングによって形成してもよい。
このようなダイアフラム25の厚さ(平均厚さ)としては、特に限定されないが、1μm以上、10μm以下であることが好ましく、0.2μm以上、10μm以下であることがより好ましい。さらに、1μm以上、5μm以下であることが好ましく、0.5μm以上、5μm以下であることがより好ましい。さらに、1μm以上、3μm以下であることが好ましく、0.5μm以上、3μm以下であることが、より好ましい。このような範囲を満足することで、機械的な強度を保ちつつ、十分に薄く、受圧により撓み変形し易いダイアフラム25が得られる。
[センサー部]
センサー部3は、図5に示すように、ダイアフラム25に設けられている4つのピエゾ抵抗素子31、32、33、34を有している。また、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34は、配線35等を介して、互いに電気的に接続され、図6に示すブリッジ回路30(ホイートストンブリッジ回路)を構成している。ブリッジ回路30には駆動電圧AVDCを供給する駆動回路(図示せず)が接続されている。そして、ブリッジ回路30は、ダイアフラム25の撓みに基づくピエゾ抵抗素子31、32、33、34の抵抗値変化に応じた検出信号(電圧)を出力する。そのため、この出力された検出信号に基づいてダイアフラム25が受けた圧力を検出することができる。
センサー部3は、図5に示すように、ダイアフラム25に設けられている4つのピエゾ抵抗素子31、32、33、34を有している。また、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34は、配線35等を介して、互いに電気的に接続され、図6に示すブリッジ回路30(ホイートストンブリッジ回路)を構成している。ブリッジ回路30には駆動電圧AVDCを供給する駆動回路(図示せず)が接続されている。そして、ブリッジ回路30は、ダイアフラム25の撓みに基づくピエゾ抵抗素子31、32、33、34の抵抗値変化に応じた検出信号(電圧)を出力する。そのため、この出力された検出信号に基づいてダイアフラム25が受けた圧力を検出することができる。
特に、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34は、ダイアフラム25の外縁に沿って配置されている。前述したように、受圧によりダイアフラム25が撓み変形すると、ダイアフラム25の端部に大きな応力が加わるため、当該端部にピエゾ抵抗素子31、32、33、34を配置することで、前述した検出信号を大きくすることができ、圧力検出感度が向上する。なお、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34の配置としては、特に限定されず、例えば、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34がダイアフラム25の外縁を跨いで配置されていてもよい。
ピエゾ抵抗素子31、32、33、34は、それぞれ、例えば、SOI基板21の第2シリコン層213にリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。また、配線35は、例えば、SOI基板21の第2シリコン層213に、ピエゾ抵抗素子31、32、33、34よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。
[ベース基板]
ベース基板4は、ダイアフラム25との間に圧力基準室Sを形成するように、ダイアフラム25と対向して配置されている。具体的には、ベース基板4は、凹部26の開口を塞ぐように、基板2の下面(第1シリコン層211の表面)に接合されている。なお、以下では、ベース基板4の圧力基準室Sを介してダイアフラム25と対向している部分を対向部41とも言う。このようなベース基板4としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等を用いることができる。また、ベース基板4の厚さとしては、特に限定されないが、100μm以上、1000μm以下であることが好ましい。これにより、対向部41の変形(特に、圧力基準室S内の圧力と外圧との差圧に起因する撓み)を抑制することができる。
ベース基板4は、ダイアフラム25との間に圧力基準室Sを形成するように、ダイアフラム25と対向して配置されている。具体的には、ベース基板4は、凹部26の開口を塞ぐように、基板2の下面(第1シリコン層211の表面)に接合されている。なお、以下では、ベース基板4の圧力基準室Sを介してダイアフラム25と対向している部分を対向部41とも言う。このようなベース基板4としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等を用いることができる。また、ベース基板4の厚さとしては、特に限定されないが、100μm以上、1000μm以下であることが好ましい。これにより、対向部41の変形(特に、圧力基準室S内の圧力と外圧との差圧に起因する撓み)を抑制することができる。
このように、ベース基板4によって凹部26を気密的に封止することで、圧力基準室Sが形成される。圧力基準室Sは、真空(例えば、10Pa以下程度)であることが好ましい。これにより、圧力センサー1を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができる。そのため、利便性の高い圧力センサー1となる。ただし、圧力基準室Sは、一定の圧力(ただし、温度変化による圧力変動は考慮しない。)に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
[変位規制部]
変位規制部5は、ダイアフラム25に対してベース基板4側に配置されている。このような配置とすることで、前述したように、第2状態において、より確実にダイアフラム25と変位規制部5とを接触させることができる。特に、本実施形態では、図1に示すように、ベース基板4の対向部41が変位規制部5を兼ねている。そのため、ベース基板4の他に変位規制部5を別途設けなくてもよく、圧力センサー1の構成が簡単となる。
変位規制部5は、ダイアフラム25に対してベース基板4側に配置されている。このような配置とすることで、前述したように、第2状態において、より確実にダイアフラム25と変位規制部5とを接触させることができる。特に、本実施形態では、図1に示すように、ベース基板4の対向部41が変位規制部5を兼ねている。そのため、ベース基板4の他に変位規制部5を別途設けなくてもよく、圧力センサー1の構成が簡単となる。
また、本実施形態では、第2状態においてダイアフラム25の中央部が変位規制部5に接触する。ダイアフラム25全体で中央部の変位量が最も大きくなるため、このような構成によれば、第2状態において、より確実にダイアフラム25と変位規制部5とを接触させることができる。
このような変位規制部5は、前述したように、ダイアフラム25が測定可能範囲内の圧力を受けている第1状態ではダイアフラム25と接触せず、ダイアフラム25が測定可能範囲よりも高い圧力を受けている第2状態ではダイアフラム25と接触する。ここで、前記「測定可能範囲」について説明すると、測定可能範囲とは、圧力を一定の精度以上で検出できることができる範囲(言い換えると、圧力センサー1の製造者や提供者が検出精度を保証している、あるいは使用を推奨している圧力範囲。例えば圧力センサー1の仕様書に記載されている、検出圧力の精度保証範囲である。また、最大定格や絶対最大定格の圧力範囲であって、圧力センサー1が繰り返し正常動作が可能な圧力範囲を含んでもよい。)を言い、この範囲は、圧力センサー1毎に設定されている。ちなみに、近年では、10気圧程度(すなわち、水深100m程度)まで検出可能な圧力センサーの需要が高まっている。そのため、このような測定可能範囲としては、0気圧以上、5気圧以下であることが好ましく、0気圧以上、8気圧以下であることがより好ましく、0気圧以上、10気圧以下であることがさらに好ましいと言える。
ここで、第2状態でダイアフラム25と変位規制部5とが接触すれば、実際に接触が生じる圧力は特に限定されないが、なるべく低い圧力(すなわち、測定可能範囲の上限を超えて、上限により近い圧力)でダイアフラム25と変位規制部5との接触が生じることが好ましい。具体的には、測定可能範囲の上限から+1気圧以内の圧力を受けると、ダイアフラム25と変位規制部5との接触が生じることが好ましい。これにより、ダイアフラム25の過度な変形がより効果的に抑制され、ダイアフラム25の破損の可能性をより効果的に低減することができる。ただし、ダイアフラム25と変位規制部5との接触が生じる圧力が測定可能範囲の上限に近過ぎると、圧力センサー1の使用環境温度や個体差によっては、測定可能範囲の上限以下の圧力(すなわち、第1状態)でダイアフラム25と変位規制部5との接触が生じるおそれがある。そこで、測定可能範囲の上限から少なくとも+0.1気圧以内の圧力では、ダイアフラム25と変位規制部5との接触が生じないことが好ましい。言い換えると、ダイアフラム25と変位規制部5との接触が生じる圧力よりも0.1気圧以上低い圧力を測定可能範囲の上限に設定することが好ましい。
また、外圧が圧力基準室Sの圧力と等しい状態でのダイアフラム25と変位規制部5との離間距離(すなわち、圧力基準室Sの高さ)をDとし、第1状態でのダイアフラム25の変位規制部5側への変位量をα1とし、第2状態でのダイアフラム25の変位規制部5側への変位量をα2としたとき、圧力センサー1は、α1<D≦α2の関係を満足している。このような関係を満足することで、より確実に、第1状態ではダイアフラム25と変位規制部5とを離間させ、第2状態ではダイアフラム25と変位規制部5とを接触させることができる。
なお、圧力センサー1が受ける圧力をPとし、ダイアフラム25の幅(本実施形態ではダイアフラム25が略正方形であるため一辺の長さ)をaとし、ダイアフラム25の厚さをt0とし、ダイアフラム25のヤング率をE0としたとき、圧力Pに起因するダイアフラム25の変位規制部5側への変形量Zは、下記式(1)で表すことができる(ただし、各値の単位は、SI単位である)。そのため、圧力Pに第1状態の圧力を代入すれば、変形量Zとして上述のα1が求まり、同様に、圧力Pに第2状態の圧力を代入すれば、変形量Zとして上述のα2が求まる。
なお、ベース基板4は、十分に厚く形成されているため実質的に変形しないとし、上記の説明では外圧に起因した変位規制部5(対向部41)のダイアフラム25側への撓みを考慮していない。仮に、外圧に起因して変位規制部5がダイアフラム25側へ撓む場合には、第1状態での変位規制部5のダイアフラム25側への変位量をβ1とし、第2状態での変位規制部5のダイアフラム25側への変位量をβ2としたとき、α1+β1<D≦α2+β2の関係を満足すればよい。
また、変位規制部5のダイアフラム25と接触し得る部分(すなわち、変位規制部5の上面)には、ダイアフラム25との接触面積を低減させる接触面積低減処理が施されている。そのため、第2状態においてダイアフラム25と変位規制部5とが接触した際に、そのままダイアフラム25と変位規制部5とが離れなくなる、所謂「スティッキング」の発生の可能性を低減することができる。特に、本実施形態では、接触面積低減処理として、変位規制部5のダイアフラム25と接触し得る部分に凹凸を形成している。これにより、簡単に接触面積を低減することができる。なお、前記凹凸は、変位規制部5の下面に複数の凹部59を形成することで得られる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
次に、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図7は、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図8は、図7に示す圧力センサーが第1状態にある場合の断面図である。図9は、図7に示す圧力センサーが第2状態にある場合の断面図である。
以下、第2実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第2実施形態の圧力センサーは、変位規制部の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
図7に示すように、本実施形態の圧力センサー1では、ダイアフラム25の下面から酸化シリコン層212が除去されている。このような構成とすることで、例えば、前述した第1実施形態の構成と比べて、ダイアフラム25を薄くすることができる。そのため、より感度の高い圧力センサー1が得られる。
本実施形態では、前述した第1実施形態と同様にしてシリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングによって凹部26を形成し、その後、等方性のウェットエッチングによって、凹部26の底部にある酸化シリコン層212を除去することでダイアフラム25を形成している。このウェットエッチングによって酸化シリコン層212がサイドエッチングされるため、酸化シリコン層212が第1シリコン層211よりも外側まで除去される。そのため、ダイアフラム25と第1シリコン層211との間に隙間Gが形成されている。
このような構成では、第1シリコン層211の隙間Gを介してダイアフラム25と対向している部分が変位規制部5を構成している。したがって、図8に示すように、第1状態ではダイアフラム25と変位規制部5とが離間し、図9に示すように、第2状態ではダイアフラム25と変位規制部5とが接触する。そのため、本実施形態の圧力センサー1によっても、前述した第1実施形態と同様に、圧力の検出精度を高めることができ、かつ、ダイアフラム25の破損の可能性を低減することができる。
このような本実施形態では、変位規制部5は、対向部としてのベース基板4と別体として設けられており、ダイアフラム25とベース基板4との間に位置している。このように、変位規制部5をダイアフラム25とベース基板4との間に配置することで、変位規制部5の配置の自由度が増す。また、ベース基板4とダイアフラム25との離間距離(すなわち、圧力基準室の高さ)を自由に設定することができる。また、図9に示すように、第2状態では、ダイアフラム25の端部が変位規制部5と接触するようになっている。前述したように、ダイアフラム25の変形時には、ダイアフラム25の端部に比較的大きな応力が加わるため、この端部と変位規制部5とが接触することで、ダイアフラム25端部に過度な応力が加わるのを低減することができる。そのため、ダイアフラム25の破損の可能性をより効果的に低減することができる。
このような第2実施形態によっても前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。なお、本実施形態では、ベース基板4から前述した第1実施形態で説明したような凹部59は省略されている。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図10は、本発明の第3実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
次に、本発明の第3実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図10は、本発明の第3実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
以下、第3実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第3実施形態の圧力センサーは、変位規制部の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
図10に示すように、本実施形態の圧力センサー1では、変位規制部5は、対向部としてのベース基板4からダイアフラム25側(圧力基準室S内)に突出して設けられている。これにより、ダイアフラム25とベース基板4との離間距離(すなわち、圧力基準室Sの高さ)を自由に設計することができる。
本実施形態では、変位規制部5とベース基板4とがSOI基板40で一体的に形成されている。すなわち、SOI基板40は、第1シリコン層40A、酸化シリコン層40Bおよび第2シリコン層40Cを積層した基板であり、これら3つの層のうちの第2シリコン層40Cおよび酸化シリコン層40Bから変位規制部5が形成され、第1シリコン層40Aからベース基板4が形成されている。このような構成によれば、半導体プロセスを用いて比較的簡単に変位規制部5を形成することができる。なお、変位規制部5の構成としては、上記の構成に限定されず、例えば、ベース基板4と別体で用意した変位規制部5を接着剤等を介してベース基板4に接合した構成となっていてもよい。
このような第3実施形態によっても前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。なお、変位規制部5の上面(ダイアフラム25と接触し得る部分)には、第1実施形態で説明したような接触面積低減処理が施されていてもよい。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
次に、本発明の第4実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図11は、本発明の第4実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図12ないし図16は、それぞれ、図11に示す圧力センサーの製造方法を説明する断面図である。
以下、第4実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図11に示す圧力センサー1Aは、基板2と、センサー部3と、周囲構造体6と、圧力基準室S(空洞部)と、を有している。基板2、センサー部3および圧力基準室Sの構成は、それぞれ、前述した第1実施形態と同様であるため、以下では、主に、周囲構造体6について説明する。
[周囲構造体]
周囲構造体6は、基板2との間に圧力基準室Sを形成している。このような周囲構造体6は、基板2上に配置されている層間絶縁膜61と、層間絶縁膜61上に配置されている配線層62と、配線層62および層間絶縁膜61上に配置されている層間絶縁膜63と、層間絶縁膜63上に配置されている配線層64と、配線層64および層間絶縁膜63上に配置されている表面保護膜65と、配線層64および表面保護膜65上に配置されている封止層66と、を有している。
周囲構造体6は、基板2との間に圧力基準室Sを形成している。このような周囲構造体6は、基板2上に配置されている層間絶縁膜61と、層間絶縁膜61上に配置されている配線層62と、配線層62および層間絶縁膜61上に配置されている層間絶縁膜63と、層間絶縁膜63上に配置されている配線層64と、配線層64および層間絶縁膜63上に配置されている表面保護膜65と、配線層64および表面保護膜65上に配置されている封止層66と、を有している。
配線層62は、圧力基準室Sを囲んで配置されている枠状の配線部621と、センサー部3の配線35と接続されている配線部629と、を有している。同様に、配線層64は、圧力基準室Sを囲んで配置されている枠状の配線部641と、配線35と接続されている配線部649と、を有している。そして、センサー部3は、配線部629、649によって周囲構造体6の上面に引き出されている。
また、配線層64は、圧力基準室Sの天井に位置する被覆層644を有している。また、被覆層644には圧力基準室Sの内外を連通する複数の貫通孔645が配置されている。このような被覆層644は、配線部641と一体形成されており、圧力基準室Sを挟んでダイアフラム25と対向配置されている。なお、複数の貫通孔645は、後述する製造方法で説明するように、圧力基準室Sにエッチング液を侵入させるリリースエッチング用の孔である。また、被覆層644上には封止層66が配置されており、この封止層66によって貫通孔645が封止されている。
このような構成では、被覆層644および封止層66の積層体の圧力基準室Sを介してダイアフラム25と対向する部分が対向部69を構成し、さらに、この対向部69が変位規制部5を兼ねている。そのため、第2状態では、圧力基準室S側に変形したダイアフラム25の中央部が、対向部69(変位規制部5)に接触する。
表面保護膜65は、周囲構造体6を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。このような表面保護膜65は、被覆層644の貫通孔645を塞がないように、層間絶縁膜63および配線層64上に配置されている。
このような周囲構造体6のうち、層間絶縁膜61、63としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層62、64としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層66としては、例えば、Al、Cu、W、Ti、TiN等の金属膜、シリコン酸化膜等を用いることができる。また、表面保護膜65としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。
次に、圧力センサー1Aの製造方法について説明する。圧力センサー1Aの製造方法は、基板2上に犠牲層68を配置する犠牲層配置工程と、犠牲層68を除去して圧力基準室Sを形成する圧力基準室形成工程と、ダイアフラム25を形成するダイアフラム形成工程と、を有している。
[犠牲層配置工程]
まず、図12に示すように、SOI基板21を用意し、SOI基板21にリン、ボロン等の不純物を注入することで、センサー部3を形成する。次に、SOI基板21上に第1絶縁膜22および第2絶縁膜23をスパッタリング法、CVD法等を用いて順に成膜する。これにより、ダイアフラム25が形成されていない基板2が得られる。
まず、図12に示すように、SOI基板21を用意し、SOI基板21にリン、ボロン等の不純物を注入することで、センサー部3を形成する。次に、SOI基板21上に第1絶縁膜22および第2絶縁膜23をスパッタリング法、CVD法等を用いて順に成膜する。これにより、ダイアフラム25が形成されていない基板2が得られる。
次に、図13に示すように、基板2上に、層間絶縁膜61、配線層62、層間絶縁膜63および配線層64、表面保護膜65をスパッタリング法、CVD法等を用いて順に形成する。これにより、配線部621、641で囲まれた犠牲層68と、犠牲層68を上方から被覆する被覆層644と、が形成される。
[圧力基準室形成工程]
次に、図示しないレジストマスクで表面保護膜65を保護した上で、基板2を例えばバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、貫通孔645を介して犠牲層68が除去され、図14に示すように、圧力基準室Sが形成される。次に、圧力基準室Sを真空状態とし、図15に示すように、被覆層644上に、封止層66をスパッタリング法、CVD法等を用いて成膜して圧力基準室Sを封止する。これにより、変位規制部5を兼ねた対向部69が得られる。
次に、図示しないレジストマスクで表面保護膜65を保護した上で、基板2を例えばバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、貫通孔645を介して犠牲層68が除去され、図14に示すように、圧力基準室Sが形成される。次に、圧力基準室Sを真空状態とし、図15に示すように、被覆層644上に、封止層66をスパッタリング法、CVD法等を用いて成膜して圧力基準室Sを封止する。これにより、変位規制部5を兼ねた対向部69が得られる。
[ダイアフラム形成工程]
次に、図16に示すように、基板2の下面に、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングによって凹部26を形成してダイアフラム25を形成する。以上により圧力センサー1Aが得られる。
次に、図16に示すように、基板2の下面に、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングによって凹部26を形成してダイアフラム25を形成する。以上により圧力センサー1Aが得られる。
このような第4実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図17は、本発明の第5実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
次に、本発明の第5実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図17は、本発明の第5実施形態に係る圧力センサーの断面図である。
以下、第5実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第5実施形態の圧力センサーは、変位規制部の構成が異なること以外は、前述した第4実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
図17に示す圧力センサー1Aでは、第1絶縁膜22および第2絶縁膜23がダイアフラム25上に設けられていない。すなわち、第1絶縁膜22および第2絶縁膜23は、ダイアフラム25の上面を除くように配置されている。このような構成とすることで、例えば、前述した第4実施形態の構成と比べてダイアフラム25を薄くすることができる。そのため、より感度の高い圧力センサー1Aが得られる。
また、圧力センサー1Aは、第2絶縁膜23上に配置され、圧力基準室S内に突出して設けられている環状(リング状)の変位規制部5を有している。そして、変位規制部5の圧力基準室S側の端部51は、第1、第2絶縁膜22、23によって形成された隙間Gを介してダイアフラム25の端部と対向している。そのため、第2状態では、圧力基準室S側に変形したダイアフラム25の端部が、変位規制部5の端部51に接触する。なお、変位規制部5の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ポリシリコンを用いることができる。ポリシリコンを用いることで、前述した第4実施形態のような半導体プロセスを用いた製造方法によって変位規制部5を簡単に形成することができる。
以上のような第5実施形態によっても前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。なお、本実施形態の変形例として、例えば、配線部621の圧力基準室S内に突出している部分を変位規制部5としてもよい。
<第6実施形態>
次に、本発明の第6実施形態に係る高度計について説明する。
次に、本発明の第6実施形態に係る高度計について説明する。
図18は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
図18に示す高度計200は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計200の内部には前述した圧力センサー1が搭載されており、表示部201に現在地の海抜からの高度、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部201には、他にも現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。このような高度計200は、検出精度に優れる圧力センサー1を有しているため、高い信頼性を発揮することができる。なお、高度計200は、圧力センサー1の替りに圧力センサー1Aを備えていてもよい。
図18に示す高度計200は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計200の内部には前述した圧力センサー1が搭載されており、表示部201に現在地の海抜からの高度、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部201には、他にも現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。このような高度計200は、検出精度に優れる圧力センサー1を有しているため、高い信頼性を発揮することができる。なお、高度計200は、圧力センサー1の替りに圧力センサー1Aを備えていてもよい。
なお、このような高度計200は、防水性を備えていれば、例えば、ダイビング、フリーダイビング用の水深計としても利用可能となる。
<第7実施形態>
次に、本発明の第7実施形態に係る電子機器について説明する。
次に、本発明の第7実施形態に係る電子機器について説明する。
図19は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
図19に示す電子機器は、前述した圧力センサー1を備えたナビゲーションシステム300である。ナビゲーションシステム300は、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー1と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301と、を備えている。
図19に示す電子機器は、前述した圧力センサー1を備えたナビゲーションシステム300である。ナビゲーションシステム300は、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー1と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301と、を備えている。
このナビゲーションシステム300によれば、取得した位置情報に加えて、圧力センサー1によって高度情報を取得することができる。そのため、一般道路から高架道路へ進入する(またはこの逆)ことによる高度変化を検出することで、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかを判断でき、実際の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。このようなナビゲーションシステム300は、検出精度に優れる圧力センサー1を有しているため、高い信頼性を発揮することができる。なお、ナビゲーションシステム300は、圧力センサー1の替りに圧力センサー1Aを備えていてもよい。
なお、本発明の圧力センサーを備える電子機器は、上記のナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル端末、時計(スマートウォッチを含む)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等に適用することができる。
<第8実施形態>
次に、本発明の第8実施形態に係る移動体について説明する。
次に、本発明の第8実施形態に係る移動体について説明する。
図20は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
図20に示す移動体は、前述した圧力センサー1を備えた自動車400である。自動車400は、車体401と、4つの車輪402とを有しており、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。このような自動車400は、検出精度に優れる圧力センサー1を有しているため、高い信頼性を発揮することができる。なお、自動車400は、圧力センサー1の替りに圧力センサー1Aを備えていてもよい。
図20に示す移動体は、前述した圧力センサー1を備えた自動車400である。自動車400は、車体401と、4つの車輪402とを有しており、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。このような自動車400は、検出精度に優れる圧力センサー1を有しているため、高い信頼性を発揮することができる。なお、自動車400は、圧力センサー1の替りに圧力センサー1Aを備えていてもよい。
以上、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した実施形態では、センサー部としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサーとしては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のMEMS振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。
1、1A…圧力センサー、2…基板、21…SOI基板、211…第1シリコン層、212…酸化シリコン層、212a…湾曲凹面、213…第2シリコン層、22…第1絶縁膜、23…第2絶縁膜、25…ダイアフラム、251…受圧面、26…凹部、3…センサー部、30…ブリッジ回路、31、32、33、34…ピエゾ抵抗素子、35…配線、4…ベース基板、40…SOI基板、40A…第1シリコン層、40B…酸化シリコン層、40C…第2シリコン層、5…変位規制部、51…端部、59…凹部、6…周囲構造体、61…層間絶縁膜、62…配線層、621…配線部、629…配線部、63…層間絶縁膜、64…配線層、641…配線部、644…被覆層、645…貫通孔、649…配線部、65…表面保護膜、66…封止層、68…犠牲層、69…対向部、200…高度計、201…表示部、300…ナビゲーションシステム、301…表示部、400…自動車、401…車体、402…車輪、G…隙間、S…圧力基準室
Claims (14)
- 受圧により撓み変形するダイアフラムと、
前記ダイアフラムの変形を規制する変位規制部と、を有し、
前記ダイアフラムが測定可能範囲内の圧力を受けている第1状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが離間し、
前記ダイアフラムが前記測定可能範囲よりも高い圧力を受けている第2状態では、前記ダイアフラムと前記変位規制部とが接触することを特徴とする圧力センサー。 - 前記ダイアフラムとの間に圧力基準室を形成するように、前記ダイアフラムと対向して配置されている対向部を有し、
前記変位規制部は、前記ダイアフラムに対して前記対向部側に配置されている請求項1に記載の圧力センサー。 - 前記対向部は、前記変位規制部を兼ねている請求項2に記載の圧力センサー。
- 前記変位規制部は、前記対向部から前記ダイアフラム側に突出して設けられている請求項3に記載の圧力センサー。
- 前記第2状態では、前記ダイアフラムの中央部が前記変位規制部に接触する請求項3または4に記載の圧力センサー。
- 前記変位規制部は、前記ダイアフラムと前記対向部との間に位置している請求項2に記載の圧力センサー。
- 前記第2状態では、前記ダイアフラムの端部が前記変位規制部と接触する請求項6に記載の圧力センサー。
- 前記変位規制部の前記ダイアフラムと接触し得る部分には、前記ダイアフラムとの接触面積を低減させる接触面積低減処理が施されている請求項1ないし7のいずれか1項に記載の圧力センサー。
- 前記接触面積低減処理として、前記変位規制部の前記ダイアフラムと接触し得る部分に凹凸が形成されている請求項8に記載の圧力センサー。
- 前記ダイアフラムと前記変位規制部との離間距離をDとし、
前記第1状態での前記ダイアフラムの前記変位規制部側への変位量をα1とし、
前記第2状態での前記ダイアフラムの前記変位規制部側への変位量をα2としたとき、
α1<D≦α2
の関係を満足している請求項5に記載の圧力センサー。 - 前記ダイアフラムは、中央部の厚さが端部の厚さよりも薄い請求項1ないし10のいずれか1項に記載の圧力センサー。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の圧力センサーを有していることを特徴とする高度計。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の圧力センサーを有していることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の圧力センサーを有していることを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
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