JP2017166884A - 圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体 - Google Patents

圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体 Download PDF

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拓也 衣川
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勇介 松澤
島田　浩行
Hiroyuki Shimada
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Abstract

【課題】ヒステリシスを低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーの製造方法、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】ダイアフラムを有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一方の面に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲むように配置されている枠状の側壁部と、前記側壁部の開口を覆うように配置され、前記側壁部の内側と外側とを連通する貫通孔を有する蓋部と、前記蓋部上に配置され、前記貫通孔を封止する封止部と、前記シリコン基板、前記側壁部、前記蓋部および前記封止部で画成されている圧力基準室と、を有し、前記側壁部および前記蓋部の前記圧力基準室に臨む面は、それぞれ、シリコン材料を含んでいる。【選択図】図１

Description

本発明は、圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、圧力センサーとして、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有するシリコン基板と、ダイアフラム上に配置され、アルミニウムで構成された構造体で画成されている圧力基準室と、を有している。このような圧力センサーは、受圧によるダイアフラムの撓み変形をダイアフラムに配置されたピエゾ素子によって検知することで圧力を測定するようになっている。
特開２０１５−１７５８３３号公報
しかしながら、このような構成の圧力センサーでは、ダイアフラムがシリコンで構成され、構造体がアルミニウムで構成されているため、これら材料の熱膨張率（Ｓｉ：２．６ｐｐｍ／Ｋ、Ａｌ：２３ｐｐｍ／Ｋ）の差に起因して、環境温度によってダイアフラムの内部応力が大きく変化してしまう。そのため、同じ圧力を受けても環境温度によって測定値が異なってしまうというヒステリシスを引き起こしてしまう問題がある。さらに深刻な場合には、熱履歴によって温度特性曲線（温特カーブ）が変化してしまう場合もある。この場合には補正回路等によっても補正しきれなくなる。
本発明の目的は、ヒステリシスを低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーの製造方法、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲むように配置されている枠状の側壁部と、
前記側壁部の開口を覆うように配置され、前記側壁部の内側と外側とを連通する貫通孔を有する蓋部と、
前記蓋部の前記シリコン基板と反対側に配置され、前記貫通孔を封止する封止部と、
前記シリコン基板、前記側壁部、前記蓋部および前記封止部で画成されている圧力基準室と、を有し、
前記側壁部および前記蓋部の前記圧力基準室に臨む面側の部分は、それぞれ、シリコン材料を含んでいることを特徴とする。
これにより、ヒステリシスを低減することのできる圧力センサーが得られる。
本発明の圧力センサーでは、前記側壁部は、酸化シリコンを含んでいる基部と、
前記圧力基準室に臨むように前記基部の表面に配置され、シリコンを含んでいる被覆層と、を有していることが好ましい。
これにより、側壁部を製造し易くなる。
本発明の圧力センサーでは、前記被覆層および前記蓋部は、一体であることが好ましい。
これにより、被覆層および蓋部を同一工程において製造することができるため、圧力センサーの製造の簡易化を図ることができる。
本発明の圧力センサーでは、前記封止部は、シリコン材料を含んでいることが好ましい。
これにより、ヒステリシスをより低減することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記側壁部は、前記圧力基準室の幅が前記ダイアフラム側から前記蓋部側に向けて漸減するテーパー状となっていることが好ましい。
これにより、蓋部のサイズを小さくすることができ、蓋部の撓みを低減することができる。
本発明の圧力センサーの製造方法は、ダイアフラム形成領域を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記シリコン基板の一方の面側に、平面視で前記ダイアフラム形成領域と重なるように犠牲層を配置する工程と、
前記犠牲層の表面に、シリコン材料を含んでいる第１シリコン材料層を配置する工程と、
前記第１シリコン材料層を覆うように、シリコン材料を含んでいる第２シリコン材料層を配置する工程と、
前記第２シリコン材料層の一部を除去し、前記除去した部分から前記第１シリコン材料層を露出させる工程と、
前記第１シリコン材料層の前記第２シリコン材料層から露出した部分に、前記犠牲層に臨む貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を介して前記犠牲層を除去し、圧力基準室を形成する工程と、
前記第１シリコン材料層の前記第２シリコン材料層から露出した部分に封止部を配置して前記貫通孔を封止する工程と、
前記シリコン基板の前記ダイアフラム形成領域に受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする。
これにより、ヒステリシスを低減することのできる圧力センサーを比較的簡単に製造することができる。
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記犠牲層は、前記シリコン基板から離間する方向に沿って幅が漸減しているテーパー状となっていることが好ましい。
これにより、犠牲層の側面に第１シリコン材料層を配置し易くなる。
本発明の圧力センサーの製造方法は、ダイアフラム形成領域を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記シリコン基板の一方の面側に、平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲むようにシリコン材料を含んでいる枠状の側壁部を配置する工程と、
前記側壁部の内側に犠牲層を配置する工程と、
前記側壁部および前記犠牲層上に、前記側壁部の開口を覆うように、前記犠牲層に臨む貫通孔を有し、シリコン材料を含んでいる蓋部を配置する工程と、
前記貫通孔を介して前記犠牲層を除去し、圧力基準室を形成する工程と、
前記蓋部上に封止部を配置して前記貫通孔を封止する工程と、
前記シリコン基板の前記ダイアフラム形成領域に受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする。
これにより、ヒステリシスを低減することのできる圧力センサーを比較的簡単に製造することができる。
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記犠牲層を配置する工程では、前記側壁部の内側を埋めると共に、前記側壁部の前記シリコン基板と反対側の面を覆うように前記犠牲層を配置し、
前記蓋部を配置する工程では、前記犠牲層の前記側壁部と重なっている部分に前記側壁部に臨む枠状の枠状貫通孔を形成し、前記枠状貫通孔内および前記犠牲層上に蓋部を配置することが好ましい。
これにより、側壁部のシリコン基板と反対側の面を保護することができる。
本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
本発明の第１実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。 図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。 図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第３実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。 図３０に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図３０に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図３０に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図３０に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 図３０に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の高度計の一例を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例を示す正面図である。 本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
以下、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。図３は、図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。図５ないし図１８は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。
図１に示す圧力センサー１は、受圧により撓み変形するダイアフラム２５を有するシリコン基板としてのＳＯＩ基板２１と、ＳＯＩ基板２１の一方の面側に配置され、平面視でダイアフラム２５を囲むように配置されている枠状の側壁部４１と、側壁部４１の開口を覆うように配置され、側壁部４１の内側と外側とを連通する貫通孔４２１を有する蓋部４２と、蓋部４２のＳＯＩ基板２１と反対側に配置され、貫通孔４２１を封止する封止部４３と、ＳＯＩ基板２１、側壁部４１、蓋部４２および封止部４３で画成されている圧力基準室としての空洞部Ｓと、を有し、側壁部４１および蓋部４２の空洞部Ｓに臨む面側の部分は、それぞれ、シリコン材料を含んでいる。これにより、ヒステリシスを低減することのできる圧力センサー１が得られる。以下、このような圧力センサー１について詳細に説明する。
図１に示す圧力センサー１は、ベース２と、圧力センサー部３と、周囲構造体４と、空洞部Ｓと、を有している。
［ベース］
ベース２は、図１に示すように、ＳＯＩ基板２１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で構成された第１絶縁膜２２と、ポリシリコンで構成された第２絶縁膜２３と、この順に積層することで構成されている。ＳＯＩ基板２１は、第１シリコン層２１１と、第１シリコン層２１１の上側に配置された第２シリコン層２１３と、第１、第２シリコン層２１１、２１３の間に配置された酸化シリコン層２１２と、を有している。なお、シリコン基板としては、ＳＯＩ基板に限定されない。また、第１絶縁膜２２、第２絶縁膜２３は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。
また、ＳＯＩ基板２１には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧により撓み変形するダイアフラム２５が設けられている。このダイアフラム２５は、ＳＯＩ基板２１の下面に開放する有底の凹部２６を設けることで、当該凹部２６の底部として形成されている。そして、ダイアフラム２５の下面が受圧面２５１となっている。ダイアフラム２５の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、１．５μｍ以上、２．０μｍ以下程度とすることが好ましい。これにより、機械的強度を十分に保ちつつ、撓み易いダイアフラム２５となる。
［圧力センサー部］
圧力センサー部３は、図２に示すように、ダイアフラム２５に設けられている４つのピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４を有する。また、ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４は、配線３５等を介して、互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路３０（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。
ブリッジ回路３０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、ブリッジ回路３０は、ダイアフラム２５の撓みに基づくピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４の抵抗値変化に応じた信号を出力する。そのため、この出力された信号に基づいてダイアフラム２５が受けた圧力を検出することができる。
ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４は、それぞれ、例えば、第２シリコン層２１３にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、配線３５は、例えば、第２シリコン層２１３に、ピエゾ抵抗素子３１〜３４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。
［空洞部］
空洞部Ｓは、図１に示すように、ベース２と周囲構造体４とに囲まることで画成されている。このような空洞部Ｓは、密閉された空間であり、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。また、空洞部Ｓは、ダイアフラム２５の受圧面２５１とは反対側に位置し、ダイアフラム２５と重なって配置されている。なお、空洞部Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下程度）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、空洞部Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
［周囲構造体］
周囲構造体４は、ベース２との間に空洞部Ｓを形成している。このような周囲構造体４は、図１に示すように、ベース２の上面に設けられている。また、周囲構造体４は、ベース２の上面（一方の面）に配置され、平面視でダイアフラム２５を囲むように配置されている枠状の側壁部４１と、側壁部４１の上側開口を覆うように配置され、空洞部Ｓの内外（すなわち、側壁部４１の内側と外側）を連通する貫通孔４２１を有している蓋部４２と、蓋部４２上に配置され、貫通孔４２１を封止している封止部４３と、圧力センサー部３の配線３５と電気的に接続されている貫通電極４４と、側壁部４１および封止部４３の表面に配置されている表面保護膜４５と、を有している。そして、ベース２、側壁部４１、蓋部４２および封止部４３によって囲まれることで空洞部Ｓが画成されている。
側壁部４１の下端部の内周縁は、平面視で、ダイアフラム２５よりも大きいサイズを有しており、その内側にダイアフラム２５の全域を内包している。また、側壁部４１は、空洞部Ｓの幅が下側（ダイアフラム２５側）から上側（蓋部４２側）に向けて漸減するテーパー状となっている。このように、側壁部４１をテーパー状とすることで、蓋部４２のサイズを小さくすることができ、蓋部４２の撓みを低減することができる。そのため、例えば、蓋部４２がダイアフラム２５に接触してしまったり、接触したまま剥がれない、所謂「スティッキング」が生じてしまったりすることを低減することができる。特に、本実施形態では、側壁部４１の内周面が空洞部Ｓに向けて凸の湾曲面であるため、空洞部Ｓの体積を減少させることができる。そのため、空洞部Ｓ内の雰囲気の置換を効率的に行うことができる。ただし、側壁部４１の形状としては、本実施形態の形状に限定されない。
このような側壁部４１は、枠状の基部４１１と、基部４１１の表面、具体的には基部４１１の内周面に配置されている被覆層４１２と、を有し、被覆層４１２が空洞部Ｓに臨んでいる。また、基部４１１は、酸化シリコンを含んでおり、特に本実施形態では酸化シリコンで構成されている。一方、被覆層４１２は、シリコンを含んでおり、特に本実施形態ではポリシリコンで構成されている。このように、基部４１１および被覆層４１２がシリコン材料を含んでいることにより、側壁部４１とベース２の熱膨張率の差を小さくすることができる。そのため、後述するように圧力センサー１のヒステリシスをより低減することができる。また、側壁部４１の構成が簡単なものとなり、側壁部４１の製造が容易となる。なお、基部４１１および被覆層４１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、単結晶シリコン、アモルファルシリコン、窒化シリコン等であってもよい。
蓋部４２は、空洞部Ｓの天井に位置しており、側壁部４１の上部開口を覆うように配置されている。また、蓋部４２には、空洞部Ｓの内外を連通する貫通孔４２１が設けられている。なお、貫通孔４２１は、後述するように、空洞部Ｓを形成する際に犠牲層を除去するためのリリースホールとして用いられる。このような蓋部４２は、シリコン材料を含んでおり、特に本実施形態ではポリシリコンで構成されている。このように、蓋部４２がシリコン材料を含んでいることにより、蓋部４２とベース２の熱膨張率の差を小さくすることができる。そのため、後述するように圧力センサー１のヒステリシスをより低減することができる。なお、蓋部４２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、単結晶シリコン、アモルファルシリコン、窒化シリコン等であってもよい。
このように、圧力センサー１では、ベース２、側壁部４１、蓋部４２の空洞部Ｓに臨む面がそれぞれシリコン材料を含んでいるため、空洞部Ｓを画成する部分の熱膨張率の差を小さくすることができる。これにより、前述した「背景技術」のような空洞部Ｓを画成する部分の熱膨張率が大きく異なる場合に引き起こされるヒステリシスの問題（同じ圧力を受けても熱履歴によって測定値が異なってしまう現象等）が生じ難くなる。そのため、圧力センサー１によれば、ヒステリシスを低減することができ、圧力検出精度の低下を効果的に低減することができる。
特に、本実施形態では、蓋部４２および被覆層４１２は、一体である。すなわち、蓋部４２および被覆層４１２は、一体形成されている。これにより、後述する製造方法でも説明するように、蓋部４２と被覆層４１２を同一工程において製造することができるため、圧力センサー１の製造の簡易化を図ることができる。また、蓋部４２と被覆層４１２との境界部に接続部が形成されないため、当該箇所に隙間が生じるおそれが低減し、エッチング液の滲み出しを低減することができる。このことについては、後述する製造方法において説明する。
このような蓋部４２上には封止部４３が配置されており、封止部４３によって貫通孔４２１が封止されている。また、封止部４３は、シリコン材料を含んでおり、特に、本実施形態ではシリコンで構成された第１封止層４３１および酸化シリコンで構成された第２封止層４３２の積層構造となっている。このように、封止部４３がシリコン材料を含んでいることにより、封止部４３、側壁部４１、蓋部４２およびベース２の熱膨張率の差を小さくすることができる。そのため、圧力センサー１のヒステリシスをより効果的に低減することができる。なお、封止部４３の構成としては、特に限定されず、本実施形態のような積層構造でなくてもよく、単層構造であってもよい。
貫通電極４４は、側壁部４１の基部４１１を貫通して配置されており、その下端部が圧力センサー部３の配線３５と電気的に接続されており、その上端部が周囲構造体４の上面に露出する端子４４１となっている。そのため、貫通電極４４を介して、圧力センサー部３と外部装置（例えばＩＣ）とを電気的に接続することができる。このような貫通電極４４の構成材料としては、アルミニウム等の金属材料を用いることができる。
表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。このような表面保護膜４５は、側壁部４１および封止部４３の表面を覆うように配置されている。このような表面保護膜４５の構成材料としては、特に限定されず、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン系材料、ポリイミド、エポキシ樹脂等の各種樹脂材料などを用いることができる。なお、表面保護膜４５の構成材料としては、特に、シリコン系材料であることが好ましい。このように、表面保護膜４５がシリコン材料を含んでいることにより、他の部材（すなわち、封止部４３、側壁部４１、蓋部４２およびベース２）との熱膨張率の差を小さくすることができる。そのため、圧力センサー１のヒステリシスをより効果的に低減することができる。
次に、圧力センサー１の製造方法について説明する。圧力センサー１の製造方法は、図４に示すように、ダイアフラム形成領域２５０を有するシリコン基板としてのＳＯＩ基板２１を準備する準備工程と、ＳＯＩ基板２１の一方の面側に、平面視でダイアフラム形成領域２５０と重なるように犠牲層５０を配置する犠牲層配置工程と、犠牲層５０の表面に、シリコン材料を含んでいる第１シリコン材料層５１を配置する第１シリコン材料層配置工程と、第１シリコン材料層５１を覆うように、シリコン材料を含んでいる第２シリコン材料層５２を配置する第２シリコン材料層配置工程と、第２シリコン材料層５２の一部を除去し、除去した部分から第１シリコン材料層５１を露出させる露出工程と、第１シリコン材料層５１の第２シリコン材料層５２から露出した部分に、犠牲層５０に臨む貫通孔４２１を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔４２１を介して犠牲層５０を除去し、圧力基準室としての空洞部Ｓを形成する空洞部形成工程と、第１シリコン材料層５１の第２シリコン材料層５２から露出した部分に封止部４３を配置して貫通孔４２１を封止する封止工程と、貫通電極４４を配置する貫通電極配置工程と、表面保護膜４５を配置する表面保護膜配置工程と、ＳＯＩ基板２１のダイアフラム形成領域２５０に受圧により撓み変形するダイアフラム２５を形成するダイアフラム形成工程と、を含んでいる。
［準備工程］
まず、図５に示すように、第１シリコン層２１１、酸化シリコン層２１２および第２シリコン層２１３が積層してなるＳＯＩ基板２１を準備する。このＳＯＩ基板２１にはダイアフラム２５を形成するためのダイアフラム形成領域２５０が設定されている。次に、図６に示すように、ＳＯＩ基板２１の上面にリン、ボロン等の不純物を注入することで、圧力センサー部３を形成する。次に、図７に示すように、ＳＯＩ基板２１上に第１絶縁膜２２、第２絶縁膜２３をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて順に成膜する。これにより、ダイアフラム２５が形成されていない状態のベース２が得られる。
［犠牲層配置工程］
次に、図８に示すように、ベース２の上面に、平面視でダイアフラム形成領域２５０の全域を内包して重なるように犠牲層５０を配置する。配置された犠牲層５０は、上側に向かって（すなわち、ＳＯＩ基板２１から離間する方向に沿って）幅が漸減しているテーパー状となっている。このような犠牲層５０としては、後の空洞部形成工程で除去することができれば特に限定されないが、本実施形態では、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ２層で構成することができる。また、犠牲層５０の厚さとしては、特に限定されないが、５０μｍ程度とすることができる。
［第１シリコン材料層配置工程］
次に、図９に示すように、犠牲層５０の表面（すなわち、上面および側面）に、シリコン材料を含んでいる第１シリコン材料層５１をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜する。ここで、前述したように、犠牲層５０が上側に向かって幅が漸減しているテーパー状となっているため、犠牲層５０の側面にも第１シリコン材料層５１を成膜し易くなる。
また、本工程では、第１シリコン材料層５１は、犠牲層５０の側面とベース２の上面とに跨って成膜され、第１シリコン材料層５１と第２絶縁膜２３とが接続される。これにより、第２絶縁膜２３と第１シリコン材料層５１とで犠牲層５０の全周を覆った状態となる。
第１シリコン材料層５１の構成材料としては、犠牲層５０とのエッチング選択比が大きい材料を選択することが好ましく、本実施形態では、ポリシリコンが用いられている。第１シリコン材料層５１としてポリシリコンを用いることで、第１シリコン材料層５１および第２絶縁膜２３の構成材料を同じにすることができるため、これらの接合性が向上し、後の空洞部形成工程において、エッチング液がこれらの境界部から滲み出してしまうことを効果的に低減することができる。
このような第１シリコン材料層５１によって、蓋部４２と被覆層４１２とを一体形成することができる。具体的には、第１シリコン材料層５１の上面に位置する部分が蓋部４２となり、側面に位置する部分が被覆層４１２となる。このような方法によれば、蓋部４２と被覆層４１２を同一工程において製造することができるため、圧力センサー１の製造の簡易化を図ることができる。また、蓋部４２と被覆層４１２との境界部に接続部が形成されないため、当該箇所に隙間が生じるおそれが低減する。そのため、後の空洞部形成工程において、エッチング液の滲み出しを効果的に低減することができる。
［第２シリコン材料層配置工程］
次に、図１０に示すように、第１シリコン材料層５１を覆うように、シリコン材料を含んでいる第２シリコン材料層５２を配置し、その後、ＣＭＰ（化学機械研磨）等によって上面を平坦化する。第２シリコン材料層５２としては、特に限定されないが、本実施形態では、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ２層で構成することができる。
［露出工程］
次に、図１１に示すように、第２シリコン材料層５２の一部を除去して貫通孔５２１を形成し、貫通孔５２１から第１シリコン材料層５１の上面である蓋部４２を露出させる。これにより、第２シリコン材料層５２で構成された基部４１１が得られる。なお、貫通孔５２１の形成方法としては、特に限定されず、例えば、各種エッチング技術（ウェットエッチング、ドライエッチング）を用いることができる。
［貫通孔形成工程］
次に、図１２に示すように、蓋部４２に少なくとも１つの貫通孔４２１を形成し、貫通孔４２１を介して、犠牲層５０を露出させる。貫通孔４２１の形成方法としては、特に限定されず、例えば、各種エッチング技術（ウェットエッチング、ドライエッチング）を用いることができる。
次に、図１３に示すように、第２シリコン材料層５２の貫通孔５２１の内周面および貫通孔５２１の開口端面に、後の空洞部形成工程でのウェットエッチングから第２シリコン材料層５２を保護する保護膜５４をスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜し、さらに、保護膜５４で保護されていない領域に、エッチング保護層としてのレジストマスクＭをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜する。なお、保護膜５４は、貫通孔４２１や、第２シリコン材料層５２の上面の貫通電極４４を形成する領域４４０と重ならないように配置する。
［空洞部形成工程］
次に、例えばバッファードフッ酸等のエッチング液にベース２を晒す。これにより、貫通孔４２１を介して犠牲層５０がリリースエッチングされ、図１４に示すように、空洞部Ｓが形成される。この際、犠牲層５０を囲んでいるポリシリコン製の第２絶縁膜２３および第１シリコン材料層５１がエッチングストッパーとして機能する。そして、本工程の終了後、レジストマスクＭを除去する。
［封止工程］
次に、図１５に示すように、空洞部Ｓを真空状態とし、蓋部４２上に封止部４３を成膜して貫通孔４２１を封止する。具体的には、まず、蓋部４２上にシリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜して第１封止層４３１を形成し、さらに、第１封止層４３１上に、酸化シリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜して第２封止層４３２を形成する。これにより、貫通孔４２１を封止する封止部４３が得られ、空洞部Ｓが真空状態で気密封止される。このように、封止部４３を第１封止層４３１と第２封止層４３２の積層構造とすることで、より確実に、貫通孔４２１を封止することができ、空洞部Ｓの気密性を担保することができる。
次に、空洞部Ｓを８００℃〜１０００℃程度に加熱し、空洞部Ｓの真空度を高める。ここで、前述したように、これまでの工程では、アルミニウム等の融点の低い材料を使用していないため、本工程では、空洞部Ｓを８００℃〜１０００℃程度という高温に加熱することができる。そのため、真空度をより高めることができる。
［貫通電極配置工程］
次に、図１６に示すように、基部４１１の領域４４０に貫通孔４１１Ａを形成し、形成した貫通孔４１１Ａ内にアルミニウムをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜して貫通電極４４を形成する。
［表面保護膜配置工程］
次に、図１７に示すように、第２シリコン材料層５２および封止部４３上に窒化シリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜して表面保護膜４５を形成する。
［ダイアフラム形成工程］
次に、図１８に示すように、ダイアフラム形成領域２５０に、ＳＯＩ基板２１の下面に開放する凹部２６を形成してダイアフラム２５を得る。凹部２６の形成方法としては、特に限定されないが、本実施形態ではドライエッチング（シリコンディープエッチング）により形成している。
以上により、圧力センサー１が得られる。このような製造方法によれば、ヒステリシスを低減することができ、圧力検出精度の低下を効果的に低減することのできる圧力センサー１を簡単に製造することができる。なお、本実施形態の製造方法では、ダイアフラム形成工程を最後に行っているが、ダイアフラム形成工程の順番としては特に限定されず、例えば、準備工程の次に行ってもよい。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図１９は、本発明の第２実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図２０は、図１９に示す圧力センサーの製造方法を示すフローチャートである。図２１ないし図２９は、それぞれ、図１９に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
以下、第２実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
本実施形態にかかる圧力センサーは、主に、周囲構造体の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の圧力センサーと同様である。
図１９に示す圧力センサー１では、ベース２の第２絶縁膜２３が窒化シリコンで構成されている。また、周囲構造体４は、ベース２の上面に配置され、平面視でダイアフラム２５を囲むように配置されている枠状の側壁部４１と、側壁部４１の上側開口を覆うように配置され、空洞部Ｓの内外を連通する貫通孔４２１を有している蓋部４２と、蓋部４２上に配置され、貫通孔４２１を封止している封止部４３と、側壁部４１を貫通して設けられ、圧力センサー部３の配線３５と電気的に接続されている貫通電極４４と、側壁部４１および封止部４３の表面に配置されている表面保護膜４５と、を有している。
側壁部４１は、シリコンを含んでおり、特に本実施形態ではポリシリコンで構成されている。ただし、側壁部４１の構成材料としては、犠牲層５０とのエッチング選択比を十分に確保することができれば特に限定されず、例えば、単結晶シリコン、アモルファルシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等であってもよい。
蓋部４２は、空洞部Ｓの天井に位置しており、側壁部４１の上部開口を覆うように配置されている。また、蓋部４２には、空洞部Ｓの内外を連通する貫通孔４２１が設けられている。このような蓋部４２は、シリコン材料を含んでおり、特に本実施形態ではポリシリコンで構成されている。ただし、蓋部４２の構成材料としては、犠牲層５０とのエッチング選択比を十分に確保することができれば特に限定されず、例えば、単結晶シリコン、アモルファルシリコン、窒化シリコン等であってもよい。
このように、圧力センサー１では、ベース２、側壁部４１、蓋部４２がそれぞれシリコン材料を含んでいるため、これらの熱膨張率の差を小さくすることができる。これにより、前述した第１実施形態と同様に、ヒステリシスを低減することができ、圧力検出精度の低下を効果的に低減することができる。
次に、圧力センサー１の製造方法について説明する。圧力センサー１の製造方法は、図２０に示すように、ダイアフラム形成領域２５０を有するシリコン基板としてのＳＯＩ基板２１を準備する準備工程と、ＳＯＩ基板２１の一方の面側に、平面視でダイアフラム形成領域２５０を囲むようにシリコンを含んでいる枠状の側壁部４１を配置する側壁部配置工程と、側壁部４１の内側に犠牲層５０を配置する犠牲層配置工程と、側壁部４１および犠牲層５０上に、側壁部４１の開口を覆うように、犠牲層５０に臨む貫通孔４２１を有しシリコン材料を含んでいる蓋部４２を配置する蓋部配置工程と、貫通孔４２１を介して犠牲層５０を除去し、圧力基準室としての空洞部Ｓを形成する空洞部形成工程と、蓋部４２上に封止部４３を配置して貫通孔４２１を封止する封止工程と、貫通電極４４を配置する貫通電極配置工程と、ＳＯＩ基板２１のダイアフラム形成領域２５０に受圧により撓み変形するダイアフラム２５を形成するダイアフラム形成工程と、を含んでいる。
［準備工程］
前述した第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
［側壁部配置工程］
まず、図２１に示すように、ベース２の上面に、平面視でダイアフラム形成領域２５０を囲むようにシリコン材料を含んでいる枠状の側壁部４１を配置する。側壁部４１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、まず、ベース２の上面にポリシリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜して厚膜を形成し、次に、この厚膜をドライエッチングでパターニングすることで側壁部４１を形成することができる。また、他の形成方法として、まず、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いてベース２の上面にポリシリコンの薄膜を成膜し、次に、薄膜を側壁部４１の平面視形状にパターニングし、次に、パターニングした薄膜からポリシリコンをエピタキシャル成長させることでも側壁部４１を形成することができる。
［犠牲層配置工程］
次に、側壁部４１の内側に犠牲層５０を配置する。具体的には、まず、図２２に示すように、ベース２の上側から酸化シリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜することで犠牲層５０を形成する。この犠牲層５０は、側壁部４１の内側の空間を埋めると共に、側壁部４１上に積層されている。次に、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）等によって犠牲層５０を上側から図中のラインＬまで研磨し、当該研磨を側壁部４１に到達させる。これにより、図２３に示すように、側壁部４１上の犠牲層５０が除去されると共に、犠牲層５０と側壁部４１の上面の高さが揃って面一となる。なお、本工程において、側壁部４１が削られてその高さが低くなるため、先の側壁部形成工程では、設計値よりも高い側壁部４１を形成しておくことが好ましい。
［蓋部配置工程］
次に、図２４に示すように、側壁部４１および犠牲層５０上に、ポリシリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜する。これにより、側壁部４１の開口（言い換えると、犠牲層５０の上面）を覆う蓋部４２が得られる。次に、図２５に示すように、この蓋部４２に少なくとも１つの貫通孔４２１を形成し、貫通孔４２１を介して犠牲層５０を露出させる。貫通孔４２１の形成方法としては、特に限定されず、例えば、各種エッチング技術（ウェットエッチング、ドライエッチング）を用いることができる。
［空洞部形成工程］
次に、例えばバッファードフッ酸等のエッチング液にベース２を晒す。これにより、貫通孔４２１を介して犠牲層５０がリリースエッチングされ、図２６に示すように、空洞部Ｓが形成される。
［封止工程］
次に、蓋部４２の上面に、貫通孔４２１を塞がないように表面保護膜４５を成膜した後、図２７に示すように、空洞部Ｓを真空状態とし、蓋部４２上に封止部４３を成膜して貫通孔４２１を封止する。これにより、空洞部Ｓが真空状態で気密封止される。封止部４３は、蓋部４２上にシリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜することで得られる。なお、封止部４３の構成としては、特に限定されず、例えば、前述した第１実施形態と同様に積層構造としてもよい。
次に、空洞部Ｓを８００℃〜１０００℃程度に加熱し、空洞部Ｓの真空度を高める。ここで、前述したように、これまでの工程では、アルミニウム等の融点の低い材料を使用していないため、本工程では、空洞部Ｓを８００℃〜１０００℃程度という高温に加熱することができる。そのため、真空度をより高めることができる。
［貫通電極配置工程］
次に、図２８に示すように、側壁部４１に貫通孔４１Ａを形成し、形成した貫通孔４１Ａ内にアルミニウムをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜して貫通電極４４を形成する。
［ダイアフラム形成工程］
次に、図２９に示すように、ダイアフラム形成領域２５０に、ＳＯＩ基板２１の下面に開放する凹部２６を形成してダイアフラム２５を得る。凹部２６の形成方法としては、特に限定されないが、本実施形態ではドライエッチング（シリコンディープエッチング）により形成している。
以上により、圧力センサー１が得られる。このような製造方法によれば、ヒステリシスを低減することができ、圧力検出精度の低下を効果的に低減することのできる圧力センサー１を簡単に製造することができる。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図３０は、本発明の第３実施形態に係る圧力センサーを示す断面図である。図３１ないし図３５は、それぞれ、図３０に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。
以下、第３実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、前述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してある。
本実施形態にかかる圧力センサーは、主に、周囲構造体の構成が異なること以外は、前述した第２実施形態の圧力センサーと同様である。
図３０に示す圧力センサー１の周囲構造体４では、蓋部４２は、側壁部４１の上部開口と対向して配置され、貫通孔４２１を有する基部４２２と、基部４２２と側壁部４１との間に位置し、これらを連結する枠状の脚部４２３と、を有している。脚部４２３は、その下端部の全周において側壁部４１と接続されており、その上端部の全周において基部４２２と接続されている。
このような圧力センサー１によっても、前述した第１実施形態と同様に、ヒステリシスを低減することができ、圧力検出精度の低下を効果的に低減することができる。
次に、圧力センサー１の製造方法について説明する。圧力センサー１の製造方法は、前述した第２実施形態と同様に、準備工程と、側壁部形成工程と、犠牲層配置工程と、蓋部配置工程と、空洞部形成工程と、封止工程と、貫通電極配置工程と、ダイアフラム形成工程と、を含んでいる。
［準備工程］
前述した第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。
［側壁部形成工程］
前述した第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。
［犠牲層配置工程］
次に、側壁部４１の内側に犠牲層５０を配置する。具体的には、まず、図３１に示すように、ベース２上に、酸化シリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜することで犠牲層５０を形成する。この犠牲層５０は、側壁部４１の内側の空間を埋めると共に、側壁部４１の上面（すなわち、ＳＯＩ基板２１と反対側の面）を覆うように配置される。次に、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）等によって犠牲層５０を上側から研磨し、図３２に示すように、犠牲層５０の上面を平坦な面にする。この際、側壁部４１の上面が犠牲層５０から露出しないようにする。これにより、ＣＭＰによって側壁部４１の上面が研磨されることがないため、側壁部４１を保護でき、側壁部４１の上面の荒れを低減することができる。
［蓋部配置工程］
次に、図３３に示すように、犠牲層５０の側壁部４１と重なっている部分に側壁部４１の上面に臨む枠状の枠状貫通孔５０Ａを形成する。次に、図３４に示すように、枠状貫通孔５０Ａ内および犠牲層５０上に蓋部４２を配置する。蓋部４２は、ポリシリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて成膜することで得られ、枠状貫通孔５０Ａ内に位置する部分が脚部４２３となり、犠牲層５０上に位置する部分が基部４２２となる。なお、前述したように側壁部４１の上面がＣＭＰによって荒らされていないため、側壁部４１の上面と脚部４２３との密着性が高く、これらの間に隙間が生じ難い。そのため、次の空洞部形成工程において、当該箇所からのエッチング液の滲み出しを効果的に低減することができる。次に、図３５に示すように、この蓋部４２に少なくとも１つの貫通孔４２１を形成する。
［空洞部形成工程］
前述した第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。
［封止工程］
前述した第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。
［貫通電極配置工程］
前述した第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。
［ダイアフラム形成工程］
前述した第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。
以上により、圧力センサー１が得られる。このような製造方法によれば、ヒステリシスを低減することができ、圧力検出精度の低下を効果的に低減することのできる圧力センサー１を簡単に製造することができる。
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る高度計について説明する。
図３６は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
図３６に示す高度計２００は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には圧力センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、他にも現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。このような高度計２００は、検出精度に優れる圧力センサー１を備えているため、高い信頼性を発揮することができる。
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子機器について説明する。
図３７は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
図３７に示す電子機器は、圧力センサー１を備えたナビゲーションシステム３００である。ナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム：Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１と、を備えている。
このナビゲーションシステム３００によれば、取得した位置情報に加えて、圧力センサー１によって高度情報を取得することができる。そのため、一般道路から高架道路へ進入する（またはこの逆）ことによる高度変化を検出することで、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかを判断でき、実際の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。このようなナビゲーションシステム３００は、検出精度に優れる圧力センサー１を備えているため、高い信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の圧力センサーを備える電子機器は、上記のナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る移動体について説明する。
図３８は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
図３８に示す移動体は、圧力センサー１を備えた自動車４００である。自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような自動車４００は、検出精度に優れる圧力センサー１を内蔵するナビゲーションシステム３００を備えているため、高い信頼性を発揮することができる。
以上、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した実施形態では、圧力センサー部としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサーとしては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のＭＥＭＳ振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。
１…圧力センサー、２…ベース、２１…ＳＯＩ基板、２１１…第１シリコン層、２１２…酸化シリコン層、２１３…第２シリコン層、２２…第１絶縁膜、２３…第２絶縁膜、２５…ダイアフラム、２５０…ダイアフラム形成領域、２５１…受圧面、２６…凹部、３…圧力センサー部、３０…ブリッジ回路、３１、３２、３３、３４…ピエゾ抵抗素子、３５…配線、４…周囲構造体、４１…側壁部、４１Ａ…貫通孔、４１１…基部、４１１Ａ…貫通孔、４１２…被覆層、４２…蓋部、４２１…貫通孔、４２２…基部、４２３…脚部、４３…封止部、４３１…第１封止層、４３２…第２封止層、４４…貫通電極、４４０…領域、４４１…端子、４５…表面保護膜、５０…犠牲層、５０Ａ…枠状貫通孔、５１…第１シリコン材料層、５２…第２シリコン材料層、５２１…貫通孔、５４…保護膜、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、Ｌ…ライン、Ｍ…レジストマスク、Ｓ…空洞部

Claims (12)

  1. 受圧により撓み変形するダイアフラムを有するシリコン基板と、
    前記シリコン基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲むように配置されている枠状の側壁部と、
    前記側壁部の開口を覆うように配置され、前記側壁部の内側と外側とを連通する貫通孔を有する蓋部と、
    前記蓋部の前記シリコン基板と反対側に配置され、前記貫通孔を封止する封止部と、
    前記シリコン基板、前記側壁部、前記蓋部および前記封止部で画成されている圧力基準室と、を有し、
    前記側壁部および前記蓋部の前記圧力基準室に臨む面側の部分は、それぞれ、シリコン材料を含んでいることを特徴とする圧力センサー。
  2. 前記側壁部は、酸化シリコンを含んでいる基部と、
    前記圧力基準室に臨むように前記基部の表面に配置され、シリコンを含んでいる被覆層と、を有している請求項１に記載の圧力センサー。
  3. 前記被覆層および前記蓋部は、一体である請求項２に記載の圧力センサー。
  4. 前記封止部は、シリコン材料を含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧力センサー。
  5. 前記側壁部は、前記圧力基準室の幅が前記ダイアフラム側から前記蓋部側に向けて漸減するテーパー状となっている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の圧力センサー。
  6. ダイアフラム形成領域を有するシリコン基板を準備する工程と、
    前記シリコン基板の一方の面側に、平面視で前記ダイアフラム形成領域と重なるように犠牲層を配置する工程と、
    前記犠牲層の表面に、シリコン材料を含んでいる第１シリコン材料層を配置する工程と、
    前記第１シリコン材料層を覆うように、シリコン材料を含んでいる第２シリコン材料層を配置する工程と、
    前記第２シリコン材料層の一部を除去し、前記除去した部分から前記第１シリコン材料層を露出させる工程と、
    前記第１シリコン材料層の前記第２シリコン材料層から露出した部分に、前記犠牲層に臨む貫通孔を形成する工程と、
    前記貫通孔を介して前記犠牲層を除去し、圧力基準室を形成する工程と、
    前記第１シリコン材料層の前記第２シリコン材料層から露出した部分に封止部を配置して前記貫通孔を封止する工程と、
    前記シリコン基板の前記ダイアフラム形成領域に受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサーの製造方法。
  7. 前記犠牲層は、前記シリコン基板から離間する方向に沿って幅が漸減しているテーパー状となっている請求項６に記載の圧力センサーの製造方法。
  8. ダイアフラム形成領域を有するシリコン基板を準備する工程と、
    前記シリコン基板の一方の面側に、平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲むようにシリコン材料を含んでいる枠状の側壁部を配置する工程と、
    前記側壁部の内側に犠牲層を配置する工程と、
    前記側壁部および前記犠牲層上に、前記側壁部の開口を覆うように、前記犠牲層に臨む貫通孔を有し、シリコン材料を含んでいる蓋部を配置する工程と、
    前記貫通孔を介して前記犠牲層を除去し、圧力基準室を形成する工程と、
    前記蓋部上に封止部を配置して前記貫通孔を封止する工程と、
    前記シリコン基板の前記ダイアフラム形成領域に受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサーの製造方法。
  9. 前記犠牲層を配置する工程では、前記側壁部の内側を埋めると共に、前記側壁部の前記シリコン基板と反対側の面を覆うように前記犠牲層を配置し、
    前記蓋部を配置する工程では、前記犠牲層の前記側壁部と重なっている部分に前記側壁部に臨む枠状の枠状貫通孔を形成し、前記枠状貫通孔内および前記犠牲層上に蓋部を配置する請求項８に記載の圧力センサーの製造方法。
  10. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする高度計。
  11. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする電子機器。
  12. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする移動体。
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