JP2018146278A - 圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】環境湿度に対する影響を低減し、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、前記基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、前記封止層は、第1シリコン層と、前記第1シリコン層に対して前記基板と反対側に位置する第2シリコン層と、前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を有し、前記酸化シリコン層は、前記第2シリコン層に覆われることで外部に対して封止されている。【選択図】図1
Description
本発明は、圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、圧力センサーとして、特許文献1に記載の構成が知られている。特許文献1の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、基板上に配置された周囲構造体と、を有し、これらの間に圧力基準室が形成されている。また、周囲構造体は、圧力基準室を囲む枠状の壁部と、壁部の開口を覆う天井部とを有している。さらに、天井部は、リリースエッチング用の貫通孔を有する被覆層と、被覆層上に積層され、貫通孔を封止する封止層とを有している。
このような構成の圧力センサーでは、基板がSOI基板で構成され、封止層がAl、Ti等の金属材料で構成されている。そのため、これらの熱膨張係数の差に起因して、環境温度によってダイアフラムの内部応力が大きく変化してしまう。これにより、同じ圧力を受けても環境温度によって測定値が異なってしまうというヒステリシスを引き起こし、圧力の検出精度が低下するおそれがある。
前述の問題を解決すべく、本願の発明者らは、封止層を第1シリコン層、酸化シリコン層および第2シリコン層の積層構造とすることを考えた。しかしながら、このような構成において、酸化シリコン層が封止層の外周に露出していると、酸化シリコン層が水分を吸着し、それに伴って封止層の内部応力が変化する。また、酸化シリコン層が吸着する水分量は、環境湿度によって異なるため、環境湿度によって封止層の内部応力が変化する。
このように、環境湿度によって封止層の内部応力が変化してしまうと、それに伴ってダイアフラムの内部応力も変化してしまう。そのため、同じ圧力を受けても環境湿度によって測定値が異なってしまうというヒステリシスを引き起こし、圧力の検出精度が低下するおそれがある。
本発明の目的は、環境湿度に対する影響を低減し、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧力センサーは、受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、
前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、
前記封止層は、
第1シリコン層と、
前記第1シリコン層に対して前記基板と反対側に位置する第2シリコン層と、
前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を有し、
前記酸化シリコン層は、前記第2シリコン層に覆われることで外部に対して封止されていることを特徴とする。
これにより、酸化シリコン層の水分の吸着を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
前記基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、
前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、
前記封止層は、
第1シリコン層と、
前記第1シリコン層に対して前記基板と反対側に位置する第2シリコン層と、
前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を有し、
前記酸化シリコン層は、前記第2シリコン層に覆われることで外部に対して封止されていることを特徴とする。
これにより、酸化シリコン層の水分の吸着を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
本発明の圧力センサーでは、前記酸化シリコン層は、前記第1シリコン層側の主面が前記第1シリコン層で覆われており、前記第2シリコン層側の主面が前記第2シリコン層で覆われており、側面が前記第2シリコン層で覆われているが好ましい。
これにより、簡単な構成で、第1シリコン層および第2シリコン層によって酸化シリコン層を封止することができる。
これにより、簡単な構成で、第1シリコン層および第2シリコン層によって酸化シリコン層を封止することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記封止層の平面視で、前記酸化シリコン層の外縁は、前記第1シリコン層の外縁の内側に位置し、
前記酸化シリコン層上および前記第1シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第2シリコン層が積層されていることが好ましい。
これにより、簡単な構成で、第1シリコン層および第2シリコン層によって酸化シリコン層を封止することができる。
前記酸化シリコン層上および前記第1シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第2シリコン層が積層されていることが好ましい。
これにより、簡単な構成で、第1シリコン層および第2シリコン層によって酸化シリコン層を封止することができる。
本発明の圧力センサーでは、前記基板は、シリコンを含んでいることが好ましい。
これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することができる。また、基板および封止層の熱膨張係数の差が小さくなり、環境温度によるダイアフラムの撓み量の変化を低減することができる。これにより、環境温度に起因した検出圧力値のずれ(温度ヒステリシス)を低減することができる。その結果、優れた圧力検出精度を有する圧力センサーとなる。
これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することができる。また、基板および封止層の熱膨張係数の差が小さくなり、環境温度によるダイアフラムの撓み量の変化を低減することができる。これにより、環境温度に起因した検出圧力値のずれ(温度ヒステリシス)を低減することができる。その結果、優れた圧力検出精度を有する圧力センサーとなる。
本発明の圧力センサーの製造方法は、ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲む側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラム形成領域に対向して配置され、前記空間を封止する封止層を形成する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含み、
前記封止層を形成する工程では、第1シリコン層と、前記第1シリコン層に対して前記空間とは反対側に位置する第2シリコン層と、前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を形成し、前記酸化シリコン層を前記第2シリコン層で覆うことにより外部に対して封止することを特徴とする。
これにより、酸化シリコン層の水分の吸着を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲む側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラム形成領域に対向して配置され、前記空間を封止する封止層を形成する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含み、
前記封止層を形成する工程では、第1シリコン層と、前記第1シリコン層に対して前記空間とは反対側に位置する第2シリコン層と、前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を形成し、前記酸化シリコン層を前記第2シリコン層で覆うことにより外部に対して封止することを特徴とする。
これにより、酸化シリコン層の水分の吸着を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサーが得られる。
本発明の圧力センサーの製造方法では、前記封止層を形成する工程は、
前記第1シリコン層を形成する工程と、
前記第1シリコン層上に、前記第1シリコン層の平面視で、前記第1シリコン層が周囲から露出するように前記酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層上および前記第1シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第2シリコン層を形成する工程と、を含んでいることが好ましい。
これにより、簡単な工程で、封止層を形成することができる。
前記第1シリコン層を形成する工程と、
前記第1シリコン層上に、前記第1シリコン層の平面視で、前記第1シリコン層が周囲から露出するように前記酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層上および前記第1シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第2シリコン層を形成する工程と、を含んでいることが好ましい。
これにより、簡単な工程で、封止層を形成することができる。
本発明の圧力センサーモジュールは、本発明の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い圧力センサーモジュールが得られる。
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い圧力センサーモジュールが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを有することを特徴とする。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
これにより、本発明の圧力センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
以下、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
まず、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーについて説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図2は、図1に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。図3は、図2に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図4は、図1に示す圧力センサーが有する封止層の拡大断面図である。図5および図6は、それぞれ、図1に示す圧力センサーの変形例を示す断面図である。図7は、水分を吸着することによる酸化シリコン膜の応力変化を示すグラフである。図8は、図1に示す圧力センサーの製造工程を示すフローチャートである。図9ないし図17は、それぞれ、図1に示す圧力センサーの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下の説明では、図1、図4、図5、図6、図9ないし図17中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、基板の平面視、すなわち、図1中の上下方向から見た平面視を単に「平面視」とも言う。
図1に示すように、圧力センサー1は、受圧により撓み変形するダイアフラム25を有する基板2と、ダイアフラム25の上面側に配置された圧力基準室S(空洞部)と、基板2と共に圧力基準室Sを形成する周囲構造体4と、ダイアフラム25の上面側に配置されたセンサー部5と、を有している。
基板2は、シリコンで構成された第1層21と、第1層21の上側に配置され、シリコンで構成された第3層23と、第1層21および第3層23の間に配置され、酸化シリコンで構成された第2層22と、を有するSOI基板で構成されている。すなわち、基板2は、シリコン(Si)を含んでいる。これにより、製造上取り扱い易く、優れた加工寸法精度を発揮することができる。ただし、基板2としては、SOI基板に限定されず、例えば、単層のシリコン基板を用いることもできる。また、基板2は、シリコン以外の半導体材料、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素等で構成された基板(半導体基板)であってもよい。
また、基板2には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム25が設けられている。基板2には、下方に開放する有底の凹部24が形成されており、この凹部24の上側(凹部24によって基板2が薄くなっている部分)がダイアフラム25となっている。また、ダイアフラム25の下面が、圧力を受ける受圧面251となっている。なお、本実施形態では、ダイアフラム25の平面視形状は、略正方形であるが、ダイアフラム25の平面視形状としては、特に限定されず、例えば、円形であってもよい。
ここで、本実施形態では、凹部24は、シリコンディープエッチング装置を用いたドライエッチングで形成されている。具体的には、基板2の下面側から等方性エッチング、保護膜成膜および異方向性エッチングという工程を繰り返して、第1層21を掘ることで凹部24を形成する。この工程を繰り返し、エッチングが第2層22まで達すると第2層22がエッチングストッパーとなってエッチングが終了し、凹部24が得られる。このような形成方法によれば、凹部24の内壁側面が基板2の主面に対して略垂直となるため、凹部24の開口面積を小さくすることができる。そのため、基板2の機械的強度の低下を抑制することができ、また、圧力センサー1の大型化を抑制することもできる。
ただし、凹部24の形成方法としては、上記の方法に限定されず、例えば、ウェットエッチングによって形成してもよい。また、本実施形態では、ダイアフラム25の下面側に第2層22が残っているが、この第2層22を除去してもよい。すなわち、ダイアフラム25を第3層23の単層で構成してもよい。これにより、ダイアフラム25をより薄くすることができ、より撓み変形し易いダイアフラム25が得られる。
ダイアフラム25の厚さとしては、特に限定されず、ダイアフラム25の大きさ等によっても異なるが、例えば、ダイアフラム25の幅が100μm以上150μm以下の場合には、1μm以上10μm以下であることが好ましく、1μm以上3μm以下であることがより好ましい。このような厚さとすることで、機械的な強度を十分に保ちつつ、十分に薄く、受圧により撓み変形し易いダイアフラム25が得られる。
ダイアフラム25には、ダイアフラム25に作用する圧力を検出し得るセンサー部5が設けられている。図2に示すように、センサー部5は、ダイアフラム25に設けられた4つのピエゾ抵抗素子51、52、53、54を有している。そして、ピエゾ抵抗素子51、52、53、54は、配線55を介して互いに電気的に接続され、図3に示すブリッジ回路50(ホイートストンブリッジ回路)を構成している。ブリッジ回路50には駆動電圧AVDCを供給(印加)する駆動回路が接続されている。そして、ブリッジ回路50は、ダイアフラム25の撓みに基づくピエゾ抵抗素子51、52、53、54の抵抗値変化に応じた検出信号(電圧)を出力する。そのため、この出力された検出信号に基づいてダイアフラム25が受けた圧力を検出することができる。
特に、ピエゾ抵抗素子51、52、53、54は、ダイアフラム25の外縁部に配置されている。受圧によりダイアフラム25が撓み変形すると、ダイアフラム25の中でも特にその外縁部に大きな応力が加わるため、外縁部にピエゾ抵抗素子51、52、53、54を配置することで、前述した検出信号を大きくすることができ、圧力検知の感度が向上する。なお、ピエゾ抵抗素子51、52、53、54の配置は、特に限定されず、例えば、ピエゾ抵抗素子51、52、53、54がダイアフラム25の外縁を跨いで配置されていてもよい。
ピエゾ抵抗素子51、52、53、54は、それぞれ、例えば、基板2の第3層23にリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。また、配線55は、例えば、基板2の第3層23に、ピエゾ抵抗素子51、52、53、54よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)することで構成されている。
なお、センサー部5の構成としては、ダイアフラム25が受けた圧力を検出することができれば、特に限定されない。例えば、ブリッジ回路50を構成していない少なくとも1つのピエゾ抵抗素子がダイアフラム25に配置されている構成であってもよい。また、センサー部としては、本実施形態のようなピエゾ抵抗型の他にも、静電容量の変化に基づいて圧力を検出する静電容量型を用いてもよい。
また、図1に示すように、基板2の上面には、酸化シリコン膜(SiO2膜)からなる第1絶縁膜31と、窒化シリコン膜(SiN膜)からなる第2絶縁膜32とが成膜されている。第1絶縁膜31によって、ピエゾ抵抗素子51、52、53、54の界面準位を低減してノイズの発生を抑制することができる。また、第2絶縁膜32によって、センサー部5を水分、ガス等から保護することができる。なお、第1、第2絶縁膜31、32の少なくとも一方は、省略してもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。
また、図1に示すように、ダイアフラム25の上側には、圧力基準室Sが設けられている。この圧力基準室Sは、基板2と周囲構造体4とに囲まれることで形成されている。圧力基準室Sは、密閉された空間であり、圧力基準室S内の圧力が、圧力センサー1が検出する圧力の基準値となる。特に、圧力基準室Sは、真空状態(例えば、10Pa以下)であることが好ましい。これにより、圧力センサー1を、真空を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、利便性の高い圧力センサー1となる。ただし、圧力基準室Sは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。
周囲構造体4は、基板2との間に圧力基準室Sを形成している。このような周囲構造体4は、基板2上に配置された層間絶縁膜41と、層間絶縁膜41上に配置された配線層42と、配線層42および層間絶縁膜41上に配置された層間絶縁膜43と、層間絶縁膜43上に配置された配線層44と、配線層44および層間絶縁膜43上に配置された表面保護膜45と、配線層44および表面保護膜45上に配置された封止層46と、表面保護膜45上に配置された端子47とを有している。
層間絶縁膜41、43は、それぞれ、枠状をなし、平面視でダイアフラム25を囲むように配置されている。そして、これら層間絶縁膜41、43によって、側壁部4Aが構成されている。また、側壁部4Aの内側には、空間、すなわち圧力基準室Sが形成されている。
配線層42は、圧力基準室Sを囲んで配置された枠状のガードリング421と、センサー部5の配線55と接続された配線部429とを有している。また、配線層44は、圧力基準室Sを囲んで配置された枠状のガードリング441と、配線55と接続された配線部449とを有している。
また、配線層44は、圧力基準室Sの天井(側壁部4Aの内側に形成された空間の上端面)に位置し、ガードリング441と一体形成された被覆層444(蓋部)を有している。また、この被覆層444には圧力基準室Sの内外を連通する複数の貫通孔445が形成されている。複数の貫通孔445は、製造途中まで圧力基準室Sを埋めている犠牲層を除去する際のリリースエッチング用の孔である。また、ガードリング421、441は、前記リリースエッチング時のエッチングストッパーとして機能する。
そして、被覆層444上には封止層46が配置されており、この封止層46によって貫通孔445が封止され、気密的な圧力基準室Sが形成されている。表面保護膜45は、周囲構造体4を水分、ガス、ゴミ、傷などから保護する機能を有している。表面保護膜45は、被覆層444の貫通孔445を塞がないように、層間絶縁膜43および配線層44上に配置されている。また、表面保護膜45上には配線部429、449を介してセンサー部5と電気的に接続されている複数の端子47が設けられている。
このような周囲構造体4のうち、層間絶縁膜41、43としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層42、44および端子47としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜45としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。
次に、封止層46について詳細に説明する。図1に示すように、封止層46は、被覆層444上に配置された第1シリコン層461と、第1シリコン層461の上側に配置された第2シリコン層463と、第1シリコン層461と第2シリコン層463との間に配置された酸化シリコン層462と、を有する三層構造をなしている。このように、封止層46を積層構造とすることで、貫通孔445をより確実に封止することができる。
より具体的に説明すると、図4に示すように、成膜方法によっては、第1シリコン層461に貫通孔445と連通する貫通孔461aが形成されてしまい、第1シリコン層461だけでは、貫通孔445を封止できないおそれがある。なお、貫通孔461aは、第1シリコン層461を厚く成膜することでその径を小さくすることができるが、ある程度小さくなるとそれ以上径が小さくなり難くなり、第1シリコン層461をいくら厚くしても貫通孔461aが完全に塞がれない場合がある。そこで、第1シリコン層461上に酸化シリコン層462を配置し、この酸化シリコン層462によって貫通孔445を塞いでいる。
しかしながら、酸化シリコン層462が外部に露出していると、酸化シリコン層462が水分を吸着し、環境湿度によって封止層46の内部応力が変化してしまう。そこで、酸化シリコン層462上に第2シリコン層463を配置し、酸化シリコン層462を第2シリコン層463で覆うことで、酸化シリコン層462を外部に対して気密的に封止している。これにより、酸化シリコン層462を水分から保護することができ、環境湿度による封止層46の内部応力の変化を抑制することができる。なお、封止層46は、前述のような第1シリコン層461に貫通孔461aが形成されている構成に限定されず、貫通孔461aを有していなくてもよいし、貫通孔461aが第1シリコン層461の途中で塞がっていてもよい。
第1シリコン層461は、シリコン(Si)を含んで構成されており、特に本実施形態ではシリコンで構成されている。また、酸化シリコン層462は、酸化シリコン(SiO2)を含んで構成されており、特に、本実施形態では酸化シリコンで構成されている。また、第2シリコン層463は、シリコン(Si)を含んで構成されており、特に本実施形態ではシリコンで構成されている。このように、各層461、462、463がそれぞれシリコン(Si)を含んでいることで、後述する製造方法でも説明するように、封止層46を半導体プロセスによって容易に形成することができる。
なお、第1シリコン層461および第2シリコン層463は、それぞれ、シリコン以外の材料(例えば、製造上、不可避的に混じってしまう材料)を含んでいてもよい。同様に、酸化シリコン層462は、酸化シリコン以外の材料(例えば、製造上、不可避的に混じってしまう材料)を含んでいてもよい。
封止層46では、第1シリコン層461上に配置する層として酸化シリコン層462を用いている。そのため、第1シリコン層461と酸化シリコン層462とのエッチング選択比を大きく確保することができる。これにより、後述する圧力センサー1の製造方法でも説明するように、第1シリコン層461上において、エッチング技法を用いた酸化シリコン層462のパターニングを容易に行うことができる。
また、封止層46では、酸化シリコン層462上に配置する層として、第1シリコン層461と同じ材料で構成された第2シリコン層463を用いている。そのため、後述する圧力センサー1の製造方法でも説明するように、第1シリコン層461および第2シリコン層463をエッチング技法を用いて同時に(同じ工程で)パターニングすることができる。そのため、圧力センサー1の製造工程の削減を図ることができ、圧力センサー1の製造が容易となる。
ここで、第1シリコン層461の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、0.1μm以上10μm以下とすることが好ましい。これにより、第1シリコン層461が過度に厚くならず、かつ、第1シリコン層461へのピンホールの発生を抑制することができる。そのため、より確実に、被覆層444の貫通孔445を封止することができる(または、貫通孔461aの径を十分に小さくすることができ、その上の酸化シリコン層462でより確実に封止できるようになる)。
また、酸化シリコン層462の厚さとしては特に限定されないが、例えば、0.5μm以上2.0μm以下であることが好ましい。これにより、第1シリコン層461と共に、より確実に、貫通孔445を封止することができ、かつ、酸化シリコン層462の過度な厚肉化を防止することができる。
また、第2シリコン層463の厚さとしては、特に限定されないが、例えば、0.1μm以上10μm以下とすることが好ましい。これにより、第2シリコン層463へのピンホールの発生を抑制することができ、第1シリコン層461との間に酸化シリコン層462をより確実に封止することができる。そのため、より効果的に、酸化シリコン層462を水分から保護することができる。また、第2シリコン層463の過度な厚肉化を防止することができる。
また、このような構成の封止層46によれば、圧力基準室Sを挟んで対向する基板2および封止層46がそれぞれシリコン材料を含むことになる。そのため、基板2および封止層46の熱膨張係数の差が小さくなり、環境温度によるダイアフラム25の撓み量の変化を低減することができる。これにより、環境温度に起因した測定値のずれを低減することができ、その結果、優れた圧力検出精度を有する圧力センサー1となる。
また、図1に示すように、酸化シリコン層462は、外部に露出し得る面が第2シリコン層463によって覆われており、外部に対して気密的に封止されている。すなわち、酸化シリコン層462は、外部に露出し得る面の全域が第2シリコン層463で覆われており、封止層46の表面に露出していない。また、酸化シリコン層462は、その全域が第1シリコン層461および第2シリコン層463で覆われており、封止層46の表面に露出していない(貫通孔461aから圧力基準室Sに露出している部分は除く)。これにより、酸化シリコン層462を外部の水分(湿気)から保護することができ、酸化シリコン層462が水分を吸着してしまうことを抑制することができる。また、第1シリコン層461と酸化シリコン層462との界面や第2シリコン層463と酸化シリコン層462との界面からの水分の侵入を抑制することもできる。したがって、環境湿度による封止層46の内部応力の変化およびそれに伴うダイアフラムの内部応力の変化を抑制することができる。そのため、環境湿度に起因した測定値のずれを低減することができ、優れた圧力検出精度を有する圧力センサー1となる。
また、酸化シリコン層462は、下面(第1シリコン層461側の主面)が第1シリコン層461で覆われており、上面(第2シリコン層463側の主面)が第2シリコン層463で覆われており、側面が第2シリコン層463で覆われている。これにより、簡単な構成で、第1シリコン層461および第2シリコン層463によって酸化シリコン層462を封止することができる。なお、封止層46の構成としては、これに限定されず、例えば、図5に示すように、酸化シリコン層462の側面が、第1シリコン層461で覆われていてもよいし、図6に示すように、第1シリコン層461および第2シリコン層463で覆われていてもよい。
また、封止層46の平面視で、酸化シリコン層462の外縁は、第1シリコン層461の外縁の内側に位置し、酸化シリコン層462上および第1シリコン層461の酸化シリコン層462から露出している領域(外縁部)上に第2シリコン層463が積層されている。これにより、簡単な構成で、第1シリコン層461および第2シリコン層463によって酸化シリコン層462を封止することができる。
ただし、これに限定されず、例えば、封止層46の平面視で、酸化シリコン層462の外縁は、第1シリコン層461の外縁の外側に位置していてもよい。この場合、酸化シリコン層462の下面が第1シリコン層461から露出する場合もあるが、酸化シリコン層462をその上側から第2シリコン層463で覆うことで、酸化シリコン層462の外部への露出を阻止することができる。
以上、圧力センサー1について説明した。このような圧力センサー1は、前述したように、受圧により撓み変形するダイアフラム25を有する基板2と、基板2の上面(一方の面)側に配置され、平面視でダイアフラム25を囲む側壁部4Aと、側壁部4Aに囲まれた圧力基準室S(空間)を介してダイアフラム25に対向して配置され、圧力基準室Sを封止する封止層46と、を有している。また、封止層46は、第1シリコン層461と、第1シリコン層461に対して基板2と反対側(上側)に位置する第2シリコン層463と、第1シリコン層461と第2シリコン層463との間に位置する酸化シリコン層462と、を有している。そして、酸化シリコン層462は、第2シリコン層463に覆われることで外部に対して封止されている。これにより、酸化シリコン層462を水分(湿気)から保護することができ、酸化シリコン層462が水分を吸着してしまうことを抑制することができる。また、第1シリコン層461と酸化シリコン層462との界面や第2シリコン層463と酸化シリコン層462との界面からの水分の侵入を抑制することもできる。したがって、環境湿度による封止層46の内部応力の変化およびそれに伴うダイアフラムの内部応力の変化を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー1となる。
図7に、水分を吸着することによる酸化シリコン膜の応力変化を示すグラフを示す。同図に示すグラフは、シリコンウエハ上に成膜した酸化シリコン膜の膜応力をストーニーの式を用いて算出し、算出した値をプロットしたものである。なお、ここでは、酸化シリコン膜の応力変化の傾向を説明すれば十分であるため、ストーニーの式等、実験の詳細な説明は、省略する。
まず、酸化シリコン膜を成膜後、大気中に11日間放置した。その結果、酸化シリコン膜が徐々に水分を吸着し、酸化シリコン膜の膜応力が引張応力から圧縮応力へと徐々に変化した。次に、酸化シリコン膜を60℃の環境下に72時間放置し、その後、14日目から21日目まで大気中に放置した。14日目の膜応力は、11日目の膜応力に対して初期値側へ変化しているが、これは、60℃という高温下に放置されたことで、酸化シリコン膜内の水分が減少したためである。しかしながら、再び大気中に放置されたことで酸化シリコン膜が水分を吸着し、14日目から21日目にかけて、酸化シリコン膜の膜応力が圧縮応力側に変化した。次に、酸化シリコン膜を60℃、湿度90%の環境下に72時間放置し、その後、25日目から34日目まで大気中に放置した。25日目の膜応力は、21日目の膜応力に対して圧縮応力側へ変化しているが、これは、湿度90%という高湿下に放置されて、酸化シリコン膜内の水分が増加したためである。以上のように、酸化シリコン膜は、環境湿度に対して内部応力が変化し易いことが分かる。
なお、圧力センサー1の構成としては、前述の構成に限定されない。例えば、本実施形態では、封止層46が第1シリコン層461、酸化シリコン層462および第2シリコン層463の3層が積層した構成となっているが、さらに、別の層を有していてもよい。具体的には、例えば、被覆層444と第1シリコン層461との間、第1シリコン層461と酸化シリコン層462との間、酸化シリコン層462と第2シリコン層463との間および第2シリコン層463の上面の少なくとも1つに、少なくとも1層以上の別の層が介在していてもよい。
次に、圧力センサー1の製造方法について説明する。圧力センサー1の製造方法は、図8に示すように、ダイアフラム形成領域250を有する基板2を準備する準備工程と、基板2にセンサー部5を形成するセンサー部形成工程と、基板2に側壁部4Aおよび被覆層444(蓋部)を形成する側壁部/被覆層形成工程と、被覆層444上に封止層46を形成する封止層形成工程と、基板2のダイアフラム形成領域250に、受圧により撓み変形するダイアフラム25を形成するダイアフラム形成工程と、を含んでいる。
[準備工程]
まず、図9に示すように、第1層21、第2層22および第3層23が積層してなるSOI基板からなる基板2を準備する。なお、この段階では、基板2のダイアフラム形成領域250にはダイアフラム25が形成されていない。次に、例えば、第3層23の表面を熱酸化することで、基板2の上面に酸化シリコン膜からなる第1絶縁膜31を成膜する。
まず、図9に示すように、第1層21、第2層22および第3層23が積層してなるSOI基板からなる基板2を準備する。なお、この段階では、基板2のダイアフラム形成領域250にはダイアフラム25が形成されていない。次に、例えば、第3層23の表面を熱酸化することで、基板2の上面に酸化シリコン膜からなる第1絶縁膜31を成膜する。
[センサー部形成工程]
次に、図10に示すように、基板2の上面に、リン、ボロン等の不純物を注入することで、センサー部5を形成する。次に、第1絶縁膜31の上面に第2絶縁膜32をスパッタリング法、CVD法等を用いて成膜する。
次に、図10に示すように、基板2の上面に、リン、ボロン等の不純物を注入することで、センサー部5を形成する。次に、第1絶縁膜31の上面に第2絶縁膜32をスパッタリング法、CVD法等を用いて成膜する。
[側壁部/被覆層形成工程]
次に、図11に示すように、基板2上に、層間絶縁膜41、配線層42、層間絶縁膜43および配線層44、表面保護膜45および端子47をスパッタリング法、CVD法等を用いて順に所定のパターンで形成する。これにより、基板2の平面視でダイアフラム形成領域250を囲む枠状の側壁部4Aと、側壁部4Aの開口を覆い、側壁部4Aの内側と外側とを連通する貫通孔445を有する被覆層444(蓋部)とが得られる。なお、本実施形態では、層間絶縁膜41、43を酸化シリコンで構成し、配線層42、44をアルミニウムで構成している。
次に、図11に示すように、基板2上に、層間絶縁膜41、配線層42、層間絶縁膜43および配線層44、表面保護膜45および端子47をスパッタリング法、CVD法等を用いて順に所定のパターンで形成する。これにより、基板2の平面視でダイアフラム形成領域250を囲む枠状の側壁部4Aと、側壁部4Aの開口を覆い、側壁部4Aの内側と外側とを連通する貫通孔445を有する被覆層444(蓋部)とが得られる。なお、本実施形態では、層間絶縁膜41、43を酸化シリコンで構成し、配線層42、44をアルミニウムで構成している。
次に、基板2を例えばバッファードフッ酸等のエッチング液に晒す。これにより、図12に示すように、被覆層444の貫通孔445を介してガードリング421、441内に位置する層間絶縁膜41、43が除去され、圧力基準室Sが形成される。この際、ガードリング421、441は、エッチングストッパーとして機能する。
[封止層形成工程]
次に、図13に示すように、被覆層444および表面保護膜45の上面に、第1シリコン層461および酸化シリコン層462を、それぞれ、スパッタリング法、CVD法等を用いて順に形成する。次に、図14に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、酸化シリコン層462をパターニングする。この状態では、酸化シリコン層462の周囲から第1シリコン層461が露出している。言い換えると、酸化シリコン層462の外縁が、第1シリコン層461の外縁の内側に位置している。なお、酸化シリコン層462のパターニング方法として、バッファードフッ酸等のエッチング液を用いたウェットエッチングを利用することで、酸化シリコン層462と第1シリコン層461とのエッチング選択比を大きく確保することができる。そのため、より確実に、第1シリコン層461を残しつつ、酸化シリコン層462のみをパターニングすることができる。
次に、図13に示すように、被覆層444および表面保護膜45の上面に、第1シリコン層461および酸化シリコン層462を、それぞれ、スパッタリング法、CVD法等を用いて順に形成する。次に、図14に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、酸化シリコン層462をパターニングする。この状態では、酸化シリコン層462の周囲から第1シリコン層461が露出している。言い換えると、酸化シリコン層462の外縁が、第1シリコン層461の外縁の内側に位置している。なお、酸化シリコン層462のパターニング方法として、バッファードフッ酸等のエッチング液を用いたウェットエッチングを利用することで、酸化シリコン層462と第1シリコン層461とのエッチング選択比を大きく確保することができる。そのため、より確実に、第1シリコン層461を残しつつ、酸化シリコン層462のみをパターニングすることができる。
次に、図15に示すように、酸化シリコン層462および第1シリコン層461の上面に、第2シリコン層463をスパッタリング法、CVD法等を用いて形成する。これにより、第2シリコン層463によって、酸化シリコン層462の上面および側面が覆われた状態となる。その結果、第2シリコン層463によって酸化シリコン層462が外部から気密的に封止される。
次に、図16に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、第1シリコン層461および第2シリコン層463を同時にパターニングする。これにより、封止層46が得られる。なお、第1シリコン層461および第2シリコン層463を互いに同じ材料で構成することで、前述のように、これらを同時にパターニングすることができる。そのため、圧力センサー1の製造工程を削減することができ、圧力センサー1の製造がより容易となる。
[ダイアフラム形成工程]
次に、図17に示すように、例えば、ドライエッチング(特に、シリコンディープエッチング)法を用いて第1層21をエッチングし、ダイアフラム形成領域250に、下面に開放する凹部24を形成してダイアフラム25を得る。以上により、圧力センサー1が得られる。なお、ダイアフラム形成工程の順番は、特に限定されず、例えば、センサー部形成工程に先立って行ってもよいし、センサー部形成工程から封止層形成工程までの間に行ってもよい。
次に、図17に示すように、例えば、ドライエッチング(特に、シリコンディープエッチング)法を用いて第1層21をエッチングし、ダイアフラム形成領域250に、下面に開放する凹部24を形成してダイアフラム25を得る。以上により、圧力センサー1が得られる。なお、ダイアフラム形成工程の順番は、特に限定されず、例えば、センサー部形成工程に先立って行ってもよいし、センサー部形成工程から封止層形成工程までの間に行ってもよい。
以上、圧力センサー1の製造方法について説明した。圧力センサー1の製造方法は、前述したように、ダイアフラム形成領域250を有する基板2を準備する工程と、基板2の上面(一方の面)側に、基板2の平面視でダイアフラム形成領域250を囲む側壁部4Aと、側壁部4Aに囲まれた圧力基準室S(空間)を介してダイアフラム形成領域250に対向して配置され、圧力基準室Sを封止する封止層46を形成する工程と、ダイアフラム形成領域250に、受圧により撓み変形するダイアフラム25を形成する工程と、を含んでいる。そして、封止層46を形成する工程では、第1シリコン層461と、第1シリコン層461に対して圧力基準室Sとは反対側(上側)に位置する第2シリコン層463と、第1シリコン層461と第2シリコン層463との間に位置する酸化シリコン層462と、を形成し、酸化シリコン層462を第2シリコン層463で覆うことにより外部に対して封止する。これにより、酸化シリコン層462を水分(湿気)から保護することができ、酸化シリコン層462が水分を吸着してしまうことを抑制することができる。また、第1シリコン層461と酸化シリコン層462との界面や第2シリコン層463と酸化シリコン層462との界面からの水分の侵入を抑制することもできる。したがって、環境湿度による封止層46の内部応力の変化およびそれに伴うダイアフラムの内部応力の変化を抑制することができる。そのため、環境湿度に対する影響が低減され、優れた圧力検出精度を発揮することのできる圧力センサー1が得られる。
特に、前述したように、封止層46を形成する工程は、第1シリコン層461を形成する工程と、第1シリコン層461上に、第1シリコン層461が周囲から露出するように酸化シリコン層462を形成する工程と、酸化シリコン層462上および第1シリコン層461の酸化シリコン層462から露出している領域上に第2シリコン層463を形成する工程と、を含んでいる。このような製法によれば、簡単に、第1シリコン層461と第2シリコン層463とで酸化シリコン層462を封止することができる。すなわち、簡単な工程で、封止層46を形成することができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーモジュールについて説明する。
次に、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーモジュールについて説明する。
図18は、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーモジュールの断面図である。図19は、図18に示す圧力センサーモジュールが有する支持基板の平面図である。
以下、第2実施形態の圧力センサーモジュールについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図18に示すように、圧力センサーモジュール100は、内部空間S1を有するパッケージ110と、内部空間S1内からパッケージ110の外側に引き出されて配置された支持基板120と、内部空間S1内で支持基板120に支持されている回路素子130および圧力センサー1と、内部空間S1に後述するような充填材を充填することにより形成されている充填部140と、を有している。このような圧力センサーモジュール100によれば、パッケージ110および充填部140によって圧力センサー1を保護することができる。なお、圧力センサー1としては、例えば、前述した第1実施形態のものを用いることができる。
パッケージ110は、ベース111およびハウジング112を有し、ベース111およびハウジング112が支持基板120を挟み込むようにして互いに接着層を介して接合されている。このようにして形成されているパッケージ110は、その上端部に形成された開口110aと、開口110aに連通する内部空間S1と、を有している。
これらベース111およびハウジング112の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化物セラミックスのような各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ABS樹脂、エポキシ樹脂のような各種樹脂材料等の絶縁性材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、各種セラミックスを用いることが特に好ましい。
以上、パッケージ110について説明したが、パッケージ110の構成としては、その機能を発揮することができれば特に限定されない。
支持基板120は、ベース111およびハウジング112の間に挟まれており、内部空間S1内からパッケージ110の外側に引き出されて配置されている。また、支持基板120は、回路素子130および圧力センサー1を支持すると共に、回路素子130および圧力センサー1を電気的に接続している。このような支持基板120は、図19に示すように、可撓性を有する基材121と、基材121に配置された複数の配線129と、を有している。
基材121は、開口122aを有する枠状の基部122と、基部122から延出する帯状の帯体123と、を有している。そして、基部122の外縁部においてベース111とハウジング112とに挟まれ、帯体123がパッケージ110の外側に延出している。このような基材121としては、例えば、一般的に用いられているフレキシブルプリント基板を用いることができる。なお、本実施形態では基材121が可撓性を有しているが、基材121の全部または一部は、硬質であってもよい。
基材121の平面視で、回路素子130および圧力センサー1は、開口122aの内側に位置し、並んで配置されている。また、回路素子130および圧力センサー1は、それぞれ、ボンディングワイヤーBWを介して基材121に吊られ、支持基板120から浮遊した状態で支持基板120に支持されている。また、回路素子130および圧力センサー1は、それぞれ、ボンディングワイヤーBWおよび配線129を介して電気的に接続されている。このように、回路素子130および圧力センサー1を支持基板120に対して浮遊した状態で支持することで、支持基板120から回路素子130および圧力センサー1に応力が伝わり難くなり、圧力センサー1の圧力検知精度が向上する。
回路素子130は、ブリッジ回路50に電圧を供給するための駆動回路、ブリッジ回路50からの出力を温度補償するための温度補償回路、温度補償回路からの出力から受けた圧力を求める圧力検出回路、圧力検出回路からの出力を所定の出力形式(CMOS、LV−PECL、LVDS等)に変換して出力する出力回路等を有している。
充填部140は、回路素子130および圧力センサー1を覆うように内部空間S1に配置されている。このような充填部140により、回路素子130および圧力センサー1を保護(防塵および防水)すると共に、圧力センサー1に作用した外部応力(例えば、落下衝撃)が回路素子130および圧力センサー1に伝わり難くなる。
また、充填部140は、液状またはゲル状の充填材で構成することができ、回路素子130および圧力センサー1の過剰な変位を抑制することができる点で、特にゲル状の充填材で構成するのが好ましい。このような充填部140によれば、回路素子130および圧力センサー1を水分から効果的に保護することができると共に、圧力を効率的に圧力センサー1へ伝達することができる。このような充填部140を構成する充填材としては、特に限定されず、例えば、シリコーンオイル、フッ素系オイル、シリコーンゲル等を用いることができる。
以上、圧力センサーモジュール100について説明した。このような圧力センサーモジュール100は、圧力センサー1と、圧力センサー1を収納しているパッケージ110と、を有している。そのため、パッケージ110によって、圧力センサー1を保護することができる。また、前述した圧力センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、圧力センサーモジュール100の構成としては、前述の構成に限定されず、例えば、充填部140は、省略してもよい。また、本実施形態では、圧力センサー1および回路素子130が、ボンディングワイヤーBWによって、支持基板120に吊られた状態で支持されているが、例えば、圧力センサー1および回路素子130が、直接、支持基板120上に配置されていてもよい。また、本実施形態では、圧力センサー1および回路素子130が横に並んで配置されているが、例えば、圧力センサー1および回路素子130が高さ方向に並んで配置されていてもよい。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る電子機器について説明する。
図20は、本発明の第3実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
次に、本発明の第3実施形態に係る電子機器について説明する。
図20は、本発明の第3実施形態に係る電子機器としての高度計を示す斜視図である。
図20に示すように、電子機器としての高度計200は、腕時計のように手首に装着することができる。また、高度計200の内部には、圧力センサー1(圧力センサーモジュール100)が搭載されており、表示部201に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部201には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。
このような電子機器の一例である高度計200は、圧力センサー1を有している。そのため、高度計200は、前述した圧力センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電子機器について説明する。
次に、本発明の第4実施形態に係る電子機器について説明する。
図21は、本発明の第4実施形態に係る電子機器としてのナビゲーションシステムを示す正面図である。
図21に示すように、電子機器としてのナビゲーションシステム300は、図示しない地図情報と、GPS(全地球測位システム:Global Positioning System)からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー1(圧力センサーモジュール100)と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部301とを備えている。
このナビゲーションシステム300によれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、ナビゲーションシステム300に圧力センサー1を搭載し、高度情報を圧力センサー1によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
このような電子機器の一例としてのナビゲーションシステム300は、圧力センサー1を有している。そのため、ナビゲーションシステム300は、前述した圧力センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の電子機器は、前述の高度計およびナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、時計(スマートウォッチを含む)、ドローン、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等に適用することができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態に係る移動体について説明する。
図22は、本発明の第5実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
次に、本発明の第5実施形態に係る移動体について説明する。
図22は、本発明の第5実施形態に係る移動体としての自動車を示す斜視図である。
図22に示すように、移動体としての自動車400は、車体401と、4つの車輪402(タイヤ)と、を有しており、車体401に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪402を回転させるように構成されている。また、自動車400は、車体401に搭載されている電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)403を有しており、この電子制御ユニット403に圧力センサー1が内蔵されている。電子制御ユニット403は、圧力センサー1が車体401の加速度や傾斜等を検出することにより、移動状態や姿勢等を把握し、車輪402等の制御を的確に行うことができる。これにより、自動車400は、安全で安定した移動をすることができる。なお、圧力センサー1は、自動車400に備えられているナビゲーションシステム等に搭載されていてもよい。
このような移動体の一例としての自動車400は、圧力センサー1を有している。そのため、自動車400は、前述した圧力センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
以上、本発明の圧力センサー、圧力センサーの製造方法、圧力センサーモジュール、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
1…圧力センサー、2…基板、21…第1層、22…第2層、23…第3層、24…凹部、25…ダイアフラム、31…第1絶縁膜、32…第2絶縁膜、4…周囲構造体、4A…側壁部、41…層間絶縁膜、42…配線層、421…ガードリング、429…配線部、43…層間絶縁膜、44…配線層、441…ガードリング、444…被覆層、445…貫通孔、449…配線部、45…表面保護膜、46…封止層、461…第1シリコン層、461a…貫通孔、462…酸化シリコン層、463…第2シリコン層、47…端子、5…センサー部、50…ブリッジ回路、51、52、53、54…ピエゾ抵抗素子、55…配線、100…圧力センサーモジュール、110…パッケージ、110a…開口、111…ベース、112…ハウジング、120…支持基板、121…基材、122…基部、122a…開口、123…帯体、129…配線、130…回路素子、140…充填部、200…高度計、201…表示部、250…ダイアフラム形成領域、251…受圧面、300…ナビゲーションシステム、301…表示部、400…自動車、401…車体、402…車輪、403…電子制御ユニット、BW…ボンディングワイヤー、S…圧力基準室、S1…内部空間
Claims (9)
- 受圧により撓み変形するダイアフラムを有する基板と、
前記基板の一方の面側に配置され、平面視で前記ダイアフラムを囲む側壁部と、
前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラムに対向して配置され、前記空間を封止する封止層と、を有し、
前記封止層は、
第1シリコン層と、
前記第1シリコン層に対して前記基板と反対側に位置する第2シリコン層と、
前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を有し、
前記酸化シリコン層は、前記第2シリコン層に覆われることで外部に対して封止されていることを特徴とする圧力センサー。 - 前記酸化シリコン層は、前記第1シリコン層側の主面が前記第1シリコン層で覆われており、前記第2シリコン層側の主面が前記第2シリコン層で覆われており、側面が前記第2シリコン層で覆われている請求項1に記載の圧力センサー。
- 前記封止層の平面視で、前記酸化シリコン層の外縁は、前記第1シリコン層の外縁の内側に位置し、
前記酸化シリコン層上および前記第1シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第2シリコン層が積層されている請求項2に記載の圧力センサー。 - 前記基板は、シリコンを含んでいる請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧力センサー。
- ダイアフラム形成領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板の一方の面側に、前記基板の平面視で前記ダイアフラム形成領域を囲む側壁部と、前記側壁部に囲まれた空間を介して前記ダイアフラム形成領域に対向して配置され、前記空間を封止する封止層を形成する工程と、
前記ダイアフラム形成領域に、受圧により撓み変形するダイアフラムを形成する工程と、を含み、
前記封止層を形成する工程では、第1シリコン層と、前記第1シリコン層に対して前記空間とは反対側に位置する第2シリコン層と、前記第1シリコン層と前記第2シリコン層との間に位置する酸化シリコン層と、を形成し、前記酸化シリコン層を前記第2シリコン層で覆うことにより外部に対して封止することを特徴とする圧力センサーの製造方法。 - 前記封止層を形成する工程は、
前記第1シリコン層を形成する工程と、
前記第1シリコン層上に、前記第1シリコン層の平面視で、前記第1シリコン層が周囲から露出するように前記酸化シリコン層を形成する工程と、
前記酸化シリコン層上および前記第1シリコン層の前記酸化シリコン層から露出している領域上に前記第2シリコン層を形成する工程と、を含んでいる請求項5に記載の圧力センサーの製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の圧力センサーと、
前記圧力センサーを収納しているパッケージと、を有することを特徴とする圧力センサーモジュール。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の圧力センサーを有することを特徴とする移動体。
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