JP2017152574A - 光電変換膜および光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
、光電変換膜7、ホウ素ドープアモルファスシリコン膜9および第2導体層11がこの順に積層された構成を有している。ここで、第1導体層3には、通常、銀(Ag)などの貴金属を含む金属膜が適用される 。 シリコン基板5にはリンドープシリコン基板が適用される。第2導体層11にはインジウム錫酸化物に代表される透明導電膜が用いられる。
ていることが望ましい。細線束7Aが緻密化するように配列させると、光電変換膜7は細線束7Aの占有面積の増加によって、太陽光の受光面が大きくなり、これにより光吸収量をさらに高めることができる。
場合、慣用のメタルアシストエッチング法を用いる。まず、図3(a)に示すように、第1導体層3とは反対側のリンドープシリコン基板5上に量子細線7aを形成するための半導体膜8を形成する。
に残った部分が量子細線7aとなる。この場合、エッチング溶液としては、過酸化水素とフッ化水素水との混合溶液を用いる。このとき、半導体膜8の下層側を残すようにする。
5・・・・・リンドープシリコン基板
7・・・・・光電変換膜
7A・・・・細線束
7a・・・・量子細線
7b・・・・金属酸化物膜
7ba・・・金属元素膜
7bb・・・酸素膜
9・・・・・ホウ素ドープアモルファスシリコン膜
11・・・・第2導体層
Claims (8)
- 複数の量子細線が束状に集積された複数の細線束がアレイ状に配列しているとともに、前記複数の細線束の直径は、可視光領域から近赤外領域までの波長の範囲内に在ることを特徴とする光電変換膜。
- 前記細線束は、直径が700〜1000nmであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換膜。
- 前記量子細線は、横断面の形状が多角形であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換膜。
- 前記量子細線の直径は、一方端が他方端よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の光電変換膜。
- 前記複数の細線束は、前記細線束の直径以下の間隔で集積されていることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれかに記載の光電変換膜。
- 前記量子細線間に金属酸化物が介在していることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれかに記載の光電変換膜。
- 前記金属酸化物が、酸化亜鉛または酸化アルミニウムであることをを特徴とする請求項6に記載の光電変換膜。
- 2つの導体層間に光電変換層を備えた太陽電池であって、前記光電変換層が請求項1乃至7のうちいずれかに記載の光電変換膜であることを特徴とする光電変換装置。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2019031244A1 (ja) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、撮影システム、撮影システムの制御方法、及びプログラム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004296537A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Rohm Co Ltd | 成膜装置 |
JP2006261666A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | General Electric Co <Ge> | 高効率無機ナノロッド強化光起電素子 |
JP2011009285A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光電変換素子 |
JP2012060063A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8357960B1 (en) * | 2008-09-18 | 2013-01-22 | Banpil Photonics, Inc. | Multispectral imaging device and manufacturing thereof |
WO2015015694A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | パナソニック株式会社 | 光起電力装置 |
JP2015532725A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-11-12 | プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ | 光学装置、光フィルタの製造方法、画像形成装置およびその製造方法 |
-
2016
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004296537A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Rohm Co Ltd | 成膜装置 |
JP2006261666A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | General Electric Co <Ge> | 高効率無機ナノロッド強化光起電素子 |
US8357960B1 (en) * | 2008-09-18 | 2013-01-22 | Banpil Photonics, Inc. | Multispectral imaging device and manufacturing thereof |
JP2011009285A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 光電変換素子 |
JP2012060063A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015532725A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-11-12 | プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ | 光学装置、光フィルタの製造方法、画像形成装置およびその製造方法 |
WO2015015694A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | パナソニック株式会社 | 光起電力装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
S. H. YUN ET AL.: ""Growth of inclined boron nanowire bundle arrays in an oxide-assisted vapor-liquid-solid process"", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 87, JPN7019003514, 2005, pages 113109 - 1, ISSN: 0004236708 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019031244A1 (ja) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、撮影システム、撮影システムの制御方法、及びプログラム |
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