JP2017147381A5 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は、複数のステップにより構成されるプラズマ処理条件によって試料を処理室にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、第一のステップを実施する第一の工程と、前記第一の工程後、前記第一のステップのガス供給を停止するとともに不活性ガスを供給する第二の工程と、前記第二の工程後、前記第二の工程の不活性ガスの供給を停止するとともに第二のステップのガスを供給する第三の工程と、前記第二のステップを実施する第四の工程とを有し、前記処理室の内部に残留している前記第一のステップのガス量を前記第二の工程にて検知し、前記処理室の内部に到達した前記第二のステップのガス量を前記第三の工程にて検知し、前記第二の工程の検知結果に基づいて前記第二の工程から前記第三の工程に移行し、前記第三の工程の検知結果に基づいて前記第三の工程から前記第四の工程に移行することを特徴とする。
Claims (12)
- 複数のステップにより構成されるプラズマ処理条件によって試料を処理室にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
第一のステップを実施する第一の工程と、
前記第一の工程後、前記第一のステップのガス供給を停止するとともに不活性ガスを供給する第二の工程と、
前記第二の工程後、前記第二の工程の不活性ガスの供給を停止するとともに第二のステップのガスを供給する第三の工程と、
前記第二のステップを実施する第四の工程とを有し、
前記処理室の内部に残留している前記第一のステップのガス量を前記第二の工程にて検知し、
前記処理室の内部に到達した前記第二のステップのガス量を前記第三の工程にて検知し、
前記第二の工程の検知結果に基づいて前記第二の工程から前記第三の工程に移行し、
前記第三の工程の検知結果に基づいて前記第三の工程から前記第四の工程に移行することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記処理室の内部に残留している前記第一のステップのガス量は、前記第二の工程のプラズマ発光の変化に基づいて検知され、
前記処理室の内部に到達した前記第二のステップのガス量は、前記第三の工程のプラズマ発光の変化に基づいて検知されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程および前記第三の工程は、前記試料が載置される試料台に高周波電力が供給され、
前記処理室の内部に残留している前記第一のステップのガス量は、前記第二の工程の前記高周波電力によるピーク間電圧の変化に基づいて検知され、
前記処理室の内部に到達した前記第二のステップのガス量は、前記第三の工程の前記高周波電力によるピーク間電圧の変化に基づいて検知されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二のステップのガスが前記処理室の内部に到達したことを検知した後、前記試料が載置される試料台に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程および前記第三の工程は、前記試料が載置される試料台に時間変調された高周波電力が供給されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程および前記第三の工程は、時間変調された高周波電力によりプラズマが生成されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 複数のステップにより構成されるプラズマ処理条件によって試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
第一のステップを実施する第一の工程と、前記第一の工程後、前記第一のステップのガス供給を停止するとともに不活性ガスを供給する第二の工程と、前記第二の工程後、前記第二の工程の不活性ガスの供給を停止するとともに第二のステップのガスを供給する第三の工程と、前記第二のステップを実施する第四の工程とを実行する制御装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記第二の工程にて検知された、前記処理室の内部に残留している前記第一のステップのガス量に基づいて前記第二の工程を前記第三の工程に移行させ、
前記第三の工程にて検知された、前記処理室の内部に到達した前記第二のステップのガス量に基づいて前記第三の工程を前記第四の工程に移行させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項７に記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室の内部に残留している前記第一のステップのガス量は、前記第二の工程のプラズマ発光の変化に基づいて検知され、
前記処理室の内部に到達した前記第二のステップのガス量は、前記第三の工程のプラズマ発光の変化に基づいて検知されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項７に記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室の内部に残留している前記第一のステップのガス量は、前記第二の工程の前記第二の高周波電力によるピーク間電圧の変化に基づいて検知され、
前記処理室の内部に到達した前記第二のステップのガス量は、前記第三の工程の前記第二の高周波電力によるピーク間電圧の変化に基づいて検知されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項７に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のステップのガスが前記処理室の内部に到達したことが検知された後、前記第二の高周波電力が供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項７に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二の工程および前記第三の工程における前記第二の高周波電力は、時間変調された高周波電力であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二の工程および前記第三の工程におけるプラズマは、時間変調された高周波電力により生成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
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