KR20130017632A - 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법 - Google Patents

공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법은 공정 챔버 내부로부터 공정이 완료된 기판을 언로딩하고, 상기 공정 챔버 내부에 이물질이 있는지 여부를 센싱한다. 상기 이물질이 센싱된 경우 세정 가스를 공급하여 상기 이물질을 제거한다. 그 후 상기 공정 챔버 내부에 이물질이 잔류하는지 여부를 재센싱한다. 따라서, 웨이퍼 플라즈마 공정 후에 레이저 스캔을 통해 공정 챔버 내에 잔류물이 있는 경우 별도로 공정 챔버 내의 세정작업을 통해 이물질을 제거하여 ESC를 보호함으로써, 불필요한 ESC의 교체를 막을 수 있다.

Description

공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법{METHOD FOR REMOVING POLLUTION IN PROCESS CHAMBER}
본 발명은 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 반도체 공정 중 발생하는 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로써 제조된다. 상기 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP), 세정 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다.
상기와 같은 단위 공정들 중에서 식각 공정은 주로 건식 식각에 의해 수행되고 있으며, 상기 건식 식각은 공정이 수행되는 챔버 내부로 주입된 반응 가스를 플라즈마(plasma) 상태로 변환하여 상기 플라즈마 상태의 반응 가스와 기판 상의 피가 공막이 화학 반응함으로써 상기 피가 공막의 특정 영역을 제거하는 것이다.
이 때, 공정 챔버는 기판을 고정하여 안정적으로 기판을 처리할 필요가 있어 별도의 기판 지지 부재를 포함한다. 예를 들어 상기 기판 지지 부재로 정전력에 의해 상기 기판을 흡착 지지하는 정전척 (electro static chuck : ESC), 또는 진공 압력에 의해 기판을 흡착 지지하는 방식의 진공척 (vacuum chuck) 등이 있다.
그러나, 상기 건식 식각 공정을 수행한 후, 폴리머(polymer) 등의 잔류물이 완전히 제거 되지 않고 챔버 내의 반응로에 남아 있게 되는 경우, 다음 기판의 식각 공정을 수행시 상기 폴리머와 플라즈마가 반응하여 아크가 발생하여 ESC가 손상을 입을 수 있다. 따라서 ESC를 보호하여 불필요한 교체를 막을 필요가 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 건식 식각 공정 후에 레이저 스캔을 통해 챔버 내에 잔류물이 있는 경우 별도로 챔버 내의 세정작업을 통해 잔류물을 제거하여 ESC를 보호하는 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 이물질 제거 방법에서, 공정 챔버 내부로부터 공정이 완료된 기판을 언로딩하고, 상기 공정 챔버 내부에 이물질이 있는지 여부를 센싱한다. 상기 이물질이 센싱된 경우 세정 가스를 공급하여 상기 이물질을 제거한다. 그 후 상기 공정 챔버 내부에 이물질이 잔류하는지 여부를 재센싱한다.
일 실시예에서, 상기 이물질이 센싱되지 않는 경우 상기 세정 가스를 공급함 없이 다음 기판을 상기 공정 챔버 내부로 로딩할 수 있다
본 발명에 의하면, 건식 식각 공정 후에 레이저 스캔을 통해 챔버 내에 잔류물이 있는 경우 별도로 챔버 내의 세정작업을 통해 잔류물을 제거하여 ESC를 보호함으로써, 불필요한 ESC의 교체를 막을 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 이물질 제거방법을 수행하기 위한 이물질 제거 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1의 기판 지지부의 단면도이다.
도 3은 도 1의 이물질 제거방법을 나타낸 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 이물질 제거방법을 수행하기 위한 이물질 제거 시스템을 나타낸 블록도이다. 도 2는 도 1의 기판 지지부의 단면도이다. 도 3은 도 1의 이물질 제거방법을 나타낸 흐름도이다.
도 1, 2 및 3을 참조하면, 이물질 제거방법을 수행하기 위한 이물질 제거 시스템(1000)은 공정 챔버(100), 레이저 스캔부(200), 세정부(300)를 포함한다.
상기 공정 챔버(100)는 그 내부에 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 공간을 제공한다. 상기 공정 챔버는 기판 지지부(110) 및 공정 제어부(150)를 포함한다. 상기 기판 지지부(110)는 기판이 상기 공정 챔버(100)로 로딩되면, 원활한 처리가 이루어 지도록 상기 기판을 고정시킨다. 상기 기판 지지부(110)는 정전력에 의해 상기 기판을 흡착 지지하는 정전척(electro static chuck: ESC)(115)을 포함한다.
예를 들어, 상기 정전척(115) 은 지지 본체(116), 절연체층(117) 및 유전체층(118)을 포함할 수 있다. 상기 지지 본체(116)는 반도체 기판(W)의 이면에 냉각가스를 공급하기 위한 다수의 제1 관통홀들(120)을 갖을 수 있다. 상기 지지 본체(116)는 디스크 형상을 가지며, 상기 반도체 기판(W)을 가공하기 위한 반응 가스를 플라즈마 가스로 형성하기 위한 RF 파워 공급기(미도시)와 연결될 수 있다. 또한, 제1 관통홀(120)의 내측면들에는 아노다이징 처리를 통한 절연막이 형성될 수 있다.
상기 절연체층(117)은 상기 지지 본체의 상부면 및 지지 본체의 외측면 상에 배치될 수 있다. 상기 절연체층(117)은 아노다이징 처리를 통해 형성된 산화 알루미늄 또는 소결된 세라믹 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 절연체층(117)은 후술하는 유전체층(118) 내부의 내부 전극(119)으로부터 상기 지지 본체(116)를 전기적으로 절연시킨다. 상기 절연체층(117)의 내부에는 상기 제1 관통홀들(120)과 연통되는 제2 관통홀들(121)이 형성되며, 상기 제1 및 제2 관통홀들(120, 121)을 통해 냉각 가스가 흐를 수 있으며, 상기 냉각 가스로 헬륨 가스(He)가 이용될 수 있다.
상기 유전체층(118)은 상기 절연체층(117) 상에 배치될 수 있다. 상기 유전체층(118)은 상기 기판(W)을 지지한다. 상기 유전체층(118)에는 상기 제1 및 제2 관통홀들(120, 121)과 연통되는 제3 관통홀들(122)이 형성될 수 있다. 상기 제3 관통홀들(122)을 통해 상기 기판의 이면에 냉각가스가 전달된다. 상기 유전체층(118)은 소결된 세라믹 물질로 이루어질 수 있다.
상기 유전체층(118) 내부에는 반도체 기판을 고정시키기 위한 정전기력을 발생시키기 위한 내부 전극(119)이 배치될 수 있으며, 상기 전극은 직류 파워 공급기와 연결된다. 상기 직류 파워 공급기에 의해 발생하는 정전기력에 의해 상기 기판(W)이 상기 기판 지지부(110)에 고정될 수 있다.
본 실시예의 상기 정전척(115)의 구성은 상기에 제한 해석되지 않으며, 다양한 변경을 가할 수 있다.
상기 공정 제어부(150)는 상기 공정 챔버(100)로의 기판의 로딩/언로딩을 제어하며, 상기 플라즈마 처리에 의한 식각 공정을 전반적으로 제어한다. 또한, 후술할 스캔 제어부(220)로부터 제어 신호를 인가 받으며, 세정 제어부(320)에 신호를 인가하여 세정부(300)의 동작을 명령한다.
상기 공정 챔버(100) 내부로 로딩된 기판은 상기 정전척(115)에 의해 고정된 채로, 플라즈마 처리에 의해 건식 식각이 이루어지며, 상기 플라즈마 처리에 의해서 특정 영역이 제거된 상기 기판은 상기 공정 챔버(100)로부터 언로딩된다. 처리가 완료된 기판이 상기 공정 챔버(100)로부터 언로딩 될 때, 기판 이면에 제거되지 못한 폴리머가 상기 공정 챔버(100) 내로 떨어져 잔류할 수 있다. 상기 잔류물인 폴리머는 이 후 로딩된 기판의 플라즈마 처리와 반응하여 아크(arc)를 발생시킨다. 상기와 같은 아킹에 의해 정전척(115)의 손상을 유발할 수 있다.
상기 레이저 스캔부(200)은 레이저 스캔 유닛(210) 및 스캔 제어부(220)를 포함한다. 상기 레이저 스캔 유닛(210)은 상기 공정 챔버(100)의 상부에 위치하여 상기 챔버 내에 이물질 및 파티클 등을 스캔한다. 상기 레이저 스캔 유닛(210)은 레이저 발진기, 빔스플리터, 검출기 등으로 이루어져 있는바, 이는 일반적인 구성으로서, 상기 공정 챔버(100) 내부의 이물질을 검출할 수 있을 정도의 사양으로 구성하면 된다. 상기 레이저 스캔 유닛(210)는 상기 공정 챔버(100) 내부의 이물질을 스캔하며, 스캔 결과를 상기 스캔 제어부(220)에 전달한다.
상기 스캔 제어부(220)는 상기 레이저 스캔 유닛(210)을 제어하며, 스캔 유닛으로부터 얻은 정보로 상기 공정 챔버(100) 내부를 별도로 세정할지 여부를 결정하고, 결과물을 세정장치의 제어부에 전달한다. 구체적으로, 처리가 완료된 상기 기판이 상기 공정 챔버(100)로부터 언로딩되면, 상기 스캔 제어부(220)가 상기 레이저 스캔 유닛(210)에 동작 신호를 인가하고, 이에 따라, 상기 레이저 스캔 유닛(210)이 공정 챔버(100) 내부에 잔류하는 폴리머 등 이물질을 스캔한다(S100). 상기 레이저 스캔 유닛(210)에 의한 스캔 결과는 상기 스캔 제어부(220)로 전달되며, 상기 스캔 제어부(220)는 상기 스캔 결과를 기초로 하여, 별도의 세정작업 필요 여부를 결정한다. 예를 들어, 상기 공정 챔버(100) 내에 이물질 등이 검출되지 않았다면, 상기 스캔 제어부(220)는 상기 공정 제어부(150)에 제1 제어 신호를 인가 한다(S110). 상기 제1 신호를 인가 받은 공정 제어부(150)는 상기 세정 제어부(320)에 별도의 동작 신호를 인가하지 않고, 다음 기판을 상기 공정 챔버(100)로 로딩시킨다(S120). 반면에, 상기 공정 챔버(100) 내에 이물질 등이 검출된 경우, 상기 스캔 제어부(220)는 상기 공정 제어부(150)에 제2 제어 신호를 인가한다(S210). 상기 제2 신호가 상기 공정 제어부(150)에 인가되면, 상기 공정 제어부는 다음 처리될 기판을 로딩하기 전에 상기 세정부(300)의 세정 제어부(320)에 동작신호를 인가하여 세정부(300)를 동작시킨다(S220).
상기 세정부(300)는 세정 가스 공급부(310) 및 세정 제어부(320)를 포함한다. 상기 세정 가스 공급부(310)는 공정 챔버(100) 내부로 가스를 공급하는 노즐 유닛(312), 세정 가스가 저장된 세정 가스 저장부(314), 상기 노즐 유닛(312)과 세정 가스 저장부(314)를 연결하여 세정 가스가 전달되는 통로를 제공하는 가스 연결관(316) 및 상기 세정 가스의 공급을 제어하는 개폐 밸브(318)를 포함한다. 상기 노즐 유닛(312)을 통하여 상기 잔류하는 폴리머를 제거할 수 있는 세정 가스를 상기 공정 챔버(100) 내부로 공급한다. 상기 세정 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다. 예를 들어, 상기 노즐 유닛(312)은 복수로 구성되어, 상기 공정 챔버(100)의 내측벽 또는 상부에 돌출하여 위치할 수 있으며, 상기 세정 가스를 상기 공정 챔버(100) 내부로 공급할 수 있다. 본 실시예에서는 세정 가스를 공급하는 노즐 유닛이 공정 챔버의 내측벽과 연결된 것을 예시하였으나, 이와 달리, 상기 노즐 유닛(312)이 상기 기판 지지부(110)의 지지 몸체(116)의 상면과 연결되어 상기 세정 가스를 기판 지지부(110)에 직접 공급하여 상기 잔류물을 제거할 수 있다. 상기 개폐 밸브(318)는 상기 가스 연결관(316)과 연결되어 상기 세정가스의 공급을 제어하며, 상기 세정 제어부(320)와 연결된다.
상기 세정 제어부(320)는 상기 가스 연결관(316)에 연결된 개폐 밸브(318)와 연결되어 상기 공정 챔버(100) 내부로의 상기 세정가스 공급 여부를 제어하며, 상기 공정 제어부(150)와 연결되어 동작 신호를 인가 받는다. 구체적으로, 상기 스캔 스캔 제어부(220)로부터 상기 제1 제어 신호가 상기 공정 제어부(150)에 인가되면, 상기 공정 제어부(150)는 별도로 상기 세정 제어부(320)에 동작 신호를 인가하지 않고, 다음 기판을 로딩하여 처리 공정을 진행한다. 다만, 상기 스캔 스캔 제어부(220)로부터 상기 제2 제어 신호가 상기 공정 제어부(150)에 인가되면, 상기 공정 제어부(150)는 상기 세정 제어부(320)에 동작 신호를 인가한다(S220). 상기 세정 제어부(320)에 동작 신호가 인가되면, 상기 세정 제어부(320)는 상기 개폐 밸브(318)를 개방하여 상기 세정 가스가 상기 공정 챔버(100) 내부로 공급되도록 한다. 상기 세정 가스가 상기 공정 챔버(100) 내부로 유입되면 상기 공정 챔버(100) 내부에 잔류한 상기 폴리머와 반응함으로써 상기 이물질을 제거할 수 있다. 상기 세정 가스는 미리 설정된 제1 시간 동안 공급된다(S230). 상기 제1 시간은 상기 세정 제어부(320)에서 제어하며, 상기 세정 제어부(320)는 상기 개폐 밸브(318)를 상기 동작 신호를 인가 받은 때부터 상기 제1 시간 동안 개방 시켜 상기 세정 가스를 공급하고, 상기 제1 시간이 경과하면, 다시 상기 개폐 밸브(318)를 폐쇄하여 상기 세정 가스의 공급을 차단한다.
상기 세정 가스의 공급이 차단되면, 즉 상기 제1 시간이 경과되면, 상기 세정 제어부(320)는 상기 공정 제어부(150)에게 완료 신호를 전달한다(S240). 상기 완료 신호를 인가 받은 공정 제어부(150)는 다시 스캔 제어부(220)에 스캔 신호를 인가하여 레이저 스캔 유닛(210)이 동작하도록 한다. 상기 스캔 신호에 의해서 동작한 레이저 스캔 유닛(210)은 상기 공정 챔버(100) 내부를 스캔하여 상기 세정 가스 처리 후에 남은 잔유물이 있는지 여부를 검출한다.
상기 검출에 의해서 잔유물이 스캔되지 않는 경우, 상기 스캔 스캔 제어부(220)는 상기 제1 제어신호를 상기 공정 제어부(150)에 인가하고, 잔유물이 스캔된 경우는 상기 제2 제어 신호를 상기 공정 제어부(150)에 인가하여, 상기와 같은 과정을 반복하게 된다.
상기 세정부(300)는 드레인부(330) 및 세정 가스 회수부(340)를 더 포함할 수 있다. 상기 드레인부(330)는 상기 지지 몸체 내부로 연결된 배출 통로(미도시)를 통해 상기 세정 가스와 반응한 폴리머를 저장 탱크(337)로 배출 시킨다. 또한, 상기 드레인부(330)는 상기 세정 가스와 결합하여 에멀젼(emulsion) 상태인 폴리머를 외부로 효율적으로 배출하기 위해 흡입 펌프(335)를 포함할 수 있다. 상기 흡입 펌프(335)는 상기 세정 제어부(320)에 의해 제어되며, 미리 설정된 제2 시간 동안 동작하여 공정 챔버 내의 잔유물을 흡입한다. 상기 흡입 펌프(335)의 동작 시점은 상기 세정 제어부(320)에 미리 설정되며, 상기 제2 시간이 상기 제1 시간에 포함되도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 공정 제어부(150)의 동작신호가 인가되면, 상기 세정 제어부(320)는 상기 세정 가스를 상기 공정 챔버(100) 내부로 공급하여 상기 이물질을 제거하고, 상기 세정 가스 공급 시점으로부터 미리 설정된 제3 시간이 경과한 후에 상기 흡입 펌프(335)를 상기 제2 시간 동안 동작시켜 잔유물을 상기 배출 통로를 통해 수거할 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 시간이 상기 제1 시간에 포함되지 않게 미리 설정한다면, 즉, 상기 세정 가스의 공급이 차단된 후에도 상기 흡입 펌프가 동작하는 경우라면, 상기 세정 제어부(320)는 상기 제2 시간이 경과하여 상기 잔유물의 배출이 완료된 시점에 상기 공정 제어부(150)에 상기 완료 신호를 인가한다. 이에 따라, 잔유물의 배출이 완료된 이 후 레이저 스캔부(200)에 의한 스캔이 이루어질 수 있다.
상기 가스 회수부(340)는 가스 회수 펌프(342), 회수관(344) 및 복수의 회수구(346)들을 포함하며, 상기 가스 회수펌프(342)의 동작시켜 상기 공정 챔버(100) 내부의 세정 가스를 회수구들(346)을 통해 흡입하여 회수한다. 상기 회수구들(346)은 상기 세정 가스 공급부(310)의 노즐 유닛(312)이 위치한 영역과 이격된 영역에 위치한다. 예를 들어, 상기 세정 가스 공급부의 노즐 유닛이 상기 공정 챔버(100)의 상부와 연결된 경우, 상기 회수구(346)는 상기 공정 챔버(100)의 하부에 위치한다. 반대로 상기 세정 가스 공급부의 노즐 유닛이 상기 공정 챔버(100)의 하부에 연결된 경우, 상기 회수구(346)는 상기 공정 챔버(100)의 상부에 위치한다. 상기 회수관(344)은 상기 세정 공급부의 연결관(316)과 연결된다. 이에 따라, 상기 연결관(316)을 통해 상기 공정 챔버(100)로 공급된 세정 가스가 회수관(344)과 연결된 회수구(346)를 통해 흡입되고, 상기 회수관(344)에 연결된 상기 연결관(316)에 공급됨으로써, 다시 상기 공정 챔버(100)로 공급될 수 있다. 즉, 상기 세정 가스가 순환할 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버 내부의 세정 가스를 순환 시킴으로써, 상기 세정 가스 이용 효율을 높일 수 있다.
본 실시예에서는 상기 스캔 스캔 제어부(220)가 제1 및 제2 제어 신호 모두를 상기 공정 제어부(150)에 인가하였으나, 상기 제1 제어신호는 상기 공정 제어부(150)에 인가하고, 상기 제2 제어 신호는 상기 세정 제어부(320)에 직접적으로 인가하여 동작을 명령할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 상기 세정 가스 공급부가 동작한 때로부터 제1 공급 시간이 경과한 후에 상기 제어부에 별도의 완료 신호를 인가하였으나, 상기 완료신호인 제3 제어신호를 상기 스캔 스캔 제어부(220)에 직접적으로 인가하여, 상기 레이저 스캔 유닛(210)을 동작 시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 플라즈마 처리 공정 후에 레이저 스캔을 통해 챔버 내에 잔류물이 있는 경우 별도로 챔버 내의 세정작업을 통해 잔류물을 제거하여 이 후 공정에서, 플라즈마와 잔류물이 반응하여 아크가 발생됨을 미연에 방지 할 수 있다. 즉, 고가의 장비인 ESC를 보호함으로써, 불필요한 ESC의 교체를 막을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버 이물질 제거 방법은 플라즈마 처리 공정 후에 레이저 스캔을 통해 챔버 내에 잔류물이 있는 경우 별도로 챔버 내의 세정작업을 통해 잔류물을 제거하여 ESC를 보호함으로써, 불필요한 ESC의 교체를 막을 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1000: 플라즈마 처리 장치 100: 공정 챔버
110: 기판 지지부 115: 정전척(ESC)
116: 지지 본체 117: 절연체층
118: 유전체층 119: 내부전극
120, 121, 122: 제1,2,3 관통홀
150: 공정 제어부 200: 레이저 스캔부
220: 스캔 제어부 300: 세정부
310: 세정 가스 공급부 320: 세정 제어부
312: 노즐 유닛 314: 세정 가스 저장부
318: 개폐 밸브 330: 드레인부
335: 흡입 펌프 337: 저장 탱크
340: 세정 가스 회수부 342: 가스 회수 펌프
344: 회수관 346: 회수구

Claims (2)

  1. 공정 챔버 내부로부터 공정이 완료된 기판을 언로딩하는 단계;
    상기 공정 챔버 내부에 이물질이 있는지 여부를 센싱하는 단계;
    상기 이물질이 센싱된 경우 세정 가스를 공급하여 상기 이물질을 제거하는 단계; 및
    상기 공정 챔버 내부에 이물질이 잔류하는지 여부를 재센싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이물질이 센싱되지 않는 경우 상기 세정 가스를 공급함 없이 다음 기판을 상기 공정 챔버 내부로 로딩하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버 내부의 이물질 제거 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101522674B1 (ko) * 2013-06-10 2015-06-25 (주)티티에스 공정가스 배기 장치
US9899241B2 (en) 2016-02-19 2018-02-20 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing method
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KR20190070758A (ko) * 2017-12-13 2019-06-21 (주) 엔피홀딩스 정전척 세정이 가능한 라미네이팅 장치 및 이의 세정 방법

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