JP2017139294A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
Description
基材と、前記基材上に配設された導体層を備えた電子部品であって、
前記導体層が、
前記基材上に配設された、平均結晶子径が60nm以上150nm以下のCu焼結体を有する下地配線層と、
前記下地配線層を構成するCu焼結体の表面近傍の空隙が、Cuめっき金属により埋められてなる中間層と、
前記中間層上に形成されたCuめっき膜層と
を具備していることを特徴としている。
また、ビア電極と導体層が金属結合により確実に接続された信頼性の高い電子部品を提供することが可能になる。
還元性の焼成雰囲気で焼成してCuの酸化物を還元し、あるいは、還元性溶媒を存在させてCuの酸化物を還元することにより、導体層を構成する金属と、ビア電極を構成する金属どうしが直接に金属結合した強固な接合を実現することが可能になり、信頼性の高い電子部品を得ることができる。
基材の一方の主面と他方の主面の両方に導体層を配設することにより、導体層を配設するための領域の省スペース化を図ることが可能になる。
上記の構成とすることにより、面方向の導体層の配設領域の省スペース化をさらに進めることができる。
本発明の電子部品は、導体層が平均結晶子径60nm以上150nm以下のCu焼結体を含むものであり、そのようなCu焼結体は、低温で熱処理することによって形成することが可能であることから、基材として、例えばセラミックなどの耐熱性に優れた無機材料を用いることが可能であることはもちろん、例えばエポキシ樹脂などの、セラミックなどの無機材料に比べて耐熱性が低い有機材料からなるものを用いることも可能である。
図1は、本発明の実施例1にかかる電子部品である配線基板の構成を示す断面図である。
(a)Cu焼結体21aを主たる成分とする下地配線層21と、
(b)下地配線層21の上に形成された、下地配線層21を構成するCu焼結体21aの表面近傍の空隙が、Cuめっき金属22aにより埋められてなる中間層22と、
(c)中間層22上に形成されたCuめっき膜層23と
を備えている。
まず、エポキシ樹脂(信越化学工業社製SMC−850−4H)を例えば150℃で1時間加熱した後、200℃で4時間加熱して硬化させ基材(基板)1を作製した。そして、作製した基材1を研磨して、表面を平滑化した。
そして、Cu粒子とトリエタノールアミンとを、重量比で87:13の割合で配合し、混錬することで下地配線層21用の配線材料を作製した。
この実施例1では、エポキシ樹脂からなる基板の表面を粗化処理し、配線材料を印刷した後、窒素(N2)97vol%、ギ酸3vol%の雰囲気下、180℃で10分の条件で、焼結させ、下地配線層(Cu焼結体層)21を形成した。
また、中間層22が、下地配線層21を構成するCu焼結体21aの空隙が、Cuめっき金属22aにより埋められることにより形成されていることが確認された。
<導体層厚みの測定方法>
レーザー変位計LT−9500V(Keyence製)を用い、基材表面の高さと、導体層の表面の高さを、導体層2(図1参照)の長手方向にそれぞれライン上で測定し、両者の差分の平均値を導体層厚みとした。なお、ライン上での導体層厚みの測定ピッチは50μmとした。
表面抵抗計ロレスタGP(三菱化学アナリスティック製)を用いて、4探針法にて表面抵抗率を測定した。
さらに、表面抵抗率に導体層厚み(膜厚)を乗算して、体積抵抗率を算出した。
図3は、本発明の実施例2にかかる電子部品A2である配線基板の構成を示す断面図である。
この電子部品A2は、エポキシ樹脂からなる基材(基板)1と、基材(基板)1上に形成された導体層2を備えている。
そして、基材(基板)1には、ビアホール3が形成されており、ビアホール3には、めっきにより形成された円柱状のビア電極(Cu電極)4が配設されている。
また、ビア電極4は、表面の影響を受けない塊状の金属材料、いわゆるバルク状の金属であってもよく、また、金属焼結体であってもよい。さらに、ビア電極4に、樹脂やガラスなどの絶縁材料中に導電性材料が分散しているような導電体を用いることも可能である。
そして、Cu粒子とトリエタノールアミンとを、重量比で87:13の割合で配合し、混錬することで下地配線層21用の配線材料を作製した。
このとき、ビア電極4に対しても下地配線層(Cu焼結体層)21を構成するCu粒子を焼結させて、下地配線層(Cu焼結体層)21とビア電極4とを金属結合させた。
これにより、図3に示すような構造を有する電子部品(配線基板)A2が得られる。
図4より、下地配線層(Cu焼結体層)21がビア電極(Cu金属)に焼結し、金属結合していることが確認された。
また、ビア電極4とCu焼結体層21が金属結合しているため、接合信頼性の高い配線を形成することができる。
図5は、本発明の実施例3にかかる電子部品A3である配線基板の構成を示す断面図である。
その他の構成は、上記実施例2の電子部品(配線基板)A2の場合と同様である。
また、その他の点においても、上記実施例1および2の電子部品(配線基板)A1,A2の場合と同様の効果を得ることができる。
図6は、本発明の実施例4にかかる電子部品A4である多層基板の構成を示す断面図である。
この電子部品A4は、複数の基材層1aが積層された構造を有する積層体11の内部および上面に導体層2を備え、異なる層の導体層2が、ビアホール3に配設されたビア電極4により電気的に接続された構造を有する多層基板である。
(1)まず、実施例2で説明した方法により、エポキシ樹脂からなる基材(基板)1に設けたビアホール3にビア電極4が配設され、上面に導体層2が形成された配線基板(導体層2を備えた基材層)1aを作製する。
1a 基材層
2,2a,2b 導体層
3 ビアホール
4 ビア電極
11 積層体
A(A1,A2,A3,A4) 電子部品
21 下地配線層(Cu焼結体層)
21a Cu焼結体
22a Cuめっき金属
22 中間層
23 Cuめっき膜層
Claims (6)
- 基材と、前記基材上に配設された導体層を備えた電子部品であって、
前記導体層が、
前記基材上に配設された、平均結晶子径が60nm以上150nm以下のCu焼結体を有する下地配線層と、
前記下地配線層を構成するCu焼結体の表面近傍の空隙が、Cuめっき金属により埋められてなる中間層と、
前記中間層上に形成されたCuめっき膜層と
を具備していることを特徴とする電子部品。 - 前記基材がビアホールを有し、前記ビアホールにはビア電極が配設され、前記導体層が前記ビア電極と電気的に接続するように配設されているとともに、前記導体層を構成する前記下地配線層と前記ビア電極とが両者の界面で金属結合していることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記ビア電極が、CuまたはCu合金を含む材料から形成されたものであることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
- 前記基材の一方の主面と他方の主面の両方に、前記導体層が配設されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子部品。
- 前記基材が複数枚積層されて積層体を構成し、前記導体層が前記積層体の内部に配設されているとともに、前記積層体の内部に配設され、前記基材層を介して対向する前記導体層の少なくとも一部が、前記ビア電極を介して層間接続されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の電子部品。
- 前記基材が,有機材料および無機材料のいずれか一方、または両者を組み合わせた材料から形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電子部品。
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