JP2017132728A - スルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アミン類を原料に用いずに簡便且つ効率よくスルホンイミドのＬｉ塩又はＮａ塩、殊にＬｉ塩を工業的スケールで製造する方法を提供。【解決手段】トリフルオロメチルスルホンアミドに代表されるスルホンアミドと、Ｌｉ塩又はＮａ塩とを反応させた後に、スチレンスルホニルハライドとを反応させる、式（５）で表されるスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法。（Ｒ１はＦ、任意の数の置換基を有するＣ１〜１０のアルキル基等；Ｍ+はＬｉ又はＮａイオン；Ｒ２〜Ｒ８は、Ｈ、任意の数の置換基を有するＣ１〜１０のアルキル基等）【選択図】なし

Description

本発明は、電子材料等の原料あるいは合成中間体として工業的に重要なスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法に関するものである。

従来、スルホンイミドのアルカリ金属塩を製造する方法としては、以下の二工程よりなる方法が知られている。すなわち、スルホニルクロリド、スルホンアミドと三級アミンを反応させてスルホンイミドのアミン塩を得る工程と、得られたアミン塩にアルカリ金属塩を反応させることでスルホンイミドのアルカリ金属塩を得る工程からなる製造方法である（例えば特許文献１参照）。また、スルホニルクロリドとスルホンアミドを、塩基を使わずに反応させる方法についても例示されている（例えば特許文献２参照）。

特許文献１において、原料である三級アミンは、スルホンイミドのアミン塩を形成させるだけでなく、副生する塩化水素を捕捉する為に用いられている。しかしながら、発生する塩化水素を三級アミンにより完全に除去することは容易とは言えず、生成する塩化水素および三級アミンの塩化水素塩は反応系に残存する可能性がある。この点は、スルホンイミドのアルカリ金属塩が多用される電子材料分野において好ましくない。一般に、塩化水素および三級アミンの塩化水素塩についてはできる限り除去されること、更には塩化水素を発生させないことが望まれる。

また特許文献２において、原料にスチレンスルホン酸を用いた反応式の例示があるものの、該化合物は極めて重合しやすいため取り扱いが容易ではなく、この反応を実際に工業的に利用することは現実的ではない。
従って、スルホンイミドのアルカリ金属塩を製造するにあたり、効率的に実施可能な製造方法が求められていた。

米国特許第６４２０６０７号明細書 国際公開第２０１５／０２９２４８号

本発明の目的は、かかる従来の実状に鑑みて提案されたものであり、従来の方法では製造が困難であったスルホンイミドのリチウム塩またはナトリウム塩を、工業的規模においても安定して得るための製造方法を提供することにある。また本発明は、アミン類を原料に用いずに簡便且つ効率よくスルホンイミドのリチウム塩またはナトリウム塩、殊にリチウム塩を工業的スケールで製造し得る製造方法を提供することも目的とする。

本発明者らは、アミン類を原料に用いずに簡便且つ効率よくスルホンイミドのリチウム塩またはナトリウム塩を工業的スケールで製造し得る製造方法を提供することを目的とし、鋭意研究を行った。その結果、原料にスルホンアミドとリチウム塩またはナトリウム塩を用いてスルホンアミドのリチウム塩またはナトリウム塩を取得後、得られたものを更にスルホニルハライドと反応させることにより、スルホンイミドのリチウム塩またはナトリウム塩を製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、下記一般式（１）

（式（１）中、Ｒ¹はフッ素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示す。）で表されるスルホンアミドと、下記一般式（２）

（式（２）中、Ｍ⁺はリチウムイオンまたはナトリウムイオンを示し、Ｘ^n-はｎ価の陰イオンを示し、ｎは１または２である。）で表されるリチウム塩またはナトリウム塩と、を反応させて下記一般式（３）

（式（３）中、Ｒ¹及びＭ⁺は前記式（１）および（２）に同じ。）を得る工程と、上記一般式（３）と下記一般式（４）

（式（４）中、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ独立して、水素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示し、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立して、水素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示し、それぞれが環状構造を形成しても構わない。また、Ｙはハロゲン原子を示す。）で表されるスルホニルハライドと、を反応させて下記一般式（５）

（式（５）中、Ｒ¹及びＭ⁺は前記式（１）および（２）に同じ。）で表されるスルホンイミドのリチウム塩またはナトリウム塩を得る工程よりなる、スルホンイミドのリチウム塩またはナトリウム塩の製造方法に係る。

本発明の方法によれば、電子材料等の原料あるいは合成中間体として工業的に重要な化合物であるスルホンイミドのリチウム塩またはナトリウム塩を高収率かつ高純度で効率よく得ることができるため、本製造法は工業的製造方法として有用である。

本発明を実施するに当たり、原料として用いられるスルホンアミドは上記一般式（１）で表される。
一般式（１）中、Ｒ¹はフッ素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示す。Ｒ¹は具体的に、フッ素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロプロピル基、１’−メチルシクロブチル基、２’−メチルシクロブチル基、１’−メチルシクロペンチル基、２’−メチルシクロペンチル基、１’−メチルシクロヘキシル基、２’−メチルシクロヘキシル基、３’−メチルシクロヘキシル基、１’，１’−ジメチルシクロプロピル基、１’，２’−ジメチルシクロプロピル基、１’，１’−ジメチルシクロブチル基、１’ ，２’−ジメチルシクロブチル基、１’，３’−ジメチルシクロブチル基、２’，２’−ジメチルシクロブチル基等が挙げられ、反応を阻害しない範囲で任意の位置に置換基を有していてもよい。これらの内でも、トリフルオロメチル基を有するものが好ましく用いられる。

一般式（２）中、Ｍ⁺はアルカリ金属イオンのうちリチウムイオンまたはナトリウムイオンを示し、さらにリチウムイオンが好ましい。
一般式（２）中、Ｘ^n-はｎ価の陰イオンを示し、具体的に、ヒドリドイオン、水酸化物イオン、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、炭酸イオン、硫酸イオン等が挙げられる。なお、本発明に係る反応を阻害しない範囲で制限されないが、ヒドリドイオン、水酸化物イオン、炭酸イオンであることが好ましい。これらはリチウム塩またはナトリウム塩である化合物であれば使用できる。例えば化合物として、水素化リチウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウムを挙げることができる。

一般式（４）中、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ独立して水素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示す。Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は具体的に、水素、フッ素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロプロピル基、１’−メチルシクロブチル基、２’−メチルシクロブチル基、１’−メチルシクロペンチル基、２’−メチルシクロペンチル基、１’−メチルシクロヘキシル基、２’−メチルシクロヘキシル基、３’−メチルシクロヘキシル基、１’，１’−ジメチルシクロプロピル基、１’，２’−ジメチルシクロプロピル基、１’，１’−ジメチルシクロブチル基、１’，２’−ジメチルシクロブチル基、１’，３’−ジメチルシクロブチル基、２’，２’−ジメチルシクロブチル基等が挙げられ、反応を阻害しない範囲で任意の位置に置換基を有していてもよい。

一般式（４）中、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立して水素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示す。Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸は具体的に、水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロプロピル基、１’−メチルシクロブチル基、２’−メチルシクロブチル基、１’−メチルシクロペンチル基、２’−メチルシクロペンチル基、１’−メチルシクロヘキシル基、２’−メチルシクロヘキシル基、３’−メチルシクロヘキシル基、１’，１’−ジメチルシクロプロピル基、１’，２’−ジメチルシクロプロピル基、１’，１’−ジメチルシクロブチル基、１’，２’−ジメチルシクロブチル基、１’，３’−ジメチルシクロブチル基、２’，２’−ジメチルシクロブチル基等が挙げられ、反応を阻害しない範囲で任意の位置に置換基を有していてもよい。さらに、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれが環状構造を形成しても構わない。

また、Ｙは反応を阻害しない範囲で特に制限されるものではないが、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。

一般式（４）で表されるスルホニルハライドは以上の通りであり、これらの内でも、スチレンスルホン酸クロライドが好ましく用いられる。

本発明の製造方法に係る反応は、溶媒の存在下において実施するか、あるいは溶媒を用いずに実施しても構わない。用いられる溶媒としては、具体的に、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン等の直鎖状脂肪族炭化水素類、２−メチルブタン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン等の分岐状脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１−クロロプロパン、１，２−ジクロロプロパン、１，３−ジクロロプロパン、１−クロロブタン、２−クロロブタン、１，２−ジクロロブタン、１，３−ジクロロブタン、１，４−ジクロロブタン、２，３−ジクロロブタン、ジブロモメタン、ブロモホルム、四臭化炭素、１，１−ジブロモエタン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン、１，２−ジブロモプロパン、１，３−ジブロモプロパン、１−ブロモブタン、２−ブロモブタン、１，２−ジブロモブタン、１，３−ジブロモブタン、１，４−ジブロモブタン、２，３−ジブロモブタン等の脂肪族ハロゲン化合物類、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、ｍ−ジブロモベンゼン、ｐ−ジブロモベンゼン等の芳香族ハロゲン化合物類、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、酢酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性の極性の溶媒を用いることができ、中でも非プロトン性の極性の溶媒を用いるのが好ましく、アセトニトリルもしくは酢酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いるのがさらに好ましい。また、本製造方法に係る溶媒の使用量は特に制限されないが、一般式（１）に示されるスルホンアミドに対して重量比で１から１００にするのが好ましく、重量比で１から３０がさらに好ましい。

本発明のスルホンイミドのアルカリ金属塩に用いられる一般式（２）の使用量は特に制限するものではないが、反応を定量的に進行させる為には原料であるスルホンアミド類に対して２当量〜１０当量使用するのが好ましく、さらに好ましくは２当量〜３当量である。

本発明のスルホンイミドのアルカリ金属塩を合成する際の反応温度は０℃〜８０℃で実施可能であるが、０℃〜６０℃で実施するのが好ましい。なお、一般式（３）を得た後においては特に低温を必要とすることはなく、２０℃〜６０℃で反応を実施することが可能である。

また、本発明のスルホンイミドのアルカリ金属塩を合成する際に使用する反応器は、大気開放型の反応器、またはオートクレーブ等の密閉系の反応器のいずれも可能であり、反応圧力は、大気圧下、または加圧下のいずれも可能である。
本発明のスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法にて合成されたスルホンイミドのアルカリ金属塩は、反応終了後の反応液から、ろ過、抽出、晶析など常法により分離、精製することができる。

以下、実施例により本発明を説明するが、それらは本発明を限定するものではない。
なお、本発明により得られる化合物については、核磁気共鳴分析（以下、「ＮＭＲ分析」と示す）により反応系中における目的化合物の生成、および反応生成物を同定した。
［ＮＭＲ分析］
装置：ブルカー・バイオスピン社製、 ＡＶ−４００Ｍ
測定サンプルの調製方法：内部標準物質として約０．０５％のテトラメチルシランを含むジメチルスルホキシド−ｄ６（９９．５％）約０．７ｍＬに試料を溶解し、¹Ｈ−ＮＭＲおよび¹⁹Ｆ−ＮＭＲを測定した。

（実施例１）リチウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドの合成
１００ｍＬの四口フラスコに撹拌子と温度計を装着し、水素化リチウム０．２１ｇ（２６．８ｍｍｏｌ）、無水アセトニトリル９．５０ｇを入れた後に撹拌しながら０℃に冷却した。次に、トリフルオロメタンスルホンアミド２．００ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）を無水アセトニトリル ９．５０ｇに溶解したものを滴下した。続いて、３４％４−スチレンスルホニルクロリド／トルエン溶液８．００ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で撹拌を１７時間継続した。得られた反応液にトルエン２０．００ｇを加え、３０分間撹拌した後に、ろ過により無機塩を除去した。ロータリーエバポレータで溶媒を留去したところ、目的化合物であるリチウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドが７８％の収率で得られた。
¹Ｈ−ＮＭＲ （４００ ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ６）： δ （ｐｐｍ） ７．７０ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．５５ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２４−７．１０ （ｄｄ， Ｊ ＝ １２．０ Ｈｚ， ２０．０ Ｈｚ， １Ｈ）， ５．９３ （ｄ， Ｊ ＝ ２０．０ Ｈｚ， １Ｈ）， ５．３７ （ｄ， Ｊ ＝ １２．０ Ｈｚ， １Ｈ）
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ （３７６ ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ６）： δ （ｐｐｍ）−７７．８９（ｓ）．

（実施例２）リチウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドの合成
実施例１の原料である水素化リチウムを水酸化リチウム０．６４ｇ（２６．８ｍｍｏｌ）、反応溶媒である無水アセトニトリルをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに変え、６０℃で反応を行ったところ、目的化合物であるリチウム４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドが６６％の収率で得られた。

（実施例３）リチウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドの合成
実施例１の反応溶媒である無水アセトニトリルを酢酸エチルに変え、６０℃で反応を行ったところ、目的化合物であるリチウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドが４８％の収率で得られた。

（実施例４）ナトリウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドの合成
１００ｍＬの四口フラスコに撹拌子と温度計を装着し、炭酸ナトリウム２．９７ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）、酢酸エチル２０．００ｇ、トリフルオロメタンスルホンアミド２．０９ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）、４１％４−スチレンスルホニルクロリド／トルエン溶液７．００ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）、４−ターシャリブチルカテコール０．１０ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を入れた後に撹拌しながら６０℃に加熱し、さらに撹拌を１７時間継続した。その後、反応液に水２０．００ｇを加えて分液し、得られた有機層を２０％食塩水で洗浄した。トルエンを加えて、濃縮したところ、目的化合物であるナトリウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドが７７％の収率で得られた。
¹Ｈ−ＮＭＲ （４００ ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ６）： δ （ｐｐｍ） ７．７０ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．５５ （ｄ， Ｊ ＝ ８．０ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２４−７．１０ （ｄｄ， Ｊ ＝ １２．０ Ｈｚ， ２０．０ Ｈｚ， １Ｈ）， ５．９３ （ｄ， Ｊ ＝ ２０．０ Ｈｚ， １Ｈ）， ５．３７ （ｄ， Ｊ ＝ １２．０ Ｈｚ， １Ｈ）
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ （３７６ ＭＨｚ， ＤＭＳＯ−ｄ６）： δ （ｐｐｍ）−７７．８９（ｓ）．

（比較例１）（アルカリ金属塩の有無に関する検討）
実施例４の原料である炭酸ナトリウムを加えず、反応溶媒である酢酸エチルをテトラヒドロフランに変え、反応を行ったところ、目的化合物であるナトリウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドは得られなかった。

（比較例２）カルシウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドの合成
実施例４の原料である炭酸ナトリウムを炭酸カルシウム２．６９ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）に変え、反応を行ったところ、目的化合物であるカルシウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドは得られなかった。

（比較例３）マグネシウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドの合成
実施例４の原料である炭酸ナトリウムを炭酸マグネシウム２．２６ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）に変え、反応を行ったところ、目的化合物であるマグネシウム ４−スチレンスルホニル（トリフルオロメチルスルホニル）イミドは得られなかった。

本発明により得られるスルホンイミドのアルカリ金属塩は、電子材料等の原料あるいは合成中間体として、工業的に極めて有用である。

Claims (6)

1. 下記一般式（１）
   

   

   （式（１）中、Ｒ¹はフッ素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示す。）で表されるスルホンアミドと、下記一般式（２）
   

   

   （式（２）中、Ｍ⁺はリチウムイオンまたはナトリウムイオンを示し、Ｘ^n-はｎ価の陰イオンを示し、ｎは１または２である。）で表されるリチウム塩またはナトリウム塩と、を反応させて下記一般式（３）
   

   

   （式（３）中、Ｒ¹及びＭ⁺は前記式（１）および（２）に同じ。）を得る工程と、上記一般式（３）と下記一般式（４）
   

   

   （式（４）中、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ独立して、水素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示し、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立して、水素、任意の数の置換基を有する炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルケニル基、炭素数２〜１０の直鎖もしくは分岐状アルキニル基、または炭素数３〜１０の環状アルキル基を示し、それぞれが環状構造を形成しても構わない。また、Ｙはハロゲンを示す。）で表されるスルホニルハライドと、を反応させて下記一般式（５）
   

   

   （式（５）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸及びＭ⁺は前記式（１）、（２）、および（４）に同じ。）を得る工程よりなる、スルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法。
2. Ｍ⁺がリチウムイオンである、請求項１に記載のスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法。
3. リチウム塩またはナトリウム塩として、水素化リチウム、水酸化リチウムまたは炭酸ナトリウムを使用する、請求項１または請求項２に記載のスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法。
4. Ｒ¹がトリフルオロメチル基である、請求項１〜３のいずれかに記載のスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法。
5. 上記一般式（４）に示されるスルホニルハライドがスチレンスルホン酸クロライドである、請求項１〜４のいずれかに記載のスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法。
6. 反応に用いる溶媒がアセトニトリル、酢酸エチル、またはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのいずれかである、請求項１〜５のいずれかに記載のスルホンイミドのアルカリ金属塩の製造方法。