JP2017129105A - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】安価で簡単な構成でもってアッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制する。
【解決手段】機関排気通路内に、排気ガス中の粒子状物質を捕集するためのパティキュレートフィルタ24が配置される。パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量を減少させるためにパティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたPM除去温度まで上昇させてPM除去温度に保持するPM除去制御が行われる。パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量があらかじめ定められた設定捕集量以下であると判別されたときに、パティキュレートフィルタのアッシュ付着量を減少させるためにパティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度まで上昇させてアッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御が行われる。アッシュ脱離温度はアッシュを酸化カルシウムに変換するのに適した温度である。
【選択図】図1

Description

本発明は内燃機関の排気浄化装置に関する。
排気ガス中に含まれる粒子状物質を捕集するためのパティキュレートフィルタを機関排気通路内に配置した内燃機関の排気浄化装置が知られている。ところが、パティキュレートフィルタ上に堆積している粒子状物質の量が多くなるにつれて、パティキュレートフィルタの圧力損失が大きくなる。パティキュレートフィルタの圧力損失が大きくなると、機関出力が低下するおそれがある。そこで、この排気浄化装置では、パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が多くなったときにパティキュレートフィルタの温度を上昇させて保持するPM除去制御を行い、それにより粒子状物質を酸化除去するようにしている。
ところで、排気ガス中にはアッシュと称される不燃性成分も含まれており、このアッシュは粒子状物質と共にパティキュレートフィルタに捕集される。ところが、PM除去制御が行われてもアッシュは燃焼せず又は気化しない。すなわち、アッシュはパティキュレートフィルタから除去されず、パティキュレートフィルタ上に残留する。したがって、PM除去制御を行っても、パティキュレートフィルタの圧力損失を十分に回復することができない。
そこで、パティキュレートフィルタに捕集されたアッシュを微粒化し、それによりアッシュがパティキュレートフィルタを通過してパティキュレートフィルタから除去されるようにした内燃機関の排気浄化装置が公知である(例えば、特許文献1参照)。この排気浄化装置では、パティキュレートフィルタに固体酸が担持され、この固体酸の酸強度は亜硫酸の酸強度よりも高くかつ硫酸の酸強度よりも低い。また、アッシュを微粒化するために、パティキュレートフィルタに流入する排気ガス中の酸素濃度が一時的に低下されると共に、パティキュレートフィルタの温度が一時的に高められる。アッシュがパティキュレートフィルタを通過してパティキュレートフィルタから除去されれば、アッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制することができる。
特表2014−520226号公報
しかしながら、特許文献1の排気浄化装置では固体酸が不可欠である。したがって、安価で簡単な構成でもってアッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制する技術が求められている。
本発明によれば、機関排気通路内に配置され、排気ガス中の粒子状物質を捕集するためのパティキュレートフィルタと、前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量を減少させるために前記パティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたPM除去温度まで上昇させて該PM除去温度に保持するPM除去制御を行うように構成されたPM除去手段と、前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量があらかじめ定められた設定捕集量以下か否かを判別し、前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が前記設定捕集量以下であると判別したときに、前記パティキュレートフィルタのアッシュ付着量を減少させるために前記パティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度まで上昇させて該アッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御を行うように構成されたアッシュ脱離手段と、を具備し、前記アッシュ脱離温度は前記アッシュを酸化カルシウムに変換するのに適した温度である、内燃機関の排気浄化装置が提供される。
安価で簡単な構成でもってアッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制することができる。
内燃機関の全体図である。 NOx吸蔵還元触媒の触媒担体の表面部分の断面図である。 NOx吸蔵還元触媒の触媒担体の表面部分の断面図である。 パティキュレートフィルタにおけるアッシュの状態を示す模式図である。 パティキュレートフィルタにおけるアッシュの状態を示す模式図である。 粒子状物質捕集量の増加分dQPMiのマップを示す図である。 粒子状物質捕集量の減少分dQPMrのマップを示す図である。 アッシュ付着量の増加分dQAiのマップを示す図である。 アッシュ付着量の減少分dQArのマップを示す図である。 本発明による実施例を説明するタイムチャートである。 PM除去制御及びアッシュ脱離制御の実行タイミングを示すタイムチャートである。 PM除去制御及びアッシュ脱離制御の実行タイミングを示すタイムチャートである。 粒子状物質捕集量推定値QPMの算出ルーチンを示すフローチャートである。 アッシュ付着量推定値QAの算出ルーチンを示すフローチャートである。 PM除去制御ルーチンを示すフローチャートである。 アッシュ脱離制御ルーチンを示すフローチャートである。 本発明による別の実施例を説明するタイムチャートである。 本発明による別の実施例を説明するタイムチャートである。 本発明による更に別の実施例の排気後処理装置を示す図である。 酸化炭素濃度CCOXの変化を示すタイムチャートである。 基準酸化炭素濃度CCOXRのマップを示す図である。 酸化炭素濃度差dCCOXの変化を示すタイムチャートである。 本発明による更に別の実施例の排気後処理装置を示す図である。 前後差圧dPFの変化を示すタイムチャートである。 本発明による更に別の実施例の排気後処理装置を示す図である。 図20に示される実施例を説明するタイムチャートである。 本発明による更に別の実施例を説明するタイムチャートである。 図22に示される実施例のアッシュ脱離制御ルーチンを示すフローチャートである。
図1を参照すると、1は圧縮着火式内燃機関の本体、2は各気筒の燃焼室、3は各燃焼室2内にそれぞれ燃料を噴射するための電子制御式燃料噴射弁、4は吸気マニホルド、5は排気マニホルドをそれぞれ示す。吸気マニホルド4は吸気ダクト6を介して排気ターボチャージャ7のコンプレッサ7cの出口に連結され、コンプレッサ7cの入口は吸気導入管8を介してエアフロメータ9及びエアクリーナ10に順次連結される。吸気ダクト6内には電気制御式スロットル弁11が配置され、更に吸気ダクト6内には吸気ダクト6内を流れる吸入空気を冷却するための冷却装置12が配置される。一方、排気マニホルド5は排気ターボチャージャ7の排気タービン7tの入口に連結され、排気タービン7tの出口は排気後処理装置20に連結される。
各燃料噴射弁3は燃料供給管13を介してコモンレール14に連結され、このコモンレール14は電気制御式の吐出量可変な燃料ポンプ15を介して燃料タンク16に連結される。燃料タンク16内の燃料は燃料ポンプ15によってコモンレール14内に供給され、コモンレール14内に供給された燃料は各燃料供給管13を介して燃料噴射弁3に供給される。なお、コモンレール14にはコモンレール14内の燃料圧を検出する燃料圧センサ(図示しない)が取り付けられており、燃料圧センサからの信号に基づきコモンレール14内の燃料圧が目標圧に一致するように燃料ポンプ15の燃料吐出量が制御される。図1に示される実施例ではこの燃料は軽油から構成される。図示しない別の実施例では内燃機関は火花点火式内燃機関から構成される。この場合には燃料はガソリンから構成される。
排気マニホルド5と吸気マニホルド4とは排気ガス再循環(以下、EGRという。)通路17を介して互いに連結され、EGR通路17内には電気制御式EGR制御弁18が配置される。また、EGR通路17周りにはEGR通路17内を流れるEGRガスを冷却するための冷却装置19が配置される。
排気後処理装置20は排気タービン7tの出口に連結された排気管21を具備し、この排気管21は触媒22の入口に連結される。この触媒22は排気ガス中のSOxを捕捉する機能を有する。触媒22の出口は排気管23を介してウォールフロー型パティキュレートフィルタ24の入口に連結される。パティキュレートフィルタ24の出口は排気管25に連結される。
電子制御ユニット(ECU)又は制御器30はデジタルコンピュータからなり、双方向性バス31によって互いに接続されたROM(リードオンリメモリ)32、RAM(ランダムアクセスメモリ)33、CPU(マイクロプロセッサ)34、入力ポート35及び出力ポート36を具備する。排気管23にはパティキュレートフィルタ24に流入する排気ガスの温度を検出するための温度センサ26が取り付けられる。パティキュレートフィルタ24に流入する排気ガスの温度はパティキュレートフィルタ24の温度を表している。エアフロメータ9及び温度センサ26の出力電圧はそれぞれ対応するAD変換器37を介して入力ポート35に入力される。また、アクセルペダル39にはアクセルペダル39の踏み込み量に比例した出力電圧を発生する負荷センサ40が接続され、負荷センサ40の出力電圧は対応するAD変換器37を介して入力ポート35に入力される。更に、クランクシャフトが例えば30度回転するごとに出力パルスを発生するクランク角センサ41が入力ポート35に接続される。CPU34ではクランク角センサ41からの出力パルスに基づいて機関回転数が算出される。一方、出力ポート36は対応する駆動回路38を介して燃料噴射弁3、スロットル弁11の駆動装置、燃料ポンプ15、及びEGR制御弁18にそれぞれ接続される。なお、電子制御ユニットはPM除去手段及びアッシュ脱離手段を構成する。
図2A及び図2Bはパティキュレートフィルタ24の構造を示している。なお、図2Aはパティキュレートフィルタ24の正面図を示しており、図2Bはパティキュレートフィルタ24の側面断面図を示している。図2A及び図2Bに示されるようにパティキュレートフィルタ24はハニカム構造をなしており、互いに平行をなして延びる複数個の排気流通路71i,71oと、これら排気流通路71i,71oを互いに隔てる隔壁72とを具備する。図2A及び図2Bに示される実施例では、排気流通路71i,71oは、上流端が開放されかつ下流端が栓73dにより閉塞された排気ガス流入通路71iと、上流端が栓73uにより閉塞されかつ下流端が開放された排気ガス流出通路71oとにより構成される。なお、図2Aにおいてハッチングを付した部分は栓73uを示している。したがって、排気ガス流入通路71i及び排気ガス流出通路71oは薄肉の隔壁72を介して交互に配置される。云い換えると排気ガス流入通路71i及び排気ガス流出通路71oは各排気ガス流入通路71iが4つの排気ガス流出通路71oによって包囲され、各排気ガス流出通路71oが4つの排気ガス流入通路71iによって包囲されるように配置される。図示しない別の実施例では、排気流通路は、上流端及び下流端が開放された排気ガス流入通路と、上流端が栓により閉塞されかつ下流端が開放された排気ガス流出通路とにより構成される。
隔壁72は多孔質材料、例えばコージェライト、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ジルコニア、チタニア、アルミナ、シリカ、ムライト、リチウムアルミニウムシリケート、リン酸ジルコニウムのようなセラミックから形成される。したがって、図2Bに矢印で示されるように、排気ガスはまず排気ガス流入通路71i内に流入し、次いで周囲の隔壁72内を通って隣接する排気ガス流出通路71o内に流出する。このように隔壁72は排気ガス流入通路71iの内周面を構成する。
隔壁72の両側面及び細孔内表面には酸化機能を有する触媒が担持される。酸化機能を有する触媒は白金Pt、ロジウムRh、パラジウムPdのような貴金属から構成される。図示しない別の実施例では、酸化機能を有する触媒はセリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、ランタンLaのような卑金属を含む複合酸化物から構成される。図示しない更に別の実施例では、触媒は貴金属及び複合酸化物の組み合わせから構成される。
一方、触媒22はハニカム構造をなしており、薄肉の基材により互いに分離されつつ互いに平行に延びる複数個の排気流通路を具備する。この基材には例えばアルミナからなる担体を介して触媒成分が担持される。本発明による実施例では触媒22はNOx吸蔵還元触媒から形成される。NOx吸蔵還元触媒22は貴金属触媒及び塩基性層を含む。本発明による実施例では、貴金属触媒として白金Pt、ロジウムRh、及びパラジウムPdから選ばれた少なくとも一つが用いられ、塩基性層を構成する成分としては例えばカリウムK、ナトリウムNa、及びセシウムCsのようなアルカリ金属、バリウムBa及びカルシウムCaのようなアルカリ土類、ランタノイドのような希土類、並びに、銀Ag、銅Cu、鉄Fe及びイリジウムIrのようなNOxに電子を供与しうる金属から選ばれた少なくとも一つが用いられる。
吸気通路、燃焼室2及び、排気通路内の或る位置よりも上流の排気通路内に供給された空気及び燃料の比をその位置における排気ガスの空燃比と称し、吸収及び吸着の双方を含む用語として吸蔵という用語を用いると、塩基性層は流入する排気ガスの空燃比がリーンのときにはNOxを吸蔵し、流入する排気ガス中の酸素濃度が低下すると吸蔵したNOxを放出するNOxの吸蔵放出作用を行う。
すなわち、貴金属触媒として白金Ptを用い塩基性層を構成する成分としてバリウムBaを用いた場合を例にとって説明すると、流入排気ガスの空燃比がリーンのとき、すなわち流入排気ガス中の酸素濃度が高いときには流入排気ガス中に含まれるNOは白金Pt上において酸化されてNOとなる。このように生成されたNO及び流入排気ガス中のNOは次いで白金から電子を供与されてNO となる。このNO は次いで、硝酸イオンNO の形で塩基性層内に拡散し、硝酸塩となる。このようにしてNOxが硝酸塩の形で塩基性層内に吸収される。なお、NO及びNOが吸着によって塩基性層に一時的に保持される場合もある。
一方、NOxが硝酸塩の形で塩基性層に吸収されているときに流入排気ガスの空燃比がリッチにされると流入排気ガス中の酸素濃度が低下するために反応が逆方向(NO →NO)に進み、斯くして塩基性層内の硝酸イオンNO がNOの形で塩基性層から放出される。次いで放出されたNOは流入排気ガス中に含まれる還元剤例えばHC,CO,HによってNに還元される。このように、NOx吸蔵還元触媒22は、流入排気ガスの空燃比がリーンのときにNOxを吸蔵し、流入排気ガスの空燃比がリッチになると吸蔵したNOxを放出すると共に放出したNOxをNに還元するように構成されている。
機関本体1では酸素過剰のもとで燃焼が行なわれている。したがって、NOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比がリーンであるので、このとき排気ガス中のNOxはNOx吸蔵還元触媒22内に吸蔵される。ところが、時間の経過と共にNOx吸蔵還元触媒22に吸蔵されているNOx量が多くなる。そこで本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22からNOxを放出するために、NOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比が一時的にリッチに切り換えられる。
排気ガス中にはSOxも含まれており、このSOxは流入排気ガスの空燃比がリーンのときに硫酸塩BaSOの形でNOx吸蔵還元触媒22内に吸蔵される。すなわち、NOx吸蔵還元触媒22は排気ガス中のSOxを捕捉する機能を有する。ところが、硫酸塩BaSOは安定していて分解しづらく、排気ガスの空燃比を単にリッチにしただけでは硫酸塩BaSOは分解されずにそのまま残る。一方、NOx吸蔵還元触媒22の温度をSOx放出温度まで上昇させた状態でNOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするとNOx吸蔵還元触媒22からSOxが放出される。そこで本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22からSOxを放出するために、NOx吸蔵還元触媒22の温度がSOx放出温度まで上昇されSOx放出温度に保持されつつNOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比が一時的にリッチに切り換えられる。なお、SOx放出温度は例えば600℃である。
なお、本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22への流入排気ガスの空燃比をリッチに切り換えるために、機関出力を得るための主燃料とは別に、追加の燃料が爆発行程又は排気行程に噴射される。この追加の燃料は機関出力をほとんど発生することなく、燃焼室2、NOx吸蔵還元触媒22上流の排気通路、又はNOx吸蔵還元触媒22で燃焼する。図示しない別の実施例では、NOx吸蔵還元触媒22への流入排気ガスの空燃比をリッチに切り換えるために、NOx吸蔵還元触媒22上流の排気通路内に配置された燃料添加弁から燃料が排気ガス中に2次的に添加される。
また、本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22の温度を上昇させるために、燃料噴射弁3から追加の燃料が爆発行程又は排気行程に噴射される。図示しない別の実施例では、NOx吸蔵還元触媒22の温度を上昇させるために、NOx吸蔵還元触媒22上流の排気通路内に配置された燃料添加弁から燃料が排気ガス中に2次的に添加される。
更に、排気ガス中には主として固体炭素から形成される粒子状物質が含まれている。この粒子状物質はパティキュレートフィルタ24上に捕集される。上述したように機関本体1では酸素過剰のもとで燃焼が行われているので、パティキュレートフィルタ24は酸化雰囲気にある。また、パティキュレートフィルタ24には酸化機能を有する貴金属触媒が担持されている。その結果、パティキュレートフィルタ24に捕集された粒子状物質は順次酸化される。ところが、単位時間当たりに捕集される粒子状物質の量が単位時間当たりに酸化される粒子状物質の量よりも多くなると、パティキュレートフィルタ24上に捕集されている粒子状物質の量が機関運転時間の経過と共に増大する。
そこで本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量を減少させるためにパティキュレートフィルタ24の温度をあらかじめ定められたPM除去温度まで上昇させてPM除去温度に保持するPM除去制御が行われる。その結果、パティキュレートフィルタ24上の粒子状物質が除去され、パティキュレートフィルタ24の圧力損失が低減される。なお、PM除去温度は例えば610℃程度である。
本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24の温度を上昇させるために、燃料噴射弁3から追加の燃料が膨張行程又は排気行程に噴射される。図示しない別の実施例では、パティキュレートフィルタ24の温度を上昇させるために、パティキュレートフィルタ24上流の排気通路内に配置された燃料添加弁から燃料が排気ガス中に2次的に添加される。
ところで、排気ガス中にはアッシュも含まれており、このアッシュも粒子状物質と共にパティキュレートフィルタ24に捕集される。この場合のアッシュは主として炭酸カルシウムCaCOから形成されることが本願発明者により確認されている。カルシウムCaは機関潤滑油に由来し、炭素Cは燃料に由来する。すなわち、機関潤滑油が燃焼室2内に流入して燃焼し、潤滑油中のカルシウムCaが燃料中の炭素Cと結合することにより炭酸カルシウムCaCOが生成される。あるいは、燃焼室2内で生成された酸化カルシウムCaOがパティキュレートフィルタ24に捕集され、次いでこの酸化カルシウムCaOがパティキュレートフィルタ24上において排気ガス中の二酸化炭素COと反応することにより炭酸カルシウムCaCOが生成される。
ところが、PM除去制御が行われても、アッシュは燃焼せず又は気化しない。すなわち、アッシュはパティキュレートフィルタ24から除去されず、パティキュレートフィルタ24上に残る。この場合、アッシュは図3AにAでもって示されるように、排気ガス流入通路71iの内周面71isを覆うように内周面71is上に付着する。その結果、アッシュによりパティキュレートフィルタ24の圧力損失が増大する。
この場合、アッシュは粒の形でパティキュレートフィルタ24内に流入し、内周面71is上に堆積する。内周面71is上のアッシュの量が多くなるにつれて、粒状のアッシュ同士が互いに結合し、層の形になる。この過程で、アッシュと隔壁72とは例えばアンカリングにより互いに係合し、その結果アッシュの層が内周面71isに強固に付着する。このため、例えば排気ガスの流れがアッシュに作用したとしても、アッシュが内周面71isから脱離することは困難である。
一方、アッシュを高温に保持するとアッシュが酸化カルシウムCaOに変換される。すなわち、アッシュである炭酸カルシウムCaCOを高温に保持すると、炭酸カルシウムCaCOが酸化カルシウムCaOと二酸化炭素COとに分解され、気体である二酸化炭素COはアッシュの層から放出される。その結果、アッシュの粒径が小さくなり、アッシュの層の密度が低下する。その結果、アッシュ同士の結合及びアッシュと隔壁72との係合が弱められる。また、酸化カルシウムCaOの結合エネルギは炭酸カルシウムCaCOの結合エネルギよりも高い。イオン結晶では結合エネルギが高い材料は結合エネルギが低い材料よりも硬い。このため、炭酸カルシウムCaCOが酸化カルシウムCaOに変換されると、アッシュが硬くなり、アッシュの層が脆くなる。したがって、アッシュが内周面71isから容易に脱離することが可能となる。このことは、本願発明者らによる実験によって確認されている。
そこで本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量を減少させるためにパティキュレートフィルタ24の温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度まで上昇させてアッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御が行われる。この場合、アッシュ脱離温度はアッシュを酸化カルシウムCaOに変換するのに適した温度である。その結果、アッシュによるパティキュレートフィルタ24の圧力損失増大を抑制することができる。
アッシュ脱離制御が行われたときに排気ガス流入通路71iの内周面71isから脱離したアッシュAは図3Bに示されるように、排気ガス流入通路71i内を流れる排気ガスにより排気ガス流入通路71iの奥部71irまで移動される。この場合、奥部71irにおいてアッシュAが内周面71isに付着する場合もある。しかしながら、このようなアッシュAはパティキュレートフィルタ24の圧力損失にほとんど影響しない。
アッシュ脱離温度、すなわちアッシュを酸化カルシウムCaOに変換するのに適した温度は例えば450℃以上である。ただし、アッシュ脱離温度が低いと、アッシュ脱離制御を完了するのに必要な時間が長くなる。一方、アッシュ脱離温度が過度に高いと、パティキュレートフィルタ24の温度を上昇させるために必要な単位時間当たりの燃料量が過度に多くなり、又は、NOx吸蔵還元触媒22もしくはパティキュレートフィルタ24が破損するおそれがある。このため、アッシュ脱離温度は好ましくは約620℃以上約800℃以下であり、更に好ましくは約650℃である。本発明による実施例ではアッシュ脱離温度は約650℃に設定される。本発明による実施例では、PM除去温度は上述したように約610℃であるので、アッシュ脱離温度はPM除去温度よりも高く設定されているということになる。
一方、上述したアッシュの分解反応はパティキュレートフィルタ24上の酸化機能を有する触媒により促進される。ところがパティキュレートフィルタ24上に多量の粒子状物質が捕集されていると、アッシュが酸化機能を有する触媒に接触するのが困難になる。その結果、アッシュの分解反応が困難になり、したがってアッシュの内周面71isからの脱離が困難になる。
そこで本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量があらかじめ定められた設定捕集量以下か否かが判別され、パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量が設定捕集量以下であると判別されたときにアッシュ脱離制御が行われる。その結果、アッシュが内周面71isから確実に脱離する。
本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24に捕集されている粒子状物質の量が機関運転状態に基づいて推定される。具体的には、粒子状物質捕集量推定値QPMは次式を用いて算出される。次式において、dQPMiは単位時間当たりの粒子状物質捕集量の増加分を、dQPMrは単位時間当たりの粒子状物質捕集量の減少分を、それぞれ示している。
QPM=QPM+dQPMi−dQPMr
粒子状物質捕集量の増加分dQPMiは機関運転状態、すなわち例えば機関負荷L及び機関回転数Neに基づいて算出される。本発明による実施例では機関負荷Lはアクセルペダル39の踏み込み量によって表わされる。増加分dQPMiは機関負荷L及び機関回転数Neの関数として図4Aに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。一方、粒子状物質捕集量の減少分dQPMrは機関運転状態、すなわち例えばパティキュレートフィルタ24の温度TF及びパティキュレートフィルタ24内に流入する排気ガス量Geに基づいて算出される。本発明による実施例では排気ガス量Geは吸入空気量によって表わされる。減少分dQPMrはフィルタ温度TF及び排気ガス量Geの関数として図4Bに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。
その上で、粒子状物質捕集量推定値QPMがあらかじめ定められた第1のPM設定値QPM1を越えると、PM除去制御が開始される。PM除去制御が行われると粒子状物質捕集量推定値QPMは減少する。粒子状物質捕集量推定値QPMがあらかじめ定められた第2のPM設定値QPM2以下になると、PM除去制御が終了される。
また、本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24に付着しているアッシュの量が機関運転状態に基づいて推定される。具体的には、アッシュ付着量推定値QAは次式を用いて算出される。次式において、dQAiは単位時間当たりのアッシュ付着量の増加分を、dQArは単位時間当たりのアッシュ付着量の減少分を、それぞれ示している。
QA=QA+dQAi−dQAr
アッシュ付着量の増加分dQAiは機関運転状態、すなわち例えば機関負荷L及び機関回転数Neに基づいて算出される。増加分dQAiは機関負荷L及び機関回転数Neの関数として図5Aに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。一方、アッシュ付着量の減少分dQArは機関運転状態、すなわち例えばパティキュレートフィルタ24の温度TF及びパティキュレートフィルタ24内に流入する排気ガス量Geと、粒子状物質捕集量推定値QPMとに基づいて算出される。減少分dQArはフィルタ温度TF、排気ガス量Ge及び粒子状物質捕集量推定値QPMの関数として図5Bに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。
その上で、アッシュ付着量推定値QAがあらかじめ定められた第1のアッシュ設定値QA1を越え、かつ、粒子状物質捕集量推定値QPMが上述した設定捕集量に対応する第3のPM設定値QPM3以下のときに、アッシュ脱離制御が開始される。したがって、概念的に表現すると、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量があらかじめ定められた第1の設定付着量よりも多いか否かが判別され、パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量が設定捕集量以下でありかつパティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第1の設定付着量よりも多いと判別されたときにアッシュ脱離制御が行われる、ということになる。本発明による実施例では、機関運転状態に基づいて算出されたアッシュ付着量推定値QAが第1のアッシュ設定値QA1よりも大きいときに、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第1の設定付着量よりも多いと判別される。また、機関運転状態に基づいて算出された粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下のときに、パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量が設定捕集量以下であると判別される。
アッシュ脱離制御が行われるとアッシュ付着量推定値QAは減少する。アッシュ付着量推定値QAがあらかじめ定められた第2のアッシュ設定値QA2以下になると、アッシュ脱離制御が終了される。したがって、概念的に表現すると、アッシュ脱離制御中にアッシュ付着量があらかじめ定められた第2の設定付着量以下になったか否かが判別され、アッシュ脱離制御中にアッシュ付着量が第2の設定付着量以下になったと判別されたときにアッシュ脱離制御が終了される、ということになる。本発明による実施例では、機関運転状態に基づいて算出されたアッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下のときに、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第2の設定付着量以下であると判別される。
すなわち、図6に示されるように、時間ta1において粒子状物質捕集量推定値QPMが第1のPM設定値QPM1を越えると、PM除去制御が開始される。その結果、フィルタ温度TFがPM除去温度TFPMまで上昇され、PM除去温度TFPMに維持される。この場合、パティキュレートフィルタ24への流入排気ガスの空燃比AFEは理論空燃比AFSよりもリーンに維持されつつわずかに低下する。
PM除去制御が行われると、粒子状物質捕集量推定値QPMが減少する。次いで、時間ta2において粒子状物質捕集量推定値QPMが第2のPM設定値QPM2以下になると、PM除去制御が終了される。本発明による実施例では、第2のPM設定値QPM2はゼロである。
また、本発明による実施例では、第3のPM設定値QPM3が第2のPM設定値QPM2と等しく設定されている。したがって、時間ta2では粒子状物質捕集量推定値QPMは第3のPM推定値QPM3以下となっている。一方、時間ta2ではアッシュ付着量推定値QAは第1のアッシュ設定値QA1よりも大きい。このため、時間ta2においてアッシュ脱離制御が開始される。すなわち、フィルタ温度TFがアッシュ脱離温度TFAまで更に上昇され、アッシュ脱離温度TFAに維持される。この場合、排気ガスの空燃比AFEは理論空燃比AFSよりもリーンに維持されつつ更に低下する。なお、アッシュ脱離制御中にパティキュレートフィルタ24に流入した粒子状物質は直ちに酸化除去される。したがってアッシュ脱離制御中は粒子状物質捕集量推定値QPMはゼロに維持される。
アッシュ脱離制御が行われると、アッシュ付着量推定値QAが減少する。次いで、時間ta3においてアッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下になると、アッシュ脱離制御が終了される。すなわち、フィルタ温度TFが元の温度まで復帰され、排気ガスの空燃比AFEが元の空燃比まで復帰される。
図6に示される例では、アッシュ脱離制御においてフィルタ温度TFがアッシュ脱離温度TFA以上に保持されている時間dtAは、PM除去制御においてフィルタ温度TFがPM除去温度TFPM以上に保持されている時間dtPMよりも長い。これは、炭酸カルシウムCaCOから酸化カルシウムCaOへの変換が短時間では十分に進行しないからである。すなわち、図6に示される例では、アッシュ脱離制御においてフィルタ温度TFをPM除去温度TFPMよりも高い温度TFAに保持したとしても、その保持時間dtAがPM除去制御の保持時間dtPMと同程度か又はこれよりも短い場合には、アッシュの脱離作用を十分に得るのは困難であるということになる。なお、アッシュ脱離温度TFAを低く設定すればアッシュ脱離制御の保持時間dtAを長くでき、アッシュ脱離温度TFAを高く設定すれば保持時間dtAを短くできることを考えると、図6に示される例ではアッシュ脱離制御の保持時間dtAがPM除去制御の保持時間dtPMよりも長くなるようにアッシュ脱離温度TFAが設定されている、という見方もできる。図示しない別の実施例では、アッシュ脱離温度TFAが約800℃に設定され、アッシュ脱離制御の保持時間dtAがPM除去制御の保持時間dtPMよりも短くされる。言い換えると、この別の実施例では、アッシュ脱離制御の保持時間dtAがPM除去制御の保持時間dtPMよりも短くなるようにアッシュ脱離温度TFAが設定される。
本発明による実施例では、粒子状物質捕集量推定値QPMが第2のPM設定値QPM2以下になるとPM除去制御が終了され、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下になるとアッシュ脱離制御が開始される。また、第2のPM設定値QPM2と第3のPM設定値QPM3とは互いにほぼ等しい。したがって、本発明による実施例では、PM除去制御が終了されると、アッシュ脱離制御が開始されるということになる。あるいは、PM除去制御が終了されたときにパティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が設定捕集量以下であると判別されるという見方もできる。いずれにしても、パティキュレートフィルタ24の温度が高いときにアッシュ脱離制御が開始されるので、パティキュレートフィルタ24の温度を効率的に上昇させることができる。
ところで、単位時間当たりにパティキュレートフィルタ24に捕集されるアッシュの量は単位時間当たりにパティキュレートフィルタ24に捕集される粒子状物質の量よりもかなり少ない。このため、アッシュ脱離制御が行われる頻度はPM除去制御が行われる頻度に比べて低い。すなわち、図7Aに示されるように、PM除去制御が複数回行われるごとに、アッシュ脱離制御は1回行われる。図示しない別の実施例では、PM除去制御が1回行われるごとに、アッシュ脱離制御が1回行われる。
一方、アッシュ脱離制御の保持時間は比較的長く、このため何らかの理由でアッシュ脱離制御が中断されるおそれがある。この場合、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量推定値が第2のアッシュ設定値QA2よりも大きい状態でアッシュ脱離制御が停止される。そこで本発明による実施例では、次いでパティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下になったときに、パティキュレートフィルタのアッシュ付着量推定値QAが第1のアッシュ設定値QA1よりも小さくても、アッシュ脱離制御が行われる。すなわち、図7BにXで示されるようにアッシュ脱離制御が中断されたときには、Yで示されるように次のPM除去制御が終了したときにアッシュ脱離制御が再開される。その結果、アッシュによるパティキュレートフィルタ24の圧力損失増大を確実に抑制することができる。なお、再開されたアッシュ脱離制御では、アッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下になると、アッシュ脱離制御が終了される。
図8は本発明による実施例による粒子状物質捕集量推定値QPMの算出ルーチンを示している。このルーチンはあらかじめ定められた設定時間ごとの割り込みによって繰り返し実行される。
図8を参照すると、ステップ100では粒子状物質捕集量の増加分dQPMi及び減少分dQPMrが図4A及び図4Bのマップを用いてそれぞれ算出される。続くステップ101では粒子状物質捕集量推定値QPMが算出される(QPM=QPM+dQPMi−dQPMr)。
図9は本発明による実施例によるアッシュ付着量推定値QAの算出ルーチンを示している。このルーチンはあらかじめ定められた設定時間ごとの割り込みによって繰り返し実行される。
図9を参照すると、ステップ200ではアッシュ付着量の増加分dQAi及び減少分dQArが図5A及び図5Bのマップを用いてそれぞれ算出される。続くステップ201ではアッシュ付着量推定値QAが算出される(QA=QA+dQAi−dQAr)。
図10は本発明による実施例によるPM除去制御の実行ルーチンを示している。このルーチンはあらかじめ定められた設定時間ごとの割り込みによって繰り返し実行される。
図10を参照すると、ステップ300ではフラグXPMがセットされているか否かが判別される。フラグXPMはPM除去制御を実行すべきときにセットされ(XPM=1)、それ以外はリセットされる(XPM=0)。フラグXPMがリセットされているときには次いでステップ301に進み、粒子状物質捕集量推定値QPMが第1のPM設定値QPM1よりも大きいか否かが判別される。QPM≦QPM1のときには処理サイクルを終了する。QPM>QPM1のときには次いでステップ302に進み、フラグXPMがセットされる(XPM=1)。
フラグXPMがセットされているときにはステップ300からステップ303に進み、PM除去制御が実行される。続くステップ304では粒子状物質捕集量推定値QPMが第2のPM設定値QPM2以下であるか否かが判別される。QPM>QPM2のときには処理サイクルを終了する。QPM≦QPM2のときには次いでステップ305に進み、PM除去制御が終了される。続くステップ306ではフラグXPMがリセットされる(XPM=0)。
図11は本発明による実施例によるアッシュ付着制御の実行ルーチンを示している。このルーチンはあらかじめ定められた設定時間ごとの割り込みによって繰り返し実行される。
図11を参照すると、ステップ400ではフラグXAがセットされているか否かが判別される。フラグXAはアッシュ脱離制御を実行すべきときにセットされ(XA=1)、それ以外はリセットされる(XA=0)。フラグXAがリセットされているときには次いでステップ401に進み、アッシュ付着量推定値QAが第1のアッシュ設定値QA1よりも大きいか否かが判別される。QA≦QA1のときには処理サイクルを終了する。QA>QA1のときには次いでステップ402に進み、フラグXAがセットされる(XA=1)。
フラグXAがセットされているときにはステップ400からステップ403に進み、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下であるか否かが判別される。QPM>QPM3のときには処理サイクルを終了する。QPM≦QPM3のときには次いでステップ404に進み、アッシュ脱離制御が実行される。続くステップ405ではアッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下であるか否かが判別される。QA>QA2のときには処理サイクルを終了する。QA≦QA2のときには次いでステップ406に進み、アッシュ脱離制御が終了される。続くステップ407ではフラグXAがリセットされる(XA=0)。
なお、アッシュ脱離制御が中断されたときにはフラグXAがセットされた状態に維持される。このため、その後に図11のルーチンが実行されたときにはステップ400からステップ403に進み、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下であれば、アッシュ脱離制御が再開される。
次に、本発明による別の実施例を説明する。上述した実施例では、第3のPM設定値QPM3は第2のPM設定値QPM2とほぼ等しく設定される。これに対し、本発明による別の実施例では、第3のPM設定値QPM3は第2のPM設定値QPM2よりも大きく設定される。この場合のPM除去制御及びアッシュ脱離制御には2つの考え方がある。これらを、図12及び図13を参照しながらそれぞれ説明する。
まず図12に示される実施例では、時間tb1において粒子状物質捕集量推定値QPMが第2のPM設定値QPM以下になると、PM除去制御が終了される。図12には、PM除去制御が終了した後、アッシュ脱離制御が開始されない場合の粒子状物質捕集量推定値QPMが点線で示されている。この点線で示される粒子状物質捕集量推定値QPMは時間tb1から徐々に増大し、時間tb2になると第3のPM設定値QPM3以上になる。すなわち、時間tb1から時間tb2までの期間ARPにおいて、粒子状物質捕集量推定値QPMは第3のPM設定値QPM3以下になっている。したがって、PM除去制御が終了した後、直ちにアッシュ脱離制御を開始する必要はなく、期間ARP内においてアッシュ脱離制御が開始されれば、アッシュを確実に脱離できる。図12に示される実施例では、期間ARP内の時間tb3においてアッシュ脱離制御が開始される。言い換えると、PM除去制御が終了されてから遅延時間dtDが経過した後に、アッシュ脱離制御が開始される。この場合の粒子状物質捕集量推定値QPMが図12において実線で示されている。なお、遅延時間dtDをゼロとすれば、図6に示される実施例と同様になる。
一方、図13に示される実施例では、PM除去制御が行われている時間tc1において、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下となる。このとき、粒子状物質捕集量推定値QPMは第2のPM設定値QPM2よりも大きいけれども、PM除去制御が中断又は終了され、アッシュ脱離制御が開始される。なお、アッシュ脱離制御中にもパティキュレートフィルタ24上の粒子状物質は酸化除去される。したがって、アッシュ脱離制御が開始されても粒子状物質捕集量推定値QPMは減少し続け、次いで時間tc2において第2のPM設定値QPM2、すなわちゼロに到る。
図14は本発明による更に別の実施例を示している。図14に示される実施例では、パティキュレートフィルタ24から流出する排気ガス中の酸化炭素(一酸化炭素CO及び二酸化炭素CO)の濃度を検出するための酸化炭素濃度センサ28が排気管25に設けられる。
図15は、PM除去制御が継続して行われたときの、パティキュレートフィルタ24から流出する排気ガス中の酸化炭素濃度CCOXの変化を示している。なお、図15においてCCOXRは、PM除去制御及びアッシュ脱離制御が行われていない通常運転時にパティキュレートフィルタ24から流出する排気ガス中の酸化炭素濃度、すなわち基準酸化炭素濃度を示している。図15の時間td1においてPM除去制御が開始されると、パティキュレートフィルタ24上の粒子状物質が酸化され始め、したがって酸化炭素濃度CCOXは基準酸化炭素濃度CCOXRよりも増加分dCCOXだけ増大する。時間が経過すると、酸化される粒子状物質の量が減少するので、増加分dCCOXは次第に減少し、時間td2においてゼロとなる。すなわち、酸化炭素濃度CCOXは基準酸化炭素濃度CCOXRに一致する。なお、基準酸化炭素濃度CCOXRは機関運転状態、すなわち例えば機関負荷L及び機関回転数Neに応じて変動しうる。基準酸化炭素濃度CCOXRは機関負荷L及び機関回転数Neの関数として図16に示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。
図6に示される実施例では、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下のときに、パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量が設定捕集量以下であると判別される。すなわち、アッシュ脱離制御の開始タイミングが粒子状物質捕集量推定値QPMに基づいて決定される。これに対し、図14に示される実施例では、アッシュ脱離制御の開始タイミングが酸化炭素濃度の増加分dCCOXに基づいて決定される。すなわち、PM除去制御中にパティキュレートフィルタ24から流出した排気ガス中の酸化炭素濃度のPM除去制御による増加分があらかじめ定められた設定値以下になったときにパティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が設定捕集量以下であると判別される。
すなわち、図17の時間te1においてPM除去制御が開始されると、酸化炭素濃度の増加分dCCOXが増大する。時間が経過すると、増加分dCCOXは減少し、次いで時間te2において、上述の設定値に対応する値dCCOX1以下となる。図17に示される実施例ではこのときPM除去制御が終了され、アッシュ脱離制御が開始される。このようにすると、アッシュ脱離制御の開始タイミングをパティキュレートフィルタ24上の粒子状物質捕集量が少ないときに確実に設定でき、したがってアッシュを内周面71isから確実に脱離させることができる。
図17に示されるように、アッシュ脱離制御が開始されると、増加分dCCOXが再び増大する。これは、炭酸カルシウムCaCOから酸化カルシウムCaOへの変換に伴い二酸化炭素COが放出されるからである。次いで、時間te3において増加分dCCOXが再び値dCCOX1以下になる。
図6に示される実施例では、アッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下のときに、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第2の設定付着量以下であると判別される。すなわち、アッシュ脱離制御の終了タイミングがアッシュ付着量推定値QAに基づいて決定される。これに対し、図示しない別の実施例では、アッシュ脱離制御の終了タイミングが酸化炭素濃度の増加分dCCOXに基づいて決定される。すなわち、アッシュ脱離制御中にパティキュレートフィルタ24から流出した排気ガス中の酸化炭素濃度のアッシュ脱離制御による増加分があらかじめ定められた別の設定値以下になったときにパティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第2の設定付着量以下であると判別される。
図18は本発明による更に別の実施例を示している。図18に示される実施例では、パティキュレートフィルタ24の圧力損失を検出するための圧力損失センサが設けられる。図18に示される実施例では、パティキュレートフィルタ24の圧力損失はパティキュレートフィルタ24の前後差圧により表され、圧力損失センサはパティキュレートフィルタ24の前後差圧を検出するための差圧センサ27から構成される。図示しない別の実施例では、パティキュレートフィルタ24の圧力損失は機関背圧、すなわちパティキュレートフィルタ24上流の排気通路内の圧力により表され、圧力損失センサはパティキュレートフィルタ24上流の排気通路に設けられた圧力センサから構成される。
図6に示される実施例では、アッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下のときに、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第2の設定付着量以下であると判別される。すなわち、アッシュ脱離制御の終了タイミングがアッシュ付着量推定値QAに基づいて決定される。これに対し、図19に示される実施例では、アッシュ脱離制御の終了タイミングがパティキュレートフィルタ24の前後差圧に基づいて決定される。
上述したように、アッシュ脱離制御が行われているときには、パティキュレートフィルタ24上には粒子状物質がほとんど堆積していない。このため、アッシュ脱離制御中のパティキュレートフィルタ24の圧力損失は、パティキュレートフィルタ24それ自体とアッシュとに起因し、したがってアッシュ付着量を表している。
そこで、図18に示される実施例では、パティキュレートフィルタ24の圧力損失があらかじめ定められたしきい値以下になったときにアッシュ付着量が第2の設定付着量以下になったと判別される。すなわち、パティキュレートフィルタ24の前後差圧dPFが上記しきい値に対応する設定差圧dPFA以下になったときにアッシュ脱離制御が終了される。
図19はパティキュレートフィルタ24の前後差圧dPFの変化を模式的に示している。図19を参照すると、時間tf1においてPM除去制御が開始されると、前後差圧dPFは低下する。次いで、時間tf2においてPM除去制御が終了されると共にアッシュ脱離制御が開始される。このときの前後差圧dPFは値dPFPMで示されている。次いで、時間tf3において前後差圧dPFが設定差圧dPFA以下になると、アッシュ脱離制御が終了される。図19に示されるように、この設定差圧dPFはPM除去制御が終了されたときの前後差圧dPFPMよりもddPFだけ低く設定されている。このようにすると、アッシュによるパティキュレートフィルタ24の圧力損失増大を確実に回復することができる。
図6に示される実施例では、アッシュ付着量推定値QAが第1のアッシュ設定値QA1よりも大きいときに、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第1の設定付着量よりも多いと判別される。すなわち、アッシュ脱離制御の開始タイミングがアッシュ付着量推定値QAに基づいて決定される。これに対し、図示しない別の実施例では、アッシュ脱離制御の開始タイミングがパティキュレートフィルタ24の前後差圧に基づいて決定される。すなわち、PM除去制御が終了されたときのパティキュレートフィルタ24の圧力損失があらかじめ定められた別のしきい値よりも大きいときに、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量が第1の設定付着量よりも多いと判別される。
図20は本発明による更に別の実施例を示している。図20に示される実施例では、排気ガス中のSOxを捕捉する機能を有するNOx吸蔵還元触媒などの触媒22が設けられておらず、排気管21がパティキュレートフィルタ24の入口に連結される。この場合、機関本体1から排出された排気ガス中のSOx濃度、すなわち例えば排気マニホルド5に流入する排気ガス中のSOx濃度と、パティキュレートフィルタ24に流入する排気ガス中のSOx濃度が互いにほぼ等しくなっている。
図20に示される実施例では、アッシュが主として炭酸カルシウムCaCO及び硫酸カルシウムCaSOから形成されることが本願発明者により確認されている。これは次の理由による。すなわち、図20に示される実施例では、パティキュレートフィルタ24に、アッシュである炭酸カルシウムCaCOが捕集されると共に、SOxを含む排気ガスが流入する。このときパティキュレートフィルタ24は酸化雰囲気にあるので、炭酸カルシウムCaCOの一部が硫酸カルシウムCaSOに変換される。
パティキュレートフィルタに流入する排気ガスの空燃比をほぼ理論空燃比又は理論空燃比よりもリッチに保持しながら、すなわちパティキュレートフィルタ24を還元雰囲気に維持しながら、硫酸カルシウムCaSOを高温に保持すると、硫酸カルシウムCaSOは炭酸カルシウムCaCO又は硫化カルシウムCaSに変換され、硫化カルシウムCaSは炭酸カルシウムCaCO又は酸化カルシウムCaOに変換され、炭酸カルシウムCaCOは上述のように酸化カルシウムCaOに変換される。炭酸カルシウムCaCO又は硫化カルシウムCaSの結合エネルギは硫酸カルシウムCaSOの結合エネルギよりも高く、炭酸カルシウムCaCO又は酸化カルシウムCaOの結合エネルギは硫化カルシウムCaSの結合エネルギよりも高く、酸化カルシウムCaOの結合エネルギは炭酸カルシウムCaCOの結合エネルギよりも高い。したがって、アッシュが炭酸カルシウムCaCO及び硫酸カルシウムCaSOを含む場合には、アッシュを内周面71isから脱離させるために、硫酸カルシウムCaSOを炭酸カルシウムCaCOに変換すると共に炭酸カルシウムCaCOを酸化カルシウムCaOに変換する必要がある。そこで図20に示される実施例では、アッシュ脱離制御を行うべきときに、パティキュレートフィルタに流入する排気ガスの空燃比をほぼ理論空燃比又は理論空燃比よりもリッチに保持しながらパティキュレートフィルタの温度がアッシュ脱離温度に保持される。その結果、アッシュが硫酸カルシウムCaSOを含む場合にも、アッシュを内周面71isから確実に脱離させることができる。
すなわち、図21に示されるように、時間tg1において粒子状物質捕集量推定値QPMが第1のPM設定値QPM1を越えると、PM除去制御が開始される。その結果、フィルタ温度TFがPM除去温度TFPMまで上昇され、PM除去温度TFPMに維持される。この場合、パティキュレートフィルタ24への流入排気ガスの空燃比AFEは理論空燃比AFSよりもリーンに維持されつつわずかに低下する。次いで、時間tg2において粒子状物質捕集量推定値QPMが第2のPM設定値QPM2以下になると、PM除去制御が終了され、アッシュ脱離制御が開始される。すなわち、フィルタ温度TFがアッシュ脱離温度TFAまで更に上昇され、アッシュ脱離温度TFAに維持される。この場合、排気ガスの空燃比AFEは理論空燃比AFSよりもリッチに変更され保持される。次いで、時間tg3においてアッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下になると、アッシュ脱離制御が終了される。すなわち、フィルタ温度TFが元の温度まで復帰され、排気ガスの空燃比AFEが元の空燃比まで復帰される。
次に、本発明による更に別の実施例を説明する。これまで述べてきた実施例では、アッシュ付着量推定値QAが第1のアッシュ設定値QA1よりも大きくなったときに粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下のときに、アッシュ脱離制御が開始される。言い換えると、アッシュ付着量推定値QAが第1のアッシュ設定値QA1よりも大きくなったときに粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3よりも大きいと、その後にPM除去制御により粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下になるまで、アッシュ脱離制御が行われない。このため、何らかの理由によりPM除去制御が行われない場合に、アッシュ付着量が多い状態が長時間にわたり維持されるおそれがある。
そこで本発明による更に別の実施例では、アッシュ付着量推定値QAがあらかじめ定められた第3のアッシュ設定値QA3よりも大きくなったときには、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3よりも大きくても、アッシュ脱離制御が開始される。その結果、第3のアッシュ設定値QA3は上述の第1のアッシュ設定値QA1以上に設定される。
すなわち、図22に示されるように、時間th1においてアッシュ付着量推定値QAが第3のアッシュ設定値QA3を越えると、アッシュ脱離制御が開始される。なお、図22は第3のアッシュ設定値QA3が第1のアッシュ設定値QA1よりも大きく設定された場合を示している。その結果、フィルタ温度TFがアッシュ脱離温度TFAまで上昇され、アッシュ脱離温度TFAに維持される。図22に示される実施例では、パティキュレートフィルタ24への流入排気ガスの空燃比AFEは理論空燃比AFSよりもリーンに維持されつつわずかに低下する。
アッシュ脱離制御が開始されると、粒子状物質捕集量推定値QPMが減少する。一方、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3よりも大きい間は、アッシュの酸化カルシウムCaOへの変換が進行せず、したがってアッシュ付着量推定値QAは減少しない。次いで、時間th2において粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下になると、アッシュ付着量推定値QAは減少し始める。
次いで、時間th3においてアッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下になると、アッシュ脱離制御が終了される。すなわち、フィルタ温度TFが元の温度まで復帰され、排気ガスの空燃比AFEが元の空燃比まで復帰される。
このように図22に示される実施例では、粒子状物質捕集量推定値QPMに関わらず、アッシュ脱離制御が強制的に行われる。したがって、アッシュ付着量が過度に多くなるのが阻止される。
図23は図22に示される実施例によるアッシュ付着制御の実行ルーチンを示している。このルーチンはあらかじめ定められた設定時間ごとの割り込みによって繰り返し実行される。
図23を参照すると、ステップ400ではフラグXAがセットされているか否かが判別される。フラグXAはアッシュ脱離制御を実行すべきときにセットされ(XA=1)、それ以外はリセットされる(XA=0)。フラグXAがリセットされているときには次いでステップ401に進み、アッシュ付着量推定値QAが第1のアッシュ設定値QA1よりも大きいか否かが判別される。QA≦QA1のときには処理サイクルを終了する。QA>QA1のときには次いでステップ402に進み、フラグXAがセットされる(XA=1)。続くステップ402aではアッシュ付着量推定値QAが第3のアッシュ設定値QA3よりも大きいか否かが判別される。QA≦QA3のときには処理サイクルを終了する。QA>QA3のときには次いでステップ402bに進み、フラグXAFがセットされる(XAF=1)。フラグXAFは粒子状物質捕集量推定値QPMに関わらずアッシュ脱離制御を実行すべきときにセットされ(XAF=1)、それ以外はリセットされる(XAF=0)。
フラグXAがセットされているときにはステップ400からステップ403に進み、粒子状物質捕集量推定値QPMが第3のPM設定値QPM3以下であるか否かが判別される。QPM>QPM3のときには次いでステップ403aに進み、フラグXAFがセットされているか否かが判別される。フラグXAFがリセットされているときには処理サイクルを終了する。フラグXAFがセットされているときには次いでステップ404に進む。また、QPM≦QPM3のときにはステップ403からステップ404に進む。ステップ404ではアッシュ脱離制御が実行される。続くステップ405ではアッシュ付着量推定値QAが第2のアッシュ設定値QA2以下であるか否かが判別される。QA>QA2のときには処理サイクルを終了する。QA≦QA2のときには次いでステップ406に進み、アッシュ脱離制御が終了される。続くステップ407ではフラグXAがリセットされる(XA=0)。続くステップ404aではフラグXAFがリセットされる(XAF=0)。
1 機関本体
2 燃焼室
3 燃料噴射弁
21,23 排気管
24 パティキュレートフィルタ
30 電子制御ユニット
そこで本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量を減少させるためにパティキュレートフィルタ24の温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御が行われる。この場合、アッシュ脱離温度はアッシュを酸化カルシウムCaOに変換するのに適した温度である。その結果、アッシュによるパティキュレートフィルタ24の圧力損失増大を抑制することができる。
粒子状物質捕集量の増加分dQPMiは機関運転状態、すなわち例えば機関負荷L及び機関回転数Neに基づいて算出される。本発明による実施例では機関負荷Lはアクセルペダル39の踏み込み量によって表わされる。増加分dQPMiは機関負荷L及び機関回転数Neの関数として図4Aに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。一方、粒子状物質捕集量の減少分dQPMrは機関運転状態、すなわち例えばパティキュレートフィルタ24の温度TF及びパティキュレートフィルタ24内に流入する排気ガス量Geと、粒子状物質捕集量推定値QPMとに基づいて算出される。本発明による実施例では排気ガス量Geは吸入空気量によって表わされる。減少分dQPMrはフィルタ温度TF排気ガス量Ge及び粒子状物質捕集量推定値QPMの関数として図4Bに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。
アッシュ付着量の増加分dQAiは機関運転状態、すなわち例えば機関負荷L及び機関回転数Neに基づいて算出される。増加分dQAiは機関負荷L及び機関回転数Neの関数として図5Aに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。一方、アッシュ付着量の減少分dQArは機関運転状態、すなわち例えばパティキュレートフィルタ24の温度TF及びパティキュレートフィルタ24内に流入する排気ガス量Geに基づいて算出される。減少分dQArはフィルタ温度TF及び排気ガス量Geの関数として図5Bに示されるマップの形であらかじめROM32内に記憶されている。
まず図12に示される実施例では、時間tb1において粒子状物質捕集量推定値QPMが第2のPM設定値QPM以下になると、PM除去制御が終了される。図12には、PM除去制御が終了した後、アッシュ脱離制御が開始されない場合の粒子状物質捕集量推定値QPMが点線で示されている。この点線で示される粒子状物質捕集量推定値QPMは時間tb1から徐々に増大し、時間tb2になると第3のPM設定値QPM3以上になる。すなわち、時間tb1から時間tb2までの期間ARPにおいて、粒子状物質捕集量推定値QPMは第3のPM設定値QPM3以下になっている。したがって、PM除去制御が終了した後、直ちにアッシュ脱離制御を開始する必要はなく、期間ARP内においてアッシュ脱離制御が開始されれば、アッシュを確実に脱離できる。図12に示される実施例では、期間ARP内の時間tb3においてアッシュ脱離制御が開始される。言い換えると、PM除去制御が終了されてから遅延時間dtDが経過した後に、アッシュ脱離制御が開始される。この場合の粒子状物質捕集量推定値QPMが図12において実線で示されている。なお、遅延時間dtDをゼロとすれば、図6に示される実施例と同様になる。

Claims (11)

  1. 機関排気通路内に配置され、排気ガス中の粒子状物質を捕集するためのパティキュレートフィルタと、
    前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量を減少させるために前記パティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたPM除去温度まで上昇させて該PM除去温度に保持するPM除去制御を行うように構成されたPM除去手段と、
    前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量があらかじめ定められた設定捕集量以下か否かを判別し、前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が前記設定捕集量以下であると判別したときに、前記パティキュレートフィルタのアッシュ付着量を減少させるために前記パティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度まで上昇させて該アッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御を行うように構成されたアッシュ脱離手段と、
    を具備し、
    前記アッシュ脱離温度は前記アッシュを酸化カルシウムに変換するのに適した温度である、
    内燃機関の排気浄化装置。
  2. 前記アッシュ脱離手段は、前記アッシュ脱離制御において前記パティキュレートフィルタの温度が前記アッシュ脱離温度以上に保持されている時間が、前記PM除去制御において前記パティキュレートフィルタの温度が前記PM除去温度以上に保持されている時間よりも長くなるように構成されている、請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  3. 前記アッシュ脱離手段は、前記PM除去制御中に前記パティキュレートフィルタから流出した排気ガス中の酸化炭素の濃度の前記PM除去制御による増加分があらかじめ定められた設定値以下になったときに前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が前記設定捕集量以下であると判別するように構成されている、請求項1又は2に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  4. 前記アッシュ脱離手段は、前記PM除去制御が終了されたときに前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が前記設定捕集量以下であると判別するように構成されている、請求項1又は2に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  5. 前記アッシュ脱離手段は、前記パティキュレートフィルタのアッシュ付着量があらかじめ定められた第1の設定付着量よりも多いか否かを判別し、前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が前記設定捕集量以下でありかつ前記パティキュレートフィルタのアッシュ付着量が前記第1の設定付着量よりも多いと判別したときに前記アッシュ脱離制御を行うように構成されている、請求項1から4までのいずれか一項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  6. 前記アッシュ脱離手段は、前記アッシュ脱離制御が中断されたときには、次いで前記パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が前記設定捕集量以下であると判別したときに、前記パティキュレートフィルタのアッシュ付着量が前記第1の設定付着量よりも少なくても、前記アッシュ脱離制御を行うように構成されている、請求項5に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  7. 前記アッシュ脱離手段は、前記アッシュ脱離制御中に前記アッシュ付着量があらかじめ定められた第2の設定付着量以下になったか否かを判別し、前記アッシュ脱離制御中に前記アッシュ付着量が前記第2の設定付着量以下になったと判別したときに前記アッシュ脱離制御を終了するように構成されている、請求項1から6までのいずれか一項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  8. 前記アッシュ脱離手段は、前記パティキュレートフィルタの圧力損失があらかじめ定められたしきい値以下になったときに前記アッシュ付着量が前記第2の設定付着量以下になったと判別するように構成されており、前記しきい値は、前記PM除去制御が終了されたときの前記パティキュレートフィルタの圧力損失よりも小さく設定されている、請求項7に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  9. 前記内燃機関から排出された排気ガス中のSOx濃度と前記パティキュレートフィルタに流入する排気ガス中のSOx濃度とが互いにほぼ等しくなっており、前記アッシュ脱離手段は、前記アッシュ脱離制御を行うべきときに、前記パティキュレートフィルタに流入する排気ガスの空燃比をほぼ理論空燃比又は理論空燃比よりもリッチに保持しながら前記パティキュレートフィルタの温度をアッシュ脱離温度に保持するように構成されている、請求項1から8までのいずれか一項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  10. 前記アッシュ脱離温度が前記PM除去温度よりも高く設定されている、請求項1から9までのいずれか一項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
  11. 前記アッシュ脱離温度が約620℃から約800℃に設定されている、請求項1から10までのいずれか一項に記載の内燃機関の排気浄化装置。
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